JPWO2012137539A1 - 紫外線センサ - Google Patents
紫外線センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012137539A1 JPWO2012137539A1 JP2013508782A JP2013508782A JPWO2012137539A1 JP WO2012137539 A1 JPWO2012137539 A1 JP WO2012137539A1 JP 2013508782 A JP2013508782 A JP 2013508782A JP 2013508782 A JP2013508782 A JP 2013508782A JP WO2012137539 A1 JPWO2012137539 A1 JP WO2012137539A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wave
- protective film
- ultraviolet sensor
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 210000003491 skin Anatomy 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000000453 Skin Neoplasms Diseases 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 210000004207 dermis Anatomy 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 201000000849 skin cancer Diseases 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/283—Interference filters designed for the ultraviolet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
Abstract
【課題】本発明は、薄型化を実現できるとともに製造コストの低減が可能な紫外線センサを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の紫外線センサ1は、紫外線を含む光を受光して電流を発生させる受光素子2と、受光素子2の受光面側に積層された保護膜20と、UV−A波とUV−B波とを透過するフィルタ膜30とを有し、フィルタ膜30が保護膜20の表面に積層されていることを特徴とする。【選択図】図2
Description
本発明は、紫外線センサに関し、特に、薄型化が可能であるとともに製造コストの低減が可能な紫外線センサに関する。
近年、オゾン層の破壊により地上に照射される紫外線量が増加していることが知られており、人体や環境に及ぼす紫外線の影響が懸念されている。このため、簡便に紫外線量を計測して効果的に紫外線対策を行うことができるように、携帯電話等の携帯用電子機器に搭載可能な紫外線センサが求められている。このような紫外線センサは、照射される紫外線量に対して良好な受光感度を有することに加えて、小型、薄型であることが要求されている。
従来例の紫外線センサとして、例えば、特許文献1に開示されている紫外線センサ101の断面図を図7に示す。図7に示す紫外線センサ101は、半導体基板111と、絶縁性の酸化膜112と、酸化膜112の上に積層されたSOI(Silicon On Insulator)層113を有するSOI基板110から構成されている。SOI層113には、N型拡散領域114とP型拡散領域115とが交互に形成されており、ラテラルPN接合領域を含むラテラル型のダイオードを構成している。SOI層113の受光領域に紫外線が照射されると、紫外線量に応じた出力信号が発生して、これにより、紫外線量を検出することができる。
また、SOI基板110に形成されたダイオードは、広い波長領域で受光感度を有するため、SOI層110に到達する光を所定以下の波長に限定する(すなわち所定以上の波長の入射光を遮蔽する)ことができるフィルタ膜130が配置されている。図7に示すように、従来例の紫外線センサ101では、SOI層113の受光面側に、SOI層113と所定の間隔を空けてフィルタ膜130が配置されている。これにより、所定範囲の波長を選択して紫外線量を検出することができる。
しかしながら、フィルタ膜130とSOI層113との間に所定の間隔を設けるために、半導体基板111の外周に、フィルタ膜130を支持するためのフレーム(図示しない)を形成する必要がある。フレームはSOI層113を囲むように設けられており、フレーム上にSOI層113を覆うようにフィルタ膜130が形成される。このフレームの高さを適切に形成することにより、SOI層113とフィルタ膜130との間隔を形成している。
あるいは、凹型のパッケージを用意して、その内部にSOI基板110を収納することも可能である。凹型のパッケージの開口部付近には、フィルタ膜130を固定するための嵌入部が形成されて、接着剤を用いてフィルタ膜130を固定することができる。この場合、パッケージの高さを適切に設計して、あるいは嵌入部の位置を所定の位置に形成してSOI層113とフィルタ膜130との間隔が設けられている。
従来の紫外線センサ101においては、このようなフレームあるいはパッケージを用意してSOI層113とフィルタ膜130との間隔を設ける必要があるため、紫外線センサ101の小型化、薄型化が困難であった。さらに、フレームを形成する工程や、パッケージを用意してフィルタ膜130を接着する工程が必要であることから、製造コストの低減が困難であった。
また、フィルタ膜130は通常、良好な光透過性を有する石英基板(図示しない)上に積層されて、フレーム又はパッケージ等に接着される。この石英基板は、製造工程における破損や割れを防止するとともに落下試験等における信頼性を確保できるように、十分な強度を有することが求められている。石英基板は例えば0.3mm〜0.5mm程度の厚みで形成されており、紫外線センサ101の薄型化の阻害要因となっていた。また、石英基板は高価な部材であり、コストダウンの妨げとなっていた。
本発明は、上記課題を解決し、薄型化を実現できるとともに製造コストの低減が可能な紫外線センサを提供することを目的とする。
本発明の紫外線センサは、紫外線を含む光を受光して電流を発生させる受光素子と、前記受光素子の受光面側に積層された保護膜と、UV−A波とUV−B波とを透過するフィルタ膜とを有し、前記フィルタ膜が前記保護膜の表面に積層されていることを特徴とする。
これによれば、保護膜との間に間隔を設けることなくフィルタ膜を形成できるとともに、フィルタ膜の支持基板として用いられていた石英基板等を省く事が可能であることから、紫外線センサの薄型化が実現できる。
また、フィルタ膜を支持するためのフレームを形成してフィルタ膜を接着する工程、あるいはパッケージを用意して組み立てる工程等が不要となることから、製造コストの低減を図ることができる。さらに、高価な石英基板を用いることなくフィルタ膜を形成することが可能であるため、製造コストをさらに低減することが可能である。
したがって、本発明によれば、薄型化を実現できるとともに製造コストの低減が可能な紫外線センサを提供することができる。
本発明の紫外線センサにおいて、前記保護膜は、屈折率が1.35〜1.48の低屈折材料により形成されており、前記保護膜の光学膜厚が0.246×λ×(2×n−0.3)〜0.246×λ×(2×n+0.3)(λ=311nm、nは1以上の自然数)であることが好適である。こうすれば、フィルタ膜と保護膜とで発生するUV−A波(波長約320nm〜400nmの紫外線)及びUV−B波(波長約280nm〜320nmの紫外線)の反射率の増大を抑制することが可能である。したがって、UV−A波及びUV−B波はフィルタ膜を透過して紫外線センサの受光面に受光されるため、良好な受光感度を有する紫外線センサを提供することができる。
本発明の紫外線センサにおいて、前記保護膜は、98nm〜117nm、または194nm〜217nm、または291nm〜314nmの膜厚で形成されていることが好ましい。こうすれば、フィルタ膜と保護膜とで発生するUV−B波の反射率を45%以下に抑制することができ、また、UV−A波の反射率を50%以下に抑制することができるため、UV−A波及びUV−B波についてより良好な受光感度を有する紫外線センサを提供することができる。また、UV−B波とUV−A波の反射率の差を10%以下に抑えることができるため、UV−A波とUV−B波に対する受光感度のばらつきを抑制することが可能となる。
前記保護膜は酸化シリコンを用いて形成されていることが好ましい。こうすれば、SOI層を良好に保護することが可能であり、外部の環境(湿度、温度等)や機械的損傷等による特性劣化を防ぐことができる。また、UV−A波及びUV−B波の波長領域における光透過率が高く、屈折率が低い材料であるため紫外線センサの受光感度を向上させることが可能となる。
前記フィルタ膜は、低屈折率材料(屈折率1.3〜1.5)と高屈折率材料(屈折率1.9〜2.2)とが交互に積層された多層膜で構成されていることが好適である。こうすれば、UV−A波及びUV−B波を透過させて、UV−C波(波長約280nm以下の紫外線)及び可視光(波長約400nm以上の光)を遮蔽する良好なフィルタ特性を得ることができる。
本発明の紫外線センサにおいて、前記受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された酸化層と、前記酸化層上に形成されたSOI層とを有し構成されていることが好適である。こうすれば、UV−A波及びUV−B波に対して良好な受光感度を有し、小型化、及び薄型化が可能な紫外線センサを提供することができる。
本発明によれば、保護膜との間に間隔を設けることなくフィルタ膜を形成できるとともに、フィルタ膜の支持基板として用いられていた石英基板等を省く事が可能であることから、紫外線センサの薄型化が実現できる。
また、フィルタ膜を支持するためのフレームを形成してフィルタ膜を接着する工程、あるいはパッケージを用意して組み立てる工程等が不要となることから、製造コストの低減を図ることができる。さらに、高価な石英基板を用いることなくフィルタ膜を形成することが可能であるため、製造コストをさらに低減することが可能である。
したがって、本発明の紫外線センサによれば、薄型化を実現できるとともに製造コストの低減が可能な紫外線センサを提供することができる。
図1には、本実施形態における紫外線センサ1の模式平面図を示す。図2には、図1のII−II線に沿って切断した紫外線センサ1の模式断面図を示す。なお、図1は保護膜20及びフィルタ膜30を省略して示している。図2に示すように、本実施形態の紫外線センサ1は、半導体基板11、半導体基板11上に形成された酸化膜12、酸化膜12上に形成されたSOI層13、SOI層13に積層された保護膜20、及びUV−A波とUV−B波とを透過するフィルタ膜30とを有し構成されている。半導体基板11、酸化膜12、及びSOI層13からSOI基板10が構成されており、半導体基板11とSOI層13とは、酸化膜12によって絶縁されている。
図1に示すように、SOI層13には、E字状に形成されたN+領域14とπ字状に形成されたP+領域15とが対向するように形成されている。N+領域14及びP+領域15には、それぞれN+領域14の櫛歯部14aとP+領域15の櫛歯部15aとが形成されており、櫛歯部14aと櫛歯部15aとは間隔を空けてかみ合わされるように配置されている。N+領域14は、SOI層13にリン(P)や砒素(As)等のN型不純物を比較的高濃度に拡散させて形成された高濃度N型拡散領域である。また、P+領域15はボロン(B)等のP型不純物を比較的高濃度に拡散させて形成された高濃度P型拡散領域である。そして、対向するN+領域14とP+領域15との間には、P型不純物が比較的低濃度に拡散されたP−領域16が形成されている。N+領域14、P+領域15及びP−領域16によってラテラルPN接合が形成されて、ラテラル型のフォトダイオードが形成されている。
P−領域16には空乏層(図示しない)が形成されており、空乏層近傍に紫外線を含む光が照射されると、電子−正孔対が発生する。図1及び図2では省略しているが、N+領域14及びP+領域15には、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タングステン(W)等の導電材料により形成された配線電極層(図示しない)が接続されている。配線電極層は、保護膜20及びフィルタ膜30に形成されたコンタクトホール(図示しない)を通して外部へと引き出されており、受光した光によって発生した出力電流を取り出すことができる。なお、受光面積を確保するために、配線電極層及びコンタクトホールは受光領域であるP−領域16と重ならないように形成されている。
なお、紫外線センサ1は図1に示すような構成に限定されるものではなく、N+領域14の櫛歯部14a及びP+領域15の櫛歯部15aを増やした構成や、櫛歯部を設けずにI字状に形成したN+領域14とP+領域15とを対向させた構成であっても良い。また、SOI基板10は、その構成や製造方法について特に限定されるものではない。SOI基板10は、例えば貼り合わせ法やSIMOX(Silicon Implanted Oxide)法等によって作製したものを用いることができる。
図2に示すように、SOI層13の受光面側には保護膜20が形成されている。保護膜20は、外部の環境(湿度、温度等)や製造工程における機械的損傷や化学薬品等の化学的損傷等からSOI層13を保護するために形成されている。また、保護膜20はUV−A波及びUV−B波の波長領域における光透過率が高く、屈折率の低い絶縁性の材料により形成されることが好ましい。例えば酸化シリコン(SiO2)やNSG(Nondoped Silica Glass)等の絶縁材料を用いることができ、本実施形態では酸化シリコンを用いて形成されている。
なお、紫外線とは、可視光よりも短い波長を有する光であり、波長100nm〜400nmの光を指す。また、UV(Ultraviolet)は紫外線と同義である。紫外線波長領域のうち、320nm〜400nmの領域は長波長紫外線(UV−A波)、280nm〜320nmの領域は中波長紫外線(UV−B波)、100nm〜280nmの領域は短波長紫外線(UV−C波)と区分されている。これらの波長領域によって人体や環境に与える影響が異なっている。UV−A波は皮膚を黒化させ真皮に達して老化の原因になり、また、UV−A波に比べて強いエネルギーをもつUV−B波は、皮膚を炎症させ皮膚ガンを誘発する虞がある。UV−C波は、UV−A波及びUV−B波よりも強いエネルギーを有しており、強い殺菌作用があるとされているが、太陽光のUV−C波のほとんどがオゾン層で吸収されて地上に達することはない。したがって、紫外線センサ1は、UV−A波及びUV−B波について良好な受光感度を有し、かつ、それ以外の波長の光(UV−C波、及び可視光以上の波長領域)に対しては検出しないことが求められる。
本実施形態において、SOI層の厚さは200nm〜400nm程度に形成されている。この場合、SOI基板10に形成されたラテラル型フォトダイオードは、紫外線及び可視光を含む広い波長領域について受光感度を有する。そのため、UV−A波及びUV−B波を透過して、UV−C波及び可視光については遮蔽可能なフィルタ特性を有するフィルタ膜30を保護膜20の表面に積層している。これにより、紫外線センサ1は、フィルタ膜30を透過してラテラル型フォトダイオードの受光領域に受光されたUV−A波及びUV−B波を検出することが可能となる。
図2に示すように、フィルタ膜30は保護膜20の表面に積層されている。これにより、保護膜20との間に間隔を設けることなくフィルタ膜30を形成できる。また、従来の紫外線センサ101においてフィルタ膜130の支持基板として用いられていた石英基板を省く事が可能である。したがって、紫外線センサ1の薄型化が実現できる。
また、フィルタ膜30を支持するためのフレームを形成してフィルタを接着する工程や、パッケージを用意して組み立てる工程が不要であることから、製造コストの低減を図ることができる。さらに、高価な石英基板を用いることなくフィルタ膜30を形成することが可能であるため、製造コストをさらに低減することが可能である。
図3には、本実施形態におけるフィルタ膜30の模式断面図を示す。図3に示すように、フィルタ膜30は、低屈折率材料(屈折率1.3〜1.5)31と高屈折率材料(屈折率1.9〜2.2)32とが交互に積層された多層膜で構成されている。低屈折率材料31として、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化シリコン(SiO2)や、酸化シリコン(SiO2)と酸化アルミニウム(Al2O3)の混合材等を用いることができる。また、高屈折率材料32には、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化ランタン(La2O3)のいずれか一つまたは各材料の混合材等を用いる事ができる。フィルタ膜30は、保護膜20側に高屈折率材料32が配置されて、フィルタ膜30の受光面側に低屈折率材料31が配置されるように構成されている。
低屈折率材料31及び高屈折率材料32は、蒸着法などの薄膜法により形成することができ、交互に20層以上積層された多層膜となっている。本実施形態においてフィルタ膜30は24層積層された構成であり、その合計厚みは約2μmである。
図4には、本実施形態におけるフィルタ膜30単体の反射率と光の波長との関係、及びフィルタ膜30を保護膜20上に積層したときの反射率と光の波長の関係を示す。このときの保護膜20の膜厚は約344nmに形成されている。図4に示すように、フィルタ膜30単体の反射率は、UV−A波及びUV−B波の波長領域(280nm〜400nm)において約10%程度であり、UV−C波(280nm以下)及び可視光領域(400nm以上)では90%以上の反射率を示している。すなわち、フィルタ膜30はUV−A波及びUV−B波のみを透過する良好なフィルタ特性を有しているといえる。また、波長750nm以上の近赤外領域でフィルタ膜30の反射率が低下しているが、SOI層13の厚さは上述のとおり200nm〜400nm程度に薄く形成されていることにより、近赤外領域の波長の光はSOI層13のフォトダイオードに吸収されずに透過してしまう。このため、フィルタ膜30を透過した近赤外領域の光が検出されることはなく、紫外線センサ1の検出感度に影響を及ぼすことはない。したがって、紫外線センサ1はUV−A波及びUV−B波に対して良好な受光感度を有することが可能となる。
しかし、保護膜20の表面にフィルタ膜30を積層した場合、保護膜20とフィルタ膜30との界面の反射の影響が付加されることにより反射率が変化してしまい、図4に示すように、UV−B波(280nm〜320nm)の反射率は50%〜65%程度まで増大し、UV−A波(320nm〜400nm)での反射率は約22%〜50%となり、波長依存性が増大する。また、UV−A波の反射率とUV−B波の反射率との差も大きくなっている。
すなわち、入射したUV−B波の多くがフィルタ膜30及び保護膜20で反射されてフォトダイオードの受光領域に受光されず、紫外線センサ1の検出感度が低下してしまうことになる。UV−B波はUV−A波に比べてより強いエネルギーを持つことから、UV−B波の検出感度が低下することは好ましくない。また、図4に示すようにUV−A波とUV−B波との反射率の差が大きい場合、あるいは反射率の波長依存性が大きい場合、入射する光の波長により検出感度のばらつきが大きくなり紫外線センサ1の検出精度が低下してしまうおそれがある。
このような課題を解決するため、フィルタ膜30の膜構成を最適化する方法を試みたが、上述のように複数の材料を用いた多層膜であるため、UV−B波の反射率の増大を抑制し、かつ、UV−A波及びUV−B波の波長領域における反射特性をフラット化することは非常に困難であった。そのため、フィルタ膜30と保護膜20との間隔を設けずにフィルタ膜30を積層して、良好な受光感度を実現することは困難であった。
図5(a)には、SOI基板10に保護膜20及びフィルタ膜30を積層した紫外線センサ1について、UV−A波及びUV−B波の平均反射率と保護膜20の膜厚との関係を示す。図5(a)に示すように、保護膜20の膜厚を約75μm〜370nmまで変化させると、UV−A波及びUV−B波の反射率が周期性を持って変化する。UV−A波は、約33%〜51%の範囲で反射率が周期的に変化しており、UV−B波は約38%〜60%の範囲で反射率が変化している。UV−B波の平均反射率は、光学波長0.246×λ×2×n(λ=311nm、nは1以上の自然数)で最小値を示すような周期性を有して変化していることが示されている。
また、図5(b)には、図5(a)に示したUV−A波の平均反射率とUV−B波の平均反射率との差を示したグラフである。図5(b)は、(UV−B波の平均反射率)−(UV−A波の平均反射率)により算出した値を示しており、グラフ中の平均反射率の差が正の領域は、UV−B波の反射率がUV−A波よりも大きいことを示す。図5(b)に示すように、平均反射率の差は保護膜20の膜厚により大きく変動する。上述のように、紫外線センサ1において、より強いエネルギーを有するUV−B波について良好な検出感度を有するとともに、UV−A波とUV−B波との検出感度のばらつきが小さいことが求められている。したがって図5(a)に示す、UV−B波の平均反射率が低く、かつ図5(b)に示す平均反射率の差が0に近いことが好ましい。なお、図5(a)及び図5(b)において、保護膜20の厚さは種々に変化させているが、フィルタ膜30の膜厚、構成は変えずに、図3及び図4に示した構成、フィルタ特性を有するものを用いている。
本実施形態の紫外線センサ1において、保護膜20は、屈折率が約1.35〜1.48の低屈折材料である酸化シリコン(SiO2)から形成されている。このとき、保護膜20の光学膜厚が0.246×λ×(2×n−0.3)〜0.246×λ×(2×n+0.3)(λ=311nm、nは1以上の自然数)であることが好適である。こうすれば、フィルタ膜30と保護膜20とで発生するUV−A波(波長約320nm〜400nmの紫外線)及びUV−B波(波長約280nm〜320nmの紫外線)の反射率をともに減少させることが可能である。また、この光学膜厚の範囲であれば、比較的大きい反射率を示すUV−B波についても、平均反射率を55%以下に抑制することが可能である。したがって、より多くのUV−A波及びUV−B波が、フィルタ膜30と保護膜20とを透過してフォトダイオードの受光領域で受光することができるため、良好な受光感度を有する紫外線センサ1を提供することができる。
また、保護膜20の光学膜厚が0.246×λ×(2×n−0.2)〜0.246×λ×(2×n+0.2)(λ=311nm、nは1以上の自然数)の範囲であることがより好ましい。この場合、UV−B波の平均反射率を50%以下に抑制することが可能であり、紫外線センサ1の受光感度を向上させることができる。
なお、上記の光学膜厚範囲を示す式において、λ=311nmは紫外線波長(280nm〜350nm)の中心波長である。
本実施形態の紫外線センサ1において、保護膜20は、98nm〜117nm、または194nm〜217nm、または291nm〜314nmの膜厚で形成されていることが、より好ましい。この膜厚範囲で保護膜20を形成することにより、フィルタ膜30と保護膜20とで発生するUV−B波の反射率を45%以下に抑制することができる。したがって、UV−A波に比べて強いエネルギーを有するUV−B波について良好な受光感度を得るができる。また、UV−A波とUV−B波の反射率の差を10%以下に抑えることができるため、UV−A波とUV−B波とに対する受光感度のばらつきを抑制することが可能となる。
図6は、異なる厚さの保護膜20上にフィルタ膜30を積層したときの、反射率と波長の関係を示すグラフである。図6には、保護膜20の光学膜厚を0.246×λ×2(実膜厚約102nm)、0.246×λ×4(実膜厚約204nm)、0.246×λ×4(実膜厚約306nm)にそれぞれ形成したときの反射率を示す。いずれも0.246×λ×(2×n−0.3)〜0.246×λ×(2×n+0.3)(λ=311nm、nは1以上の自然数)の範囲の光学膜厚であり、また、98nm〜117nm、または194nm〜217nm、または291nm〜314nmの膜厚範囲内である。また、比較として光学膜厚0.246×λ×7(実膜厚約357nm)の保護膜20上にフィルタ膜30を積層したときの反射率を示す。なお、フィルタ膜30はいずれも、図3及び図4に示したような構成、フィルタ特性を有するものである。
図6に示すように、保護膜20の光学膜厚を0.246×λ×7に形成した場合には、UV−B波の波長領域で最大約65%の反射率を示しており、また、図5(a)に示すようにUV−B波の平均反射率は約58%と高い値となっている。したがって、入射するUV−B波の光の多くがフィルタ膜30及び保護膜20で反射されてしまい、フォトダイオードに受光される光量が低下し検出感度が低下する。また、UV−A波の波長領域においては反射率の波長依存性が大きくなっており、反射率が約50%から23%まで変化していることがわかる。このような特性の場合、入射する光の波長によって検出感度のばらつきが大きくなり、正確な測定ができないおそれがある。
これに対し、光学膜厚0.246×λ×2、0.246×λ×4、及び0.246×λ×6に形成した場合においては、UV−B波の波長領域における最大反射率はいずれも50%以下に抑制されており、平均反射率はそれぞれ約38%、39%、42%となっている(図5(a)参照)。また、UV−A波の波長領域における反射率は、波長の変化に対してフラットな特性を示しており、UV−B波領域における反射率との差も小さく抑えられている。
また、UV−C波及び可視光の波長領域においては、ほぼ90%以上の反射率を示している。したがって、フィルタ膜30を、上記の膜厚で形成した保護膜20上に形成した場合には、UV−A波及びUV−B波を透過してUV−C波及び可視光は透過しない良好なフィルタ特性を有しているといえる。
これにより、フィルタ膜30を保護膜20の表面に積層して、紫外線センサ1の薄型化を実現するとともに、保護膜20の膜厚を変化させることによって、UV−A波及びUV−B波について良好な受光感度を有し、また、UV−A波及びUV−B波に対する受光感度のばらつきを抑制することが可能な紫外線センサ1を提供することができることが示された。
1 紫外線センサ
10 SOI基板
11 半導体基板
12 酸化膜
13 SOI層
14 N+領域
15 P+領域
16 P−領域
20 保護膜
30 フィルタ膜
31 低屈折率材料(屈折率1.3〜1.5)
32 高屈折率材料(屈折率1.9〜2.2)
10 SOI基板
11 半導体基板
12 酸化膜
13 SOI層
14 N+領域
15 P+領域
16 P−領域
20 保護膜
30 フィルタ膜
31 低屈折率材料(屈折率1.3〜1.5)
32 高屈折率材料(屈折率1.9〜2.2)
Claims (6)
- 紫外線を含む光を受光して電流を発生させる受光素子と、
前記受光素子の受光面側に積層された保護膜と、
UV−A波とUV−B波とを透過するフィルタ膜とを有し、
前記フィルタ膜が前記保護膜の表面に積層されていることを特徴とする紫外線センサ。 - 前記保護膜は、屈折率が1.35〜1.48の低屈折材料により形成されており、前記保護膜の光学膜厚が0.246×λ×(2×n−0.3)〜0.246×λ×(2×n+0.3)(λ=311nm、nは1以上の自然数)であることを特徴とする請求項1に記載の紫外線センサ。
- 前記保護膜は、98nm〜117nm、または194nm〜217nm、または291nm〜314nmの膜厚で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の紫外線センサ。
- 前記保護膜は、酸化シリコンを用いて形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の紫外線センサ。
- 前記フィルタ膜は、低屈折率材料(屈折率1.3〜1.5)と高屈折率材料(屈折率1.9〜2.2)とが交互に積層された多層膜で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の紫外線センサ。
- 前記受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された酸化層と、前記酸化層上に形成されたSOI層とを有し構成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の紫外線センサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011084256 | 2011-04-06 | ||
JP2011084256 | 2011-04-06 | ||
PCT/JP2012/053424 WO2012137539A1 (ja) | 2011-04-06 | 2012-02-14 | 紫外線センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012137539A1 true JPWO2012137539A1 (ja) | 2014-07-28 |
Family
ID=46968943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013508782A Withdrawn JPWO2012137539A1 (ja) | 2011-04-06 | 2012-02-14 | 紫外線センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2012137539A1 (ja) |
WO (1) | WO2012137539A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017084875A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6767774B2 (ja) * | 2016-05-19 | 2020-10-14 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2018123705A1 (ja) * | 2016-12-26 | 2019-10-31 | Agc株式会社 | 紫外線透過フィルタ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05341120A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Asahi Optical Co Ltd | 紫外線照射装置の多層膜フィルタ |
JPH05341122A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Asahi Optical Co Ltd | 紫外線照射装置の多層膜フィルタ |
JP2008251709A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 紫外線受光素子およびその製造方法、並びに紫外線量測定装置 |
JP2009016811A (ja) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2009176835A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Oki Semiconductor Co Ltd | 紫外線センサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5094526B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2012-12-12 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 複合センサ及びこれを用いた炎センサ |
-
2012
- 2012-02-14 WO PCT/JP2012/053424 patent/WO2012137539A1/ja active Application Filing
- 2012-02-14 JP JP2013508782A patent/JPWO2012137539A1/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05341120A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Asahi Optical Co Ltd | 紫外線照射装置の多層膜フィルタ |
JPH05341122A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Asahi Optical Co Ltd | 紫外線照射装置の多層膜フィルタ |
JP2008251709A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 紫外線受光素子およびその製造方法、並びに紫外線量測定装置 |
JP2009016811A (ja) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2009176835A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Oki Semiconductor Co Ltd | 紫外線センサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012137539A1 (ja) | 2012-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4530180B2 (ja) | 紫外線センサおよびその製造方法 | |
US20200232852A1 (en) | Light detection device | |
JP5948007B2 (ja) | 分光センサー及び分光フィルター | |
US20070013020A1 (en) | Reflector for a double-pass photodetector | |
WO2018159533A1 (ja) | 光検出装置 | |
JP2013185887A (ja) | 光学センサー及び電子機器 | |
JPWO2012137539A1 (ja) | 紫外線センサ | |
JP2017208487A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2017220380A1 (en) | Photodetector device with integrated high-contrast grating polarizer | |
WO2018180241A1 (ja) | 光検出装置 | |
CN107068782B (zh) | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | |
JP5614339B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
US8802217B2 (en) | Tilt structure | |
JP4432837B2 (ja) | 半導体光センサ装置 | |
JP5614540B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
JP5821400B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
KR102659575B1 (ko) | 광 검출 장치 | |
JP2013156325A (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
JP5804166B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
JP6079840B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
JP6160167B2 (ja) | 分光センサー及びその製造方法 | |
JP2015038632A (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140812 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20140916 |