JPWO2011104802A1 - 周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、小型化が可能で、かつ基本波などのスプリアスを効果的に抑圧して所望の逓倍波を出力できる周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法を提供することを目的とする。本発明の一態様である周波数逓倍発振回路は、発振部(1)、逓倍部(2)及び基本波成分除去部4を有するものである。発振部(1)は、基本波を出力する。逓倍部(2)は、基本波を逓倍して、逓倍波を出力する。基本波成分除去部(4)は、発振部(1)から出力された基本波に基づいて、逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消して、逓倍波を出力端子(3b)へ出力する。

Description

本発明は周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法に関し、特にスプリアス波抑圧に優れる周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法に関する。
一般に、能動素子により得られる高周波の利得には制限がある。そのため、高周波の信号を発生させる信号源では、所望の周波数よりも低い周波数で発振させ、これを高調波に変換して出力する構成が使用されることが多い。また、外部に逓倍器を接続する構成も多く使用される。しかしながら、これらの構成では、所望の高調波以外にも、スプリアス波となる基本波及び不要な高調波が出力される問題がある。
特許文献1には、低周波数の信号を高調波に変換して出力する発振器が示されている。この発振器は、差動信号の仮想グランド部から偶数時高調波を出力する、プッシュ・プッシュ構成の差動発振器である。この構成では、基本波及び奇数次高調波に対する仮想グランド部に出力端子を設けるため、スプリアスである基本波及び奇数時高調波の出力の漏洩が抑制される。
また、外部に逓倍器を接続する発振器としては、単相信号を入力する構成が一般的に使用される。この構成において、所望の高調波以外のスプリアス波の漏洩を広帯域で十分抑圧するためには、多段のフィルタが必要である。そのため、発振器のサイズ増大に繋がる。更に、発振器の動作周波数帯域が広い場合(逓倍数<帯域上限/帯域下限)には、抑圧すべきスプリアス波が所望の高調波の周波数帯に入ってくる。そのため、フィルタにより有効にスプリアス波を抑圧することができない場合がある。
非特許文献1には、スプリアス波抑圧のためのフィルタが不要な逓倍器が示されている。この逓倍器は、2つの非線形素子に差動信号を入力して、非線形素子からの出力信号を合成するバランス型逓倍器である。この構成では、2つの非線形素子の合成点において、入力信号の基本波と奇数次高調波とが逆位相となる。よって、スプリアス波の出力端子への漏洩が抑圧される。
特開2007−150753号公報
Juo-Jung Hung, et al. "A high-Efficiency Miniaturized SiGe Ku-Band Balanced Frequency Doubler", 2004 Radio Frequency Integrated Circuits Digest, pp.219-222
しかしながら、特許文献1で示される発振器は、発振器内部で生成される高調波が大きくなるように動作させることを目的としている。そのため、高い非線形性に起因した位相雑音の増大が課題であった。
また、非特許文献1で示されるようなバランス型逓倍器では、非線形素子が2つ必要である。そのため、発振器サイズが増大してしまうことが課題であった。
本発明は、上記に鑑みて為されたものであり、本発明の目的は、小型化が可能で、かつスプリアス波を効果的に抑圧できる周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法を提供することにある。
本発明の一態様である周波数逓倍発振回路は、基本波を出力する発振部と、前記発振部から出力された基本波を逓倍し、逓倍波を出力する逓倍部と、前記発振部より出力された基本波に基づいて、前記逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消して出力する基本波成分除去部と、を備えるものである。
本発明の一態様である基本波の逓倍方法は、基本波を発振部から出力し、前記基本波を逓倍して逓倍波を出力し、前記逓倍波を、前記発振部から出力された前記基本波に基づいて当該逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消して出力するものである。
本発明によれば、小型化が可能で、かつスプリアス波を効果的に抑圧できる周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法を提供することができる。
実施の形態1にかかる周波数逓倍発振回路100の構成図である。 実施の形態2にかかる周波数逓倍発振回路200の構成図である。 周波数逓倍発振回路200における結合素子7の構成例を示す構成図である。 周波数逓倍発振回路200における結合素子7の構成例を示す構成図である。 周波数逓倍発振回路200における結合素子7の構成例を示す構成図である。 周波数逓倍発振回路200の構成転換例である周波数逓倍発振回路201の構成を示す構成図である。 実施の形態3にかかる周波数逓倍発振回路300の構成図である。 実施の形態4にかかる周波数逓倍発振回路400の構成図である。 周波数逓倍発振回路400が2逓倍波を出力する場合における逓倍波の出力電力の周波数特性を示すグラフである。 周波数逓倍発振回路400が2逓倍波を出力する場合における基本波抑圧レベルの周波数特性を示すグラフである。 周波数逓倍発振回路400が3逓倍波を出力する場合における逓倍波の出力電力の周波数特性を示すグラフである。 周波数逓倍発振回路400が3逓倍波を出力する場合における基本波抑圧レベルの周波数特性を示すグラフである。
実施の形態1
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。まず、本発明の実施の形態1にかかる周波数逓倍発振回路100について詳細に説明する。図1は、実施の形態1にかかる周波数逓倍発振回路100の構成図である。周波数逓倍発振回路100は、図1に示すように、2つの出力端子を持つ発振部1を有する。発振部1の一方の出力端子は、非線形動作により高調波を出力する逓倍部2の入力側と接続される。発振部1のもう一方の出力端子は、出力端子3a及び基本波成分除去部4と接続される。逓倍部2の出力側は、基本波成分除去部4と接続される。基本波成分除去部4の出力側は、出力端子3bと接続される。
続いて、周波数逓倍発振回路100の動作について説明する。周波数逓倍発振回路100は、出力端子3aから発振部1の発振周波数である基本波を出力し、出力端子3bから逓倍部2により生成された所望の高調波である逓倍波を出力するものである。
発振部1は、出力端子3a及び逓倍部2へ基本波を出力する。出力端子3aからは基本波が外部に出力される。また、発振部1から出力された基本波は分岐され、その一部(第1の基本波)が基本波成分除去部4に入力される。逓倍部2は、発振部1から出力される基本波を逓倍して、所望の高調波である逓倍波を基本波成分除去部4に出力する。このとき、逓倍部2から基本波成分除去部4へは逓倍波が出力されるだけでなく、基本波(第2の基本波)も漏洩する。よって、逓倍部2から出力される逓倍波には、基本波成分(第2の基本波)が含まれることとなる。
基本波成分除去部4は、発振部1から出力された基本波と逓倍部2から出力される逓倍波とを合成する。これにより、逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消した上で、出力端子3bへ逓倍波を出力する。
基本波成分除去部4における第1の基本波と第2の基本波とが逆位相の場合には、基本波成分除去部4を基本波に対する加算器として動作させる。これにより、発振部1から出力された基本波と逓倍波に含まれる基本波成分とを同じ重み付けで加算して、逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消すことができる。よって、出力端子3bにおけるスプリアス波(基本波)を抑圧することができる。
基本波成分除去部4における第1の基本波と第2の基本波とが同位相の場合には、基本波成分除去部4を基本波に対する減算器として動作させる。これにより、発振部1から出力された基本波と逓倍波に含まれる基本波成分とを同じ重み付けで減算して、逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消すことができる。よって、出力端子3bにおけるスプリアス波(基本波)を抑圧することができる。
周波数逓倍発振回路100は、特許文献1に記載されている逓倍発振器とは異なり、発振器における非線形性を低減できるため、所望出力逓倍波における位相雑音を増大させることなく、スプリアスを抑圧することができる。また、周波数逓倍発振回路100は、非特許文献1に記載されているようなバランス型逓倍器と異なり、非線形素子は逓倍部2のみである。よって、簡易な構成により基本波を抑圧することができるので、周波数逓倍発振回路を小型化することができる。従って、本構成によれば、小型化が可能で、スプリアスを効果的に抑圧できる周波数逓倍発振回路及び基本波の逓倍方法を実現できる。
実施の形態2
次に、本発明の実施の形態2にかかる周波数逓倍発振回路200について詳細に説明する。図2は、実施の形態2にかかる周波数逓倍発振回路200の構成図である。周波数逓倍発振回路200は、図1に示す周波数逓倍発振回路100に緩衝用増幅部5を追加し、基本波成分除去部4を基本波成分除去部4aとしたものである。なお、周波数逓倍発振回路200における発振部1は、基本波として、一対の差動信号を出力する。周波数逓倍発振回路200のその他の構成については、周波数逓倍発振回路100と同様であるので、説明を省略する。
基本波成分除去部4aは、帯域除去フィルタ6及び結合素子7を有する。帯域除去フィルタ6は、逓倍部2と出力端子3bとの間に接続され、逓倍部2から出力される逓倍波に含まれる基本波成分を抑圧する。結合素子7は、緩衝用増幅部5と帯域除去フィルタ6の出力側との間に接続され、発振部1から出力される基本波の振幅を調整する。緩衝用増幅部5は、発振部1と出力端子3aとの間に接続される。
続いて、周波数逓倍発振回路200の動作について説明する。周波数逓倍発振回路200は、出力端子3aから発振部1の発振周波数である基本波を出力し、出力端子3bから逓倍部2により生成された所望の高調波である逓倍波を出力するものである。
発振部1は、基本波である差動信号の一方(以下、第1の差動信号)を緩衝用増幅部5へ出力し、差動信号の他方(以下、第2の差動信号)を逓倍部2の入力側へ出力する。緩衝用増幅部5は、基本波(第1の差動信号)を増幅して出力端子3aへ出力する。出力端子3aからは、増幅された基本波(第1の差動信号)が出力される。また、緩衝用増幅部5で増幅された基本波(第1の差動信号)の一部は、基本波成分除去部4aを介して、出力端子3bへ出力される。なお、結合素子7の結合度を調整することにより、結合素子7から出力端子3bに出力される第1の差動信号(基本波)の振幅を調整することができる。
逓倍部2は、発振部1から出力される第2の差動信号を逓倍して、所望の高調波である逓倍波を帯域除去フィルタ6に出力する。このとき、逓倍部2から帯域除去フィルタ6へは逓倍波が出力されるだけでなく、基本波(第2の差動信号)が漏洩する。逓倍部2から漏洩した基本波(第2の差動信号)は帯域除去フィルタ6により抑圧されるが、その一部は出力端子3bへ漏洩する。従って、帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波には、基本波成分が含まれる。
ここで、入力信号の位相に対する出力信号の位相が、緩衝用増幅部5及び逓倍部2において、共に反転する場合について検討する。この場合、緩衝用増幅部5の出力側における基本波(第1の差動信号)と、帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)と、は逆位相となる。また、入力信号の位相に対する出力信号の位相が、緩衝用増幅部5及び逓倍部2において、共に反転しない場合(非反転)には、緩衝用増幅部5の出力側における基本波(第1の差動信号)と、帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)と、は同様に逆位相となる。
上述のように、入力信号の位相に対する出力信号の位相が反転する緩衝用増幅部5及び逓倍部2は、例えば、ソース接地電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor、以下FET)又はエミッタ接地バイポーラトランジスタ(Bipolar Transistor、以下BT)によって構成することができる。また、入力信号の位相に対する出力信号の位相が反転しない緩衝用増幅部5及び逓倍部2は、ドレイン接地FET又はコレクタ接地BTによって構成することができる。なお、FETにおけるゲートバイアス又はBTにおけるベースバイアスを、非線形性が高くなる値(一般的に、閾値電圧近傍)に設定することにより、逓倍部2に使用することができる。
よって、周波数逓倍発振回路200は、基本波成分除去部4aにおいて、緩衝用増幅部5から出力される基本波(第1の差動信号)により、帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)を打ち消すことができる。従って、本構成によれば、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを低減することができる。
また、漏洩レベルを十分に低減するためには、緩衝用増幅部5から出力される基本波(第1の差動信号)と帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)は同じ振幅である必要がある。上述のように、周波数逓倍発振回路200では、結合素子7の結合度を調整することにより、緩衝用増幅部5から出力される基本波(第1の差動信号)の振幅を調整することができる。これにより、緩衝用増幅部5から出力される基本波(第1の差動信号)の振幅を、帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)の振幅と等しくすることができる。従って、本構成によれば、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを最小化することができる。
更に、結合素子7による基本波の振幅調整には周波数依存性が存在するが、基本波の位相については周波数依存性が無い。そのため、基本波の周波数にかかわらず、緩衝用増幅部5から出力される基本波(第1の差動信号)と帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)とを逆位相に維持することができる。従って、本構成によれば、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを、広帯域にわたって低減できる。
また、一般的な通信システムでは、発振器は、位相同期ループを構成することが多い。この場合、基準となる低周波信号源との位相比較のため、発振器からの高周波信号を分周する必要がある。このような場合、本構成のように、基本波と逓倍波の2つの周波数帯を出力することにより、高周波動作の分周器が不要となる利点がある。
周波数逓倍発振回路200において、結合素子7は、基本波に対して所望の結合度を得ることができ、かつ逓倍波への影響が小さいことが望ましい。そのため、出力端子3bから結合素子7を見た場合の結合素子7のインピーダンスは、逓倍波の周波数においては、できるだけ高いことが望ましい。このような結合素子7としては、周波数依存無く高インピーダンスにできる抵抗素子や、高周波数帯において高インピーダンスにできるインダクタ素子等が使用できる。
図3A〜Cは、結合素子7の構成例である結合素子7a〜cの構成を示す構成図である。結合素子7aは、図3Aに示すように、抵抗素子8とインダクタ素子9とを直列接続した構成とすることができる。これにより、インピーダンスの周波数特性の設定の自由度が高くなり、より所望の結合度を得やすい。
また、結合素子7bは、図3Bに示すように、図3Aの結合素子7aに増幅部5dを追加して、出力端子3bから出力端子3aへのアイソレーションを確保したものである。この例では、増幅部5dの入力側を出力端子3aと接続する。これにより、出力端子3aへの逓倍波の漏洩を抑圧することができる。但し、出力端子3bにおいて、結合素子7a及び帯域除去フィルタ6から出力される基本波を相互に逆相とするため、増幅部5dの入力信号の位相に対する出力信号の位相が非反転である必要がある。なお、この場合でも、出力端子3bから結合素子7を見た場合のインピーダンスが高くなるようにすることが望ましい。具体的には、抵抗素子8とインダクタ素子9とを直列接続した部分の一端を、出力端子3bに接続する。
上述では、逓倍部2、緩衝用増幅部5及び増幅部5dの入力信号の位相に対する出力信号の位相が、理想的に反転又は非反転である場合について説明したが、実際には、いくらかの位相ずれが生じる。そのため、図3Cに示す結合素子7cのように、位相ずれを補償するための移相素子10を追加しても良い。また、結合素子7に使用する各素子(抵抗素子8、インダクタ素子9、増幅部5d及び移相素子10を制御可能な素子とすることにより、製造時のばらつきに起因する設計とのずれ等を補償することができる。
図4は、周波数逓倍発振回路200の構成転換例である周波数逓倍発振回路201の構成を示す構成図である。図4に示すように、周波数逓倍発振回路201は、周波数逓倍発振回路200と比較して、基本波成分除去部4aを基本波成分除去部4bに置き換えたものである。基本波成分除去部4bは、可変結合素子7d及び漏洩波検出部11により構成される。漏洩波検出部11は、出力端子3bにおける基本波の漏洩レベルを検出する。ここで、基本波の漏洩レベルとは、基本波成分除去部4bから出力される基本波成分の振幅をいう。
漏洩波検出部11の出力側は、結合度が可変である可変結合素子7dと接続される。これにより、出力端子3bにおける基本波の漏洩レベルをモニタリングしながら、可変結合素子7dの結合度を動的に制御することができる。従って、周波数逓倍発振回路200と比較して、より効果的に基本波の漏洩波を抑圧することができる。
実施の形態3
次に、本発明の実施の形態3にかかる周波数逓倍発振回路300について詳細に説明する。図5は、実施の形態3にかかる周波数逓倍発振回路300の構成図である。周波数逓倍発振回路300は、図5に示すように、図2に示す周波数逓倍発振回路200の緩衝用増幅部5を複数の増幅段から成る緩衝用増幅部5aに置き換え、基本波成分除去部4aを基本波成分除去部4cに置き換えたものである。更に、周波数逓倍発振回路300には、複数の増幅段から成る緩衝用増幅部5bが追加されている。緩衝用増幅部5bは、発振部1と逓倍部2との間に接続される。
基本波成分除去部4cは、基本波成分除去部4aと比べて、帯域除去フィルタ6の出力側に、増幅部5cが追加されている。その他の構成は、周波数逓倍発振回路200と同様であるので、説明を省略する。
続いて、周波数逓倍発振回路300の動作について説明する。周波数逓倍発振回路300は、出力端子3aから発振部1の発振周波数である基本波を出力し、出力端子3bから逓倍部2により生成された所望の高調波である逓倍波を出力する。
発振部1は、基本波である差動信号の一方(第1の差動信号)を緩衝用増幅部5aへ出力し、差動信号の他方(第2の差動信号)を緩衝用増幅部5bの入力側へ出力する。緩衝用増幅部5aは、基本波(第1の差動信号)を増幅して出力端子3aへ出力する。出力端子3aからは、増幅された基本波(第1の差動信号)が出力される。また、緩衝用増幅部5aで増幅された基本波(第1の差動信号)の一部は、基本波成分除去部4cへ出力される。
緩衝用増幅部5bは、基本波(第2の差動信号)を増幅して逓倍部2に出力する。逓倍部2は、基本波(第2の差動信号)を逓倍して、所望の高調波である逓倍波を帯域除去フィルタ6に出力する。このとき、逓倍部2から帯域除去フィルタ6へは逓倍波が出力されるだけでなく、基本波(第2の差動信号)が漏洩する。逓倍部2から漏洩した基本波(第2の差動信号)は帯域除去フィルタ6により抑圧されるが、その一部は増幅部5cへ漏洩する。増幅部5cは、帯域除去フィルタ6から出力される、基本波成分を含む逓倍波を増幅して出力する。よって、増幅部5cから含まれる逓倍波にも、基本波成分が含まれることとなる。
ここで、複数の増幅段から成る緩衝用増幅部5aにおいて、基本波(第1の差動信号)の位相が反転する段数をn(nは0以上の整数)とする。また、緩衝用増幅部5b、逓倍部2及び増幅部5cにおいて、基本波(第2の差動信号)の位相が反転する段数をm(mは0以上の整数)とする。|n−m|が偶数の場合には、緩衝用増幅部5aの出力側における基本波と、増幅部5cから出力される逓倍波の基本波成分と、は逆位相となる。
周波数逓倍発振回路300は、周波数逓倍発振回路200と同様に、基本波成分除去部4cにおいて、緩衝用増幅部5から出力される基本波(第1の差動信号)により、帯域除去フィルタ6から出力される逓倍波に含まれる基本波成分(第2の差動信号)を打ち消すことができる。従って、本構成によれば、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを低減することができる。
また、|n−m|が奇数の場合には、緩衝用増幅部5aの出力側における基本波と、増幅部5cから出力される逓倍波の基本波成分と、は同位相となる。この場合には、結合素子7の入力信号の位相に対する出力信号の位相が反転である必要がある。このような結合素子7としては、例えば、図3Bに示す結合素子7bにおいて、入力信号の位相に対する出力信号の位相が反転である増幅部5dを使用すればよい。また、結合素子7cの移相素子10により、緩衝用増幅部5aから出力された基本波を、増幅部5cから出力される逓倍波の基本波成分に対して、基本波成分除去部4cにおいて逆位相としてもよい。これにより、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを低減することができる。
続いて、発振部1が差動信号ではない基本波を出力する場合について説明する。この場合、発振部1は、緩衝用増幅部5aへ第1の基本波を出力し、緩衝用増幅部5bへ第2の基本波を出力する。よって、|n−m|が奇数の場合には緩衝用増幅部5aの出力側における基本波と、増幅部5cから出力される逓倍波に含まれる基本波成分と、は逆位相となる。一方、|n−m|が偶数の場合には緩衝用増幅部5aの出力側における基本波と、増幅部5cから出力される逓倍波に含まれる基本波成分と、は同位相となる。この場合には、適宜結合素子7cの配置や、基本波成分除去部において第1の基本波と第2の基本波とを逆相となるように合成(減算)することにより、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを低減することができる。
実施の形態4
次に、本発明の実施の形態4にかかる周波数逓倍発振回路400について詳細に説明する。図6は、実施の形態4にかかる周波数逓倍発振回路400の構成図である。周波数逓倍発振回路400は、図6に示すように、図2に示す周波数逓倍発振回路200の構成を詳細にしたものである。
発振部1は、2つの差動出力端子を有する。一方の差動出力端子は、発振部1の電源Vd1を遮断するDCカット用キャパシタ素子14cを介して、緩衝用増幅部5と接続される。もう一方の差動出力端子は、発振部1の電源Vd1を遮断するDCカット用キャパシタ素子14dを介して、逓倍部2と接続される。
発振部1は、負性抵抗部13及びLC共振器15により構成される。負性抵抗部13は、交差結合されたFET12a及びFET12bにより構成される。FET12aのドレインは、FET12bのゲート、DCカット用キャパシタ素子14c及びLC共振器15と接続される。FET12bのドレインは、FET12aのゲート、DCカット用キャパシタ素子14d及びLC共振器15と接続される。FET12a及びFET12bのソースは、グランドと接続される。LC共振器15は、キャパシタ素子14a、キャパシタ素子14b、インダクタ素子9a及びインダクタ素子9bにより構成される。キャパシタ素子14a及びキャパシタ素子14bは容量可変素子であり、キャパシタ素子14a及びキャパシタ素子14bのキャパシタンス値を制御することにより、発振周波数を変化させることができる。インダクタ素子9aの一端は電源Vd1と接続され、他端はFET12aのドレインと接続される。インダクタ素子9bの一端は電源Vd1と接続され、他端はFET12bのドレインと接続される。また、インダクタ素子9a及びインダクタ素子9bの負性抵抗部13側端部は、直列に接続されたキャパシタ素子14a及びキャパシタ素子14bを介して相互に接続される。
緩衝用増幅部5は、FET12c、ゲートバイアス印加用抵抗8a及び電源供給用インダクタ素子9cで構成される。FET12cのゲートには、DCカット用キャパシタ素子14cを介して差動信号が入力され、ゲートバイアス印加用抵抗8aを介してゲートバイアスVg1が印加される。FET12cのドレインは電源供給用インダクタ素子9cを介して電源Vd2と接続され、ソースはグランドと接続される。
逓倍部2は、FET12d、ゲートバイアス印加用抵抗8b、電源供給用インダクタ素子9dからなる。FET12dのゲートには、DCカット用キャパシタ素子14dを介して差動信号が入力され、ゲートバイアス印加用抵抗8bを介してゲートバイアスVg2が印加される。FET12dのドレインは電源供給用インダクタ素子9dを介して電源Vd3と接続され、ソースはグランドと接続される。なお、逓倍部2のゲートバイアスVg2は、大きな高調波を生成するために、非線形性が高くなるように設定する(一般的に、閾値電圧近傍)。
基本波成分除去部4aは、帯域除去フィルタ6及び結合素子を有する。帯域除去フィルタ6は、キャパシタ素子14e及びインダクタ素子9eにより構成される、基本波周波数で共振する直列共振器である。帯域除去フィルタ6の接続点では、共振周波数におけるインピーダンスが低くなるため、基本波を抑圧することができる。
従って、本構成によれば、周波数逓倍発振回路200と同様に、出力端子3bに現れる基本波の漏洩レベルを低減することができる。
続いて、周波数逓倍発振回路400における逓倍波出力と基本波の抑圧レベルの改善効果を、2逓倍及び3逓倍の場合について説明する。図7Aは、周波数逓倍発振回路400が2逓倍波を出力する場合における逓倍波の出力電力の周波数特性を示すグラフである。図7Bは、周波数逓倍発振回路400が2逓倍波を出力する場合における基本波抑圧レベルの周波数特性を示すグラフである。図8Aは、周波数逓倍発振回路400が3逓倍波を出力する場合における逓倍波の出力電力の周波数特性を示すグラフである。図8Bは、周波数逓倍発振回路400が3逓倍波を出力する場合における基本波抑圧レベルの周波数特性を示すグラフである。図7A、7B、8A及び8Bでは、結合素子7が抵抗素子からなる場合(R結合、条件1)、抵抗素子とインダクタ素子との直列接続素子から成る場合(LR結合、条件2)について示している。また、比較例として、結合素子7が無い場合(条件3)について示している。図7A、7B、8A及び8Bでは、条件1〜3において、キャパシタ素子14a及びキャパシタ素子14bのキャパシタ値を変化させることにより発振周波数を変化させている。
図7B及び図8Bに示す通り、周波数逓倍発振回路400(条件1又は条件2)では、結合素子が無い場合(条件3)と比較して、基本波抑圧レベルが改善していることが確認できる。また、LR結合の結合素子(条件2)では、インダクタ素子の周波数依存性を利用できるので、周波数依存性の無いR結合の結合素子(条件1)に比べ、基本波の抑圧レベルをより改善することができる。
更に、2逓倍の場合と比べ、3逓倍の場合の方が抑圧する基本波との周波数の差が大きい。そのため、インダクタ素子の周波数依存性をより大きく利用できるので、図7A及び図8Aに示すように、結合素子7による逓倍波への影響を低減することができる。
その他の実施の形態
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、図3A〜Cに示した結合素子7a〜c及び図4に示した可変結合素子7dの構成は、あくまで例示である。従って、所望の結合度が得られるのであれば、他の受動素子及び能動素子を適宜組み合わせて結合素子7を構成しても構わない。
また、周波数逓倍発振回路100及び300は、周波数逓倍発振回路200と同様に、結合素子7を、結合素子7a〜7cのいずれかに置き換えることができる。更に、図4に示す漏洩波検出部11を追加して、結合素子の結合度を動的に制御する構成とすることもできる。
以上、実施の形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記によって限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
この出願は、2010年2月23日に出願された日本出願特願2010−37203を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
本発明は、高周波信号を発生させる信号源、発振器及び逓倍器などに適用することが可能である。
1 発振部
2 逓倍部
3a、3b 出力端子
4、4a〜c 基本波成分除去部
5 緩衝用増幅部
5a、5b 緩衝用増幅部
5c、5d 増幅部
6 帯域除去フィルタ
7、7a、7c、7b 結合素子
7d 可変結合素子
8 抵抗素子
8a、8b ゲートバイアス印加用抵抗
9、9a、9b インダクタ素子
9c、9d 電源供給用インダクタ素子
9e インダクタ素子
10 移相素子
11 漏洩波検出部
12a、12b、12c、12d FET
13 負性抵抗部
14a、14b キャパシタ素子
14c、14d DCカット用キャパシタ素子
14e キャパシタ素子
15 共振器
100、200、201、300、400 周波数逓倍発振回路
Vd1〜3 電源
Vg1、Vg2 ゲートバイアス

Claims (10)

  1. 基本波を出力する発振手段と、
    前記発振手段から出力された基本波を逓倍し、逓倍波を出力する逓倍手段と、
    前記発振手段より出力された基本波に基づいて、前記逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消して出力する基本波成分除去手段と、を備える、
    周波数逓倍発振回路。
  2. 前記基本波成分除去手段は、
    前記発振手段より出力された前記基本波と前記逓倍波に含まれる前記基本波成分とが逆位相である場合には、前記発振手段より出力された前記基本波と前記逓倍波に含まれる前記基本波成分とを加算し、
    前記発振手段より出力された前記基本波と前記逓倍波に含まれる前記基本波成分とが同位相である場合には、前記発振手段より出力された前記基本波と前記逓倍波に含まれる前記基本波成分とを減算することを特徴とする、
    請求項1に記載の周波数逓倍発振回路。
  3. 前記基本波成分除去手段は、
    前記発振手段より出力された前記基本波の振幅を変化させる結合素子を少なくとも備えることを特徴とする、
    請求項1又は2に記載の周波数逓倍発振回路。
  4. 前記基本波成分除去手段は、
    前記基本波成分除去手段から出力される前記逓倍波に残留する前記基本波成分の振幅に応じた制御信号を出力する検出手段を更に備え、
    前記結合素子は、前記制御信号に応じて前記発振手段より出力された前記基本波の振幅を変化させる、
    請求項3に記載の周波数逓倍発振回路。
  5. 前記結合素子は、
    前記発振手段より出力された前記基本波の位相を調整する移相素子を備えることを特徴とする、
    請求項3又は4に記載の周波数逓倍発振回路。
  6. 前記移相素子は、
    前記基本波成分除去手段における前記発振手段より出力された前記基本波と前記逓倍波に含まれる前記基本波成分とが同位相又は逆位相となるように、前記発振手段より出力された前記基本波の位相を調整することを特徴とする、
    請求項5に記載の周波数逓倍発振回路。
  7. 前記基本波成分除去手段における前記発振手段より出力された前記基本波の振幅と前記逓倍波に含まれる前記基本波成分の振幅とが等しいことを特徴とする、
    請求項1乃至6のいずれか一項に記載の周波数逓倍発振回路。
  8. 前記発振手段は、
    第1の基本波を前記基本波成分除去手段に出力し、
    前記第1の基本波と同じ周波数で、前記第1の基本波に対して位相が反転している第2の基本波を前記逓倍手段に出力し、
    前記第1の基本波は、前記基本波成分除去手段に至るまでに位相がn(nは0以上の整数)回反転し、
    前記逓倍波に含まれる前記第2の基本波成分は、前記基本波成分除去手段に至るまでに位相がm(mは0以上の整数)回反転し、
    前記基本波成分除去手段は、
    |n−m|が奇数である場合は、前記第1の基本波と前記逓倍波に含まれる前記第2の基本波成分とを減算し、
    |n−m|が偶数である場合は、前記第1の基本波と前記逓倍波に含まれる前記第2の基本波成分とを加算することを特徴とする、
    請求項1乃至7のいずれか一項に記載の周波数逓倍発振回路。
  9. 前記発振手段は、
    第1の基本波を前記基本波成分除去手段に出力し、
    前記第1の基本波と同じ周波数で、前記第1の基本波に対して同位相である第2の基本波を前記逓倍手段に出力し、
    前記第1の基本波は、前記基本波成分除去手段に至るまでに位相がn(nは0以上の整数)回反転し、
    前記逓倍波に含まれる前記第2の基本波成分は、前記基本波成分除去手段に至るまでに位相がm(mは0以上の整数)回反転し、
    前記基本波成分除去手段は、
    |n−m|が奇数である場合は、前記第1の基本波と前記逓倍波に含まれる前記第2の基本波成分とを加算し、
    |n−m|が偶数である場合は、前記第1の基本波と前記逓倍波に含まれる前記第2の基本波成分とを減算することを特徴とする、
    請求項1乃至7のいずれか一項に記載の周波数逓倍発振回路。
  10. 基本波を発振手段から出力し、
    前記基本波を逓倍して逓倍波を出力し、
    前記逓倍波を、前記発振手段から出力された前記基本波に基づいて当該逓倍波に含まれる基本波成分を打ち消して出力する、
    基本波の逓倍方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8760899B1 (en) * 2013-01-14 2014-06-24 Texas Instruments Incorporated Frequency multiplier
JP2015043536A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 株式会社東芝 分数分周回路及び送信機
WO2016054612A1 (en) * 2014-10-03 2016-04-07 Zaretsky, Howard Switching current source radio frequency oscillator
KR20190084402A (ko) * 2018-01-08 2019-07-17 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 발진 신호를 생성하기 위한 장치 및 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06209215A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Fujitsu Ltd 周波数逓倍器
JP4006380B2 (ja) * 2003-10-08 2007-11-14 株式会社日立製作所 周波数発生回路および通信システム
JP2007150753A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Sharp Corp 周波数逓倍回路
JP4447596B2 (ja) * 2006-06-28 2010-04-07 パナソニック株式会社 パルス生成回路及び変調器
JP2010016532A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Japan Radio Co Ltd 周波数逓倍器

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