JPWO2011033708A1 - ドライバ回路および映像システム - Google Patents
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Abstract
伝送システムにおけるドライバ回路において、出力回路(2)は、入力されたデータ信号(DIN,NDIN)に応じて差動信号を出力する。電流源制御回路(4)は、差動信号のコモンモード電位(VCMN)が所定の基準電位(VREF)と一致するように、定電流源(1,3)を制御する。オーバーシュート抑制回路(5)は、電流源制御回路(4)におけるコモンモード電位(VCMN)の入力線に接続されており、制御信号(CONT1)に従って、コモンモード電位(VCMN)のオーバーシュートを抑制する。
Description
本発明は、データ伝送システムに用いられるドライバ回路に関するものであり、特に、出力電圧のオーバーシュートを抑制する技術に関する。
デジタルテレビ内部の各画像処理LSI間や、画像処理LSIとディスプレイドライバ間のデータ伝送を行うためのインターフェースとして、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)が用いられる。LVDSには、IEEE1596.3-1996 LVDS Interface standardに準拠したものやmini-LVDS、sub-LVDS等の複数の規格が存在しており、ドライバ回路にとって、接続されるレシーバ回路は多種多様である。
図9は一般的なLVDSのデータ伝送システムの概要図である。図9に示すシステムは、電流ドライバ回路DRVを有する送信LSI、伝送路(ケーブルまたはPCB(Printed Circuit Board)ボード)、終端抵抗RT(例えば100Ω)、および、レシーバ回路RECを有する受信LSIを備えている。電流ドライバ回路DRVから終端抵抗RTに電流を流しこむことによって振幅を作り、その振幅をレシーバ回路RECで増幅することによって、信号が伝送される。信号の電圧レベル(コモンモード電位)は通常、電流ドライバ回路DRVが決定する。コモンモード電位は一般的には、1.25Vである。
特許文献1,2に、LVDS用のドライバ回路の構成例が示されている。例えば、図10は特許文献2記載のドライバ回路の構成であり、差動回路52とグランドとの間に抵抗切替回路53が設けられている。制御部54は、スリープモード時に抵抗切替回路53のスイッチSWをオフにして、コモンモード電圧Vcomを通常時のレベルと同等に維持する。
図9のようなシステムでは、送信LSIのメーカーと受信LSIのメーカーとは異なっている場合が多く、この場合、送信LSIと受信LSIの製造プロセスは互いに異なっている。このため、多くの場合には、送信LSIの電源電圧と受信LSIの電源電圧とは異なっている。
例えば、送信LSIの電源電圧VDDTが3.3V、受信LSIの電源電圧VDDRが1.8Vであり、また、受信LSIのプロセス耐圧が例えば2.5Vだとする。この場合、受信LSIのプロセス耐圧2.5Vを超える信号が送信LSIから伝送されると、受信LSIが破壊される可能性がある。コモンモード電位は1.25Vなので、通常の動作時であれば特に問題は生じないが、電源立ち上げ時など過渡的な状態においては、ドライバ回路の出力電圧にオーバーシュートが発生し、問題となる可能性がある。
特に、コモンモード電位を安定させるためにフィードバックを行う構成をドライバ回路に採用した場合には、このオーバーシュートの問題はより顕著に現れる。
本発明は、伝送システムにおけるドライバ回路において、動作開始時等における出力電圧のオーバーシュートを抑制し、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続を確実に可能にすることを目的とする。
本発明の一態様は、ドライバ回路として、データ信号を入力とし、このデータ信号に応じて差動信号を出力する出力回路と、前記出力回路に定電流を供給する、または、前記出力回路から定電流を引き抜く定電流源と、所定の基準電圧と前記差動信号のコモンモード電位とを入力とし、前記コモンモード電位が前記所定の基準電位と一致するように、前記定電流源を制御する電流源制御回路と、前記電流源制御回路における前記コモンモード電位の入力線に接続されており、前記コモンモード電位のオーバーシュートを抑制する機能を有するオーバーシュート抑制回路とを備え、前記オーバーシュート抑制回路は、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号を受け、この制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、前記コモンモード電位のオーバーシュートを抑制するものである。
この態様によると、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号を受け、この制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、コモンモード電位のオーバーシュートを抑制するオーバーシュート抑制回路が設けられている。これにより、動作開始時等における出力電圧のオーバーシュートを抑制することができるので、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続を確実に可能にすることができる。
そして、オーバーシュート抑制回路は、制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、電流源制御回路における基準電圧の入力線とコモンモード電位の入力線とを短絡する構成になっている。これにより、コモンモード電位を基準電圧に強制的にクランプできるので、コモンモード電位をダイレクトに出力端子に与えることができ、オーバーシュート量を最小化できる。また、きわめて簡易な構成によって、ドライバ回路の出力電圧のオーバーシュートを回避することが可能となり、オーバーシュートを抑制可能なドライバ回路を低電力・低面積・低コストで実現することができる。
または、オーバーシュート抑制回路は、制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、出力回路におけるコモンモード電位の出力線と電流源制御回路におけるコモンモード電位の入力線との間に設けられた抵抗素子の両端を短絡する構成になっている。この構成によって、電流源制御回路の周波数特性を一時的に上げることができるので、出力電圧のオーバーシュートを抑制できる。また、クランプ電圧が不要となり、きわめて簡易な構成によって、ドライバ回路の出力電圧のオーバーシュートを回避することが可能となり、オーバーシュートを抑制可能なドライバ回路を低電力・低面積・低コストで実現することができる。
本発明によると、オーバーシュート抑制回路によって、動作開始時等の出力電圧のオーバーシュートを抑制することができるので、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続が可能なドライバ回路を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳しく説明する。
(実施形態1)
図1は実施形態1に係るドライバ回路の構成を示す回路図である。図1に示す回路は差動電流ドライバ回路であり、CMOSレベルの相補のデータ信号DIN,NDINが入力され、出力端子TD,NTD間に挿入された終端抵抗RT(通常は100Ω)に電流を流すことによって差動小振幅信号を発生させる。通常、LVDSでは、3.5mAの電流を流すことによって350mV(=3.5mA×100Ω)の振幅を発生させる。なお、終端抵抗RTは、このドライバ回路を含むLSIの外部に設けられていてもよいし、LSIの内部にポリシリコン抵抗やMOS抵抗によって形成してもかまわない。
図1は実施形態1に係るドライバ回路の構成を示す回路図である。図1に示す回路は差動電流ドライバ回路であり、CMOSレベルの相補のデータ信号DIN,NDINが入力され、出力端子TD,NTD間に挿入された終端抵抗RT(通常は100Ω)に電流を流すことによって差動小振幅信号を発生させる。通常、LVDSでは、3.5mAの電流を流すことによって350mV(=3.5mA×100Ω)の振幅を発生させる。なお、終端抵抗RTは、このドライバ回路を含むLSIの外部に設けられていてもよいし、LSIの内部にポリシリコン抵抗やMOS抵抗によって形成してもかまわない。
図1のドライバ回路は、データ信号DIN,NDINを入力とし、このデータ信号DIN,NDINに応じて差動信号を出力する出力回路2と、出力回路2に定電流を供給する電源側の定電流源1と、出力回路2から定電流を引き抜くグランド側の定電流源3と、コモンモードフィードバック用の所定の基準電圧VREF(外部の基準電圧回路で生成)と出力回路2から出力される差動信号の中間電位(コモンモード電位)VCMNとを入力とし、コモンモード電位VCMNが基準電圧VREFと一致するように定電流源1,3を制御する電流源制御回路4とを備えている。
出力回路2は、PMOSトランジスタMP2,MP3とNMOSトランジスタMN2,MN3とを備えている。トランジスタMP2,MN2は直列に接続されており、ともにゲートにデータ信号NDINを受ける。トランジスタMP3,MN3も直列に接続されており、ともにゲートにデータ信号DINを受ける。トランジスタMP2,MN2とトランジスタMP3,MN3とは、並列に、電源−グランド間に配置されている。そして出力回路2は、データ信号DIN,NDINの正負に応じて、出力端子TD,NTD間の終端抵抗RTに流れる電流の向きを切り替えることによって、差動信号を出力する。正のデータの場合は、トランジスタMP2,MN3がオンし、MP2→TD→NTD→MN3の方向に電流が流れる。逆に負のデータの場合は、トランジスタMP3,MN2がオンし、MP3→NTD→TD→MN2の方向に電流が流れる。
定電流源1は、電源と出力回路2との間に設けられたPMOSトランジスタMP1を備えている。定電流源3は、出力回路2とグランドとの間に設けられたNMOSトランジスタMN1を備えている。トランジスタMP1,MN1のゲートにはそれぞれ、電流源制御回路4から出力された調整電圧VBP,VBNが与えられる。
また、出力端子TD,NTDから抵抗R2,R3を介して配線が引き出されて接続されており、その接続線がコモンモード電位VCMNの出力線となっている。そして、出力回路2におけるコモンモード電位VCMNの出力線と電流源制御回路4におけるコモンモード電位VCMNの入力線との間に、抵抗素子R1が設けられており、またその抵抗素子R1の電流源制御回路4側の端部とグランドとの間に、容量素子C1が設けられている。抵抗素子R1と容量素子C1はローパスフィルタを構成しており、コモンモード電位VCMNのAC成分をカットする機能を有する。
電流源制御回路4は、コモンモードフィードバックアンプ(CMFBA)11を備えている。コモンモードフィードバックアンプ(CMFBA)11には、ドライバ回路のイネーブル信号DRV_ENが与えられている。DRV_EN=Hのときドライバ回路はイネーブル状態となり、DRV_EN=Lのときドライバ回路はパワーダウン状態となる。NDRV_ENはDRV_ENの反転信号である。また、調整電圧VBPの配線と電源との間に、イネーブル信号DRV_ENをゲートに受けるPMOSトランジスタMP10が設けられており、調整電圧VBNの配線とグランドとの間に、反転信号NDRV_ENをゲートに受けるNMOSトランジスタMN20が設けられている。
図2は電流源制御回路4内のコモンモードフィードバックアンプ11の回路構成の一例を示す図である。図2のコモンモードフィードバックアンプ11はP型入力の差動アンプであり、PMOSトランジスタMP4,MP5,MP6,MP7,MP30とNMOSトランジスタMN4,MN5,MN6とを備えている。入力INP,INM(図1の構成では、基準電圧VREFとコモンモード電位VCMNとがそれぞれ与えられる)が同じ電位になるように、調整電圧VBP,VBNが調整される。また、アンプの定電流を生成するためのバイアス電圧VBIASは、外部の基準電圧生成回路(通常はバンドギャップリファレンス回路(BGR))から供給される。
なお、図2ではP型入力の差動アンプで構成した例を示したが、例えばコモンモード電位VCMNが高い場合には、N型入力の差動アンプで構成してもよい。また、P型入力とN型入力の両方を用いた、電源−グランド間のすべての電圧に対応したRail-Railタイプの差動アンプで構成してもよい。
さらに、図1の構成は、電流源制御回路4におけるコモンモード電位VCMNの入力線に接続されており、コモンモード電位VCMNのオーバーシュートを抑制する機能を有するオーバーシュート抑制回路5を備えている。オーバーシュート抑制回路5は、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号CONT1を受け、この制御信号CONT1によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、コモンモード電位VCMNのオーバーシュートを抑制する。このようなオーバーシュート抑制回路5を設けることによって、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続が可能なドライバ回路を実現することが可能となる。
具体的には、オーバーシュート抑制回路5は、電流源制御回路4における、基準電圧VREFの入力線とコモンモード電位VCMNの入力線との間に設けられ、制御信号CONT1に従って、これら2つの入力線を短絡するか否かを切り替えるスイッチSW5を備えている。そしてこのスイッチSW5は、制御信号CONT1によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、2つの入力線を短絡する。この短絡動作によって、コモンモード電位VCMNの入力線は基準電圧VREFに強制的にクランプされる。
図11は比較例としての、コモンモードフィードバックを採用したドライバ回路の回路構成例を示す図である。図11の構成は図1と同様に、データ信号DIN,NDINを入力とし、出力端子TD,NTDに差動信号を出力する出力回路2、電源側の定電流源1、グランド側の定電流源3、コモンモード電位VCMNをフィードバックする電流源調整回路4を備えている。電流源調整回路4は、コモンモード電位VCMNと基準電位VREFとが一致するように定電流源1,3にフィードバックをかけることによって、コモンモード電位VCMNが例えば1.25Vになるように調整している。また、コモンモード電位VCMNの高周波成分をカットするために、ローパスフィルタを構成する抵抗素子R1と容量素子C1が設けられている。
ところが、図11の構成では、コモンモードフィードバックループ内に大きな時定数の抵抗素子R1および容量素子C1を有するため、電流源制御回路4の応答特性が低く、例えば電源立ち上げ後のドライバ動作開始時(イネーブル時)に、過渡応答によるオーバーシュートが発生してしまう。このため、このオーバーシュートによって、ドライバ回路の出力電圧が受信LSIのプロセス耐圧を超えてしまう可能性がある。
すなわち、ローパスフィルタを構成する抵抗素子R1と容量素子C1は、通常、コモンモード電位VCMNの高周波成分を確実にカットできるように、大きな値を持つ。このため、電流源制御回路4の応答特性は低くなり、例えば電源投入後の動作立ち上げ時には、過渡応答によるオーバーシュートが発生する可能性が高い。これに対して本実施形態では、オーバーシュートが発生する可能性が高い期間において、制御信号CONT1によってオーバーシュート抑制動作を行うことを選択する。これにより、オーバーシュート抑制回路5は、電流源制御回路4における、基準電圧VREFの入力線とコモンモード電位VCMNの入力線とを短絡する。この短絡動作によって、コモンモード電位VCMNが基準電圧VREFに強制的にクランプされるので、出力電圧のオーバーシュートを回避することができる。
図3はオーバーシュート抑制回路5の回路構成例を示す図である。図3の構成では、PMOSトランジスタMP8とNMOSトランジスタMN7とを並列に接続したトランスミッションゲートによって、スイッチが構成されている。また図3の構成では、CONT1=Hのときはスイッチがオンし、CONT1=Lのときはスイッチがオフする。すなわち、オーバーシュート抑制動作を行うときが“H”、行わないときが“L”である。図3の構成は、入力電圧が低い場合であっても高い場合であっても、用いることができる。なお、例えば入力電圧範囲が限定されているような場合は、PMOSトランジスタのみ、あるいはNMOSトランジスタのみによってスイッチを構成してもかまわない。
本実施形態では、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号CONT1を受け、この制御信号CONT1によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、コモンモード電位VCMNのオーバーシュートを抑制するオーバーシュート抑制回路5を備えている。これにより、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続が可能なドライバ回路を実現することが可能となる。
また、オーバーシュート抑制回路5は、制御信号CONT1によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、電流源制御回路4における、基準電圧VREFの入力線とコモンモード電位VCMNの入力線とを短絡する構成になっている。この構成によって、コモンモード電位VCMNを基準電圧VREFに強制的にクランプできるので、コモンモード電位をダイレクトに出力端子に与えることができ、オーバーシュート量を最小化できる。また、きわめて簡易な構成によって、ドライバ回路の出力電圧のオーバーシュートを回避することが可能となり、オーバーシュートを抑制可能なドライバ回路を低電力・低面積・低コストで実現することができる。
(実施形態2)
図4は実施形態2に係るドライバ回路の構成を示す回路図である。図4において、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。
図4は実施形態2に係るドライバ回路の構成を示す回路図である。図4において、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。
図4のドライバ回路は、図1に示したオーバーシュート抑制回路5に代えて、異なる構成からなるオーバーシュート抑制回路6を備えている。オーバーシュート抑制回路6は、図1に示したオーバーシュート抑制回路5と同様に、電流源制御回路4におけるコモンモード電位VCMNの入力線に接続されており、コモンモード電位VCMNのオーバーシュートを抑制する機能を有する。そしてオーバーシュート抑制回路6は、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号CONT2を受け、この制御信号CONT2によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、コモンモード電位VCMNのオーバーシュートを抑制する。このようなオーバーシュート抑制回路6を設けることによって、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続が可能なドライバ回路を実現することが可能となる。
具体的には、オーバーシュート抑制回路6は、出力回路2におけるコモンモード電位VCMNの出力線と電流源制御回路4におけるコモンモード電位VCMNの入力線との間に設けられた抵抗素子R1の両端に接続され、制御信号CONT2に従って、抵抗素子R1の両端を短絡するか否かを切り替えるスイッチSW6を備えている。そしてこのスイッチSW6は、制御信号CONT2によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、抵抗素子R1の両端を短絡する。この短絡動作によって、電流源制御回路4の周波数特性が一時的に上がるので、出力電圧のオーバーシュートを回避することができる。
オーバーシュート抑制回路6は、例えば上述の図3のような回路構成で実現される。すなわち図3の構成において、制御信号CONT1に代えて、制御信号CONT2を用いればよい。CONT2=Hのときはスイッチがオンし、CONT2=Lのときはスイッチがオフする。すなわち、オーバーシュート抑制動作を行うときが“H”、行わないときが“L”である。図3の構成は、入力電圧が低い場合であっても高い場合であっても、用いることができる。なお、例えば入力電圧範囲が限定されているような場合は、PMOSトランジスタのみ、あるいはNMOSトランジスタのみによってスイッチを構成してもかまわない。
本実施形態では、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号CONT2を受け、この制御信号CONT2によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、コモンモード電位VCMNのオーバーシュートを抑制するオーバーシュート抑制回路6を備えている。これにより、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続が可能なドライバ回路を実現することが可能となる。
また、オーバーシュート抑制回路6は、制御信号CONT2によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、出力回路2におけるコモンモード電位VCMNの出力線と電流源制御回路4におけるコモンモード電位VCMNの入力線との間に設けられた抵抗素子R1の両端を短絡する構成になっている。この構成によって、電流源制御回路4の周波数特性を一時的に上げることができるので、出力電圧のオーバーシュートを抑制できる。また、クランプ電圧が不要となり、きわめて簡易な構成によって、ドライバ回路の出力電圧のオーバーシュートを回避することが可能となり、オーバーシュートを抑制可能なドライバ回路を低電力・低面積・低コストで実現することができる。
図5は本実施形態に係るドライバ回路の他の構成を示す回路図である。図5の構成は、上述のオーバーシュート抑制回路6に加えて、第2のオーバーシュート抑制回路7を備えている。第2のオーバーシュート抑制回路7は、電流源制御回路4におけるコモンモード電位VCMNの入力線と容量素子C1との間に設けられ、制御信号CONT2に従って、容量素子C1をコモンモード電位VCMNの入力線から切り離すか否かを切り替えるスイッチSW7を備えている。そしてこのスイッチSW7は、制御信号CONT2によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、容量素子C1をコモンモード電位VCMNの入力線から切り離す。この切り離し動作によって、電流源制御回路4の周波数特性をさらに上げることができるので、出力電圧のオーバーシュート抑制効果が高くなる。
また、上述の実施形態1,2に係るドライバ回路において、オーバーシュート抑制動作を行うタイミングは、制御信号CONT1,CONT2によって自由に制御することができる。ただし、出力電圧のオーバーシュートは電源投入後に発生する可能性が高い。その一方で、オーバーシュート抑制動作を行うとコモンモード電位VCMNのノイズが増大してしまう。したがって、ドライバ回路に電源投入した後の所定期間はオーバーシュート抑制動作を行うことを選択する一方、この所定期間の経過後はオーバーシュート抑制動作を行わないことを選択するように、制御信号CONT1,CONT2を設定することが好ましい。このような制御によって、電源投入後のオーバーシュート抑制と通常動作時の低ノイズ動作の両立を実現することができる。
図6および図7はオーバーシュート抑制動作の制御の一例を示すタイミング図である。図6および図7では、上から順に、電源電圧、ドライバイネーブル信号DRV_EN、DRV_ENの反転信号NDRV_EN、制御信号CONT1,CONT2、オーバーシュート抑制動作なしのコモンモード電位、実施形態1に係るオーバーシュート抑制動作ありのコモンモード電位、実施形態2に係るオーバーシュート抑制動作ありのコモンモード電位を示している。
図6は電源立ち上げ時の制御シーケンスを示す。図6に示す制御では、オーバーシュート抑制動作は電源電圧に連動している。すなわち、電源電圧が立ち上がってから所定期間Tcont(ドライバ起動時間を含む)はオーバーシュート抑制動作を実行し、その後は、オーバーシュート抑制動作を停止している。
図7は電源電圧一定の場合の制御シーケンスを示す。図7に示す制御では、オーバーシュート抑制動作はイネーブル信号DRV_ENに連動している。すなわち、電源はすでに立ち上がっており、イネーブル信号DRV_ENをオンオフ制御する場合である。イネーブル信号DRV_ENが立ち上がってから所定期間Tcont’はオーバーシュート抑制動作を実行し、その後は、オーバーシュート抑制動作を停止している。
上述した制御によって、ドライバ動作開始時のオーバーシュートは低く抑えられ、コモンモード電位VCMNはレシーバ側耐圧を超えることはない。また、所定期間TcontまたはTcont’に生じていたノイズは、オーバーシュート抑制動作が停止した後は生じていない。すなわち、ドライバ動作開始時のオーバーシュートの抑制と通常動作時の低ノイズ化の両立が実現されている。
なお、上述の各実施形態では、定電流源を出力回路の電源側とグランド側の両方に設けて、その両方の電流を電流源調整回路によって調整する構成を例として挙げた。ところが、例えば、定電流源を電源側とグランド側のいずれか一方のみに設けて、その定電流源を電流源調整回路によって調整する構成であってもよい。あるいは、出力回路の電源側とグランド側の一方に定電流源を設けて、他方には定電流源の代わりに抵抗素子を設ける構成もあり得る。この場合も、その定電流源のみを電流源調整回路によって調整するようにすればよい。
また、上述の実施形態1,2は組み合わせて実施することも可能である。例えば、図1に示すオーバーシュート抑制回路5と図4に示すオーバーシュート抑制回路6の両方を、ドライバ回路に設けてもかまわない。
また、制御信号CONT1,CONT2は、上述の実施形態では、オーバーシュート抑制回路に設けられた外部ピンに与えられるものとしたが、外部からソフトウェアで読み書き可能なレジスタと接続されてソフト制御されても良いし、ハード的に電源固定、グランド固定された信号であっても良い。
図8は上述の各実施形態に係るドライバ回路が搭載された映像システムの概要構成例を示す。図8において、映像システムとしてのデジタルTV20は、画像処理LSI21と、ディスプレイドライバ23,24とを備えている。各実施形態に係るドライバ回路22は画像処理LSI21に搭載されており、ディスプレイドライバ23内のレシーバ回路25と例えばケーブルやPCBを介して接続されている。ドライバ回路22はレシーバ回路25に画像信号を伝送する。なお、デジタルTV20の構成によっては、画像処理LSI21とディスプレイドライバ23との間にタイミングコントローラ用ICが設けられている。この場合には、ドライバ回路22はタイミングコントローラ用ICの受信回路と接続される。なお、本実施形態に係るドライバ回路が搭載されるシステムは、デジタルTVに限られるものではない。
本発明では、電源電圧やプロセス耐圧が異なるレシーバ回路との接続が可能なドライバ回路を提供することができるので、例えば、LVDSデータ伝送におけるドライバ回路の汎用性を高めることができる。
1,3 定電流源
2 出力回路
4 電流源制御回路
5,6 オーバーシュート抑制回路
20 デジタルTV(映像システム)
21 画像処理LSI
23 ディスプレイドライバ
VCMN コモンモード電位
VREF 基準電圧
CONT1,CONT2 制御信号
SW5,SW6 スイッチ
R1 抵抗素子
MP8 PMOSトランジスタ
MP7 NMOSトランジスタ
2 出力回路
4 電流源制御回路
5,6 オーバーシュート抑制回路
20 デジタルTV(映像システム)
21 画像処理LSI
23 ディスプレイドライバ
VCMN コモンモード電位
VREF 基準電圧
CONT1,CONT2 制御信号
SW5,SW6 スイッチ
R1 抵抗素子
MP8 PMOSトランジスタ
MP7 NMOSトランジスタ
Claims (6)
- データ信号を入力とし、このデータ信号に応じて差動信号を出力する出力回路と、
前記出力回路に定電流を供給する、または、前記出力回路から定電流を引き抜く定電流源と、
所定の基準電圧と前記差動信号のコモンモード電位とを入力とし、前記コモンモード電位が前記所定の基準電位と一致するように、前記定電流源を制御する電流源制御回路と、
前記電流源制御回路における前記コモンモード電位の入力線に接続されており、前記コモンモード電位のオーバーシュートを抑制する機能を有するオーバーシュート抑制回路とを備え、
前記オーバーシュート抑制回路は、オーバーシュート抑制動作を行うか否かを選択する制御信号を受け、この制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、前記コモンモード電位のオーバーシュートを抑制する
ことを特徴とするドライバ回路。 - 請求項1記載のドライバ回路において、
前記オーバーシュート抑制回路は、
前記電流源制御回路における前記所定の基準電圧の入力線と前記コモンモード電位の入力線との間に設けられ、前記制御信号に従って、当該2つの入力線を短絡するか否かを切り替えるスイッチを備えており、
前記スイッチは、前記制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、前記2つの入力線を短絡する
ことを特徴とするドライバ回路。 - 請求項1記載のドライバ回路において、
前記出力回路における前記コモンモード電位の出力線と、前記電流源制御回路における前記コモンモード電位の入力線との間に設けられた抵抗素子を備え、
前記オーバーシュート抑制回路は、
前記抵抗素子の両端に接続され、前記制御信号に従って、前記抵抗素子の両端を短絡するか否かを切り替えるスイッチを備えており、
前記スイッチは、前記制御信号によってオーバーシュート抑制動作を行うことが選択されたとき、前記抵抗素子の両端を短絡する
ことを特徴とするドライバ回路。 - 請求項2または3記載のドライバ回路において、
前記オーバーシュート抑制回路が有する前記スイッチは、並列に接続されたPMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタを含む構成からなる
ことを特徴とするドライバ回路。 - 請求項2または3記載のドライバ回路において、
前記制御信号は、当該ドライバ回路に電源投入した後の所定期間は、オーバーシュート抑制動作を行うことを選択する一方、この所定期間の経過後は、オーバーシュート抑制動作を行わないことを選択する
ことを特徴とするドライバ回路。 - 請求項1記載のドライバ回路を有する画像処理LSIと、
前記画像処理LSIから前記ドライバ回路を介して送信された画像信号を受けるディスプレイドライバと
を備えた映像システム。
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