JPWO2013077250A1 - 単相電力変換器、三相二相電力変換器および三相電力変換器 - Google Patents

単相電力変換器、三相二相電力変換器および三相電力変換器 Download PDF

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Abstract

電力変換器1は、半導体スイッチと直流コンデンサCと充放電電流用の入出力端子とを有する単位セル11−Mと、互いにカスケード接続された複数の単位セル11−Mからなる第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nと、第1のアーム12−Pが接続される第1の端子、第2のアーム12−Nが接続される第2の端子および直流電源が接続される第3の端子を有するアーム結合部13と、1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に中間端子を有する変圧器14であって、2次側巻線の2つの末端端子には第1のアーム12−Pの端子および第2のアーム12−Nの端子がそれぞれ接続され、中間端子には直流電源Vdcが接続される変圧器14と、を備える。

Description

本発明は、直流と交流とを双方向に変換する単相電力変換器および三相電力変換器ならびに三相交流と二相交流とを双方向に変換する三相二相電力変換器に関し、特にモジュラーマルチレベル型の単相電力変換器、三相二相電力変換器および三相電力変換器に関する。
風力発電や太陽光発電の導入機会の増大に伴い、電池電力貯蔵装置の重要性が増している。図24は、電池電力貯蔵装置の一般的な構成を示す図である。電池電力貯蔵装置1000は、NAS電池やリチウムイオン電池などのバッテリ100と、バッテリ100の直流電圧を交流電圧に変換する連系変換器200と、連系変換器200と電力系統400とを連系する連系変圧器300と、を備える。電池電力貯蔵装置1000においては、バッテリ100の直流電圧は、電力系統400の電圧実効値に対して相対的に低いため、連系変換器200には高い昇圧比が求められる。このため、従来より、数Mワット級の連系変換器において変換器用変圧器を使用することで高圧化および大容量化を実現してきた。しかしながら、このような変換器用変圧器の使用は、装置の大型化および高重量化をもたらす要因となる。
このような問題を解決するために、実装が容易で大容量・高圧用途に適した次世代トランスレス電力変換器として、モジュラーマルチレベル変換器(Modular Multilevel Converter:MMC)が提案されている。
モジュラーマルチレベル変換器は、複数の双方向チョッパセルもしくはフルブリッジ変換器セルを直列接続したアームをモジュールで構成する点に特徴がある。絶縁等の問題を除けば、直列セル数を増やすことにより、半導体スイッチを高耐圧化することなく、交流出力電圧の増大を図るとともに電圧および電流のリプルを抑制することが可能であり、高電圧かつ大容量の電力変換器として期待されている。モジュラーマルチレベル変換器は、実装が容易で、冗長性に富み、装置の小型軽量化を実現できることから、系統連系用電力変換器や、誘導電動機のためのモータドライブ装置などに適用できる。
モジュラーマルチレベル変換器として、例えばカスケード型のモジュラーマルチレベル変換器(Modular Multilevel Cascade Converter:MMCC)が提案されている(例えば、特許文献1および非特許文献1〜4参照。)。
特開2011−182517号公報
萩原誠、赤木泰文著、「モジュラー・マルチレベル変換器(MMC)のPWM制御法と動作検証」、電気学会論文誌D、第128巻、第7号、pp957〜965、2008年7月 西村和敏、萩原誠、赤木泰文著、「モジュラー・マルチレベルPWMインバータを用いた高圧モータドライブシステムへの応用−400V,15kWミニモデルによる実験的検証−」、電気学会半導体電力変換研究会、SPC−09−24、pp19〜24、2009年1月 赤木泰文、萩原誠著、「モジュラー・マルチレベル・カスケード変換器(MMCC)の分類と名称」、電気学会全国大会、no.4−043、pp71〜72、2010年3月 萩原誠、前田亮、赤木泰文著、「モジュラー・マルチレベル・カスケード変換器(MMCC−DSCC)の理論解析と制御法」、電気学会全国大会、no.4−044、pp73〜74、2010年3月
電池電力貯蔵装置の直流電圧を交流電圧に変換する連系変換器の高昇圧比を変換器用変圧器で実現すると、装置の大型化および高重量化をもたらす。
実装が容易で大容量・高圧用途に適したモジュラーマルチレベル変換器を用いた場合であっても、変換器用変圧器は除去できるが、電圧整合性および電気絶縁性の観点から連系変圧器を除去できないという問題がある。
また、今後は風力発電や太陽光発電が産業界のみならず一般家庭にも普及していくことが考えられ、電池電力貯蔵装置のより一層の小型化、低価格化および高効率化がさらに要求される。
また、特許文献1および非特許文献1〜4に記載されたカスケード型のモジュラーマルチレベル変換器(MMCC)よりもさらに小型、低価格で高効率の電力変換器が求められる。
従って本発明の目的は、上記問題に鑑み、直流と交流とを双方向に変換する、構造容易、小型、低価格で高効率のモジュラーマルチレベルの単相電力変換器および三相電力変換器、ならびに、三相交流と二相交流とを双方向に変換する、構造容易、小型、低価格で高効率の三相二相電力変換器を提供することにある。
上記目的を実現するために、第1〜第3の態様においては、単相電力変換器は、
直列接続された2つの半導体スイッチと、2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、半導体スイッチのスイッチング動作に応じて直流コンデンサから放電若しくは直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する単位セルと、
1つの単位セル、または入出力端子を介して互いにカスケード接続された複数の単位セル、からなる第1および第2のアームであって、第1および第2のアームは同数の単位セルを有する第1および第2のアームと、
第1のアームの一端が接続される第1の端子と、第2のアームの一端が接続される第2の端子と、直流電源の一端が接続される第3の端子と、を有するアーム結合部と、
1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に中間端子を有する変圧器であって、2次側巻線の2つの末端端子には、第1のアームの、アーム結合部の第1の端子が接続されない側の端子と、第2のアームの、アーム結合部の第2の端子が接続されない側の端子と、がそれぞれ接続され、中間端子には、直流電源の、アーム結合部の第3の端子が接続されない側の端子が接続される変圧器と、
を備える。
ここで、第1の態様によれば、上記アーム結合部は、上記第1の端子と、上記第2の端子と、上記第1の端子と上記第2の端子との間の巻線上に位置する中間タップである上記第3の端子と、を有する3端子結合リアクトルからなる。
また、第2の態様によれば、上記アーム結合部は、互いに直列接続される2つのリアクトルであって、直列接続された2つのリアクトルの一方の端子である上記第1の端子と、直列接続された2つのリアクトルの他方の端子である上記第2の端子と、直列接続された2つのリアクトルの直列接続点である上記第3の端子と、を有する2つのリアクトルからなる。
また、第3の態様によれば、第1のアームおよび第2のアームそれぞれにおいて、互いにカスケード接続された単位セル間の任意の位置に接続されるリアクトルを備え、上記アーム結合部において、上記第1の端子と、上記第2の端子と、上記第3の端子とは互いに接続される。
第4の態様においては、単相電力変換器は、
直列接続された2つの半導体スイッチと、2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、半導体スイッチのスイッチング動作に応じて直流コンデンサから放電若しくは直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する単位セルと、
1つの単位セル、または入出力端子を介して互いにカスケード接続された複数の単位セル、からなる第1および第2のアームであって、第1および第2のアームは同数の単位セルを有する第1および第2のアームと、
第1のアームの一端との間で直流電源が接続される第1の端子と、第2のアームの一端との間でさらに別の直流電源が接続される第2の端子と、第1の端子および第2の端子に接続される第3の端子と、を有するアーム結合部と、
1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に3端子結合リアクトルを有する変圧器であって、2次側巻線の2つの末端端子には、第1のアームの、直流電源が接続されない側の端子と、第2のアームの、上記さらに別の直流電源が接続されない側の端子と、がそれぞれ接続され、3端子結合リアクトルの両端端子間の巻線上に位置する中間端子には、第3の端子が接続される変圧器と、
を備える。
第5の態様においては、単相電力変換器は、
直列接続された2つの半導体スイッチと、2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、半導体スイッチのスイッチング動作に応じて直流コンデンサから放電若しくは直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する単位セルと、
1つの単位セル、または入出力端子を介して互いにカスケード接続された複数の単位セル、からなる第1および第2のアームであって、第1および第2のアームは同数の単位セルを有する第1および第2のアームと、
第1のアームの、直流電源が接続される側の端子に接続される第1のコンデンサと、
第2のアームの、直流電源が接続される側の端子に接続される第2のコンデンサと、
第1のコンデンサの、第1のアームが接続されない側の端子が接続される第1の端子と、前2のコンデンサの、第2のアームが接続されない側の端子が接続される第2の端子と、第1の端子および第2の端子に接続される第3の端子と、を有するアーム結合部と、
1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に3端子結合リアクトルを有する変圧器であって、2次側巻線の2つの末端端子には、第1のアームの、第1のコンデンサが接続されない側の端子と、第2のアームの、第2のコンデンサが接続されない側の端子と、がそれぞれ接続され、3端子結合リアクトルの両端端子間の巻線上に位置する中間端子には、第3の端子が接続される変圧器と、
を備える。
また、第1〜第5の態様において、単相電力変換器は、第1のアーム内の直流コンデンサの電圧値と第2のアーム内の直流コンデンサの電圧値とに基づいて、循環電流指令値を作成する指令値作成手段と、循環電流指令値に、第1のアームを流れる電流と第2のアームを流れる電流との和の半分である循環電流が追従するよう制御する制御手段と、を備える。
ここで、上記指令値生成手段は、第1のアーム内および第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値を用いて、第1のアーム内および第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値が所定の直流電圧指令値に追従するよう制御するための循環電流指令値を生成するようにしてもよい。
あるいは、上記指令値生成手段は、第1のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値と第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値との差を用いて、循環電流指令値の、交流入出力端子間の端子電圧と同相の基本波成分を生成する基本波成分生成手段と、第1のアーム内および第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値を用いて、第1のアーム内および第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値が所定の直流電圧指令値に追従するよう制御するための循環電流指令値の直流成分を生成する直流成分生成手段と、を有し、基本波成分と直流成分とを加算して循環電流指令値を生成するようにしてもよい。ここで、上記基本波成分は、第1のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値と、第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値と、の差をゼロにするよう制御するための値である。
また、上記制御手段は、第1のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に、第1のアーム内の各直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる制御、および、第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に、第2のアーム内の各直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる制御、をさらに実行するようにしてもよい。
また、上記制御手段は、上記追従させる制御に対応して半導体スイッチをスイッチング動作させるスイッチング指令手段を有する。
また、各半導体スイッチは、オン時に一方向に電流を通す半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子に逆並列に接続された帰還ダイオードと、を有する。
第1〜第5の態様による単相電力変換器を3相分備えて三相電力変換器を構成してもよく、この場合、各単相電力変換器内の変圧器は、1次側にスター結線を有し2次側にオープンスター結線を有する三相変圧器における各相をそれぞれ構成し、各単相電力変換器には共通の直流電源が接続される。
第1〜第5の態様による単相電力変換器を2相分備えて三相二相電力変換器を構成してもよく、この場合、各単相電力変換器内の変圧器の2次側巻線は、スコット変圧器の2次側における各相の巻線をそれぞれ構成し、各単相電力変換器には共通の直流電源が接続される。
本発明によれば、直流と交流とを双方向に変換する、構造容易、小型、低価格で高効率のモジュラーマルチレベルの単相電力変換器、三相二相電力変換器および三相電力変換器を実現することができる。
この単相電力変換器、三相二相電力変換器もしくは三相電力変換器を用いれば、電池電力貯蔵装置を変換器用変圧器無しに電力系統に連系することができ、装置の小型化および低重量化を図ることができる。
また、従来のモジュラーマルチレベル変換器では電圧整合性および電気絶縁性の観点から連系変圧器を除去できないという問題があったが、本発明によれば低圧で大電流の直流電源を電力系統に連系することができるので、直流側の絶縁対策が、従来のモジュラーマルチレベル変換器を用いた場合よりも容易となる。
本発明による三相電力変換器は、特許文献1および非特許文献1〜4に記載された従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器に比べて、半分の直流電圧で系統連系が可能であり、直流側の絶縁対策が容易であるので、直流側が低圧大電流である電池電力貯蔵装置に最適である。
このように、半分の直流電圧で系統連系が可能となることにより、次のような利点がある。まず第1に、一般に組電池の特性として電圧が低ければ低いほど信頼性が高くなるが、本発明によれば、半分の直流電圧で系統連系できるので信頼性が向上するという利点がある。また第2に、直流電圧が低いほど、既存技術の適用の可能性が高くなるという利点がある。すなわち、本発明の適用により直流電圧レベルを例えば1500Vから750Vに下げることができると、より多くの既存技術が存在する低電圧領域に近づくことから、実績のある既存技術の適用の可能性が高くなり、信頼性が向上し、保護や絶縁が容易となるという利点がある。例えば2000V以上の高電圧領域では応用分野が少ないため、信頼性が低下し、保護や絶縁が困難となり、電圧センサやコンデンサなどの部品が高価になるといった問題があることから、本発明の適用により半分の直流電圧で系統連系が可能となることは、これら多くの問題を回避することができる。
また、本発明による三相電力変換器は、連系変圧器の機能も有するので、系統に連系する用途において、従来の場合に比べて小型で低コストの電力変換器として利用することができる。
第1の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。 第1〜第5の実施例による単相電力変換器内の単位セルであるチョッパセルを示す回路図である。 第1〜第5の実施例による単相電力変換器内の単位セルであるブリッジセルを示す回路図である。 第2の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。 第3の実施例による単相電力変換器におけるアーム結合部の回路構成を示す回路図である。 第3の実施例による単相電力変換器におけるアーム結合部の回路構成を示す回路図である。 第3の実施例による単相電力変換器におけるアーム結合部の回路構成を示す回路図である。 第4の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。 第5の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。 第6の実施例による三相電力変換器を示す回路図である。 図7に示す三相電力変換器における変圧器を示す回路図である。 図7に示す三相電力変換器における変圧器を示す回路図である。 第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御についての制御ブロック図(その1)である。 第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御についての制御ブロック図(その2)である。 第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御についての制御ブロック図(その3)である。 第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御についての制御ブロック図(その4)である。 第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御装置を示すブロック図である。 第6の実施例による三相電力変換器のシミュレーションにおける瞬時有効電力制御および瞬時無効電力制御を示すブロック図である。 第6の実施例による三相電力変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。 第6の実施例による三相電力変換器を、整流器動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。 従来の単相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を示す回路図である。 プッシュブルインバータとフルブリッジインバータとの比較を説明する回路図であって、プッシュブルインバータを示す図である。(b)はフルブリッジインバータを示す図である。 プッシュブルインバータとフルブリッジインバータとの比較を説明する回路図であって、フルブリッジインバータを示す図である。 従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を示す回路図である。 図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。 第7の実施例による三相電力変換器を示す回路図である。 第7の実施例による三相電力変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。 本発明で使用するスコット変圧器を示す回路図である。 図20に示すスコット変圧器の瞬時電圧ベクトル図(その1)である。 図20に示すスコット変圧器の瞬時電圧ベクトル図(その1)である。 第8の実施例による三相二相電力変換器を示す回路図である。 第8の実施例による三相二相電力変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。 電池電力貯蔵装置の一般的な構成を示す図である。
図1は、第1の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。以降、異なる図面において同じ参照符号が付されたものは同じ機能を有する構成要素であることを意味するものとする。なお、これ以降、単位セル内の直流コンデンサについては、理解を容易にするために、当該単位セルの外側に記載している。図2aは、第1〜第5の実施例による単相電力変換器内の単位セルであるチョッパセルを示す回路図である。図2bは、第1〜第5の実施例による単相電力変換器内の単位セルであるブリッジセルを示す回路図である。
第1の実施例による単相電力変換器は、単位セル11−1〜11−M(ただし、Mは自然数)と、第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nと、アーム結合部13と、変圧器14とを備える。
単位セル11−1〜11−Mは、直列接続された2つの半導体スイッチと、2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、半導体スイッチのスイッチング動作に応じて直流コンデンサから放電若しくは直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する。単位セル11−1〜11−Mは、図2aに示すチョッパセルもしくは図2bに示すブリッジセルのいずれでもよい。
図2aに示すチョッパセルは、直列接続された2つの半導体スイッチSWと、2つの半導体スイッチSWに並列接続された直流コンデンサCと、半導体スイッチSWのスイッチング動作に応じて直流コンデンサCから放電若しくは直流コンデンサCへ充電される電流の入出力端子T1およびT2と、を有する双方向のチョッパセルである。2つの半導体スイッチSWのうちの一方の半導体スイッチの両端端子を、チョッパセル(単位セル)の入出力端子T1およびT2とする。
図2bに示すブリッジセルは、直列接続された2つの半導体スイッチSWを2組並列接続し、これに直流コンデンサCを並列接続して構成されるものである。直列接続された2つの半導体スイッチSWの各組の、直列接続点を、直流コンデンサCから放電若しくは直流コンデンサCへ充電される電流の入出力端子T1およびT2とする。
図2aおよび図2bに示すいずれの単位セルにおいても、各半導体スイッチSWは、オン時に一方向に電流を通す半導体スイッチング素子Sと、この半導体スイッチング素子に逆並列に接続された帰還ダイオードDと、を有する。単位セルの入出力端子T1およびT2間に、1つの単位セルが出力する電圧が現れる。
図1に示すように、第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nは、1つの単位セル11−1、または入出力端子T1およびT2を介して互いにカスケード接続された複数の単位セル11−1〜11−M(ただし、Mは自然数)を同数有するようにする。
アーム結合部13は、第1のアーム12−Pの下側端子が接続される第1の端子aと、第2のアーム12−Nの下側端子が接続される第2の端子bと、直流電源Vdcの負極側端子が接続される第3の端子cと、を有する。
上記アーム結合部13は、第1の実施例では、図1に示すように、第1の端子aと、第2の端子bと、第1の端子aと第2の端子bとの間の巻線上に位置する中間タップである第3の端子cと、を有する3端子結合リアクトルからなる。図1においては3端子結合リアクトルの極性を黒丸(・)で表わしている。第1の端子aと第3の端子cとの間の巻線の極性と、第3の端子cと第2の端子bとの間の巻線の極性とが逆向き(図示の例では相反する向きに向いている)となるようにする。
変圧器14は、1次側に交流入出力端子T1−1およびT1−2を有し、2次側には2つの末端端子T2−1およびT2−2の間の2次側巻線上にセンタータップである中間端子T2−3を有する。変圧器14の1次側の交流入出力端子T1−1およびT1−2入出力端子T1およびT2間に、単相電力変換器1の交流出力電圧が現れる。ここで、変圧器14の1次側巻線の巻き数をN1とし、2次側巻線の巻き数をN2とする。したがって、2次側においては、末端端子T2−1と中間端子T2−3との間の巻線の巻き数および中間端子T2−3と末端端子T2−2との間の巻線の巻き数は、ともにN2/2となる。
また、図1においては変圧器14の1次側巻線および2次側巻線の極性を黒丸(・)で表わしている。2次側巻線においては、末端端子T2−1と中間端子T2−3との間の巻線の極性と、中間端子T2−3と末端端子T2−2との間の巻線の極性とが同じ向き(図示の例では左向に揃っている)となるようにする。一方、1次側巻線の極性の向きについては、2次側巻線の極性の向きと必ずしも同じとならなくてもよい。
変圧器14の2次側巻線の末端端子T2−1には、第1のアーム12−Pの、アーム結合部13の第1の端子aが接続されない側の端子すなわち第1のアーム12−Pの上側端子が接続され、変圧器14の2次側巻線の末端端子T2−2には、第2のアーム12−Nの、アーム結合部13の第2の端子bが接続されない側の端子すなわち第2のアーム12−Nの上側端子が接続される。また、変圧器14の中間端子T2−3には、直流電源Vdcの、アーム結合部13の第3の端子cが接続されない側の端子すなわち直流電源Vdcの正極側端子が接続される。
第1の実施例による単相電力変換器1の動作を数式を用いて解析すると次の通りである。
変圧器14の1次側の交流入出力端子T1−1およびT1−2入出力端子T1およびT2間に、単相電力変換器1の交流電圧vacが現れる。交流電流をiacとする。また、第1のアーム12−Pに流れるアーム電流をiPとし、第2のアーム12−Nに流れるアーム電流をiNとする。第1のアーム12−P内の各単位セル11−j(ただし、j=1〜M)の入出力端子(図2aおよび図2bのT1およびT2)間に表れる電圧を、vPjとし、第2のアーム12−N内の各単位セル11−j(ただし、j=1〜M)の入出力端子(図2aおよび図2bのT1およびT2)間に表れる電圧を、vNjとしたとき、第1のアーム12−Pの出力電圧総和vPおよび第2のアーム12−Nの出力電圧総和vNはそれぞれ式1および式2で表わされる。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
一方、変調度をm(0≦m≦1)、角周波数をωとしたとき、第1のアーム12−Pの出力電圧総和vPおよび第2のアーム12−Nの出力電圧総和vNはそれぞれ式3および式4で表わされる。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
ここで、循環電流を式5のように定義する。
Figure 2013077250
アーム結合部13における3端子結合リアクトルは循環電流iZに対してのみLのインダクタンスを有するので、式6および式7に示す電圧方程式が成り立つ。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
式3、式4、式6および式7より式8および式9が得られる。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
式9からわかるように、循環電流iZは直流量となる。すなわち、第1のアーム12−Pに流れるアーム電流iPおよび第2のアーム12−Nに流れるアーム電流iNはともに直流分を含むということである。変圧器においては直流電流による磁束は互いに打ち消し合うため、直流磁束は発生しない。なお、上述の式9の導出には、vP+vN=2Vdcの関係を用いている。しかしながら実際は、高調波電圧やデッドタイムなどの影響によりvP+vN≠2Vdcとなるので、高調波電流が循環電流iZに重畳する。したがって、第1の実施例においては、アーム結合部13の3端子結合リアクトルは、このような高調波電流を低減するために必要不可欠である。
一方、第1のアーム12−Pに流れるアーム電流iPおよび第2のアーム12−Nに流れるアーム電流iNに含まれる交流分をそれぞれ(iPacおよび(iNacとすると、変圧器の起磁力の関係から式10が得られる。
Figure 2013077250
式10において、(iPac=−(iNacの関係が成立すると仮定すると式11および式12が得られる。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
一方、直流電源Vdcの直流電流idcと循環電流iZとの間には、式5およびキルヒホッフの電流側より式13が成り立つ。
Figure 2013077250
最終的に、第1のアーム12−Pに流れるアーム電流iPおよび第2のアーム12−Nに流れるアーム電流iNはそれぞれ式14および式15のように表わせる。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
また、図1の交流電流iacを式16で与える。
Figure 2013077250
ここで、Iacは交流電流iacの振幅を表わし、φは交流電流iacと交流電圧vacとの位相差を表す。式8および式16より、変圧器14の直流側と交流側の平均電力には式17の関係が成り立つ。
Figure 2013077250
ここで、Idcは直流量を表す。第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nに流出入する瞬時有効電力はそれぞれ式18および式19で表わせる。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
上記各瞬時有効電力に含まれる直流分(平均値)をそれぞれ(vP・iPdcおよび(vN・iNdcで表わしたとき、式16および式17を式18および式19に代入すると式20が得られる。ここで、idc=Idcとした。
Figure 2013077250
式20より、単相電力変換器1においては第1のアーム12−Pと第2のアーム12−Nとの間で定常的な電力授受は発生しないことがわかる。
図3は、第2の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。第2の実施例による単相電力変換器1は、図1、図2aおよび図2bを参照して説明した第1の実施例におけるアーム結合部13を、3端子結合リアクトルではなく、通常のリアクトルすなわち非結合リアクトルで構成したものである。なお、これ以外の回路構成要素については、図1に示す単位セル11−1〜11−M、第1のアーム12−P、第2のアーム12−Nおよび変圧器14、ならびに図2aおよび図2bに示す単位セルと同様であるので、同一の回路構成要素には同一符号を付して当該回路構成要素についての詳細な説明は省略する。
第2の実施例では、図3に示すように、アーム結合部13は、互いに直列接続された2つのリアクトルL1およびL2からなり、リアクトルL1の一方の端子である第1の端子aと、リアクトルL2の一方の端子である第2の端子bと、直列接続された2つのリアクトルL1およびL2の直列接続点である第3の端子cと、を有する。なお、リアクトルは、変圧器の漏れインダクタンスで代用してもよい。
図4a〜図4cは、第3の実施例による単相電力変換器におけるアーム結合部の回路構成を示す回路図である。第3の実施例による単相電力変換器1は、図3を参照して説明した第2の実施例におけるアーム結合部13を構成するリアクトルLの位置を変更したものである。図4a〜図4cでは、単相電力変換器におけるアーム結合部13を構成するリアクトルLおよび単位セル11−1〜11−Mを含む第1もしくは第2のアームのみを表している。第3の実施例では、図4a〜図4cに示すように、アーム結合部13は、第1のアームおよび第2のアームそれぞれにおいて、互いにカスケード接続された単位セル11−1〜11−M間の任意の位置に接続されるリアクトルLを備えるので、図3に示したアーム結合部13の第1の端子aと、第2の端子bと、第3の端子cとは互いに接続されるように変更する。これ以外の回路構成要素については、第2の実施例と同様である。なお、リアクトルは変圧器の漏れインダクタンスで代用してもよい。
図5は、第4の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。第4の実施例による単相電力変換器1は、図1、図2aおよび図2bを参照して説明した第1の実施例におけるアーム結合部13および変圧器14を変更したものである。
単位セル11−1〜11−Mならびに第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nは、図1、図2aおよび図2bを参照して説明した第1の実施例と同様であるので詳細な説明については省略する。単位セル11−1〜11−Mは、第1の実施例と同様、直列接続された2つの半導体スイッチと、2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、半導体スイッチのスイッチング動作に応じて直流コンデンサから放電若しくは直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有し、図2aに示すチョッパセルもしくは図2bに示すブリッジセルのいずれでもよい。第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nは、第1の実施例と同様、1つの単位セル11−1、または入出力端子T1およびT2を介して互いにカスケード接続された複数の単位セル11−1〜11−M(ただし、Mは自然数)を同数有するようにする。
アーム結合部13は、第1のアーム12−Pの下側端子と直流電源Vdcが接続される第1の端子aと、第2のアーム12−Nの下側端子との間でさらに別の直流電源Vdcが接続される第2の端子bと、直流電源Vdcの、第1の端子aとは反対側の端子と上記さらに別の直流電源Vdcの、第2の端子bとは反対側の端子とに接続される第3の端子cと、を有する。
図5に示すように、第4の実施例における変圧器14’は、図1を参照して説明した第1の実施例による単相電力変換器1における変圧器14の中間端子があった位置に、3端子結合リアクトル15を設けたものである。すなわち、変圧器14’の2次側巻線上に3端子結合リアクトル15を有する。変圧器14’の1次側の交流入出力端子T1−1およびT1−2入出力端子T1およびT2間に、単相電力変換器1の交流出力電圧が現れる。ここで、変圧器14’の1次側巻線の巻き数をN1とし、2次側巻線の巻き数をN2とする。したがって、2次側においては、末端端子T2−1と3端子結合リアクトル15との間の巻線の巻き数および3端子結合リアクトル15と末端端子T2−2との間の巻線の巻き数は、ともにN2/2となる。
変圧器14’の2次側巻線の末端端子T2−1には、第1のアーム12−Pの、直流電源Vdcが接続されない側の端子すなわち第1のアーム12−Pの上側端子が接続され、変圧器14’の2次側巻線の末端端子T2−2には、第2のアーム12−Nの、上記さらに別の直流電源Vdcが接続されない側の端子すなわち第2のアーム12−Nの上側端子と、がそれぞれ接続される。また、3端子結合リアクトル15の両端端子間の巻線上に位置する中間端子T2−3には、アーム結合部13の第3の端子cが接続される。
また、図5においては変圧器14’の1次側巻線および2次側巻線の極性を黒丸(・)で表している。2次側巻線においては、末端端子T2−1と中間端子T2−3との間の巻線の極性と、中間端子T2−3と末端端子T2−2との間の巻線の極性とが逆向き(図示の例では互いに向き合う)となるようにする。一方、1次側巻線の極性の向きについては、2次側巻線の極性の向きと必ずしも同じとならなくてもよい。また、3端子結合リアクトルの極性の向きについては、3端子結合リアクトル15の両端端子と中間端子T2−3との間の2つの巻線の極性の向きが同じ向き(図示の例では左向に揃っている)となるようにする。3端子結合リアクトルの極性の向きは、図示の例で右側に揃わせることもできる。
図6は、第5の実施例による単相電力変換器を示す回路図である。第5の実施例による単相電力変換器1は、図5を参照して説明した第4の実施例におけるアーム結合部13およびこれと直流電源との接続関係を変更し、この変更に伴い新たにコンデンサを設けたものである。
単位セル11−1〜11−Mならびに第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nは、図1、図2aおよび図2bを参照して説明した第1の実施例と同様である。すなわち、単位セル11−1〜11−Mは、第1の実施例と同様、直列接続された2つの半導体スイッチと、2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、半導体スイッチのスイッチング動作に応じて直流コンデンサから放電若しくは直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する。図2aに示すチョッパセルもしくは図2bに示すブリッジセルのいずれでもよい。第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nは、第1の実施例と同様、1つの単位セル11−1、または入出力端子T1およびT2を介して互いにカスケード接続された複数の単位セル11−1〜11−M(ただし、Mは自然数)を同数有するようにする。直流電源Vdcは、第1のアーム12−Pの下側端子と第2のアーム12−Nの下側端子との間に接続される。
第1のコンデンサCdc1は、第1のアーム12−Pの、直流電源Vdcが接続される側の端子(すなわち第1のアーム12−Pの下側端子)に接続される。第2のコンデンサCdc1は、第2のアーム12−Nの、直流電源Vdcが接続される側の端子(すなわち第2のアーム12−Nの下側端子)に接続される。第1のコンデンサCdc1と第2のコンデンサCdc2とは互いに直列接続され、この直列接続された第1のコンデンサCdc1および第2のコンデンサCdc2は、直流電源Vdcに並列接続される。このとき、第1のコンデンサCdc1および第2のコンデンサCdc2の極性の向きは、直流電源Vdcの極性の向きに合わせる。
アーム結合部13は、第1のコンデンサCdc1の、第1のアーム12−Pが接続される側の端子が接続される第1の端子aと、第2のコンデンサCdc2の、第2のアーム12−Nが接続される側の端子が接続される第2の端子bと、第1のコンデンサCdc1の、第1の端子aとは反対側の端子と第2のコンデンサCdc2の、第2の端子bとは反対側の端子とに接続される第3の端子cと、を有する。
第5の実施例における変圧器14’は、第4の実施例の場合同様、図1を参照して説明した第1の実施例による単相電力変換器1における変圧器14の中間端子があった位置に、3端子結合リアクトル15を設けたものである。すなわち、変圧器14’の2次側巻線上に3端子結合リアクトル15を有する。変圧器14’の1次側の交流入出力端子T1−1およびT1−2入出力端子T1およびT2間に、単相電力変換器1の交流出力電圧が現れる。ここで、変圧器14’の1次側巻線の巻き数をN1とし、2次側巻線の巻き数をN2とする。したがって、2次側においては、末端端子T2−1と3端子結合リアクトル15との間の巻線の巻き数および3端子結合リアクトル15と末端端子T2−2との間の巻線の巻き数は、ともにN2/2となる。
変圧器14’の2次側巻線の末端端子T2−1には、第1のアーム12−Pの、直流電源Vdcが接続されない側の端子すなわち第1のアーム12−Pの上側端子が接続され、変圧器14’の2次側巻線の末端端子T2−2には、第2のアーム12−Nの、上記直流電源Vdcが接続されない側の端子すなわち第2のアーム12−Nの上側端子と、がそれぞれ接続される。また、3端子結合リアクトル15の両端端子間の巻線上に位置する中間端子T2−3には、アーム結合部13の第3の端子cが接続される。
また、図6においても変圧器14’の1次側巻線および2次側巻線の極性を黒丸(・)で表している。2次側巻線においては、末端端子T2−1と中間端子T2−3との間の巻線の極性と、中間端子T2−3と末端端子T2−2との間の巻線の極性とが逆向き(図示の例では互いに向かい合う向きに向いている)となるようにする。一方、1次側巻線の極性の向きについては、2次側巻線の極性の向きと必ずしも同じとしなくてもよい。また、3端子結合リアクトルの極性の極性については、3端子結合リアクトル15の両端端子と中間端子T2−3との間の2つの巻線の極性の向きが同じ向き(図示の例では左向に揃っている)となるようにする。3端子結合リアクトルの極性の向きは、図示の例で右側に揃わせることもできる。
以上説明した第1〜第5の実施例による単相電力変換器1を3相分用いて三相電力変換器を構成してもよく、また、第1〜第5の実施例による単相電力変換器1を2相分用いて三相二相電力変換器を構成してもよい。次に、三相電力変換器を第6の実施例および第7の実施例として説明する。なお、三相二相電力変換器については第8の実施例として後述する。
図7は、第6の実施例による三相電力変換器を示す回路図である。図8aおよび図8bは、図7に示す三相電力変換器における変圧器を示す回路図である。第6の実施例では、一例として第1の実施例による単相電力変換器を用いて三相電力変換器を構成する場合について説明するが、第2〜第5の実施例による単相電力変換器を用いても同様に構成することができる。第5の実施例による単相電力変換器を用いて三相電力変換器を構成する場合については後述の第7の実施例として説明する。
図7において、u相、v相およびw相にそれぞれ設けられる単相電力変換器を参照符号1u、1vおよび1wで示し、これら単相電力変換器1u、1vおよび1wで構成される三相電力変換器を参照符号2で表す。なお、図7において、単相電力変換器1vおよび1wについては、単相電力変換器1uと回路構成が同じであるので、具体的な回路構成の記載は省略する。以下、主としてu相に関して説明するが、v相およびw相についても同様に適用できる。また、本実施例では、単位セルの個数を、一例として1アームあたり4個、1相当たり8個、したがって三相電力変換器2内に24個としたが、この数値はあくまでも一例であり、これに限定されるものではない。
第6の態様による三相電力変換器2においては、u相、v相およびw相の各相に設けられる各単相電力変換器1u、1vおよび1w内の変圧器14を用いて、1次側にスター結線を有し2次側にオープンスター結線を有する三相変圧器24における各相をそれぞれ構成する。一例として、1次側巻線と2次側巻線の巻き数比N1:N2は1:1とする。図8aは三相変圧器24の1次側のスター結線を示し、図8bは三相変圧器24の2次側のオープンスター結線を示す。図8bに示すようにオープンスター結線である2次側巻線の端子数は本来9個であるが、第6の実施例においては、図7に示すようにu、vおよびwの各相のアーム結合部13の3端子結合リアクトル内の中間端子を1つの共通端子として構成することで、必要端子数を7個に抑えることができる。
図1を参照して説明したように、単相電力変換器1においては、アーム結合部13の第3の端子cには直流電源Vdcの負極側端子が接続され、変圧器14の中間端子T2−3には直流電源Vdcの正極側端子が接続される。これに対し、第6の実施例では、図1において単相電力変換器1に上記のように接続されていた直流電源Vdcを、図7に示すようにu、vおよびwの各相で共通ものとする。
次に、第6の実施例による三相電力変換器の各単位セル内の直流コンデンサの制御について図9a〜図9d、図10および図11を参照して以下に説明する。図9a〜図9dは、第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御についての制御ブロック図である。図10は、第6の実施例による三相電力変換器の直流コンデンサ制御装置を示すブロック図である。上述のように、第6の実施例による三相電力変換器は、第1の実施例による単相電力変換器を3相分備えて構成したものである。なお、図9a〜図9dおよび図10に示すブロック図は、三相電力変換器のうちのu相の単相電力変換器(すなわち第1の実施例による単相電力変換器)における直流コンデンサ制御を示すが、v相およびw相の単相電力変換器1vおよび1wにも適用可能であり、第2〜第5の実施例による単相電力変換器で三相電力変換器を構成しても同様である。また、同様の理由で、第1〜第5の実施例による単相電力変換器単独の直流コンデンサ制御として、以下に説明する三相電力変換器の直流コンデンサ制御をそのまま適用可能である。
第6の実施例によれば、図9a〜図9dに示すように、三相電力変換器の直流コンデンサ制御は大きく分けて次の4つの制御に分かれる。第1に、図9aに示す各アーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に各直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる制御(以下、「平均値制御」と称する。)、第2に、図9bに示す第1のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧の平均値と第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧の平均値とが等しくなるようにする制御(以下、「アームバランス制御」と称する。)、第3に、図9cに示す平均値制御およびアームバランス制御において作成される循環電流指令値に、第1のアームを流れる電流と第2のアームを流れる電流との和の半分である循環電流が追従するようにする制御(以下、「循環電流制御」と称する。)、そして第4に、図9dに示す同一アーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に当該アーム内の各直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる制御であって、各アームごとに実行される制御(以下、「個別バランス制御」と称する。)である。
上記4つの制御は、図10に示すような三相電力変換器の直流コンデンサ制御装置50により実行される。直流コンデンサ制御装置50は、第1のアーム1−P内の直流コンデンサの電圧値と第2のアーム12−N内の直流コンデンサの電圧値とに基づいて、循環電流指令値iZ *を作成する指令値作成手段51と、循環電流指令値に、第1のアーム12−Pを流れるアーム電流iPと第2のアーム12−Nを流れるアーム電流iNとの和の半分である循環電流iZが追従するよう制御する制御手段52と、を備える。指令値作成手段51は、直流成分作成手段61および基本波成分作成手段62を備えるが、直流成分生成手段61のみを備えるものであってもよい。また、制御手段52は、上記追従させる制御に対応して半導体スイッチをスイッチング動作させるスイッチング指令手段63を有する。これら各手段は、例えばDSPやFPGAなどの演算処理装置を用いて実現される。
以下、図9a〜図9dに示す上記4つの制御それぞれについて、図10と対応させながら説明する。
図9aは、各アーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に各直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる平均値制御を示すブロック図である。図9aに示す平均値制御は、図10に示す直流コンデンサ制御装置50における指令値作成手段51内の直流成分作成手段61によって循環電流指令値の直流成分iZ0 *を作成することで、第1のアーム12−P内および第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCを所定の直流電圧指令値VC *に追従させるフィードバックループを構成する。すなわち、図10に示すように、指令値作成手段51内の直流成分作成手段61は、第1のアーム12−P内および第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCを用いて、第1のアーム12−P内および第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCが所定の直流電圧指令値VC *に追従するよう制御するための循環電流指令値の直流成分iZ0 *を生成する。数式を用いてより詳細に説明すると次の通りである。
第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値vCPjを平均して得られた値vaveCP、および第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値vCNjを平均して得られた値vaveCNは式21および式22で表わせる。ここで、Mをアーム内の単位セルの個数としたとき、j=1〜Mとする。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
式21および式22から第1のアーム12−P内および第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCが式23のように得られる。
Figure 2013077250
このように、図10に示す指令値作成手段51内の直流成分作成手段61は、図9aに示すように、式23で得られた第1のアーム12−P内および第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値の直流分(vaveCdcを、所定の直流電圧指令値VC *に追従させるための循環電流指令値の直流成分を作成する。
続いて、図9bは、第1のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧の平均値と第2のアーム内の全ての直流コンデンサの電圧の平均値とが等しくなるようにするアームバランス制御を示すブロック図である。図9bに示すアームバランス制御は、図10に示す直流コンデンサ制御装置50における指令値作成手段51内の基本波成分作成手段62によって循環電流指令値の基本波成分iZ1 *を作成してこれを循環電流指令値の一部として用いることで、第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCPと、第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCNと、の差をゼロに抑制するよう制御するものである。
ここで、第1のアーム12−Pを流れるアーム電流iPと第2のアーム12−Nを流れるアーム電流iNとの和の半分である循環電流iZの基本波成分(すなわち交流入出力端子間の端子電圧vacと同相)をiZ1とすると、循環電流iZの基本波成分iZ1が交流入出力端子間の端子電圧vacと同相の場合、電力は第1のアーム12−Pから第2のアーム12−Nに移動し、循環電流iZの基本波成分iZ1が交流入出力端子間の端子電圧vacと逆相の場合、電力は第2のアーム12−Nから第1のアーム12−Pに移動する。この特性を利用し、図10に示す指令値作成手段51内の基本波成分作成手段62は、第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCPと第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCNとの差を用いて、循環電流指令値iZ *のうち交流入出力端子間の端子電圧vacと同相の基本波成分iZ1 *を生成する。図9bに示す例では、交流入出力端子間の端子電圧の位相をsinωtとして表わしており、したがって、第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCPの直流分と第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCNの直流分に、位相パラメータを含むsinωtを乗算し、適当なゲインK3を乗算することで、循環電流指令値基本波成分iZ1 *を作成している。
このようなアームバランス制御を実行すると、第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCPが、第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCNよりも大きい場合、電力は第1のアーム12−Pから第2のアーム12−Nに移動する。その結果、vaveCPは減少しvaveCNは上昇する。これとは逆に、第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCPが、第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCNよりも小さい場合、電力は第2のアーム12−Nから第1のアーム12−Pに移動する。その結果、vaveCPは上昇しvaveCNは減少する。
続いて、図9cは、平均値制御およびアームバランス制御において作成される循環電流指令値に、第1のアームを流れる電流と第2のアームを流れる電流との和の半分である循環電流が追従するようにする循環電流制御を示すブロック図である。図9cに示す循環電流制御は、図10に示す直流コンデンサ制御装置50における指令値作成手段52内の直流成分作成手段61によって作成された循環電流指令値の直流成分iZ0 *と指令値作成手段52内の基本波成分作成手段62によって作成された循環電流指令値の基本波成分iZ1 *とを加算することで作成された循環電流指令値iz *に、第1のアーム12−Pを流れるアーム電流iPと第2のアーム12−Nを流れるアーム電流iNとの和の半分である循環電流iZが追従するよう、制御手段52により制御するものである。制御手段52は、循環電流iZを循環電流指令値iz *に追従させるフィードバックループを構成するための電圧指令値vA *を作成する。
なお、上述したように、指令値作成手段51は、直流成分作成手段61および基本波成分作成手段62を備えるが、直流成分生成手段61のみを備えるものであってもよい。この場合、直流成分生成手段61により作成された循環電流指令値の直流成分iZ0 *が、そのまま循環電流指令値iz *として制御手段52に利用されることになる。
続いて、図9dは、同一アーム内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に当該アーム内の各直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる個別バランス制御を示すブロック図である。個別バランス制御は、各アームごとに実行され、図9dでは、第1のアーム12−Pについての個別バランス制御を主として表記しているが、第2のアーム12−Nについての個別バランス制御についてはカッコ「()」内に表記している。制御手段52は、第1のアーム12−P内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCPに、第1のアーム12−P内の各直流コンデンサの電圧値vCPjをそれぞれ追従させる制御、および、第2のアーム12−N内の全ての直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値vaveCNに、第2のアーム12−N内の各直流コンデンサの電圧値vCNjをそれぞれ追従させる制御を実行する。このための電圧指令値が、各アーム12−Pおよび12−N内の各単位セル11−jごとに作成され、第1のアーム12−PについてはvBPj *、第2のアーム12−NについてはvBNj *で表す。ここで、Mをアーム内の単位セルの個数としたとき、j=1〜Mとする。
上記4つの制御により各アーム12−Pおよび12−N内の単位セル11−j内の直流コンデンサ制御のための電圧指令値が作成され、これと三相電力変換器2の1相分(すなわち単相電力変換器1)が出力すべき交流電圧についての電圧指令値vac *と組み合わせることで、各アーム12−Pおよび12−N内の単位セル11−jごとの最終的な出力電圧指令値が式24および式25のように作成される。
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ここで、制御の安定化を図るため直流電圧Vdcをフィードフォワード項として利用する。
上述の式24および式25に示される出力電圧指令値vPj *およびvNj *を用いて、三相電力変換器2内の各単位セル11−j内の半導体スイッチSWのスイッチング動作が制御される。上述のように、制御手段52は、半導体スイッチSWをスイッチング動作させるスイッチング指令手段63を有する。各アーム12−Pおよび12−Nについて生成された出力電圧指令値vPj *およびvNj *は、各直流コンデンサの電圧vCPjおよびVCNjでそれぞれ規格化された後、キャリア周波数fcの三角波キャリア信号(最大値:1、最小値:0)と比較され、PWMのスイッチング信号が生成される。生成されたスイッチング信号は、スイッチング制御手段52により、対応する単位セル11−j内の半導体スイッチSWのスイッチング制御に用いられる。第6の実施例による三相電力変換器2は、1相あたり8個(各アームに4個ずつ)の単位セルを用いると、相電圧が9レベル、線間電圧が17レベルのPWM波形となる。このスイッチング信号の生成は、例えばDSPやFPGAなどの演算処理装置を用いて実現される。
次に、第6の実施例による三相電圧変換器2のシミュレーションによる瞬時有効電力制御および瞬時無効電力制御についての応答結果について説明する。各シミュレーションには、表1に示す回路パラメータを用いた。
Figure 2013077250
シミュレーションには「PSCAD/EMTDC」を使用した。シミュレーション回路としては、制御遅延がゼロであるアナログ制御系を仮定し、デッドタイムがゼロである理想スイッチを使用した。図7に示すように、三相電力変換器2の1相分(すなわち単相電力変換器1)内には各アーム12−Pおよび12−Nそれぞれに4個の単位セルが設けられるので、三相電力変換器2全体としては、24個の単位セルが設けられる。u、vおよびwの各相の変換器1u、1vおよび1wの直流リンク部には共通の直流電源Vdc(2.8kV)を接続する。三相電力変換器2の交流側には6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源に連系リアクトルLsを介して接続する。三相変圧器24は、図8aおよび図8bに示した1次側にスター結線、2次側にオープンスター結線を有するものである。
図11は、第6の実施例による三相電力変換器のシミュレーションにおける瞬時有効電力制御および瞬時無効電力制御を示すブロック図である。瞬時有効電力指令値をp*、瞬時無効電力指令値をq*、で表す。第6の実施例による三相電力変換器2の相電圧指令値はvu*、vv*およびvw*は、各相の電源電流iu、ivおよびiwの非干渉制御により決定される。式14および式15より、各相の電源電流iu、ivおよびiwは、第1のアーム12−Pを流れるアーム電流iu P、iv Pおよびiw Pならびに第2のアーム12−Nを流れるアーム電流iu N、iv Nおよびiw Nを用いて式26、式27および式28で算出できる。
Figure 2013077250
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図12は、第6の実施例による三相電力変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。図12の最上段のグラフは、三相電力変換器2の交流側に連系リアクトルLsを介して接続された6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源のuv相間の線間電圧vS uvの波形を示す。三相電力変換器2をインバータ動作(cosφ=−1)した場合、三相電力変換器2の交流側のuv相電圧vuv(図12の上から2番目のグラフ)は、17レベルのマルチレベル波形となり、高調波電圧の影響は少ないことがわかる。三相電力変換器2に連系リアクトルLsを介して接続された三相交流電源のu相電圧vu Sに対して、電源電流iu(図12の上から3番目のグラフ)は位相が180度反転しており、インバータ動作を実現できていることがわかる。
u相についての第1のアーム12−Pを流れるアーム電流iu Pおよび第2のアーム12−Nを流れるアーム電流iu N(図12の上から4番目のグラフ)には、50Hzの基本波成分のほかに、直流分および8kHz(=2kHz×4)のスイッチングリプル成分を含む。式14および15より、基本波成分の振幅は、電源電流の振幅と等しい。一方、三相電力変換器2の直流側の平均電力の関係から、式29が成り立つ。
Figure 2013077250
式14および式15に式29を代入すると式30および式31が得られる。
Figure 2013077250
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式30および式31にP=1MW、Vdc=2.8kVを代入すると直流電流idcは60Aとなる。これは図12の上から4番目のグラフに示すシミュレーション結果と一致する。
また、図12の上から5番目のグラフに示すように、u相の第1のアーム12−Pおよび第2のアーム12−Nそれぞれについての単位セル11−1内の直流コンデンサの電圧値VC1 u pおよびVC1 u Nは、その直流分については1.4kVに制御できていることがわかる。また、直流電流idcの直流分Idcは360Aとなる。これは図12の上から6番目のグラフに示すシミュレーション結果と一致する。
図13は、第6の実施例による三相電力変換器を、整流器動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。図13の最上段のグラフは、三相電力変換器2の交流側に連系リアクトルLsを介して接続された6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源のuv相間の線間電圧vSuvの波形を示す。三相電力変換器2を整流器動作(cosφ=1)した場合、三相電力変換器2に連系リアクトルLsを介して接続された三相交流電源のu相電圧vu Sに対して、電源電流iu(図13の上から3番目のグラフ)は同相になっており、整流器動作を実現できていることがわかる。図13の上から4〜6番目のグラフに示す各部波形は、図12の上から5〜7番目のグラフに示すインバータ動作の場合と類似した傾向となっていることがわかる。また、図13の上から6番目に示すように直流電流idcの直流分Idcは−360Aとなっている。
次に、第1の実施例による単相電力変換器および第6の実施例による三相電力変換器と特許文献1および非特許文献1〜4に記載されたカスケード型のモジュラーマルチレベル変換器(MMCC)との比較について説明する。
図14は、従来の単相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を示す回路図である。また、図15は、プッシュブルインバータとフルブリッジインバータとの比較を説明する回路図であって、図15aはプッシュブルインバータを示し、図15bはフルブリッジインバータを示す。図14に示す従来のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器は、いわば図15bに示すフルブリッジインバータにおけるスイッチ素子SWを、図2aおよび図2bを参照して説明した単位セル11−1〜11−Mに置き換えたものに相当する。これに対し、第1の実施例による図1に示す単相電力変換器1は、図15aに示すプッシュブルインバータにおけるスイッチ素子SWを、図2aおよび図2bを参照して説明した単位セル11−1〜11−Mに置き換えただけではなく、図1を参照して説明したようにアーム結合部13として3端子結合リアクトルを用いている。
従来の単相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器は、図14に示すように、単位セル11−jがカスケード接続されたアーム112−Pおよび112−Nと、3端子結合リアクトル113とで構成される。なお、図14における単位セル11−1〜11−M内の直流コンデンサCについても、他の図面同様、理解を容易にするために、当該チョッパセル11−1〜11−Mの外側に記載している。
図16は、従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を示す回路図である。図14の単相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の3相分用意してそれぞれを連系変圧器の2次側各相に接続して三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を構成する。
図7に示す第6の実施例による三相電力変換器と、図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器との動作をシミュレーションにより比較すると次の通りである。図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器のシミュレーションには、図11〜13および表1を参照して説明した第6の実施例による三相電力変換器と同じパラメータを用いた。また、シミュレーション比較に際しては、第6の実施例による三相電力変換器および図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の単位セル内の直流コンデンサ電圧は等しく(Vc=1.4kV)、各変換器内の単位セルの総数は等しく(24個)、各単位セルの電圧および定格電流は等しいものとした。各変換器の単位セル内の直流コンデンサ電圧は等しくする場合、半導体スイッチング素子の電圧定格は等しくなる。電流定格を等しくするためには、各変換器のアーム電流を一致させる必要があるが、図16において、従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の各アーム電流は式32および式33のように表せる。
Figure 2013077250
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比較に際し電流定格を等しくするため、図7に示す第6の実施例による三相電力変換器と、図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器とのアーム電流が一致するようにするには、式30〜式33より、直流電圧Vdcについては、図7に示す第6の実施例による三相電力変換器の2.8kVに対して図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器はその2倍の5.6kVとする。また、第2に、変圧器の巻き数比N1:N2については、図7に示す第6の実施例による三相電力変換器の1:1に対して図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器は2:1に設定する。したがって、従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器のシミュレーションに用いたパラメータは、直流電源Vdcを5.6kVに設定した点および三相変圧器の巻き数比N1:N2を2:1に設定した点以外は、表1と同じである。
図17は、図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。図17の最上段のグラフは、従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の交流側に連系リアクトルLsを介して接続された6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源のuv相間の線間電圧vSuvの波形を示す。カスケード型モジュラーマルチレベル変換器をインバータ動作(cosφ=−1)した場合、電源電流idcを除き、図12と一致する。図17の上から6番目のグラフに示す電源電流idcの実効値idcは180A(1MW/5.6kV)となり、図12の上から6番目のグラフに示す第6の実施例による三相電力変換器の場合の半分となる。図12と図17との比較から、第6の実施例による三相電力変換器と従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器とは同程度の性能を有すると考えられるが、一方で電源電流idcについては第6の実施例による三相電力変換器は従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の半分で済む。
以上のシミュレーションによる比較結果から、第6の実施例による三相電力変換器は、従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器に比べて、半分の直流電圧で系統連系が可能であるといえ、したがって直流側が低圧大電流である電池電力貯蔵装置に適している点、直流側の絶縁対策が容易となる点で有利である。より具体的に言えば、半分の直流電圧で系統連系が可能となることにより、次のような利点がある。まず第1に、一般に組電池の特性として電圧が低ければ低いほど信頼性が高くなるが、本発明によれば、半分の直流電圧で系統連系できるので信頼性が向上するという利点がある。また第2に、直流電圧が低いほど、既存技術の適用の可能性が高くなるという利点がある。すなわち、本発明の適用により直流電圧レベルを例えば1500Vから750Vに下げることができると、より多くの既存技術が存在する低電圧領域に近づくことから、実績のある既存技術の適用の可能性が高くなり、信頼性が向上し、保護や絶縁が容易となるという利点がある。例えば2000V以上の高電圧領域では応用分野が少ないため、信頼性が低下し、保護や絶縁が困難となり、電圧センサやコンデンサなどの部品が高価になるといった問題があることから、本発明の適用により半分の直流電圧で系統連系が可能となることは、これら多くの問題を回避することができる。
図18は、第7の実施例による三相電力変換器を示す回路図である。第7の実施例は、図6を参照して説明した第5の実施例による単相電力変換器を用いて三相電力変換器を構成したものである。図18において、u相、v相およびw相にそれぞれ設けられる単相電力変換器を参照符号1u、1vおよび1wで示し、これら単相電力変換器1u、1vおよび1wで構成される三相電力変換器を参照符号2で表す。なお、図18において、単相電力変換器1vおよび1wについては、単相電力変換器1uと回路構成が同じであるので、具体的な回路構成の記載は省略する。以下、主としてu相に関して説明するが、v相およびw相についても同様に適用できる。また、本実施例では、単位セルの個数を、一例として1アームあたり4個、1相当たり8個、したがって三相電力変換器2内に24個としたが、この数値はあくまでも一例であり、これに限定されるものではない。
図6を参照して説明したように第5の実施例における変圧器14’は、図1を参照して説明した第1の実施例による単相電力変換器1における変圧器14の中間端子があった位置に、3端子結合リアクトル15を設けたものである。すなわち、変圧器14’の2次側巻線上に3端子結合リアクトル15を有する。第7の実施例による三相電力変換器2においては、この変圧器14’を用いて三相変圧器24における各相をそれぞれ構成する。
図6を参照して説明したように第5の実施例における直流電源Vdcは、第1のアーム12−Pの下側端子と第2のアーム12−Nの下側端子との間に接続される。第7の実施例では、図6において単相電力変換器1に上記のように接続されていた直流電源Vdcを、図18に示すようにu、vおよびwの各相で共通ものとするが、図6に示す第5の実施例の場合の2倍の電圧値とする。。ここで、3端子結合リアクトル15の中間端子(センタータップ)をY接続することで、図6に示す第5の実施例においては存在していた分圧コンデンサを除去することができる。
図19は、図18に示す第7の実施例による三相電力変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。シミュレーションには、第6の実施例による三相電力変換器および図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の各シミュレーション同様、「PSCAD/EMTDC」および表1に示す回路パラメータを使用した。シミュレーション回路としては、制御遅延がゼロであるアナログ制御系を仮定し、デッドタイムがゼロである理想スイッチを使用した。図18に示す三相電力変換器2の交流側には6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源に連系リアクトルLsを介して接続する。図19の最上段のグラフは、三相電力変換器2の交流側に連系リアクトルLsを介して接続された6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源のuv相間の線間電圧vSuvの波形を示す。三相電力変換器2をインバータ動作(cosφ=−1)した場合、第7の実施例による三相電力変換器2の図19の上から2〜6番目のグラフに示す各波形は、図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の図17の上から2〜6番目に示す各波形と完全に一致していることがわかる。つまり、第7の実施例による三相電力変換器2は、図16に示す従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器と同様の効果を得ることができることから、従来の三相のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器の代替回路ということができる。また、第6の実施例による三相電力変換器のシミュレーション結果と比較すると、第7の実施例による三相電力変換器における直流電流idcの実効値Idc(図19の上から6番目のグラフ)は、第6の実施例による三相電力変換器における直流電流idcの実効値Idc(図12の上から6番目のグラフ)の半分の180A(=1MW/5.6kV)となっていることがわかる。
第8の実施例は、第1〜第5の実施例による単相電力変換器1を2相分備えて三相二相電力変換器を構成したものである。第1〜第5の実施例による単相電力変換器1を2相分設けて系統側に連系するには、スコット変圧器を用いる。
図20は、本発明で使用するスコット変圧器を示す回路図である。スコット変圧器25は、M座変圧器TmおよびT座変圧器Ttの2台の単相変圧器より構成する。M座変圧器Tmの1次側巻線の巻き数をN1、2次巻線の巻き数をN2とする。このとき、M座変圧器Tmの1次側巻線の中間端子(センタータップ)をT座変圧器Ttの1次側巻線と接続する。なお、T座変圧器Ttの1次側巻線の巻き数は√3N1/2となる。また、図21aおよび図21bは、図20に示すスコット変圧器の瞬時電圧ベクトル図である。図21aに示すようにスコット変圧器の1次側巻線に三相平衡正弦波電圧vu、vvおよびvwを印加すると、2次側巻線には位相差90度の二相正弦波電圧vαおよびvβが現れる。
図22は、第8の実施例による三相二相電力変換器を示す回路図である。図22に示す第8の実施例では、一例として第1の実施例による単相電力変換器を用いて三相二相電力変換器を構成する場合について説明するが、第2〜第5の実施例による単相電力変換器を用いても同様に構成することができる。図22において、α相およびβ相にそれぞれ設けられる単相電力変換器を参照符号1αおよび1βで示し、これら単相電力変換器1αおよび1βで構成される三相二相電力変換器を参照符号3で表す。なお、図22において、単相電力変換器1βについては、単相電力変換器1βと回路構成が同じであるので、具体的な回路構成の記載は省略する。以下、主としてα相に関して説明するが、β相についても同様に適用できる。また、本実施例では、単位セルの個数を、一例として1アームあたり4個、1相当たり8個、したがって三相電力変換器2内に16個、としたが、この数値はあくまでも一例であり、これに限定されるものではない。
第7の態様による三相二相電力変換器3においては、α相およびβ相の各相に設けられる各単相電力変換器1αおよび1β内の変圧器14を用いて、スコット変圧器25における各相をそれぞれ構成する。一例として、1次側巻線と2次側巻線の巻き数比N1:N2は√3:1とする。第8の実施例による三相二相電力変換器3の2次側α相においては、図20を参照して説明したスコット変圧器25の、M座変圧器Tmの2次側巻線上に中間端子(センタータップ)α1を設ける。また、三相二相電力変換器3の2次側β相においては、図20を参照して説明したスコット変圧器25の、T座変圧器Ttの2次側巻線上に中間端子(センタータップ)β1を設ける。図1を参照して説明したように、単相電力変換器1においては、アーム結合部13の第3の端子cには直流電源Vdcの負極側端子が接続され、変圧器14の中間端子T2−3には直流電源Vdcの正極側端子が接続されるが、第6の実施例では、これら中間端子α1およびβ1を直流電源Vdcの正極側端子に接続することで、図22に示すようにα相およびβ相で共通ものとする。
また、三相二相電力変換器3の2次側α相においては、スコット変圧器25のM座変圧器Tmの2次側巻線の両端端子α0およびα1には第1のアーム12−Pおよび12−Nの上側端子を接続する。第1のアーム12−Pおよび12−Nの下側端子には、アーム結合部13である3端子結合リアクトルを接続する。3端子結合リアクトルの中間端子には、直流電源Vdcの負極側端子を接続する。三相二相電力変換器3の2次側β相についてもα相と同様の構成とする。
次に、第8の実施例による三相二相電圧変換器3のシミュレーションによる瞬時有効電力制御および瞬時無効電力制御についての応答結果について説明する。各シミュレーションには、表1に示す回路パラメータを用いた。図22に示す三相二相電力変換器3の交流側には6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源に連系リアクトルLsを介して接続する。三相二相電力変換器3の1次側各相の電源電流をiu、ivおよびiw、電源電圧vu S、vv Sおよびvw Sとし、三相二相電力変換器3の2次側α相およびβ相の第1のアーム12−Pを流れるアーム電流をそれぞれiα Pおよびiβ P、第2のアーム12−Nを流れるアーム電流iα Nおよびiβ Nとする。また、各単位セルの直流コンデンサ電圧をvα CPjおよびvα CNjとし(ただし、j=1〜4)、直流電流をidcとする。
図20、図21aおよび図21bより、式34および式35に示す電圧方程式が成り立つ。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
第8の実施例による三相二相電力変換器3のα相のアーム電流iα Pおよびiα Nは、直流分と50Hzの交流分を含む。このうちアーム電流iα Pおよびiα Nの直流分についてはidc/4で表せる。一方、アーム電流iα Pおよびiα Nの交流分を(iα Pacおよび(iα Nacとすると、M座変圧器の起磁力の関係から式36が得られる。
Figure 2013077250
式36において(iα Pac=−(iα Nacが成り立つと仮定すると式37が得られる。
Figure 2013077250
同様に、β相についてはT座変圧器の起磁力の関係から式38が得られる。
Figure 2013077250
したがって、最終的には三相二相電力変換器3の各相のアーム電流は式39〜式42のように表される。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
Figure 2013077250
Figure 2013077250
一方、式39〜式42より、三相二相電力変換器3の1次側各相の電源電流iu、ivおよびiwについては式43〜式45のように表される。ここで、iu+iv+iw=0の関係式を用いている。
Figure 2013077250
Figure 2013077250
Figure 2013077250
図23は、第8の実施例による三相二相電力変換器を、インバータ動作させたときの定常特性についてのシミュレーション波形を示す図である。シミュレーションには「PSCAD/EMTDC」を使用した。シミュレーション回路としては、制御遅延がゼロであるアナログ制御系を仮定し、デッドタイムがゼロである理想スイッチを使用した。
図23の最上段のグラフは、三相二相電力変換器3の交流側に連系リアクトルLsを介して接続された6.6kV、1MVA、50Hzの三相交流電源のu相電圧vS uの波形を示す。三相二相電力変換器3をインバータ動作(cosφ=−1)した場合、図23の上から2番目のグラフに示すように、高調波電圧および連系リアクトルの影響を無視すると、三相二相電力変換器3の2次側α相の電圧vαは、電源電圧vu Sに対して位相が30度進んでいることがわかる。一方、三相二相電力変換器3の2次側α相の電圧vαは、2次側β相の電圧vβに対して位相が90度進んでいることがわかる。各相には8個の単位セルが設けられているので9レベルのマルチレベル波形となり、高調波成分は少ない。
三相二相電力変換器3のα相のアーム電流iα Pおよびiα Nは、上述のように直流分と50Hzの交流分を含むが、式39〜42より、アーム電流iα Pおよびiα Nの振幅は、電源電流iu、ivおよびiwの振幅の√3N1/2N2倍となる。ここで、N1/N2=√3を代入すると1.5倍となり、これは図23の上から3番目および4番目のグラフに示すシミュレーション結果と一致する。一方、直流分は90Aとなり、直流電流idcの1/4倍となる。直流コンデンサ電圧vα CP1およびvα CN1は、直流分と交流分を含むが、直流分は1.4kVに制御できていることがわかる。直流電流idcの直流分Idcは、Idc=P/Vdcより算出できるが、P=1MW、Vdc=2.8kVを代入すると、Idc=360Aとなり、図23の上から6番目のグラフに示すシミュレーション結果と一致する。
本発明は、直流と交流とを双方向に変換する単相電力変換器、三相二相電力変換器および三相電力変換器に適用することができる。本発明による単相電力変換器、三相二相電力変換器もしくは三相電力変換器を用いれば、電池電力貯蔵装置を変換器用変圧器無しに電力系統に連系することができ、装置の小型化および低重量化を図ることができる。本発明は、従来のカスケード型モジュラーマルチレベル変換器に比べて、半分の直流電圧で系統連系が可能であり、直流側の絶縁対策が容易であるので、直流側が低圧大電流である電池電力貯蔵装置に最適である。
1、1u、1v、1w 単相電力変換器
2 三相電力変換器
3 三相二相電力変換器
11−1、・・・、11−M 単位セル
12−P 第1のアーム
12−N 第2のアーム
13 アーム結合部
14、14’ 変圧器
15 3端子結合リアクトル
24 三相変圧器
25 スコット変圧器
50 直流コンデンサ制御装置
51 指令値作成手段
52 制御手段
61 直流成分作成手段
62 基本波成分作成手段
63 スイッチング制御手段
a 第1の端子
b 第2の端子
c 第3の端子
D 還流ダイオード
S 半導体スイッチング素子
SW 半導体スイッチ
T1−1、T1−2 交流入出力端子
T2−1、T2−2 2次側巻線の末端端子
T2−3 中間端子
dc 直流電源

Claims (15)

  1. 直列接続された2つの半導体スイッチと、前記2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、前記半導体スイッチのスイッチング動作に応じて前記直流コンデンサから放電若しくは前記直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する単位セルと、
    1つの前記単位セル、または前記入出力端子を介して互いにカスケード接続された複数の前記単位セル、からなる第1および第2のアームであって、前記第1および第2のアームは同数の前記単位セルを有する第1および第2のアームと、
    前記第1のアームの一端が接続される第1の端子と、前記第2のアームの一端が接続される第2の端子と、直流電源の一端が接続される第3の端子と、を有するアーム結合部と、
    1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に中間端子を有する変圧器であって、前記2次側巻線の2つの末端端子には、前記第1のアームの、前記第1の端子が接続されない側の端子と、前記第2のアームの、前記第2の端子が接続されない側の端子と、がそれぞれ接続され、前記中間端子には、前記直流電源の、前記第3の端子が接続されない側の端子が接続される変圧器と、
    を備えることを特徴とする単相電力変換器。
  2. 前記アーム結合部は、前記第1の端子と、前記第2の端子と、前記第1の端子と前記第2の端子との間の巻線上に位置する中間タップである前記第3の端子と、を有する3端子結合リアクトル、からなる請求項1に記載の単相電力変換器。
  3. 前記アーム結合部は、互いに直列接続された2つのリアクトルであって、前記直列接続された2つのリアクトルの一方の端子である前記第1の端子と、前記直列接続された2つのリアクトルの他方の端子である前記第2の端子と、前記直列接続された2つのリアクトルの直列接続点である前記第3の端子と、を有する2つのリアクトル、からなる請求項1に記載の単相電力変換器。
  4. 前記第1のアームおよび前記第2のアームそれぞれにおいて、互いにカスケード接続された前記単位セル間の任意の位置に接続されるリアクトルを備え、
    前記アーム結合部において、前記第1の端子と、前記第2の端子と、前記第3の端子とは互いに接続される請求項1に記載の単相電力変換器。
  5. 直列接続された2つの半導体スイッチと、前記2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、前記半導体スイッチのスイッチング動作に応じて前記直流コンデンサから放電若しくは前記直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する単位セルと、
    1つの前記単位セル、または前記入出力端子を介して互いにカスケード接続された複数の前記単位セル、からなる第1および第2のアームであって、前記第1および第2のアームは同数の前記単位セルを有する第1および第2のアームと、
    前記第1のアームの一端との間で直流電源が接続される第1の端子と、前記第2のアームの一端との間でさらに別の直流電源が接続される第2の端子と、前記第1の端子および前記第2の端子に接続される第3の端子と、を有するアーム結合部と、
    1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に3端子結合リアクトルを有する変圧器であって、前記2次側巻線の2つの末端端子には、前記第1のアームの、前記直流電源が接続されない側の端子と、前記第2のアームの、前記さらに別の直流電源が接続されない側の端子と、がそれぞれ接続され、前記3端子結合リアクトルの両端端子間の巻線上に位置する中間端子には、前記第3の端子が接続される変圧器と、
    を備えることを特徴とする単相電力変換器。
  6. 直列接続された2つの半導体スイッチと、前記2つの半導体スイッチに並列接続された直流コンデンサと、前記半導体スイッチのスイッチング動作に応じて前記直流コンデンサから放電若しくは前記直流コンデンサへ充電される電流の入出力端子と、を有する単位セルと、
    1つの前記単位セル、または前記入出力端子を介して互いにカスケード接続された複数の前記単位セル、からなる第1および第2のアームであって、前記第1および第2のアームは同数の前記単位セルを有し、前記第1のアームの一端と前記第2のアームとの間に直流電源が接続される第1および第2のアームと、
    前記第1のアームの、前記直流電源が接続される側の端子に接続される第1のコンデンサと、
    前記第2のアームの、前記直流電源が接続される側の端子に接続される第2のコンデンサと、
    前記第1のコンデンサの、前記第1のアームが接続されない側の端子が接続される第1の端子と、前記第2のコンデンサの、前記第2のアームが接続されない側の端子が接続される第2の端子と、前記第1の端子および前記第2の端子に接続される第3の端子と、を有するアーム結合部と、
    1次側に交流入出力端子、2次側巻線上に3端子結合リアクトルを有する変圧器であって、前記2次側巻線の2つの末端端子には、前記第1のアームの、前記第1のコンデンサが接続されない側の端子と、前記第2のアームの、前記第2のコンデンサが接続されない側の端子と、がそれぞれ接続され、前記3端子結合リアクトルの両端端子間の巻線上に位置する中間端子には、前記第3の端子が接続される変圧器と、
    を備えることを特徴とする単相電力変換器。
  7. 前記第1のアーム内の前記直流コンデンサの電圧値と前記第2のアーム内の前記直流コンデンサの電圧値とに基づいて、循環電流指令値を作成する指令値作成手段と、
    前記循環電流指令値に、前記第1のアームを流れる電流と前記第2のアームを流れる電流との和の半分である循環電流が追従するよう制御する制御手段と、
    を備える請求項1〜6のいずれか一項に記載の単相電力変換器。
  8. 前記指令値生成手段は、前記第1のアーム内および前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値を用いて、前記第1のアーム内および前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値が所定の直流電圧指令値に追従するよう制御するための前記循環電流指令値を生成する請求項7に記載の単相電力変換器。
  9. 前記指令値生成手段は、
    前記第1のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値と前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値との差を用いて、前記循環電流指令値の、前記交流入出力端子間の端子電圧と同相の基本波成分を生成する基本波成分生成手段と、
    前記第1のアーム内および前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値を用いて、前記第1のアーム内および前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値が所定の直流電圧指令値に追従するよう制御するための前記循環電流指令値の直流成分を生成する直流成分生成手段と、
    を有し、
    前記基本波成分と前記直流成分とを加算して前記循環電流指令値を生成する請求項7に記載の単相電力変換器。
  10. 前記基本波成分は、前記第1のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値と、前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値と、の差をゼロにするよう制御するための値である請求項9に記載の単相電力変換器。
  11. 前記制御手段は、前記第1のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に、前記第1のアーム内の各前記直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる制御、および、前記第2のアーム内の全ての前記直流コンデンサの電圧値を平均して得られた値に、前記第2のアーム内の各前記直流コンデンサの電圧値をそれぞれ追従させる制御、をさらに実行する請求項7〜10のいずれか一項に記載の単相電力変換器。
  12. 前記制御手段は、前記追従させる制御に対応して前記半導体スイッチをスイッチング動作させるスイッチング指令手段を有する請求項11に記載の単相電力変換器。
  13. 各前記半導体スイッチは、
    オン時に一方向に電流を通す半導体スイッチング素子と、
    該半導体スイッチング素子に逆並列に接続された帰還ダイオードと、
    を有する請求項1〜12のいずれか一項に記載の単相電力変換器。
  14. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の単相電力変換器を3相分備える三相電力変換器であって、
    各前記単相電力変換器内の前記変圧器は、1次側にスター結線を有し2次側にオープンスター結線を有する三相変圧器における各相をそれぞれ構成し、
    各前記単相電力変換器には共通の前記直流電源が接続される、
    ことを特徴とする三相電力変換器。
  15. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の単相電力変換器を2相分備える三相二相電力変換器であって、
    各前記単相電力変換器内の前記変圧器の2次側巻線は、スコット変圧器の2次側における各相の巻線をそれぞれ構成し、
    各前記単相電力変換器には共通の前記直流電源が接続される、
    ことを特徴とする三相二相電力変換器。
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