JPWO2012056601A1 - 検査装置、検査方法、露光方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
10 ウェハ(10a 条件振りウェハ)
15a〜15e 計測用ウェハ
20 照明系(照明部)
30 受光系 35 撮像装置(検出部)
40 画像処理部(演算部) 60 検査部
80 制御部 82 通信ポート(入力部)
85 記憶部 90 信号出力部
100 露光装置
Claims (31)
- 所定範囲の露光を繰り返して作製された複数のパターンを有する基板の該パターンに照明光を照射する照明部と、
前記照明光が照射された前記基板の前記所定範囲の前記パターンからの光を一括して検出する検出部と、
前記検出部で検出された検出結果に基づいて、前記パターンが露光された時の露光状態を求める演算部とを備えることを特徴とする検査装置。 - 前記演算部は、前記露光状態として前記パターンが露光された時の合焦状態と露光量との少なくとも一方を演算することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記照明部と前記検出部とを制御する制御部をさらに備え、
前記合焦状態と前記露光量との一方を前記露光状態として演算する際には、他方の影響を受けにくいように、前記制御部が前記照明部と前記検出部との少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項2に記載の検査装置。 - 前記検出部が前記パターンからの回折光を検出することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の検査装置。
- 前記検出部が4次以上の次数の回折光を検出することを特徴とする請求項4に記載の検査装置。
- 前記検出部が前記パターンからの反射光のうち所定の偏光成分を検出することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の検査装置。
- 複数の異なる露光状態で露光された複数のパターンの検出結果を記憶する記憶部と、通信可能な入力部とをさらに備え、
前記演算部は、前記記憶された検出結果に基づいて前記パターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の検査装置。 - 前記記憶部は、複数の異なる露光状態と、該露光状態で露光されたパターンの検出結果とを記憶可能であり、
前記演算部は、前記記憶された検出結果と検査対象のパターンの検出結果とに基づいて、検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項7に記載の検査装置。 - 前記記憶部は、前記複数の異なる露光状態と該露光状態で露光されたパターンの検出結果との関係を示す露光状態カーブを記憶可能であり、
前記演算部は、前記露光状態カーブの変曲点に基づいて検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項8に記載の検査装置。 - 前記記憶部は、前記複数の異なる露光状態と該露光状態で露光されたパターンの検出結果との関係を示す露光状態カーブを記憶可能であり、
前記演算部は、検査対象のパターンの検出結果と前記露光状態カーブとのフィッティングにより前記検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項8に記載の検査装置。 - 前記検出部は前記パターンからの光を複数回検出し、前記演算部は前記複数回の検出結果を積算した積算信号に基づいて前記露光状態を求めることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に検査装置。
- 前記基板と前記検出部との相対位置と、前記基板と前記照明部との相対位置との少なくとも一方を変更する変更部をさらに備え、
前記演算部は、前記相対位置の変更の前後の検出結果に基づいて検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の検査装置。 - 前記演算部は、複数の前記相対位置における検出結果の平均に基づいて前記露光状態を求めることを特徴とする請求項12に記載の検査装置。
- 前記照明部は、略平行な光束で前記基板のパターンが形成された面全面を一括して照明し、
前記検出部は、前記全面にあるパターンからの光を一括して検出することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の検査装置。 - 前記演算部が求めた露光状態を、該露光を行った露光装置にフィードバック可能に出力する出力部をさらに備えることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の検査装置。
- 所定範囲の露光を繰り返して作製された複数のパターンを有する基板の該パターンに照明光を照射し、
前記照明光が照射された前記基板の前記所定の範囲の前記パターンからの光を一括して検出し、
前記検出された検出結果に基づいて、前記パターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする検査方法。 - 前記露光状態として前記パターンが露光された時の合焦状態と露光状態との少なくとも一方を求めることを特徴とする請求項16に記載の検査方法。
- 前記合焦状態と前記露光状態との少なくとも一方を求める際に、他方の影響を受けにくいように前記照射と前記検出との少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項17に記載の検査方法。
- 前記パターンからの回折光を検出することを特徴とする請求項16から18のいずれか一項に記載の検査方法。
- 前記パターンからの光の所定の偏光成分を検出することを特徴とする請求項16から18のいずれか一項に記載の検査方法。
- 複数の異なる露光状態で露光された複数のパターンの検出結果に基づいて、前記パターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項16から20のいずれか一項に記載の検査方法。
- 複数の異なる露光状態で露光された複数のパターンの検出結果と、該パターンが露光された時の露光状態との関係に基づいて、検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項16から21のいずれか一項に記載の検査方法。
- 前記複数の異なる露光状態で露光された複数のパターンの検出結果と、該パターンが露光された時の露光状態との関係として、露光状態カーブを用い、該露光状態カーブの変曲点に基づいて検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項22に記載の検査方法。
- 前記複数の異なる露光状態で露光された複数のパターンの検出結果と、該パターンが露光された露光された露光状態との関係として、露光状態カーブを用い、検査対象のパターンの検出結果と前記露光状態カーブとのフィッティングに基づいて前記検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項22に記載の検査方法。
- 前記パターンからの光を複数回検出し、該複数回の検出結果を積算して検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項16から24のいずれか一項に記載の検査方法。
- 前記照明光の照射状態と、前記パターンからの光の検出状態との少なくとも一方を変更し、該変更前後に検出された検出結果に基づいて検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求めることを特徴とする請求項16から25のいずれか一項に記載の検査方法。
- 前記変更前後に検出された検出結果の平均に基づいて前記露光状態を求めることを特徴とする請求項26に記載の検査方法。
- 前記パターンが形成された面全面を一括して照明し、前記全面にある前記パターンからの光を一括して検出することを特徴とする請求項16から27のいずれか一項に記載の検査方法。
- 検査対象のパターンが露光された時の露光状態を求め、該パターンを露光した露光装置にフィードバック可能な情報にすることを特徴とする請求項16から28のいずれか一項に記載の検査方法。
- 請求項29に記載の検査方法により得られた前記フィードバック可能な情報に基づいて、露光条件を決定することを特徴とする露光方法。
- 請求項30に記載の露光方法により作製されたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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