JPWO2009116435A1 - 含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法、含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法及び含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

塩基と、含フッ素アルキルカルボン酸誘導体とアクリル酸エステル誘導体とを含む混合物中に、ハロゲン化剤を加えることにより、下記一般式（３）【化１】（式中、Ｒｆは含フッ素アルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、もしくはアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子を含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を表し、Ｒ４はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアリールアルキル基を表す。）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体を製造する。

Description

Technical Field
本発明は、含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法、ならびに、該含フッ素アシル酢酸誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法及び含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法に関するものである。

Background Art
フッ素原子を導入した複素環状化合物は生理活性等が著しく向上することがあり、医薬や農薬に使用されている。そのため、含フッ素複素環状化合物に関する様々な技術開発が行なわれている。その中でも、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−２−トリフルオロアセチルアクリル酸エチル等に代表されるような含フッ素アシル酢酸誘導体は、農園芸用殺菌剤等に利用される含フッ素ピラゾール誘導体に変換することが可能であり、重要な含フッ素複素環状化合物の製造中間体になることが知られている。
該含フッ素アシル酢酸誘導体に関する従来技術の代表例として、含フッ素アルキルカルボン酸無水物誘導体とアクリル酸エステル誘導体を反応させることによって含フッ素アシル酢酸誘導体を製造する方法が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
特表２００５−５１１７８２公報

特許文献１に記載された製造方法では、該含フッ素アルキルカルボン酸無水物誘導体として、（１）トリフルオロ酢酸無水物のようなアルキルカルボン酸無水物、または（２）トリフルオロアセチルクロリドのような酸クロリドが示されており、以下のような問題点があった。（１）については、トリフルオロ酢酸無水物の構造中に含まれる２つのトリフルオロアセチル基の内、反応に使用されるのは１つのトリフルオロアセチル基だけである。そのため、貴重なフッ素源を有効に利用していない。また（２）に関しては、トリフルオロアセチルクロリドは常温ではガスであることや水と反応して分解しやすい等の性質があるために、その取り扱いが困難である。
一方、トリフルオロ酢酸は、その構造中に有効に利用されないフッ素原子を含有しておらず、また、常温では液体であり、水分に対しても安定である。そのために、特許文献１に記載された含フッ素アルキルカルボン酸無水物に代わって、トリフルオロ酢酸を始めとする含フッ素アルキルカルボン酸誘導体を出発原料にして、含フッ素アシル酢酸誘導体を製造することができれば、前記問題点を克服することが可能である。
本発明は、簡便かつ工業的規模での生産が可能な、含フッ素アルキルカルボン酸誘導体を利用した含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法、並びに該含フッ素アシル酢酸誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法および含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法を提供することを課題とする。

前記課題を克服すべく鋭意検討を重ねた結果、塩基存在下、含フッ素アルキルカルボン酸誘導体とアクリル酸エステル誘導体を含む混合物中に、ハロゲン化剤を加えることにより、含フッ素アシル酢酸誘導体を製造することが可能であることを見出した。さらに、該含フッ素アシル酢酸誘導体は、アルキルヒドラジン誘導体との環化、続く加水分解を行うことにより、含フッ素ピラゾール誘導体に変換できる。以上により、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は以下の通りである。
＜１＞ 塩基と、下記一般式（１）

（式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で表される化合物と、下記一般式（２）

（式中、Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物と、を含む混合物を得る工程と、前記混合物にハロゲン化剤を加える工程とを含む、下記一般式（３）

（式中、Ｒｆ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同義である。）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法。

＜２＞ Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す、前記＜１＞に記載の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法。
＜３＞ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表す、前記＜２＞に記載の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法。

＜４＞ 前記＜１＞に記載の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法によって製造された下記一般式（３）

（式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物と、下記一般式（４）

（式中、Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物と、を反応させる工程を含む、下記一般式（５）

（式中、Ｒｆ、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法。

＜５＞ Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す、前記＜４＞に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
＜６＞ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基を表す、前記＜５＞に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法。

＜７＞ 前記＜４＞に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法によって製造された下記一般式（５）

（式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物を加水分解する工程を含む、下記一般式（６）

（式中、Ｒｆ、Ｒ３、Ｒ５は、前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。

＜８＞ Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す、前記＜７＞に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
＜９＞ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基を表す、前記＜８＞に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。

本発明によれば、簡便かつ工業的規模での生産が可能な、含フッ素アルキルカルボン酸誘導体を利用した含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法、並びに該含フッ素アシル酢酸誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法および含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法を提供することができる。

Best Mode for Carrying Out the Invention
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の下記一般式（３）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法は、塩基と、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物と、ハロゲン化剤とを用いることを特徴とする。中でも本発明は、塩基と、下記一般式（１）で表される化合物と、下記一般式（２）で表される化合物とを含む混合物を得る工程と、前記混合物にハロゲン化剤を加える工程と、を含む下記一般式（３）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法である。
本発明におけるハロゲン化剤を加える工程は、塩基、下記一般式（１）で表される化合物、および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種をさらに追加する工程を含んでいてもよい。
ハロゲン化剤を最後に加えることは、本発明の大きな特徴をなしており、これにより目的とする反応を収率よく進行させることが可能になった。
また、本発明の下記一般式（３）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法は、上記の工程に加え必要に応じて、後処理工程等のその他の工程をさらに含むことができる。

式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。

本発明においては、少なくとも１種の塩基を用いる。以下、塩基について説明する。
本発明に使用する塩基は、有機塩基や無機塩基である。有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

使用する塩基の当量は、一般式（１）で表される化合物に対して２当量以上あれば、特に限定されることはない。経済的観点から、２当量以上５当量以下が好ましい。

以下、一般式（１）で表される化合物について説明する。
一般式（１）中のＲｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素数１〜６のアルキル基を表す。前記炭素数１〜６のアルキル基は、直鎖アルキル基であっても分岐アルキル基であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の直鎖状のものや、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基等の分岐したものを表す。

一般式（１）中のＲｆは、前記炭素数１〜６のアルキル基が少なくとも１つのフッ素原子で置換されていればよい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロブチル基等のペルフルオロアルキル基であっても、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の水素原子を有するフルオロアルキル基であっても、クロロジフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基等のフッ素原子と他のハロゲン原子とを有するフルオロアルキル基であってもよい。

一般式（１）で表される化合物は、市販品を使用することもできるし、公知の方法で製造したものを使用することもできる。

本発明においては一般式（１）におけるＲｆが、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、およびヘプタフルオロプロピル基から選ばれるフルオロアルキル基であることが好ましく、トリフルオロメチル基、またはジフルオロメチル基であることがより好ましい。

以下、一般式（２）で表される化合物について説明する。
一般式（２）中のＲ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基を表すか、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。

一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数１〜６のアルキル基とは、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。
一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数３〜６のシクロアルキル基とは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を表す。

一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、及び炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基に使用される置換基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、トリフルオロエチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基、モノフルオロメチル基等のハロゲン置換アルキル基；フェニル基等のアリール基；ベンジル基等のアリールアルキル基；

メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルコキシ基；トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、トリクロロエトキシ基等のハロゲン置換アルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；ベンジルオキシ基等のアリールアルキルオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；シクロプロポキシカルボニル基、シクロブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等のシクロアルコキシカルボニル基；トリフルオロメトキシカルボニル基、ジフルオロメトキシカルボニル基、トリフルオロエトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカルボニル基等のハロゲン置換アルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基等のアリールアルキルオキシカルボニル基；

メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等のアルキルチオ基；シクロプロピルチオ基、シクロブチルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等のシクロアルキルチオ基；トリフルオロメチルチオ基、ジフルオロメチルチオ基、トリフルオロエチルチオ基等のハロゲン置換アルキルチオ基；フェニルチオ基等のアリールチオ基；ベンジルチオ基等のアリールアルキルチオ基；メタンスルフィニル基、エタンスルフィニル基、プロパンスルフィニル基、ブタンスルフィニル基等のアルキルスルフィニル基；シクロプロパンスルフィニル基、シクロブタンスルフィニル基、シクロペンタンスルフィニル基、シクロヘキサンスルフィニル基等のシクロアルキルスルフィニル基；トリフルオロメタンスルフィニル基、ジフルオロメタンスルフィニル基、トリフルオロエタンスルフィニル基等のハロゲン置換アルキルスルフィニル基；フェニルスルフィニル基等のアリールスルフィニル基；ベンジルスルフィニル基等のアリールアルキルスルフィニル基；メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、プロパンスルホニル基、ブタンスルホニル基等のアルキルスルホニル基；シクロプロパンスルホニル基、シクロブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等のシクロアルキルスルホニル基；トリフルオロメタンスルホニル基、ジフルオロメタンスルホニル基、トリフルオロエタンスルホニル基等のハロゲン置換アルキルスルホニル基；フェニルスルホニル基等のアリールスルホニル基；ベンジルスルホニル基等のアリールアルキルスルホニル基；

メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル基等のアルキルカルボニル基；シクロプロピルカルボニル基、シクロブチルカルボニル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基等のシクロアルキルカルボニル基；トリフルオロメタンカルボニル基、ジフルオロメタンカルボニル基、トリクロロメタンカルボニル基等のハロゲン置換アルキルカルボニル基；ベンゾイル基等のアリールカルボニル基等；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基等のアルキルカルボニルオキシ基；シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基等のシクロアルキルカルボニルオキシ基；ベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基；

メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、イソブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基；シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロブチルカルボニルアミノ基、シクロペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基等のシクロアルキルカルボニルアミノ基；ベンゾイルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基；メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、イソプロポキシカルボニルアミノ基、ブトキシカルボニルアミノ基、イソブトキシカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、メトキシカルボニル（メチル）アミノ基、エトキシカルボニル（メチル）アミノ基、プロポキシカルボニル（メチル）アミノ基、イソプロポキシカルボニル（メチル）アミノ基、ブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、イソブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、メトキシカルボニル（エチル）アミノ基、エトキシカルボニル（エチル）アミノ基、プロポキシカルボニル（エチル）アミノ基、イソプロポキシカルボニル（エチル）アミノ基、ブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、イソブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル（エチル）アミノ基等のアルコキシカルボニルアミノ基；シクロプロポキシカルボニルアミノ基、シクロブトキシカルボニルアミノ基、シクロペンチルオキシカルボニルアミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ基、シクロプロポキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロプロポキシカルボニル（エチル）アミノ基、シクロブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル（エチル）アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル（エチル）アミノ基等のシクロアルコキシカルボニルアミノ基；トリフルオロメトキシカルボニルアミノ基、ジフルオロメトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロエトキシカルボニルアミノ基、トリクロロエトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル（メチル）アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル（メチル）アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル（エチル）アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル（エチル）アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル（エチル）アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル（エチル）アミノ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルアミノ基；フェノキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニル（メチル）アミノ基、フェノキシカルボニル（エチル）アミノ基等のアリールオキシカルボニルアミノ基；ベンジルオキシカルボニルアミノ基、ベンジルオキシカルボニル（メチル）アミノ基、ベンジルオキシカルボニル（エチル）アミノ基等のアリールアルキルオキシカルボニルアミノ基；

メチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、プロピルアミノカルボニルオキシ基、イソプロピルアミノカルボニルオキシ基、ブチルアミノカルボニルオキシ基、イソブチルアミノカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、 {ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ基、{プロピル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のアルキルアミノカルボニルオキシ基；シクロプロピルアミノカルボニルオキシ基、シクロブチルアミノカルボニルオキシ基、シクロペンチルアミノカルボニルオキシ基、シクロヘキシルアミノカルボニルオキシ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のシクロアルキルアミノカルボニルオキシ基；トリフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルオキシ基、トリクロロエチルアミノカルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルオキシ基；フェニルアミノカルボニルオキシ基、{フェニル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{フェニル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアミノカルボニルオキシ基；ベンジルアミノカルボニルオキシ基、{ベンジル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ベンジル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアルキルアミノカルボニルオキシ基；ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基等の環状アミノカルボニルオキシ基；

メチルアミノカルボニルアミノ基、エチルアミノカルボニルアミノ基、プロピルアミノカルボニルアミノ基、イソプロピルアミノカルボニルアミノ基、ブチルアミノカルボニルアミノ基、イソブチルアミノカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニルアミノ基、ジメチルアミノカルボニルアミノ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニルメチル基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、ジエチルアミノカルボニルアミノ基、{プロピル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、メチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、エチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、プロピルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、イソブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、メチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、エチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、プロピルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、イソブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ジメチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、ジメチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、ジエチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（プロピル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（イソプロピル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（イソブチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、ジエチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（プロピル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（イソプロピル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（ブチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（イソブチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のアルキルアミノカルボニルアミノ基；

シクロプロピルアミノカルボニルアミノ基、シクロブチルアミノカルボニルアミノ基、シクロペンチルアミノカルボニルアミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニルアミノ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のシクロアルキルアミノカルボニルアミノ基；

トリフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルアミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルアミノ基；

フェニルアミノカルボニルアミノ基、{フェニル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{フェニル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、フェニルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、フェニルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{メチル（フェニル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{メチル（フェニル）アミノ }カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（フェニル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（フェニル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のアリールアミノカルボニルアミノ基；ベンジルアミノカルボニルアミノ基、{ベンジル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ベンジル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、ベンジルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ベンジルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{メチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{メチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のアリールアルキルアミノカルボニルアミノ基；ピロリジノカルボニルアミノ基、ピペリジノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基、ピロリジノカルボニル（メチル）アミノ基、ピペリジノカルボニル（メチル）アミノ基、モルホリノカルボニル（メチル）アミノ基、ピロリジノカルボニル（エチル）アミノ基、ピペリジノカルボニル（エチル）アミノ基、モルホリノカルボニル（エチル）アミノ基等の環状アミノカルボニルオキシ基；

メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、イソプロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、イソブチルアミノカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{メチル（プロピル）アミノ}カルボニル基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{エチル（プロピル）アミノ}カルボニル基、{エチル（イソプロピル）アミノ}カルボニル基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{イソブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基；シクロプロピルアミノカルボニル基、シクロブチルアミノカルボニル基、シクロペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニル基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニル基等のシクロアルキルアミノカルボニル基；トリフルオロメチルアミノカルボニル基、ジフルオロメチルアミノカルボニル基、トリフルオロエチルアミノカルボニル基、トリクロロエチルアミノカルボニル基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニル基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニル基；フェニルアミノカルボニル基、{フェニル（メチル）アミノ}カルボニル基、{フェニル（エチル）アミノ}カルボニル基等のアリールアミノカルボニル基；ベンジルアミノカルボニル基、{ベンジル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ベンジル（エチル）アミノ}カルボニル基等のアリールアルキルアミノカルボニル基；ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基等の環状アミノカルボルニル基；

メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、イソブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基等のアルコキシカルボニルオキシ基；シクロプロポキシカルボニルオキシ基、シクロブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等のシクロアルコキシカルボニルオキシ基；トリフルオロメトキシカルボニルオキシ基、ジフルオロメトキシカルボニルオキシ基、トリフルオロエトキシカルボニルオキシ基、トリクロロエトキシカルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルオキシ基；フェノキシカルボニルオキシ基等のアリールオキシカルボニルオキシ基；ベンジルオキシカルボニルオキシ基等のアリールアルキルオキシカルボニルオキシ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のシリルオキシ基；塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基等が例示される。

置換されてもよいアリールアルキル基における前記置換基の置換位置は、アリールアルキル基を構成するアリール基上であっても、アルキル部位であってもよいが、アリール基上であることが好ましい。
またアリール基上に置換基を有する場合、その置換基数は限定されることはない。２箇所以上の置換基で置換される場合、同一もしくは２種類以上の置換基で構成されてよく、特に限定されることはない。

一般式（２）中のＲ１とＲ２におけるアリール基とは、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、およびフェナンスリル基等を表す。
一般式（２）中のＲ１とＲ２におけるアリールアルキル基のアリール基とは、前記アリール基と同義である。
一般式（２）中のＲ１とＲ２におけるアリールアルキル基のアルキル部位は、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。

一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基でのアシル基とは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、イソアミルカルボニル基、３−メチル−２−ブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルカルボニル基、ｎｅｏ−ペンチルカルボニル基、２−ペンチルカルボニル基、および３−ペンチルカルボニル基等を表す。

一般式（２）中のＲ１とＲ２は、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環構造を形成するのに必要な原子群であってもよい。前記５〜６員環構造の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等である。

一般式（２）中のＲ３における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数１〜６のアルキル基と同義である。
一般式（２）中のＲ３における炭素数３〜６のシクロアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数３〜６のシクロアルキル基と同義である。
一般式（２）中のＲ３における置換されてもよいアリール基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリール基と同義である。
一般式（２）中のＲ３における置換されてもよいアリールアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。

一般式（２）中のＲ４における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数１〜６のアルキル基と同義である。
一般式（２）中のＲ４における炭素数３〜６のシクロアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数３〜６のシクロアルキル基と同義である。
一般式（２）中のＲ４における置換されてもよいアリール基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリール基と同義である。
一般式（２）中のＲ４における置換されてもよいアリールアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。

一般式（２）で表される化合物の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して１当量以上あれば特に制限を設けるものではないが、経済的観点から、１当量以上２当量以下が好ましい。
一般式（２）で表される化合物は、市販品を使用することもできるし、特開平２−２８６６５２号公報を参考にして製造したものを使用することもできる。
一般式（２）で表される化合物は、トランス体もしくはシス体のいずれか一方の構造である化合物、またはトランス体とシス体が任意の割合で混合した化合物でよく、その構造は限定されることはない。

本発明の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法においては、一般式（２）で表される化合物が、Ｒ１とＲ２が、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群であって、Ｒ３が水素原子である化合物群であることが好ましい。また一般式（２）で表される化合物が、Ｒ１とＲ２が、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基であって、Ｒ３が水素原子であって、Ｒ４が炭素数１〜６のアルキル基である化合物群であることがより好ましい。さらに好ましくは、一般式（２）で表される化合物が、Ｒ１とＲ２がともにメチル基であって、Ｒ３は水素原子であって、Ｒ４がメチル基またはエチル基である化合物群である。

本発明においては少なくとも１種のハロゲン化剤を用いる。以下、ハロゲン化剤について説明する。
ハロゲン化剤は、一般式（１）で表される化合物の水酸基をハロゲン原子に置換することが可能な試剤を選択すればよく、反応が進行する限りにおいて特に制限を設けるものではない。
ハロゲン化剤の具体例としては、塩化スルフリル、塩化チオニル、臭化チオニル等の含硫黄ハロゲン化剤、オキサリルクロライド、オキサリルブロミド、ホスゲン等の含カルボニルハロゲン化剤、オキシ塩化リン、三塩化リン、三臭化リン、五塩化リン等の含リンハロゲン化剤等が挙げられる。

ハロゲン化剤の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して１当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から、通常、１当量以上３当量以下である。
本発明におけるハロゲン化剤としては、オキサリルクロリド、ホスゲンが好ましい。

ハロゲン化剤は、ジメチルホルムアミド等のホルムアミド誘導体を添加し、ヴィルスマイヤー試薬に変換して使用することも可能である。
ホルムアミド誘導体の使用量は、特に制限されことはないが、経済的観点から一般式（１）で表される化合物に対して３当量以下である。
ヴィルスマイヤー試薬とは、一般式（７）

（式中、Ｒ６とＲ７はそれぞれ独立していて、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表す。）で表される化合物を含む塩である。
一般式（７）中のＲ６とＲ７における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。
一般式（７）中のＹにおけるハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素である。

以下、一般式（３）で表される化合物を説明する。
一般式（３）中のＲｆは一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（３）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、一般式（２）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４と同義である。
一般式（３）で表される化合物は、トランス体もしくはシス体のいずれか一方の構造である化合物、またはトランス体とシス体が任意の割合で混合した化合物でよく、その構造は限定されることはない。

本発明における一般式（３）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法では、必要に応じて溶媒を使用することが可能である。
溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン系溶媒が挙げられる。

溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（２）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本発明における反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−３０℃以上１５０℃以下もしくは溶媒の沸点以下である。

本発明の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法における試剤の装入方法は、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物と塩基とを含む混合物に対して、最後にハロゲン化剤を装入する順序である。
本発明においては、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物と塩基とを含む混合物にはホルムアミド誘導体をさらに加えてもよいが、必須ではない。
前記混合物にハロゲン化剤を加えることは、本発明の特徴をなしており、これにより、一般式（３）で表される化合物の収率を著しく改善することができる。

以下、後処理工程について説明する。
一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を反応させることによって得られる一般式（３）で表される化合物を含む反応混合物は、水、アルカリ水溶液、酸性水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。
洗浄に使用するアルカリ水溶液、酸性水溶液は、一般式（３）で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されるものではなく、通常、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液や、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液が例示される。

また反応混合物を洗浄する回数は、特に限定されることはない。
さらに水、アルカリ水溶液、或いは酸性水溶液で洗浄した一般式（３）で表される化合物を含む反応混合物は、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。

水、アルカリ水溶液、酸性水溶液、或いは食塩水で洗浄した一般式（３）で表される化合物を含む反応混合物、もしくは硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水後の反応混合物は、そのまま例えば、ピラゾール化反応に使用することができる。また、溶媒を留去した後に使用しても良い。さらには、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等によって精製した後に使用してもよい。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（３）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、水、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等が挙げられる。単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式（３）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本発明における一般式（３）で表される化合物の製造方法は、一般式（２）で表わされる化合物において、Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群であって、Ｒ３は水素原子である化合物群に好ましく適用できる。また、Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基であって、Ｒ３は水素であって、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基である化合物群に好ましく適用できる。さらには、一般式（１）におけるＲｆがトリフルオロメチル基もしくはジフルオロメチル基であって、Ｒ１とＲ２がともにメチル基であって、Ｒ３は水素原子であって、Ｒ４はメチル基もしくはエチル基である化合物群に好ましく適用できる。

本発明の一般式（３）で表される化合物の製造方法は、取り扱いが容易な一般式（１）で表される含フッ素アルキルカルボン酸誘導体を出発原料にできることが特徴である。これにより、一般式（３）で表される化合物の簡便かつ工業的規模で実施可能な製造方法を提供することができる。

本発明の下記一般式（５）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法は、下記一般式（３）で表わされる化合物と下記一般式（４）で表わされる化合物とを反応させる工程を含み、必要に応じて後処理工程等のその他の工程を含んで構成することができる。

式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。
以下、一般式（４）で表される化合物について説明する。

一般式（４）中のＲ５における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。
一般式（４）中のＲ５における炭素数３〜６のシクロアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における炭素数３〜６のシクロアルキル基と同義である。
一般式（４）中のＲ５における置換されてもよいアリール基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリール基と同義である。
一般式（４）中のＲ５における置換されてもよいアリールアルキル基は、一般式（２）中のＲ１とＲ２における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。

本発明における一般式（４）で表される化合物の使用量は、一般式（３）で表される化合物に対して０.９当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から０.９当量以上１０当量以下とすることができる。
一般式（４）で表される化合物は、市販品を使用することもできるし、公知の方法で製造したものを使用することもできる。
本発明において一般式（４）で表される化合物の製造方法は、Ｒ５が炭素数１〜６のアルキル基である化合物群に好ましく適用できる。さらにＲ５がメチル基である化合物により好ましく適用できる。

以下、一般式（５）について説明する。
一般式（５）中のＲｆは一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（５）中のＲ３、Ｒ４及びＲ５は、一般式（２）中のＲ３、Ｒ４及びＲ５と同義である。
一般式（３）で表わされる化合物と一般式（４）で表わされる化合物とを反応させる工程は、一般式（３）で表される化合物を一般式（４）で表される化合物に装入する方法、或いは、一般式（４）で表される化合物を一般式（３）で表される化合物に装入する方法のいずれでもよい。装入形態は、粉体装入、滴下等が挙げられる。この際、一般式（３）もしくは一般式（４）で表される化合物は、適当な溶媒に溶解、もしくは懸濁させて使用することが可能である。

本反応には溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、反応が進行する限りにおいて、特に限定されることはない。使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等のウレア系溶媒、ジメチルスルホオキシド等のスルホニルオキシド系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（３）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい

反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、−４０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

一般式（５）で表される化合物を含む反応混合物の後処理は、一般式（５）で表される化合物が分解しない限りにおいて、特に制限されることがなく実施できる。以下に後処理方法の具体例を述べる。
水と相溶しない有機溶媒と水から構成される二層系溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、分液することによって、一般式（５）で表される化合物を含む有機層を得ることができる。
水と相溶する有機溶媒と水から構成される単一系溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、減圧下で有機溶媒を留去した後に、水と分離する有機溶媒にて一般式（５）で表される化合物を抽出することができる。

水と相溶しない有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式（５）で表される化合物を得ることができる。もしくは、溶媒留去の前に、後述する分液操作を実施してもよい。
水と相溶する有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式（５）で表される化合物を得ることができる。溶媒留去の後に、水と分離する有機溶媒と水を加えて、後述する分液操作を実施してもよい。
水が反応溶媒である反応混合物に関しては、一般式（５）で表される化合物が析出した際には析出物を濾取すればよい。該化合物が析出しない場合は、水と分離する有機溶媒を加えて抽出することが可能である。

一般式（５）で表される化合物を含む有機層を、水、酸性水溶液、アルカリ水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。洗浄回数、洗浄順序等は、該化合物が分解しないかぎりにおいて、特に限定されることはない。
洗浄に使用する酸性水溶液、アルカリ水溶液は、一般式（５）で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されることはない。通常、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液や、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液が例示される。

一般式（５）で表される化合物を含む有機層は、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。
一般式（５）で表される化合物を含む有機層を、そのまま、例えば、加水分解工程に使用することができる。また、減圧下で溶媒留去した後に該化合物を加水分解することも可能である。

一般式（５）で表される化合物の純度を向上させるために、蒸留、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄等を実施することができる。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（５）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本発明の一般式（５）で表される化合物の製造方法は、Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す化合物群に好ましく適用できる。また、Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基を表す化合物群に好ましく適用できる。さらに、Ｒｆがトリフルオロメチル基もしくはジフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２がともにメチル基を表し、Ｒ３は水素原子を表し、Ｒ４はメチル基もしくはエチル基を表し、Ｒ５はメチル基を表す化合物群に好ましく適用できる。

本発明の一般式（５）で表わされる含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法は、上述した一般式（３）で表わされる含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法によって製造された一般式（３）で表わされる化合物と、一般式（４）で表される化合物とを反応させることを特徴とする。これにより良好な収率で、簡便かつ工業的規模で実施可能な一般式（５）で表わされる化合物の製造方法を提供することができる。

本発明の下記一般式（６）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、下記一般式（５）で表される化合物を加水分解する工程を含む。また、必要に応じて後処理等の他の工程を含んで構成することができる。

式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。

以下、一般式（６）で表される化合物について説明する。
一般式（６）中のＲｆは、上記一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（６）中のＲ３及びＲ５は、上記一般式（２）中のＲ３及びＲ５と同義である。

本発明における一般式（５）で表される化合物を加水分解する工程においては、一般式（５）で表される化合物に少なくとも水を反応させるが、水に加えて、酸もしくは塩基を用いることが好ましい。
先ず、酸性条件下で、一般式（５）で表される化合物と水とを反応させて、一般式（６）で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。
水の使用量は、一般式（５）で表される化合物に対して１当量以上あれば、特に限定されることはない。また、水は溶媒としても利用することできる。溶媒としての使用量は、前記の当量数を満たしていれば特に限定されることはない。通常、その上限は一般式（５）で表される化合物に対して４０倍以下の重量とすることができる。
使用する酸は、反応が進行する限りにおいて特に限定されるものではなく、有機酸、無機酸である。

有機酸の具体例として、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等のスルホン酸類、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類等が挙げられる。
無機酸の具体例として、塩酸、臭化水素酸、硫酸等が挙げられる。
酸の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物に対して０．１当量以上であればよい。

本発明においては、必要に応じて溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、酢酸等のカルボン酸系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用することもできるが、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（５）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

酸性条件で得られる一般式（６）で表される化合物を含む反応混合物の後処理方法に関しては、目的物である一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限を設けるものではない。以下、後処理方法の具体例を述べる。
反応混合物、もしくは溶媒留去した反応混合物から一般式（６）で表される化合物が析出した場合は、析出物を濾取すればよい。

反応混合物や溶媒留去した反応混合物については、分液操作を実施することができる。その際、必要であるならば水や有機溶媒を追加することができる。分液に使用する水は、塩化ナトリウムのような塩を含んでいてもよい。また、分液回数は特に限定されることはない。
分液に使用する有機溶媒は、一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限されることはない。

有機溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、および酢酸ブチル等のエステル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

有機溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（６）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい
分液して得られる一般式（６）で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。
分液して得られる一般式（６）で表される化合物を含む有機層、もしくは硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水後の有機層を、減圧下で溶媒留去することによって該化合物を得ることができる。

また、要求される純度に応じて、得られた該化合物を、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等にてさらに精製することが可能である。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に制限されることはない。通常、一般式（６）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

次に、塩基性条件下で、一般式（５）で表される化合物と水とを反応させて、一般式（６）で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。
水の使用量は、一般式（５）で表される化合物に対して１当量以上あれば、特に限定されることはない。この際、水は溶媒としても利用することができる。溶媒としての使用量は、前記の当量数を満たしていれば特に限定されることはない。通常、その上限は一般式（５）で表される化合物に対して４０倍以下の重量である。
使用する塩基は、反応が進行する限りにおいて特に制限を設けるものではなく、有機塩基、無機塩基である。

有機塩基の具体例として、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド、ジイソプロピルアミン等の２級アミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、および４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等が挙げられる。
無機塩基の具体例として、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。
これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

塩基の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物に対して１当量以上２０当量以下とすることができる。

反応には、必要に応じて溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用することもできるが、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
溶媒の使用量は、特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

塩基性条件で得られる一般式（６）で表される化合物を含む反応混合物を後処理する方法は、目的物である一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限されることがない。以下、後処理方法の具体例を述べる。
塩基性条件下で調製された一般式（６）で表される化合物は、反応混合物中では塩の状態で存在する。その塩が反応混合物中で析出する場合は析出物を濾取することも可能である。一方、塩が析出しない場合は、水と分離可能な有機溶媒を加えて分液することにより、不純物を除去することが可能である。分液操作の前には、減圧下で溶媒を留去したり、水もしくは塩化ナトリウムを含有するような水溶液を追加したりすることができる。

濾取して得られた塩、分液精製した反応混合物に含まれる塩、或いは未処理の反応混合物中に含まれる塩に対して、酸を加えることにより、一般式（６）で表される化合物に変換することができる。
添加する酸は、メタンスルホン酸、スルホン酸等の有機酸や、塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸等が挙げられる。
酸の使用量は、反応に使用した塩基に対して少なくとも１当量あれば、特に制限されることはない。

酸添加によって調製された一般式（６）で表される化合物の取り出し方法に関しては、反応混合物から該化合物が析出する場合は析出物を濾取すればよい。また、析出に関係なく、該化合物を有機溶媒で抽出することもできる。抽出した有機層を減圧下で溶媒留去することによって、該化合物が得られる。減圧留去の前には、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。

こうして得られた該化合物は、要求される純度に応じて、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等の精製をさらに行うことが可能である。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、水、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、およびアセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式（６）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本発明の一般式（６）で表される化合物の製造方法は、Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す化合物群に好ましく適用できる。また、Ｒ１とＲ２はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基を表す化合物群に好ましく適用できる。さらに、Ｒｆがトリフルオロメチル基もしくはジフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２がともにメチル基を表し、Ｒ３は水素基を表し、Ｒ４はメチル基もしくはエチル基を表し、Ｒ５はメチル基を表す化合物群に好ましく適用できる。
本発明の一般式（６）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、前記本発明の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法によって製造された一般式（５）で表される化合物を加水分解する工程を含むことを特徴とする。これにより一般式（６）で表される化合物を、簡便にかつ工業的規模で製造することができる。

以上により、含フッ素アルキルカルボン酸誘導体を利用した含フッ素アシル酢酸誘導体を製造する方法、並びに該含フッ素アシル酢酸誘導体を利用して含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体及び含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を製造する方法を提供することが可能になった。

以下に実施例により、本発明を更に詳細に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、３−（ジメチルアミノ）アクリル酸エチルを化合物（Ｉ）、３−ジメチルアミノ−２−トリフルオロアセチルアクリル酸エチルを化合物（ＩＩ）、１−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸エチルを化合物（ＩＩＩ）、１−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸を化合物（ＩＶ）、高速液体クロマトグラフィーをＨＰＬＣと称する。

［実施例１］
〜ハロゲン化剤にオキサリルクロリドを用いた化合物（ＩＩ）の合成〜

化合物（Ｉ） ６．２８ｇとトリエチルアミン ８．８７ｇを含むトルエン ７５ｍｌを氷冷した後に、トリフルオロ酢酸 ５．０ｇを滴下した。氷冷下でさらに１５分間撹拌した後に、オキサリルクロリド ５.５８ｇを含有するトルエン ２５ｍｌを滴下した。同温で２時間撹拌した後に、ＨＰＬＣにて反応混合物を観測したところ、化合物（ＩＩ）が収率８３％で生成していた。
次いで、水を加えて分液を行った。分離した有機層を飽和重曹水で洗浄した後に、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを除去した後に濾液を減圧下で濃縮して、残渣にヘキサンを加えて攪拌した。析出物を濾過して、淡褐色固体の化合物（ＩＩ） ７．６４ｇ（収率７８％）を得た。

＜化合物（ＩＩ）の物質データ＞
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δ１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），２．９０（３Ｈ，ｓ），３．３３（３Ｈ，ｓ），４．２２（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），７．６９（１Ｈ，ｓ）．

［比較例１］
〜最後に化合物（Ｉ）を装入した化合物（ＩＩ）の合成〜
氷冷下、トリフルオロ酢酸 ５.０ｇを含むトルエン ５０ｍｌ中に、オキサリルクロリド ５．５７ｇを含むトルエン２５ｍｌを滴下した。同温で１５分間撹拌した後に、トリエチルアミン８.８７ｇを注意深く滴下した。さらに同温で１．５時間撹拌した後に、化合物（Ｉ）６．２８ｇを含むトルエン ２５ｍｌを滴下して、２時間撹拌した。反応液をＨＰＬＣにて観測したところ、化合物（ＩＩ）は２３％しか生成していなかった。

［比較例２］
〜最後にトリフルオロ酢酸を装入した化合物（ＩＩ）の合成〜
氷冷下、トリエチルアミン ８．８７ｇと化合物（Ｉ） ６．２８ｇを含むトルエン ５０ｍｌに、オキサリルクロリド ５．５７ｇを含むトルエン ２５ｍｌを滴下した。次いで、トリフルオロ酢酸 ５．０ｇを含むトルエン ２５ｍｌを滴下して、氷冷下で２時間撹拌した。反応液をＨＰＬＣにて観測したところ、化合物（ＩＩ）は痕跡程度しか生成していなかった。

［比較例３］
〜最後にトリエチルアミンを装入した化合物（ＩＩ）の合成〜
氷冷下、トリフルオロ酢酸 ５.０ｇと化合物（Ｉ） ６．２８ｇを含むトルエン ５０ｍｌに、オキサリルクロリド ５．５７ｇを含むトルエン ２５ｍｌを滴下した。次いで、トリエチルアミン ８.８７ｇを含むトルエン ２５ｍｌを滴下して、氷冷下で２時間撹拌した。反応液をＨＰＬＣにて観測したところ、化合物（ＩＩ）は９％しか生成していなかった。

以上から、塩基と、含フッ素アルキルカルボン酸と、アクリル酸エステル誘導体とを含む混合物に、ハロゲン化剤を加えることで、簡便かつ効率的に、含フッ素アシル酢酸エステル誘導体を製造することができることがわかる。

［実施例２］
〜ハロゲン化剤にホスゲンを用いた化合物（ＩＩ）の合成〜
化合物（Ｉ） ６．２８ｇとトリエチルアミン ８．８７ｇを含むトルエン ６５ｇを氷冷した後に、トリフルオロ酢酸 ５．００ｇを滴下した。次いで、ホスゲン １０．０ｇを通気した後に、氷冷から室温まで昇温して２時間攪拌した。反応液に窒素を１．５時間通気した後に、水を加えて分液し、さらに分離した有機層を飽和重曹水にて洗浄した。硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、濾過を行った後に、濾液を減圧下で濃縮を行った。残渣にヘキサンを加えて十分に攪拌した後に、析出物を濾取した。得られた淡黄色固体は化合物（ＩＩ） ８．８９ｇ（収率８５％）であった。
［実施例３］
〜化合物（ＩＩＩ）の合成〜

実施例２で得られた化合物（ＩＩ） ５．００ｇを溶解したトルエン ５０ｍｌを、メチルヒドラジン １．１８ｇを含む水 １０ｍｌに氷冷下で滴下した。２時間攪拌した後に有機層を分離して、０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸、飽和重曹水の順に分液した。硫酸マグネシウムで乾燥した後にろ過し、濾液を減圧下で濃縮した。残渣にヘキサンを加えて攪拌し、析出物を濾過した。得られた白色固体は化合物（ＩＩＩ） ３．３６ｇ（収率７２％）であった。

＜化合物（ＩＩＩ）の物質データ＞
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δ１．３５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），３．９７（３Ｈ，ｓ），４．３２（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．９２（１Ｈ，ｓ）．

［実施例４］
〜化合物（ＩＶ）の合成〜

水酸化ナトリウム １．１５ｇを溶解した水 ２０ｍｌに、実施例３の方法で得た化合物（ＩＩＩ） ３．１８ｇを加えて、６０℃まで加熱した。２時間攪拌した後に室温まで冷却した。次いで、濃塩酸でｐＨ≒１にした後にさらに１時間攪拌した。析出物をろ過し、白色固体として化合物（ＩＶ） ２．５１ｇ（収率９０％）を得た。

＜化合物（ＩＶ）の物質データ＞
^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６） δ３．９３（３Ｈ，ｓ），８．４５（１Ｈ，ｓ）．

Industrial Applicability
本発明によって、含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法及び該含フッ素アシル酢酸誘導体を利用した含フッ素ピラゾール誘導体の製造方法が可能になった。本方法は、大量生産を実施する上で問題となり得る試剤を使用しない上、操作が簡便であるので、工業的製造方法としても適している。また、含フッ素アシル酢酸誘導体から誘導される含フッ素ピラゾール誘導体は、農園芸用殺菌剤等の重要な原料になりうる。以上より、医薬及び農薬分野において、本発明の有用性は非常に高く、産業上の利用可能性は高い。

Claims (9)

1. 塩基と、下記一般式（１）
   

   

   
   （式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で表される化合物と、下記一般式（２）
   

   

   
   （式中、Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個を含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物と、を含む混合物を得る工程と、前記混合物にハロゲン化剤を加える工程とを含む、下記一般式（３）
   

   

   
   （式中、Ｒｆ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同義である。）で表される含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法。
2. Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す、請求項１に記載の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法。
3. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表す、請求項２に記載の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法。
4. 請求項１に記載の含フッ素アシル酢酸誘導体の製造方法によって製造された下記一般式（３）
   

   

   
   （式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とともにヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物と、下記一般式（４）
   

   

   
   （式中、Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物とを反応させる工程を含む、下記一般式（５）
   

   

   
   （式中、Ｒｆ、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
5. Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す、請求項４に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
6. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基を表す、請求項５に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
7. 請求項４に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸エステル誘導体の製造方法によって製造された下記一般式（５）
   

   

   
   （式中、Ｒｆは、少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。Ｒ５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物を加水分解する工程を含む、下記一般式（６）
   

   

   
   （式中、Ｒｆ、Ｒ３、Ｒ５は、前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
8. Ｒ１とＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ１とＲ２とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ３は水素原子を表す、請求項７に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
9. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ１とＲ２はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基を表す、請求項８に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。