JPWO2013084259A1 - 空気流量測定装置 - Google Patents

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Abstract

計測精度のよい空気流量測定装置を提供すること。
吸気管内を流れる流体流量の一部を取り込む副通路と、副通路に配置され流体流量を計測するセンサ素子と、センサ素子により検出した流体流量を電気信号に変換する回路部と、回路部と電気的に接続され外部に信号を出力するコネクタを有するコネクタ部と、センサ素子および回路部を支持する筐体と、を備え、センサ素子が吸気管内に配置される空気流量測定装置において、センサ素子は、半導体基板に形成された空洞部と、空洞部を覆うように形成された薄膜部からなるダイアフラムと、を有し、センサ素子は、リードフレームに実装され、センサ素子およびリードフレームの表面は、センサ素子のダイアフラム部およびリードフレームの一部が露出するように樹脂でモールドパッケージされ、空洞部とモールドパッケージの外部とを連結する穴を前記リードフレームに少なくとも1つ以上形成した。

Description

本発明は、流体の流量を計測する流量測定装置に係り、特に、自動車の内燃機関の吸入空気流量に好適な空気流量測定装置に関する。
従来、自動車などの内燃機関の吸入空気通路に設けられ、吸入空気量を測定する空気流量センサとして、発熱式のものが質量空気量を検出できることから主流となってきている。
半導体マイクロマシニング技術によりセンサ素子を部分的に薄膜状に形成することで、空気流量センサが高速応答性を有することが可能となる。以下、この薄膜部をダイアフラムとよぶ。ダイアフラム上には発熱抵抗体と、発熱抵抗体に近接させた2つ以上の感温抵抗体がパタニングされている。発熱抵抗体が周囲温度に比べ、ある所定の温度以上に発熱するように一定に制御され、その温度分布を感温抵抗体が検出する。センサ素子上を通過する空気量の大きさに応じて温度分布が変化するので、この温度分布変化量を空気の流れ方向に対して上流および下流に配置した感温抵抗体が検出することで空気量が測定できる。
上記センサ素子を用いた発熱式空気流量計において、センサ素子やセンサ素子を搭載するリードフレームの周囲をトランスファモールド等により樹脂でパッケージする方法が一つの手段として考えられる。
セラミックなどの基板上にセンサ素子や回路を実装していたものに比べて構成部品点数や接続箇所を低減できるためである。
ここで上記センサ素子とセンサ素子をパッケージした構造を採用した熱式流量計の課題を挙げる。
まず、ダイアフラム上に配置された発熱抵抗体および感温抵抗体は応力がかかるとピエゾ効果により、抵抗値が変化するため、検出空気量の誤差要因となる。ダイアフラム部の表面と裏面で圧力差が生じると、ダイアフラム部が変形し発熱抵抗体及び感温抵抗体に応力がかかる。このため、ダイアフラム部の表面と裏面の圧力差を抑制することが課題になる。
ダイアフラム表面と裏面の圧力差を低減する手法として、特許文献1では、ダイアフラム表面もしくはセンサ素子を搭載する基板裏面に開口部を設け、ダイアフラム裏面の空洞部と、ダイアフラム表面の大気圧とを連通したものがある。
特開2008−20193号公報
しかし、特許文献1に記載の手法では、ダイアフラム表面もしくはダイアフラムを支持する基板の裏面側の開口部は吸気管内に曝されるため、ここから進入する汚損物や液滴を完全に回避することができない。
センサ素子をリードフレーム上に搭載し、トランスファモールド技術によりパッケージする場合、ダイアフラム裏面の空洞部は外気と完全に遮断される。このため、チップパッケージの周囲温度が変化すると、ダイアフラム裏面の空洞部内にある空気の体積が変化し、ダイアフラム表面にかかる大気圧とダイアフラム裏面の気圧差により、ダイアフラムが変形する。この変形でダイアフラム上の発熱抵抗体および感温抵抗体がピエゾ効果を受け、抵抗値が変化し、この結果検出空気量に誤差を生じる。
このため、ダイアフラム部裏面の空間を大気と連通し、温度の影響によるダイアフラム表面と裏面の気圧差を解消する必要がある。
また、ダイアフラム上には流量を検出するため発熱抵抗体が配置されているが、前述のとおり、ダイアフラム部には吸気管内の水滴や汚損物が飛来してくる。上記気圧差を解消するため、ダイアフラム部裏面の空間を熱式空気流量計のいずれかに開口する必要があるが、吸気管内に曝される位置に開口すると、開口部に到達した汚損物や水滴が開口部をふさいでしまう懸念がある。
さらに、センサ素子の搭載位置ずれの課題がある。上記のとおり、ヒーターが生成する温度分布は、その表面を通過する空気の流速を検出することを原理としている。センサ素子が実装される副通路内は流速分布が一様でないためにセンサ素子の実装される位置がずれるとセンサ素子の検出する流速も変化し、空気量が正しく計測されない。このため精度良くセンサ素子をパッケージ内に搭載することが課題になる。
本発明の目的は、計測精度のよい空気流量測定装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の空気流量測定装置は、吸気管内を流れる流体流量の一部を取り込む副通路と、前記副通路に配置され前記流体流量を計測するセンサ素子と、前記センサ素子により検出した流体流量を電気信号に変換する回路部と、前記回路部と電気的に接続され外部に信号を出力するコネクタを有するコネクタ部と、前記センサ素子および前記回路部を支持する筐体と、を備え、前記センサ素子が前記吸気管内に配置される空気流量測定装置において、前記センサ素子は、半導体基板に形成された空洞部と、前記空洞部を覆うように形成された薄膜部からなるダイアフラムと、を有し、
前記センサ素子は、リードフレームに実装され、前記センサ素子および前記リードフレームの表面は、前記センサ素子のダイアフラム部および前記リードフレームの一部が露出するように樹脂でモールドパッケージされ、前記空洞部と前記モールドパッケージの外部とを連結する穴を前記リードフレームに少なくとも1つ以上形成した。
本発明によれば、計測精度のよい空気流量測定装置を提供することができる。
熱式空気流量計の吸気管への搭載状態。 熱式空気流量計の構造と部品構成。 センサ素子の検出部。 実施例1のチップパッケージの平面図と断面図。 実施例1の部品形状のリードフレームブクミのカバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図(1)。 実施例1の工程、カバーフレームを搭載した状態の平面図と断面図。 実施例1の工程、リードフレームブクミにセンサ素子を搭載した状態の平面図と断面図。 実施例1の工程、トランスファモールド後の平面図と断面図。 実施例2を示す図。実施例1の代案の部品形状のリードフレームブクミのカバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図(1)。 実施例3を示す図。実施例1の代案の部品形状のリードフレームブクミのカバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図(2)。 実施例4を示す図。連通孔を含むアウターリードの切断部位。 連通孔を含むアウターリード切断部の切り口拡大図。 複数チップを搭載したときの代案および切断部の接続信頼性向上の代案。 実施例8のリードフレームブクミの部品形状カバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図。 実施例8の工程、カバーフレームを搭載した状態の平面図と断面図。 実施例8の工程、リードフレームブクミにセンサ素子を搭載した状態の平面図と断面図。 実施例9を示す図。実施例1の代案の部品形状のリードフレームブクミのカバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図(1)。 実施例10を示す図。実施例1の代案の部品形状のリードフレームブクミのカバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図(2)。 実施例11リードフレームを折り曲げてプレス法で連通溝を形成する代案。 実施例11リードフレームを折り曲げてプレス法で連通溝を形成する代案。 実施例11リードフレームを折り曲げてエッチング法で連通溝を形成する代案。 実施例11リードフレームを折り曲げてエッチング法で連通溝を形成する代案。 実施例12のリードフレームブクミの部品形状カバーフレーム、接着剤、リードフレームの平面図と断面図。 実施例12の工程、カバーフレームを搭載した状態の平面図と断面図。 実施例12の工程、リードフレームブクミにセンサ素子を搭載した状態の平面図と断面図。 実施例12の工程、トランスファモールド後の平面図およびトランスファモールド時のリードフレームを型で押さえた様子を示す断面図。 実施例13のリードフレームに追加工で連通孔を形成する方法。 実施例14パイプ状の部材で連通孔を形成する方法。 実施例15の貫通孔周辺のダイボンド材受け。
以下、本発明の実施例について図面に従い詳細に説明する。
〔実施例1〕
本発明の一実施例である実施例1について以下説明する。
図1に示されるように、熱式流量計100はフランジ部99をネジ止めなど機械的な締結方法で吸気管140に取り付けられる。熱式流量計100は大きく分けて副通路101、回路室102、コネクタ部103から構成されており、コネクタ部103内のコネクタリード111を介してエンジンを制御するECUと電気的に接続される。吸気管140内部を流れる吸入空気110は、熱式流量計100の上流側開口部105から副通路内に入り、下流側開口部106へ抜けていく。副通路101内にはセンサ素子701が配置されており、吸気管140内を通る吸入空気110のうち副通路101内に分流されて取り込まれた風の流れを検出する。
以下、図1のA−A断面図である図2を用いて熱式流量計100の部品構成および構造を説明する。
熱式流量計100の回路室102および副通路101はハウジング部材201とカバー部材202、センサ素子701とその駆動回路を内包するチップパッケージ203とで囲まれて構成されている。これらの部材は互いに熱硬化性の接着剤104で周囲を接着する。これにより、回路室102内は完全に気密が保たれ、副通路101内を吸入空気が通過しても吸入空気110は回路室102内には侵入しない。しかし、回路室が完全に気密されていると熱硬化性の接着剤104を加熱硬化する過程で回路室内の空気が膨張し、ハウジング部材201とカバー部材202が正しく接合されない。
このため回路室102内の膨張した空気を逃がす必要があり、コネクタ部103の内部に回路室102とつながる換気穴108を設け、回路室102内部の空気と吸気管外の大気109と連通する。
チップパッケージ203のアウターリード305とコネクタ部103内部にあるコネクタリード111はアルミワイヤ112等で電気的に接続される。ここで図2(b)に示すように、チップパッケージのアウターリード305はコネクタリード111を兼ねても良く、この場合はアルミワイヤ112および回路室102を用いなくてもよい。
流量検出部の最小限の回路構成を図3(a)に、流量検出部の構造を図3(b)に図3(b)のA−A断面図を図3(c)に示す。これらを用いて検出部ダイアフラム702上にパタニングされる流量検出部の代表例と動作原理を説明する。
ダイアフラム702上にはパタニングにより流量検出部4が形成されている。流量検出部4は、ヒータ抵抗(発熱抵抗体)7及び非加熱抵抗(感温抵抗体)9を備えており、これらは、流量検出部4とは別に形成された駆動回路5に接続されている。ヒータ抵抗7は、後述する駆動回路5から電流が通電されることにより発熱し、少なくとも周囲温度よりも高い温度に、その周囲の流体(空気)を加熱するものである。非加熱抵抗9は、流量検出部周辺の流体温度を検出するものであり、この検出した温度よりもある一定の温度以上高くなるように、ヒータ抵抗7は、駆動回路5により加熱制御される。
さらに、流量検出部4は、ヒータ抵抗7の下流側近傍に配置された温度センサ(温度検出抵抗体)11,12と、ヒータ抵抗7の上流側近傍に配置された温度センサ(温度検出抵抗体)13,14と、を備えており、これらは、流量検出部4とは別に形成された定電圧源26により接続され、ブリッジ回路45を構成している。
駆動回路5は、その内部に配置された固定抵抗8,10、及びオペアンプ15を備えており、これによりヒータ抵抗7を加熱制御するヒータ制御回路として構成されている。この駆動回路5によって、オペアンプ15からの電流が、ヒータ抵抗7に通電され、ヒータ抵抗7の加熱温度が周囲温度(流体)に対して一定値になるように、非加熱抵抗9の検出温度に基づいて、加熱制御される。
このようにして、ヒータ抵抗7の上流側近傍に配置された温度センサ13,14とヒータ抵抗7の下流側近傍に配置された温度センサ11,12との間の流体の温度分布の変化(熱量)を、流体の流量(検出流量Q)として検出している。空気流量が変化した場合、これら、上流側近傍に配置された温度センサ13,14とヒータ抵抗7の下流側近傍に配置された温度センサ11,12に加わるヒータ抵抗からの熱影響が変化することを捕らえることで、空気流量と方向に応じた電圧信号が得られる。
図3(b)に示されるように、ヒータ抵抗7は縦長に抵抗が折り返したパターンであり、この両側(上下流側)にそれぞれ温度センサ11,12および温度センサ13,14が配置された構造となっている。ヒータ抵抗7と温度センサ11,12,13,14は、例えばシリコン基板であるセンサ素子701の裏面からエッチングして形成される熱容量が小さなダイアフラム702上に配置される。非加熱抵抗9は、ヒータ抵抗7の加熱による温度影響を受けにくい場所、例えば、ダイアフラム702外に配置されている。これらの素子は回路部との電気的接続を取るため、電極取り出し部42から、例えば金線ワイヤボンディング等で接続される。本実施例においては、温度センサ11,12,13,14のブリッジ中点の電位が、特性調整回路6に入力される。
次に、チップパッケージ203の形状についてパッケージ正面図で内部構造を破線で示した図4(a)およびその断面図である図4(b)で説明する。
センサ素子701は一般的に矩形形状である。センサ素子701の検出部は前述のとおりダイアフラム702に配置されており、このダイアフラム702は測定対象である空気が流れる図1で示した副通路101内部に配置される。
ダイアフラム702は、前述のとおりセンサ素子701の裏面方向からエッチングで形成され、裏面に空洞部703ができる。ダイアフラム702を薄膜にする目的は、主に熱容量を下げることによって、熱応答性を高めると同時に、低消費電力化を測ることができるという利点があるためである。
ダイアフラム702下の空洞部703と回路室102はリードフレーム704に空けられた連通孔705を通じて連通される。リードフレーム704は0.1mmから1mm程度の厚みのCuもしくはFe−Ni等の材質が用いられる。ここでダイアフラム702と回路室102を連通する場合、リードフレーム704もしくはチップパッケージ203の樹脂部601に連通孔705を設ける必要があるが、一度パッケージされた後、追加工程で樹脂部601もしくはリードフレーム704に穴を空けると従来のパッケージの工程に比べ、工程増となり、また微細加工となるため加工難易度も高い。
そこで、本発明では、以下の手順によりリードフレーム704の内部に連通孔705を設け、回路室102とダイアフラム下の空洞部703を連通する。以後、連通孔705を構成するためのリードフレーム704の最小限の部品の集合体(本実施例ではリードフレーム301、カバーフレーム401および接着剤404からなる)をリードフレームブクミ704とよぶ。
図5から図8を用いてチップパッケージ203の製造手順を示す。
まず、カバーフレーム401とリードフレーム301を用意する。以後、前述の第1のリードフレームをカバーフレーム401、第2のリードフレームをリードフレーム301と呼ぶ。それぞれカバーフレーム401とリードフレーム301およびカバーフレーム401とリードフレーム301を貼り合わせる接着剤404の形状を図5(a)(b)(c)で説明する。
まず、リードフレーム301の構造を図5(c)で説明する。リードフレーム301は外枠302とセンサ素子等の電子部品やカバーフレーム401を搭載するダイパッド303、後述するトランスファモールド技術でモールドする際に樹脂流れの影響で位置がずれないように外枠302とダイパッドをつなぐタイバー304、およびチップパッケージのアウターリード305で構成されている。
次にカバーフレーム401の構造を図5(a)で説明する。
カバーフレーム401はハーフエッチ加工やプレス加工でダイアフラム下の空洞部703から空気を逃がすための溝402(以下連通溝402とよぶ)と、センサ素子をダイボンドするエリア内のダイアフラム直下部分にあけられた、溝部分を通る貫通穴403により構成されている。このカバーフレーム401を図5(b)に示すシート接着剤404でリードフレーム301と重ね合わせる。
リードフレーム301とカバーフレーム401を接着剤404で接合した様子を図6(a)に正面図で、図6(b)に断面図で示す。リードフレーム301とカバーフレーム401を接着剤404で接合すると貫通穴403とつながる閉空間が形成される。以下この閉空間が連通孔705となる。
リードフレームブクミ704にセンサ素子701を構造的および電気的に接合する様子図7(a)に正面図で、図7(b)に断面図で示す。
Agペーストもしくは熱硬化型の接着剤からなるダイボンド材501を貫通穴周囲を囲うようにカバーフレーム401上に塗布した後、センサ素子701をダイボンドし、加熱炉によりダイボンド材501および接着剤404を加熱硬化する。ここで、リードフレーム301およびカバーフレーム401は互いに同種材料でも異種材料でも良く、チップパッケージ203全体の形状により最適な方を選択すればよい。例えばカバーフレーム401にくらべ、リードフレーム301の面積が十分大きい場合は、リードフレーム301よりもカバーフレーム401の方がよりセンサ素子701の線膨張係数に近い材質を選択することで、加熱硬化時のセンサ素子701にかかる応力を緩和することができる。
その後にセンサ素子701上の電極取り出し部42とリードフレーム301上のボンディング部503をAuワイヤ504でワイヤボンディングにより接続する。
センサ素子701の搭載されたリードフレームブクミ704をモールドする様子を図8(a)に正面図で、図8(b)にリードフレームブクミが型にセットされた様子の断面図で示す。
前述のとおり図7までの工程でできたセンサ素子701の搭載されたリードフレームブクミ704を、トランスファモールド用下型1103の上にセットし、トランスファモールド用上型1102で挟み込む。トランスファモールド用上型1102およびトランスファモールド用下型1103の間にできる空間に200℃から300℃程度に加熱されたエポキシやポリアミド等の熱硬化性樹脂を5から10MPa程度の射出圧で射出し、リードフレームブクミ704をパッケージする。以後このリードフレームブクミ704上にセンサ素子701などの電子部品が搭載され、パッケージされた直後の形状をパッケージブクミ602とよぶ。
ここで樹脂部601の射出圧が高いと、Auワイヤ504が樹脂部601により押し流され、倒れてしまい、Auワイヤ504がカバーフレーム401に接触する場合がある。このとき、カバーフレーム401を金属材料で構成すると、Auワイヤ504がショートし、センサ素子701とアウターリード305は電気的に正しく接続されない懸念がある。
この懸念を解消するため、カバーフレーム401に用いる材質は金属のみでなく、シリコンもしくはガラスであってもよい。シリコンもしくはガラスを用いる場合、連通溝402および貫通穴403はウェットエッチ加工やドライエッチ加工もしくはブラスト加工で形成することができる。このシリコンもしくはガラスを用いる構造は以下の実施例における全てのカバーフレーム401に対して適応できる。
パッケージブクミ602のタイバー304、タイバー304のアウターリード305同士をつなぐ部位、およびアウターリード305の先端を切断すると先に示した図4のチップパッケージ203が完成する。このとき特にアウターリード305は切断ライン1101で切断する。切断ライン1101は必ず連通溝402を含むようにアウターリードを切断すると、先に示した図4(b)のように、連通孔の開口部708が得られる。
前述のとおり、チップパッケージ203とハウジング部材201、および前記カバー部材202により、副通路101および回路室102を形成するので、ダイアフラム下の空洞部703内部の空気は連通孔705をとおり、回路室102をへて、換気穴108を通過しコネクタ部103から吸気管外の大気109と連通される。
以上のような製造手順及び構造により、センサ素子701をパッケージすることでダイアフラム下の空間は吸気管140内から遮断され、水滴や汚損物の到達の懸念を排除することができる。また従来の一般的なパッケージ技術に工程を追加することなくダイアフラム下の空洞部703と回路室102を連通することができる。さらに、ダイアフラム下の空洞部703が大気と連通されることでダイアフラム表面側と裏面側の気圧差によるダイアフラム702の変形が軽減されるので、ダイアフラム702上に構成された流量検出部4を構成する抵抗類にかかるピエゾ効果による抵抗値変化が低減でき、熱式流量計100の特性変化が軽減できる。また、ダイアフラム裏面の空間とつながる開口部の目詰まりを防止でき、信頼性の高い製品を得ることができる。
さらに、センサ素子に構成されたダイアフラム裏面の空間と吸気管外と連通する換気穴を製造過程において塞がることなく、また、センサ素子搭載ばらつきを抑えて形成するが可能となる。
また、本実施例は以後に示す実施例も含め、リードフレーム中に連通孔を設ける例を示しているが、本発明の意図はセンサ素子を支持する部材中に連通孔を設けるものであり、これら実施例のみならず、例えば回路パターンを構成する基板に連通孔を設けるものであってもよい。
〔実施例2〕
実施例1の別案におけるカバーフレーム401とリードフレーム301、接着剤404の塗布形状について図9を用いて説明する。
実施例1では、カバーフレーム401に連通溝402を形成するためハーフエッチ工程またはプレス加工が必要になる。本実施例ではこの工程を削減することでチップパッケージの製造工程を簡素化する方法を示す。接着剤404を図9(b)に示すように、貫通穴403とアウターリード305を含む範囲を囲むようペースト状の接着剤404をディスペンス方式により塗布する、もしくはシート状接着剤をカットして貼り付けることで、連通孔705を構成できる。これにより実施例1にくらべより少ない工程数でチップパッケージ203を製造することができる。
〔実施例3〕
実施例1に比べより精密にセンサ素子701をリードフレームブクミ704に搭載するためのカバーフレーム401とリードフレーム301、接着剤404の塗布形状の構造別案を図10(a)(b)(c)を用いて説明する。
カバーフレーム401に連通溝402を設けると、カバーフレーム401の板厚が一様でなくなるため、センサ素子701搭載面の平面度低下が懸念される。一方、リードフレーム301の連通溝402を設けると、カバーフレームと同様に平面度低下が懸念される。このため、連通溝402はリードフレーム301にもうけ、リードフレーム301の平面度低下分を接着剤404で吸収する。
さらに接着剤404も同様にセンサ素子701の搭載高さ精度の観点から、ディスペンス方式でリードフレーム上に接着剤を塗布するよりもシート接着剤を用いるほうが積層方向の寸法ばらつきを抑えることができるが、図9(b)に示す接着剤404の塗布エリアのように空洞を囲むような形状に個辺を切り出すのが難しいので、空気を通して樹脂を通さないような多孔質の材質からなる接着剤404を用いるのが良い。本実施例により、センサ素子701をより高い精度で搭載できるリードフレームブクミ704が得られる。
〔実施例4〕
図8を用いて、再度実施例1のトランスファモールド工程を示す。アウターリード305およびタイバー304はチップパッケージ203の樹脂部601よりも外側にはみ出すため、トランスファモールド用上型1102とトランスファモールド用下型1103はそれぞれアウターリード305およびタイバー304を逃げるように製作される。
このため、カバーフレーム401がリードフレーム301上に所定の形状よりずれて搭載されると、リードフレーム301とカバーフレーム401が重なり合ってできるアウターリード305と型の間に隙間ができ、この隙間から樹脂部601が流れ出す。このため、チップパッケージ203が正しい形状にならない。トランスファモールド時に樹脂が漏れないための隙間寸法は5/1000mm程度であるため、リードフレーム301上に搭載されるカバーフレーム401の搭載精度は非常に高い。
この許容隙間寸法を緩和するための構造および製造方法について図11を用いて説明する。なお、基本的な部品構成、構造、製造工程は実施例1から3と同一である。
リードフレーム301とカバーフレーム401を接着剤404で貼り合わせる際に、実施例1から3のいずれにおいても形成される連通溝402をカバーフレーム401の内側で閉空間になるように構成する。つぎにリードフレームブクミ704をモールドする際に、樹脂部601をモールドする範囲を必ずカバーフレーム401すべてを含む範囲に収めるようパッケージブクミ602を形成し、外枠302からパッケージブクミ602を切り離す際にカバーフレーム401内で図11の切断ライン1101で切断する。ここで切断ライン1101は接着溝の閉空間の一部を通過するように設定する。これにより連通孔の開口部708が形成される。
以上の構造から、カバーフレーム401が接着時にリードフレーム301に対して例えば±0.1mm程度のずれが生じても、トランスファモールド用上型1102およびトランスファモールド用下型1103がカバーフレーム401のアウターリード305を構成する部分の外周±0.2mm程度の幅を持って連通溝402を含む範囲を覆っていれば、さらにその外側に樹脂がもれることはなく、チップパッケージ203は正しい形状を得ることができる。
〔実施例5〕
図12にアウターリード305切断後にできる連通孔の開口部708を示す。
実施例1もしくは3において、パッケージブクミ602が生成された後、アウターリード305を切断する工程において、切断用のパンチがアウターリード305を押し切る際に連通溝の上側面1201を押しつぶしてしまい、連通孔705がふさがる懸念がある。
リードフレームの板厚t、連通溝の幅をw、とするとき連通孔の切断ライン1101を通る部位は連通溝の幅w≦板厚tであることが望ましい。
〔実施例6〕
実施例5の代案を、外枠302を省略したパッケージブクミ602を図13(a)に、切断ライン1101でアウターリード305を切断した後の連通孔の開口部708の様子を図13(b)に示す。
図13(b)で示すように、複数の連通溝402を設けることで、連通孔の開口部708の総面積を大きくとることができて、連通孔705によるダイアフラム裏面の空洞部703と連通孔の開口部708との接続信頼性が向上する。
〔実施例7〕
実施例1から6において、カバーフレーム401上に搭載するチップ部品はセンサ素子701のみでなくともよい。本実施例はカバーフレーム401上にセンサ素子を含む複数個のチップ部品を搭載する際の例を示す。再度図13(a)を用いて複数チップを搭載する際の形態を示す。
センサ素子701のほかにたとえば演算回路を含むチップ1301を第1のリードフレーム上に実装する場合、第1のリードフレームの最小面積はすくなくともチップ1301の面積分だけ大きくなる。
本実施例は実施例1と同様の製造手順および部品構造、部品構成で製作することができるが、連通溝402が広いと熱硬化樹脂の射出圧に負けてカバーフレーム401が変形し、センサ素子701やチップ1301の搭載状態が不安定になり、チップ部品の積層方向での搭載寸法ばらつきが大きくなることが懸念される。
そこで、センサ素子701もしくはチップ1301の直下の領域に連通孔705を形成しない部分1302をチップ1301の裏面側に一部もしくは全部配置することが望ましい。
〔実施例8〕
再度図2で示す熱式流量計の断面図を用いて、熱式流量計100の特性ばらつき低減のためにセンサ素子701の搭載位置精度を向上させる方法を示す。
熱式流量計100の副通路101の中で、センサ素子701の位置精度は熱式流量計100の特性ばらつきに寄与する。チップパッケージ203は副通路101を構成するハウジング部材201とカバー部材202に接着される。このため、副通路101内に精度よくセンサ素子701を搭載するためには、ハウジング部材201やカバー部材202との貼り合わせ面である樹脂部601の表面とセンサ素子701の表面との間の寸法ばらつきを小さく抑える必要がる。
次に図8(b)を用いて、チップパッケージ203内部の寸法ばらつきの集積を考える。センサ素子701と樹脂部601の位置関係はトランスファモールド工程によって決まる。このとき、リードフレーム301はトランスファモールド用上型1102とトランスファモールド用下型の間に挟まるようにしてセットされるため、寸法公差の基準はリードフレーム表面になる。
これにより、樹脂部601の表面とセンサ素子701の間の寸法の積層方向搭載ばらつき要因は、リードフレーム301の搭載面平面度、接着剤404の厚みばらつき、カバーフレーム401の厚みばらつき、カバーフレーム401とリードフレーム301の接合面の平面度、カバーフレーム401のセンサ素子701搭載面平面度、ダイボンド材501厚みばらつきとなる。
本実施例はこのセンサ素子701の積層方向搭載ばらつき要因を軽減するため、実施例1とは反対側にカバーフレーム401を接着し、リードフレーム301上に直接ダイボンド材501を塗布した後、センサ素子701を搭載する。こうすることで、センサ素子701の積層方向搭載ばらつき要因はリードフレーム301の搭載面平面度、ダイボンド材501厚みばらつきのみとなる。以下図14から図19で製造手順と部品構成および部品構造を説明する。
まず、実施例1と同様にリードフレーム301とカバーフレーム401を用意する(本実施例においては、前述の第1のリードフレームがリードフレーム、同じく前述の第2のリードフレームがカバーフレームとなる。)。リードフレームの構造を図14(a)で、リードフレームおよびカバーフレーム401とリードフレーム301を貼り合わせる接着剤404の形状を図14(b)で、カバーフレーム401の構造を図14の(c)で説明する。
リードフレーム301はセンサ素子701のダイアフラム下の空洞部703直下に配置される貫通穴403、エッチ加工もしくはプレス加工でダイアフラム下の空洞部703から空気を逃がすための連通溝402、外枠302、センサ素子701等の電子部品を搭載するダイパッド303、トランスファモールド加工時に樹脂流れの影響で位置がずれないように外枠とダイパッド303をつなぐタイバー304、チップパッケージ203の端子となるアウターリード305からなる。こうすることでカバーフレーム401の加工は連通溝402を囲む外周の形状を切断するだけの簡素な構造となるのがよい。
図15にリードフレーム301とカバーフレーム401を接着剤404で接合した様子を示す。
リードフレーム301とカバーフレーム401の間で接着溝405を囲む領域に接着剤404を塗布する。このとき接着剤404の塗布範囲は内部に接着剤404を塗布しない範囲を含む必要が無いため、シート状接着剤404を用いることで非常に簡素な工程になるのがよい。
図16にリードフレームブクミ704にセンサ素子701を構造的および電気的に接合する様子を示す。図16(a)に正面図を、図16(b)に断面図を示す。
Agペーストもしくはエポキシ系のダイボンド材501を貫通穴周囲を囲うようにリードフレーム301上に塗布した後、センサ素子701をダイボンドし、キュアによりダイボンド材501および接着剤404を加熱硬化する。
この後にセンサ素子701上の電極取り出し部42とリードフレーム301上のボンディング部503の位置をAuワイヤ504でワイヤボンディングにより接続する。
以下、チップパッケージ203が成り立つまでの工程は実施例1と同様である。
以上の構造、部品構成、製造工程により、実施例1と同様にセンサ素子701をパッケージすることでダイアフラム下の空洞部703は吸気管140内から遮断され、水滴や汚損物の到達の懸念を排除することができる。また、ダイアフラム下の空間が大気と連通されることでダイアフラム表面側と裏面側の気圧差によるダイアフラム702の変形の懸念が排除されピエゾ効果による抵抗値変化による特性変化が軽減される。
さらにセンサ素子701を精度良くパッケージすることができ、熱式流量計100の特性ばらつきの向上にも寄与する。
また、実施例5,6,7、と組み合わせることでより精度良くチップパッケージが得られることはいうまでもない。
〔実施例9〕
図17(a)(b)(c)を用いて、実施例9におけるカバーフレーム401とリードフレーム301、接着剤404の塗布形状を説明する。実施例8におけるこれらリードフレームブクミ704の構成部品を製作する場合、カバーフレーム401にエッチ工程もしくはプレス加工が必要になる。本実施例ではこの工程を削減することでチップパッケージ203の製造工程を簡素化できる。
接着剤404を図17(b)に示すように、貫通穴403とアウターリード305を含む範囲を囲むように塗布することで、連通孔705を構成できる。これにより実施例8に比べより少ない工程数でチップパッケージ203を製造することができる。
〔実施例10〕
図18(a)(b)(c)を用いて、本実施例10におけるカバーフレーム401とリードフレーム301、接着剤404の塗布形状を説明する。
先の実施例8において、図16に示されるようにリードフレーム301に連通溝402を設けると、リードフレーム301の板厚が一様でなくなるため、センサ素子701搭載面の平面度低下が懸念される。
そこで、本実施例では図18に示されるように、連通溝402はカバーフレーム401にもうけ、カバーフレーム401の平面度低下分を接着剤404で吸収する構成とした。
さらに、接着剤404も同様にセンサ素子701の搭載高さ精度の観点から、ディスペンス方式でリードフレーム上に接着剤を塗布するよりもシート接着剤を用いるほうが高さ方向の寸法ばらつきを抑えることができる。ここでシート接着剤を用いると、図14(b)のように空洞を囲むような形状に個辺を切り出すのが難しいので、図18(b)のように穴のない形状が望ましい。
そこで、接着剤404はとくに空気を通して樹脂を通さないような多孔質の材質が望ましい。
〔実施例11〕
実施例1から10ではリードフレームブクミ704をリードフレーム301、接着剤404、カバーフレーム401、センサ素子701、ダイボンド材501、およびAuワイヤ504を最小構成としているが、このうちカバーフレーム401を使わず、構成部品点数を削減する代案について本実施例で説明する。基本的な工程は実施例1および実施例8と同一である。
図19から図22に本実施例によるリードフレーム301の構成を示す。それぞれの図において(a)はリードフレーム301正面図、(b)は貫通穴403の中心を含む断面図を示す。
まず図19に示すリードフレーム301を用意する。リードフレーム301には前述のリードフレーム301と同様に、ダイパッド303、タイバー304、ダムバー306、アウターリード305、外枠302からなる。またリードフレーム301全体を山折り線2201を境にメインフレーム2024とタブリード2023に分け、メインフレーム2024側にはダイパッド303、タイバー304とダイパッド303上にセンサ素子701が搭載されたときにダイアフラム下の空洞の少なくとも一部を含む範囲の貫通穴403とタブリード2023が構成されている。タブリード2023側には連通溝402がセンサ素子搭載面とは反対側の面からセンサ素子搭載平面にむけてプレス加工により、凹ませて形成されており、リードフレームの山折り線2201に沿って180度折り曲げると貫通穴403と連通溝402が重なり合うように互いを配置する。また連通溝402を全周囲うように、メインフレーム2024側もしくはタブリード2023側に接着剤を塗布した後、リードフレーム山折り線2201にそって折り曲げ、タブリード2023とメインフレーム2024は接着剤404により接着される。以下センサ素子701搭載後の工程は実施例8と同一であり、山折り線2201を谷折り線にし、メインフレーム2024に連通溝402、タブリード2023に貫通穴403を設ける場合は実施例8と同一である。
また、実施例2から7および実施例9から10においてカバーフレーム401をタブリード2023と置き換えて考えると、連通溝402と貫通穴403を構成する部材および、接着剤404の塗布範囲は同一の構成にすることで、前記実施例の課題に対して前記実施例と同一の効果が得られる。
図21および図22はハーフエッチング加工で本実施例における連通溝402を形成した例であり同様に同一の効果が得られる。
〔実施例12〕
実施例1から11において、パッケージブクミ602の外枠302からチップパッケージ203とアウターリード305を切り離す際に連通孔705を構成するアウターリード305を切断することで、連通孔の開口部708を形成するが、連通孔705を構成するアウターリード305を切断する際に、切断用のパンチが連通孔705をつぶしてしまい、連通孔の開口部708をふさいでしまう懸念がある。本実施例ではこの懸念点を解決するための連通孔の開口部708の形成方法の別案を、実施例1で示した製造手順および構造を代表例として、図23から図26を用いて示す。
まず、リードフレーム301とカバーフレーム401を用意する。なお、リードフレーム301は前述の実施例1におけるリードフレームと同一構成である。
カバーフレーム401の構造を図23(a)で説明する。カバーフレーム401はダイアフラム下の空洞部703から空気を逃がすため、ダイアフラム直下部分に配置された貫通穴403とハーフエッチ加工やプレス加工等により作られた連通溝402および、連通溝402とセンサ素子搭載面をつなぐ少なくとも1つもしくは複数のリードフレーム開口2301からなる。
リードフレーム301とカバーフレーム401を接着剤404で接合した様子を図24(a)に正面図で、図24(b)に断面図で示す。リードフレーム301とカバーフレーム401を接着剤404で接合すると貫通穴403とつながる連通溝402が形成される。
リードフレームブクミ704にセンサ素子701を構造的および電気的に接合する様子を図25(a)に正面図で、図25(b)に断面図で示す。
Agペーストもしくは熱硬化性のダイボンド材501を貫通穴周囲を囲うようにカバーフレーム401上に塗布した後、センサ素子701をダイボンドし、加熱炉によりダイボンド材および接着剤を加熱硬化する。
この後にセンサ素子701上の電極取り出し部42とリードフレーム上のボンディング部503をAuワイヤ504でワイヤボンディングにより接続する。
図26にセンサ素子701の搭載されたリードフレームブクミ704をモールドする様子を示す。
上記図26までの工程でできたセンサ素子701の搭載されたリードフレームブクミ704をトランスファモールド用の型にセットし、エポキシやポリアミド等の樹脂をトランスファモールドにより型に流し込んでパッケージブクミ602を製作する。このとき、リードフレーム開口2301よりも大きいピン2602でリードフレーム開口2301を押さえる。このような構成でトランスファモールド樹脂が連通孔705へ流れ込むのを防止し、またトランスファモールドの離型後にピン2602が押さえていた箇所がパッケージ開口2601となり、リードフレーム開口2301とパッケージ開口2601の組み合わせでパッケージブクミ602の連通孔の開口部708となる。その後のチップパッケージ203にいたるまでの製造手順は実施例1と同様である。
以上の製造手順および構造により、連通孔705を構成するアウターリード305を切断することなく連通孔の開口部708を形成でき、アウターリード305の切断時に連通孔がふさがる懸念を排除できる。
本実施例は実施例2と3および実施例7から11にも適用可能であり、いずれの適用例においても同様の効果が得られる。
〔実施例13〕
図27を用いて実施例13について説明する。本実施例はリードフレーム301に対して追加加工を施し連通孔705と貫通穴403を形成した例である。リードフレームに用いる材質の板厚が例えば2mm以上の十分な板厚が確保できれば、φ1mm程度のドリルを用いて厚み方向に穴を空けることが可能となる。
ダイパッドにセンサ素子701搭載面に垂直な横穴をあけ貫通穴403とする。またセンサ素子701搭載面と平行な向きに、貫通穴403と交差しかつアウターリード305を貫くように外枠302の外側から同じく横穴をあけ、これを連通孔705とする。こうしてできたリードフレーム301をリードフレームブクミ704とし、実施例1と同様の工程でチップパッケージ203を製作する。
本実施例を用いることで実施例1、実施例8、実施例11にくらべ、部品点数が少なく、材質のサイズも最小でリードフレームブクミを形成できる。実施例1から11のようにリードフレーム同士もしくは別部材を貼り合わせて連通孔を構成するものに比べ、トランスファモールド時やアウターリード切断時に連通孔705がふさがる懸念が無く、ダイアフラム下の空洞部703と連通孔の開口部708との接続信頼性は向上する。
〔実施例14〕
図28にダイアフラム下の空洞部703と連通孔の開口部708との接続信頼性を向上する別の代案について図27を用いて説明する。実施例8においてカバーフレーム401をリードフレーム301の連通孔裏面に配置する構成を示したが、本実施例では、カバーフレーム401の変わりに貫通孔の下にパイプ状の部材2701を接着もしくは溶接等で接合する。パイプ状の部材は銅系などの柔らかい金属もしくは、トランスファモールドの射出時の温度である約100度から200度以上の融点を持つ樹脂材料などが良い。リードフレーム301に接合した後、熱式流量計100の回路室の配置されている向きにパイプ状の部材2701を曲げてこれをリードフレームブクミ704とする。その後の工程は実施例8と同様の工程で熱式流量計を製造する。
これにより、2部材で連通孔705を構成することによる接着剤404の連通孔705へのはみだしの懸念が解消され、より確実にダイアフラム下の空洞部703と連通孔の開口部708が接続される。
〔実施例15〕
図29に貫通穴403の中心線を通る平面の断面拡大図を示す。実施例1から13において、リードフレーム301、カバーフレーム401もしくはタブリード2023の上にセンサ素子701をダイボンドする際に、ダイボンド材501の塗布量が適正でないと、ダイボンド材501が図29(a)のように貫通穴403に流れ出し、貫通穴403をふさいでしまう懸念がある。このため図29(b)のように貫通穴403の周辺にダイボンド材受け2801を設ける。ダイボンド材受け2801はダイボンド材501の塗布面よりも低いくぼみになっており(いわゆるダム構造)、くぼみの体積分だけ前記ダイボンド材501の塗布量ばらつきを吸収することができる。
本実施例によりダイボンド材501の貫通孔403へのはみ出しの懸念が軽減され、より確実にダイアフラム下の空洞部703と連通孔705の開口部708が接続される。
4,360 流量検出部
5 駆動回路
6 特性調整回路
7 ヒータ抵抗
8,10 固定抵抗
9 非加熱抵抗
11〜14 温度センサ(温度検出抵抗体)
15 オペアンプ
26 定電圧源
42 電極取り出し部
99 フランジ部
100 熱式流量計
101 副通路
102 回路室
103 コネクタ部
104 熱硬化性の接着剤
105 上流側開口部
106 下流側開口部
107,701 センサ素子
108 換気穴
109 吸気管外の大気
110 吸入空気
111 コネクタリード
112 アルミワイヤ
140 吸気管
201 ハウジング部材
202 カバー部材
203 チップパッケージ
301 リードフレーム
302 外枠
303 ダイパッド
304 タイバー
305 アウターリード
306 ダムバー
331 ヒーター
332 上流側感温抵抗体
333 下流側感温抵抗体
401 カバーフレーム
402 連通溝
403 貫通穴
404 接着剤
501 ダイボンド材
503 ボンディング部
504 Auワイヤ
601 樹脂部
602 パッケージブクミ
702 ダイアフラム
703 空洞部
704 リードフレーム(リードフレームブクミ)
705 連通孔
708 連通孔の開口部
1101 連通孔を構成するアウターリードの切断ライン
1102 トランスファモールド用上型
1103 トランスファモールド用下型
1201 連通溝の上側面
1301 チップ
1302 連通孔705を形成しない部分
2023 タブリード
2024 メインフレーム
2201 山折り線
2202 センサ素子搭載予定位置
2301 リードフレーム開口
2601 パッケージ開口
2602 ピン
2701 パイプ状の部材
2801 ダイボンド材受け

Claims (18)

  1. 吸気管内を流れる流体流量の一部を取り込む副通路と、前記副通路に配置され前記流体流量を計測するセンサ素子と、前記センサ素子により検出した流体流量を電気信号に変換する回路部と、前記回路部と電気的に接続され外部に信号を出力するコネクタを有するコネクタ部と、前記センサ素子および前記回路部を支持する筐体と、を備え、前記センサ素子が前記吸気管内に配置される空気流量測定装置において、
    前記センサ素子は、半導体基板に形成された空洞部と、前記空洞部を覆うように形成された薄膜部からなるダイアフラムと、を有し、かつ、
    前記センサ素子は、リードフレームに実装され、
    前記センサ素子および前記リードフレームの表面は、前記センサ素子のダイアフラム部および前記リードフレームの一部が露出するように樹脂でモールドパッケージされ、
    前記空洞部と前記モールドパッケージの外部とを連結する穴が前記リードフレームに少なくとも1つ以上形成されていることを特徴とする空気流量測定装置。
  2. 請求項1に記載の空気流量測定装置において、
    前記リードフレームに形成された穴からリードフレーム内部を介し、前記コネクタ部の内部あるいはフランジ部から車両のエンジンルームへ連通する通路を備えたことを特徴とする空気流量測定装置。
  3. 請求項2に記載の空気流量測定装置において、
    前記リードフレームと前記コネクタの金属端子とが別部材からなり、
    前記筐体の吸気管内に露出した部分と前記フランジとの間に、前記モールドパッケージから露出した前記リードフレームと前記金属端子を接合するための空間を少なくとも1つ以上有し、
    前記空間と前記コネクタ部あるいはフランジ部とを連結する穴を備え、
    前記リードフレームに形成された穴からリードフレーム内部を介して前記空間へ連通されることを特徴とする空気流量測定装置。
  4. 請求項1に記載の空気流量測定装置において、
    前記リードフレームは、少なくとも、前記センサ素子を実装する第1のリードフレームと前記第1のリードフレームと貼り合わせて接着される第2のリードフレームの2つの部材からなることを特徴とする空気流量測定装置。
  5. 請求項4に記載の空気流量測定装置において、
    前記第1のリードフレームは、前記第1のリードフレームおよび実装された前記センサ素子の前記空洞部とで形成される密閉空間に面した箇所に貫通穴が設けられており、
    前記第1のリードフレームの貼り合わせ面と前記第2のリードフレームの貼り合わせ面のうちどちらか一面あるいは両面に、前記リードフレームの長手方向に沿った溝を形成し、
    前記第1と前記第2のリードフレームを接着することによって通路を形成したことを特徴とする請求項4の空気流量測定装置。
  6. 請求項5に記載の空気流量測定装置において、
    前記第1のリードフレームは、前記第2リードフレームとの貼り合わせ面側に溝と、前記貫通穴から離れた前記溝の一部に第2の貫通穴と、が形成され、
    前記第2の貫通穴は、前記モールドパッケージの外部と連結されていることを特徴とする空気流量測定装置。
  7. 請求項4乃至6のいずれかに記載の空気流量測定装置において、
    前記リードフレームは、一枚のリードフレームを折り曲げて、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとすることを特徴とする空気流量測定装置。
  8. 請求項6に記載の空気流量測定装置において、
    前記第2の貫通穴は、前記センサ素子が実装される面と垂直な向きもしくは側面方向に向けて前記モールドパッケージのモールド部を貫いて開けられていることを特徴とする空気流量測定装置。
  9. 請求項5または7に記載の空気流量測定装置において、
    前記第1と第2のリードフレームを貼り合わせた切断面により、前記通路のモールドパッケージ外部への開放穴が形成されることを特徴とする空気流量測定装置。
  10. 請求項2または3に記載の空気流量測定装置において、
    一方の端面が前記リードフレームに形成された穴と接続されるパイプ状の部材を備え、
    前記パイプ状の部材のもう一方の端面が前記モールドパッケージの外部へ開放されることを特徴とする空気流量測定装置。
  11. 請求項1乃至3のいずれかに記載の空気流量測定装置において、
    前記穴は、前記リードフレームおよび前記リードフレームに実装された前記センサ素子の前記空洞部とで形成される密閉空間に面する箇所の前記リードフレームに設けられた貫通穴と、前記モールドパッケージの外部を連結する連結穴と、で構成され、
    前記貫通穴および前記連通穴は、同一部材に配置されており、互いの穴が交差するように形成されていることを特徴とする空気流量測定装置。
  12. 請求項1乃至10のいずれかに記載の空気流量測定装置において、
    前記リードフレームは、前記リードフレームに形成された穴の周囲に、前記ダイアフラムの裏面のエッチング開口形状に沿った形状のダム構造が設けられていることを特徴とする空気流量測定装置。
  13. 請求項4乃至6または12のいずれかに記載の空気流量測定装置において、
    前記第1のリードフレームの材質は、ガラスもしくはシリコンであることを特徴とする空気流量測定装置。
  14. 請求項13に記載の空気流量測定装置において、
    前記第1のリードフレームに形成されたダイアフラム裏面の貫通穴をドライエッチング加工もしくはウェットエッチング加工もしくはブラスト加工を用いて形成したことを特徴とする空気流量測定装置。
  15. 吸気管内を流れる流体流量の一部を取り込む副通路と、前記副通路に配置され前記流体流量を計測するセンサ素子と、前記センサ素子により検出した流体流量を電気信号に変換する回路部と、前記回路部と電気的に接続され外部に信号を出力するコネクタを有するコネクタ部と、前記センサ素子および前記回路部を支持する筐体と、を備え、前記センサ素子が前記吸気管内に配置される空気流量測定装置の製造方法において、
    前記センサ素子は、半導体基板に形成された空洞部と、前記空洞部を覆うように形成された薄膜部からなるダイアフラムと、を有し、かつ、リードフレームに実装され、
    前記センサ素子をリードフレームに実装する第1の工程と、
    前記センサ素子および前記リードフレームの表面を、前記センサ素子のダイアフラム部および前記リードフレームの一部が露出するように樹脂でモールドパッケージする第2の工程と、を有し、
    前記第2の工程の前に、前記リードフレームに、前記センサ素子の前記空洞部とで形成される密閉空間に面する箇所に設けられた貫通穴と、前記モールドパッケージの外部を連結する連結穴と、を形成する穴形成工程を有し、
    前記穴形成工程は、前記貫通穴および前記連結穴を形成するための溝をエッチング加工もしくはプレス加工により形成する加工工程からなることを特徴とする空気流量測定装置の製造方法。
  16. 請求項15に記載の空気流量測定装置の製造方法において、
    前記リードフレームを、一枚のリードフレームを折り曲げて第1のリードフレームと第2のリードフレームとに形成する工程を有することを特徴とする空気流量測定装置の製造方法。
  17. 請求項16に記載の空気流量測定装置の製造方法において、
    前記穴形成工程の後、前記第1と第2のリードフレームを接着することによって前記リードフレーム内部に通路を形成する通路形成工程と、
    前記第2の工程の後に、前記通路の一部を切断することにより、前記モールドパッケージ外部への開放穴を形成する工程と、を有することを特徴とする空気流量測定装置の製造方法。
  18. 請求項16に記載の空気流量測定装置の製造方法において、
    前記穴形成工程は、さらに、前記貫通穴から離れた前記溝の一部に第2の貫通穴を形成する工程を有し、前記第2の貫通穴の一部を、前記モールドパッケージの型で形成することを特徴とする空気流量測定装置の製造方法。
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