JPWO2009081880A1 - 貼付材の貼付方法と貼付装置 - Google Patents

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Abstract

多数の吸着孔を有して平面状に形成され、被貼付部材である半導体ウエハ16の表面を覆う大きさの吸着面12が形成された多孔質部材38を有する。多孔質部材38を保持して吸着面12を除く表面全体が密封された吸着プレート18と、多孔質部材38内の空気を吸引して吸着面12の吸着孔を負圧にする吸引用のポンプ42cを備える。半導体ウエハ16表面に保護テープ14を貼付し、吸着プレート18の吸着面12を保護テープ14に当接させる。ポンプ42cにより保護テープ14の表面を吸着面12側へ吸引し、半導体ウエハ16表面の保護テープ14を、吸着面12の形状に倣わせる。

Description

この発明は、例えば半導体製品の製造工程において、所定の回路パターン等の形成処理がなされた半導体ウエハ等の被貼付部材表面を保護するために、その被貼付部材に貼付材を貼り付ける貼付材の貼付方法と貼付装置に関する。
半導体素子の製造分野等において、近年、半導体の高密度化に伴い、表面上に凹凸の大きいバンプなどが形成されたウエハや、MEMS(マイクロエレクトロメカニカルシステム)など表面の凹凸が大きいウエハが増加している。一方、半導体パッケージの小型、薄型化の進展に伴い、半導体ウエハ自体の薄型化が求められている。
そこで、半導体製品の製造工程において、上記のように表面に多数の回路パターンや素子などが形成された半導体ウエハは、必要に応じて裏面を研磨して薄くする研磨(バックグラインド)工程を経た後、各機能素子毎に切断するダイシング工程を経て、個々の半導体チップに分割される。半導体ウエハの裏面を研磨やエッチングする際には、半導体ウエハ表面を保護するため、その半導体ウエハ表面に粘着性のある保護テープが張り付けられる。この保護テープで保護された半導体ウエハは、表面側を吸盤で吸着保持した状態で、裏面に対して研磨等の処理が施される。
保護テープを半導体ウエハ表面に貼り付ける従来の貼付方法としては、特許文献1の従来技術として開示されているように、半導体ウエハを載置台に載置し、ロール状に巻かれた保護テープの粘着剤が設けられた面を半導体ウエハ表面に向けて配置し、その保護テープ上に貼付ローラを載置して、所定押圧力を加えながら回転移動させて保護テープを半導体ウエハ表面に貼り付け、その後、半導体ウエハの円形状に保護テープを切り抜く方法がある。
また、同じく特許文献1の発明として開示されているように、保護テープをあらかじめカッターで所定のサイズに切り取り、切り取られた保護テープを、非粘着面側を多孔質セラミックで形成した吸着テーブルの吸着面に吸着保持し、そのまま吸着テーブルごと真空チャンバー内へ移動し、吸着テーブルの吸着面を傾斜姿勢から水平姿勢に揺動させながら、ウエハ載置テーブル上に吸着保持された半導体ウエハ表面に保護テープを押圧接着する方法も提案されている。
特開2001−148412号公報
しかしながら、上記の貼付ローラによって所定の力を加えながら保護テープを貼り付ける方法の場合、半導体ウエハ表面は、多数の回路パターン等による凹凸が多いため、半導体ウエハ表面に貼付された保護テープ表面は、被貼付部材である半導体ウエハ表面の凹凸に倣った凹凸面になる。さらに、貼付ローラが保護テープ上を回転移動するときに保護テープに加わる押圧力は、上記凹凸や機械的ながたつき等により一律にならない。従って、保護テープ表面には傾斜や部分的段差が発生してしまい、半導体ウエハ表面に貼付された保護テープ表面は、研磨される半導体ウエハ裏面と平行で均一な平面に仕上げることができないものであった。
そして、保護テープ表面が半導体ウエハ平面に対して均一に平行でなく、または保護テープ表面に段差を有する半導体ウエハが研磨工程に投入されると、その半導体ウエハは、保護テープ貼付面を下にしてテーブル上に吸着保持され研磨されることにより、研磨により半導体ウエハに掛かる力が部分的に異なるものとなり、半導体ウエハに歪みを生じさせる。また、半導体ウエハをテーブル上にしっかりと吸着保持することができず、砥石の研削力によって半導体ウエハが振動する恐れもあった。その結果、特に近年の半導体ウエハは厚みが薄いものが求められており、半導体ウエハの仕上り厚みにばらつきが生じたり、研磨中に半導体ウエハが割れたりする等の問題があった。
一方、上記特許文献1に開示された貼付方法の場合、半導体ウエハを吸着保持するウエハ載置テーブルが、上昇位置への復帰方向に弾性的に上下動可能であり、吸着テーブルを揺動させながら保護テープを半導体ウエハ表面に押圧接着するものである。さらに、吸着テーブル上をスイングローラが押圧して移動するのである。従って、保護テープ表面全面に一定の押圧力を加えることができないものであり、保護テープ表面と半導体ウエハ平面とが正確に平行をなす均一な平面にならないものであった。その結果、上記と同様に、半導体ウエハの仕上り厚みにばらつきが生じたり、研磨中に半導体ウエハが破損する等の問題があった。
さらに、特許文献1の貼付方法の場合、半導体ウエハに貼付ける吸着テーブルやローラ、さらにこれらを覆って真空環境を作るための真空チャンバーなど、多くの構成を備えた複雑な装置が必要になるという問題があった。
本発明は、上記背景技術に鑑みて成されたもので、簡単な構成で、半導体ウエハ等の被貼付部材に貼り付けた貼付材を、一定の面に仕上げることができる貼付材の貼付方法と貼付装置を提供することを目的とする。
この発明は、被貼付部材の表面に、薄い貼付材を貼り付け、この貼付材の表面に多数の吸着孔を有し所定形状の吸着面を備えた吸着体を当接させ、前記吸着体前により前記貼付材を吸着し、前記貼付材表面を前記吸着体の吸着面形状に倣わせる貼付材の貼付方法である。
またこの発明は、半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ表面の素子を保護する貼付材である保護テープを前記半導体ウエハ表面に貼付する際に、前記保護テープの熱可塑性樹脂から成る粘着剤を一旦前記半導体ウエハの表面に仮貼付した後、表面に多数の吸着孔を有し前記半導体ウエハ表面を覆うサイズもしくはそれより大きなサイズの平面状の吸着面が形成された吸着体を、前記半導体ウエハと平行に向き合う位置に配置し、前記吸着体の前記吸着面を所定の荷重で前記保護テープ表面に当接させ、前記吸着面に負圧を発生させて、前記保護テープ表面の前記吸着面に接した部分及び前記粘着剤を、前記吸着面側へ吸引して、前記保護テープを前記吸着面の平面に倣わせて貼付する貼付材の貼付方法である。
前記吸着体の前記吸着面は、前記半導体ウエハ表面と互いに平行に位置するものである。さらに、前記吸着体は、前記粘着剤の熱可塑性樹脂が軟化する温度に加温され、前記吸着体に前記保護テープを当接させて、前記粘着剤を軟化させるものである。
またこの発明は、多数の吸着孔を有して平面状に形成され被貼付部材の表面を覆う大きさの吸着面が形成された多孔質部材等の吸着体と、前記吸着体を保持して前記吸着面を除く表面全体が密閉された吸着部材と、前記吸着体内の空気を吸引して前記吸着面の吸着孔を負圧にする吸引用のポンプとを備え、前記被貼付部材表面に前記貼付材を貼付し、前記吸着部材の前記吸着面を前記貼付材に当接させ、前記ポンプにより前記貼付材の表面を前記吸着面側へ吸引して、前記被貼付部材表面の前記貼付材を、前記吸着面の形状に倣わせる貼付装置である。
さらに、前記被貼付部材表面に前記貼付材を貼付し、前記吸着部材の前記吸着面を前記貼付材に当接させた状態で、前記貼付材の外周縁部に当接して前記被貼付部材の外周縁部を囲んで前記吸着面を前記貼付材とともに密封する気密保持部材を備えたものである。
またこの発明は、半導体ウエハの表面及び該半導体ウエハ表面の素子を保護する保護テープを、前記半導体ウエハ表面に粘着剤を介して貼付する貼付装置において、多数の吸着孔を有して平面状に形成され前記半導体ウエハの表面を覆う大きさの吸着面が形成された吸着体と、前記吸着体の側周面を覆う側壁部が設けられ前記吸着体の前記吸着面を除く表面全体を密閉した筐体とから成る吸着部材である吸着プレートを備え、前記吸着体内の空気を吸引して前記吸着面の吸着孔を負圧にする吸引用のポンプと、前記半導体ウエハ表面に予め仮貼付された前記保護テープ表面に前記吸着面を当接させた状態で、前記半導体ウエハの外周縁部に当接するとともに、前記吸着プレートに直接又は間接的に当接して、前記吸着面に対面した前記半導体ウエハの前記外周縁部を囲んで前記吸着面を密封する気密保持部材を備え、前記半導体ウエハ表面に前記保護テープが貼付けられ前記吸着プレートに対面した状態で、前記保護テープの表面を前記吸着面側へ吸引して、前記半導体ウエハ表面の前記保護テープを、前記吸着面の平面に倣わせる貼付装置である。
前記気密保持部材は、環状の枠部材に取り付けられ、前記吸着プレートの周縁部と前記半導体ウエハに当接して前記吸着面を密封するものである。または、前記気密保持部材は、前記半導体ウエハの周縁部を押圧して前記吸着面を密封するものである。
前記吸着体は、多孔質材料から成るものである。さらに、前記吸着体は、前記吸着面を前記保護テープの前記粘着剤が軟化する温度に加熱する加熱手段を備えたものである。
また、前記吸着体は、異なる大きさの前記半導体ウエハに各々対応した外形を有し同心状に複数配置され、前記吸着プレートは、異なる大きさの各半導体ウエハの各外周形状に各々対応した形状に形成され、複数の前記吸着体の側周面を覆う隔壁部を有し、前記吸着体の前記吸着面を除く表面全体を密閉した筐体を備え、前記気密保持部材は、前記吸着面と対向する所定の位置に配置され、異なる大きさの前記半導体ウエハに各々対応した外形を有して複数設けられたものである。
さらに、前記保護テープの仮貼付を行う貼付テーブルと、前記半導体ウエハの前記保護テープを吸引する前記吸着プレートを水平方向に異なる位置に配置し、前記保護テープが仮貼付された前記半導体ウエハを、前記吸着プレートの前記吸着面と対向する位置に搬送する半導体ウエハ搬送機構を備えたものである。
この発明の貼付材の貼付方法と貼付装置によれば、貼付材の表面近傍のみに力を加えて、貼付材が均一に貼付されるようにしているので、被貼付部材に無理な荷重が加わらず、被貼付部材に悪影響を与えないものである。さらに、被貼付部材下面にも大きな荷重が作用しないので、被貼付部材の加圧による側面からの粘着剤等のはみ出しを防止することができる。また、吸着体の吸着面の面形状を変えることにより、任意の幾何学的形状表面に貼付材を貼り付けることも可能である。
特に、この貼付方法及び貼付装置において、平面状の吸着体を用いて、半導体ウエハの保護テープ貼付に用いることにより、保護テープ表面に発生する微細な凹凸が保護テープ表面に現れるのを抑え、研磨工程において半導体ウエハの吸着保持が安定に確実なものとなる。同時に半導体ウエハ裏面の研磨面の平坦性が確保され、半導体ウエハに無理な力を与えず、割れ等の不良の発生を抑えることができる。
また、吸着体を温めることにより、保護テープが温められ、熱可塑性樹脂の粘度が低下し、半導体ウエハ表面の凹凸に容易に馴染み、半導体ウエハに部分的な力を作用させることがなく、半導体ウエハの割れや欠けを抑え、歩留まりが向上し、作業効率が良くなる。
さらに、この発明の貼付装置によれば、吸着体により貼付材表面を吸着する際に、半導体ウエハ等の被貼付部材の外周部分からのエアー漏れを防止し、保護テープ等の貼付材が負圧により確実に吸引される。また、貼付材である保護テープ等の表面に微細な凹凸が現れるのを確実に抑える。特に、被貼付部材が半導体ウエハの場合、裏面の研磨工程において半導体ウエハの吸着保持を安定に行うことができる。さらに、半導体ウエハ裏面の研磨面の平坦性が確保され、半導体ウエハに無理な力を与えず、割れ等の不良の発生を抑えることができる。
この発明の第一実施形態の保護テープ貼付装置を示す部分断面図である。 この発明の第一実施形態の貼付テーブルを示す平面図である。 この発明の第一実施形態の貼付方法を示すフローチャートである。 この発明の第一実施形態の保護テープの仮貼付状態を示す部分断面図である。 この発明の第二実施形態の保護テープ貼付装置を示す部分断面図である。 この発明の第二実施形態の吸着プレートを示す斜視図である。 この発明の第二実施形態の枠部材を示す斜視図である。 仮貼付装置の動作を説明する縦断面図である。 この発明の第二実施形態の保護テープ貼付装置の動作を示す縦断面図である。 この発明の第二実施形態の枠部材のシール状態を説明する縦断面図である。 この発明の第二実施形態の枠部材の他のシール状態を説明する縦断面図である。 この発明の貼付装置の気密保持部材の変形例を示す概略断面図である。 この発明の貼付装置の気密保持部材の他の変形例を示す概略断面図である。 この発明の貼付装置の気密保持部材のさらに他の変形例を示す概略断面図である。 この発明の貼付装置の気密保持部材のさらに他の変形例を示す概略断面図である。
符号の説明
10 保護テープ貼付装置
12 吸着面
14 保護テープ
14a テープ基材
14b 粘着剤
16 半導体ウエハ
16a 凸部
18 吸着プレート
38 多孔質部材
40 筐体
40a 外壁部
42 吸引装置
42c ポンプ
以下、この発明の貼付材の貼付方法の第一実施形態について、図1〜図4に基づいて説明する。この実施形態の貼付装置である保護テープ貼付装置10は、被貼付部材である半導体ウエハ16に、半導体ウエハ表面を保護する貼付材である保護テープ14を貼付するものである。保護テープ貼付装置10は、図1、図2に示すように、表面が平滑且つ平坦な金属製の円盤から成る貼付テーブル48が設けられている。貼付テーブル48は、半導体ウエハ16が載置され保護テープ14を貼り付けるもので、水平に位置している。貼付テーブル48の外周側には、図2に示すように、所定の幅の隙間から成るカッター溝50を空けて、外周テーブル52が設けられている。貼付テーブル48の載置面48aは、保護テープ14の粘着剤14bが軟化する温度、例えば60℃〜80℃程度の温度に加温する図示しないヒータを備えている。
保護テープ貼付装置10は、貼付テーブル48上の保護テープ14の表面に吸着する吸着部材である吸着プレート18を備えている。吸着プレート18は、貼付テーブル48に対向して設けられ、多数の図示しない吸着孔が形成された吸着面12を有した吸着体である多孔質部材38を備えている。多孔質部材38は、円盤状に形成され、連続的な気泡穴が無数に内在する多孔質セラミック材等から成り、浅い円筒状の側壁部40aを有した有底の筐体40に緊密に嵌合され、外表面の吸着面12を除く表面全体が密閉されている。吸着面12は、平坦な平面状に形成され、半導体ウエハ16よりも大きな形状に形成されている。
吸着プレート18の筐体40には、コネクタ42aを介して、コネクタ42aに接続されたホース42b、及び吸引用のポンプ42cから成る吸引装置42が接続されている。ポンプ42cは、減圧動作によって多孔質部材38内の空気を吸引する。吸着プレート18は、吸着面12を除く外側表面が筐体40によって密閉されているため、ポンプ42cの吸引力は、多孔質部材38の吸着面12全体に均等に作用する。
半導体ウエハ16の表面に貼付される保護テープ14は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)などから成る数十μm程度の樹脂製テープ基材14aに、薄い接合層を介して数百μm程度の厚さに熱可塑性樹脂の粘着剤14bが塗布されて、着層が形成されている。この粘着剤14bの厚さは、半導体ウエハ16表面の凸部16aより厚く、粘着剤14bの熱可塑性樹脂が軟化する温度、例えば60℃〜80℃程度の温度でゲル状になるものである。また、図2に示すように、保護テープ14の幅は、貼付テーブル48より広く、両端部が外周テーブル52上に位置するように形成されている。
この実施形態に係る保護テープ貼付方法は、図3のフローチャートに示すように、貼付テーブル48の載置面48aに、半導体ウエハ16を載せる。このとき、半導体ウエハ16は、回路素子等の凸部16aが形成された面を上向きにして載せる(S12)。この後、図示しないロール状に巻かれた保護テープロールを引き出して、保護テープ14の粘着剤14bが設けられた面を半導体ウエハ16の表面に向けて配置する。
次に、保護テープ14を半導体ウエハ16の凸部16aがある表面に貼り付ける(S14)。貼付工程S14では、図4に示すように、保護テープロールから引き出した保護テープ14上に貼付ローラ54が位置して、半導体ウエハ16上で所定押圧力を加えながら回転移動して、保護テープ14を半導体ウエハ16の表面に仮貼付するものである。
その後、図示しないカッター装置により、シート状の保護テープ14から、半導体ウエハ16の円形状に保護テープ14を切り抜く。これによって、保護テープ14は、半導体ウエハ16表面に、しわや気泡が残らない程度に平坦な面状に貼り付けられる。
次に、吸着プレート18の吸着面12を、保護テープ14の表面に所定の荷重で当接させる(当接工程S16)。吸着プレート18は、図示しない駆動機構に取り付けられ、吸着面12と貼付テーブル48の載置面48aとが平行になるように駆動され、平行関係を維持しながら、図示しない駆動機構により載置面48aの真上に位置する。そして、吸着プレート18が下降し、保護テープ14上に当接する。その際、その当接荷重は、駆動機構により所定の値に制御される。また、吸着プレート18の多孔質部材38には図示しないヒータが設けられ、粘着剤14bが軟化する温度、例えば60℃〜80℃程度の温度に加温されている。
この状態で、ポンプ42cの動作により、吸着プレート18の多孔質部材38内の空気が吸引され、多孔質部材38内が負圧状態となり、吸着面12も負圧となって、保護テープ14の表面が吸着面12に吸着される(S18)。吸引工程S18では、多孔質部材38の吸着面12により、保護テープ14の表面全体を均一に吸引する。
次に、この実施形態の保護テープ貼付装置10の貼付方法による作用について説明する。貼付工程S14によって保護テープ14が半導体ウエハ16に貼り付けられると、保護テープ14は、仮貼付により、しわや気泡が残らない程度に平坦な面が形成されている。しかし、半導体ウエハ16上には凸部16aが多数存在するため、貼付ローラ54が保護テープ14上を回転移動するときに保護テープ14に加わる押圧力が一律にならない。さらに、保護テープ14の粘着剤14bの粘度が高い場合には、凸部16a同士の隙間等の細部に粘着剤16bが流れ込まない部分が発生し、図4に示すように、保護テープ14の表面には、半導体ウエハ16の表面に対して傾斜している部分や、段差が生じている部分が存在する。
この状態で、保護テープ貼付装置10は、当接工程S16を経て、吸引工程S18により、保護テープ14の表面を吸着プレート18により吸引する。これにより、吸着プレート18の吸着部材38の負圧によって、保護テープ14の表面が吸着面12に引きつけられ、テープ基材14aの表面全体が、平坦な吸着面12に密着する。同時に、所定の当接荷重によって吸着面12が水平に半導体ウエハ16側へ押し付けられるので、粘着剤14bは、保護テープ14の表面が半導体ウエハ16の表面と互いに平行状態になるように流動変形する。このとき、貼付テーブル48の載置面48a及び吸着プレート18の吸着面12は、60℃〜80℃程度に設定され、粘着剤14bを加熱して軟化させるので、粘着剤14bの流動性が良く、半導体ウエハ16上の凸部16a同士の隙間などの細部にムラなく粘着剤14bが流動していく。これらの作用によって、保護テープ14の表面は、半導体ウエハ12の表面と平行で均一な平面に仕上がる。
以上説明したように、この実施形態の保護テープ貼付方法と貼付装置によれば、保護テープ14の表面に凹凸等が出ず、半導体ウエハ16の研磨工程において半導体ウエハ16の吸着保持が確実なものとなる。同時に、半導体ウエハ16の背面(研磨面)と保護テープ14の表面の平行性が確保され、研磨不良や割れの発生を抑えることができる。また、保護テープ14が貼付テーブル48や吸着プレート18によって温められ、粘着剤14bの粘度が低下して流動性が向上し、半導体ウエハ16の凸部16a間の細部にまで容易に粘着剤14bが行き渡り、均一で平坦な面を短時間で形成することができ、作業効率がよい。
次に、この発明の貼付装置の第二実施形態について、図5〜図11に基づいて説明する。ここで、上述の実施形態と同様の部材は同一の符号を付して、一部説明を省略する。図5に示す保護テープ貼付装置10は、3つの外形サイズの半導体ウエハ16(ここでは、6,8,12インチサイズ)に保護テープ14を貼り付ける装置である。保護テープ貼付装置10は、薄型の円筒状の外形を有し、一方の平面に吸着面12が形成された吸着プレート18を備えている。吸着プレート18は、吸着面12を下向きにして装置基台20の上方に配置され、図示しない吸着プレート昇降機構に上下移動可能に取付けられている。
装置基台20上の吸着プレート18の中央部と対向する位置には、水平受け面22aを有するウエハ受け台22が取付けられている。ウエハ受け台22の周囲には、互いに直径の異なるリング状の枠部材24,26,28が設けられている。枠部材24,26,28は、ウエハ受け台22を中心に同心円状に配置され、装置基台20上に下端が固定されたバネ等の弾性支持部30,32,34の上端に取付けられ、下面から支持されている。
保護テープ貼付装置10の側方には、保護テープ14を仮貼付して円形にカットするための図示しない貼付テーブルや仮貼付装置が設けられている。さらに、半導体ウエハ16を吸着プレート18の吸着面12とウエハ受け台22との間の空間に搬入する搬送ハンド等の半導体ウエハ搬送機構36が設けられている。
吸着プレート18は、図5、図6に示すように、吸着面12を有した多孔質部材38と、多孔質部材38を収容した筐体40を備えている。筐体40は、円筒状の外周壁となる同心状の側壁部40a、及び同心円状の境界壁となる隔壁部40b,40cが環状に形成されている。そして、筐体40に嵌合した多孔質部材38は、同心円状の隔壁部40b,40cに仕切られ、多孔質部材38a,38b,38cに分割されている。
多孔質部材38の最大外径は、被貼付部材である直径6,8,12インチの各半導体ウエハ16のうち、最大外径の12インチ半導体ウエハ16の表面を覆う直径よりもやや大きな外形を有している。
直径6,8,12インチの各半導体ウエハ16に対応して同心円状に分割された多孔質部材38のうち、内側の多孔質部材38aは、円盤状に形成され、6インチの半導体ウエハ16よりわずかに大きい外径に形成されている。そして、筐体40の隔壁部40bを挟んで、8インチの半導体ウエハ16よりもやや大きな外径の環状の多孔質部材38bが、筐体40の隔壁部4b,40cの間に設けられている。隔壁部40cの外側には、12インチの半導体ウエハ16よりもやや大きな外径の環状の多孔質部材38cが嵌合されている。各多孔質部材38a,38b,38cは、筐体40に嵌合し、吸着面12となる面を除いて、同心状の側壁部40a、及び隔壁部40b,40cに囲まれて密封されている。そして、吸着面12も、内側から順に3つの吸着面12a,12b,12cに分割されている。
各多孔質部材38a,38b,38cには、筐体40の各隔壁部40b,40cで仕切られた空間内に通じる3つのコネクタ42aと、各コネクタ42bに各々接続されたホース42bを介して、ポンプ42cに各々繋がれている。各多孔質部材38a,38b,38cは、吸着面12a,12b,12cを除く外側表面が筐体40の隔壁部40b,40cによって密閉されて仕切られているため、ポンプ42cの吸引力は、各吸着面12a,12b,12cの各面内全体に独立に作用可能であり、各吸着面12a,12b,12cに均等に負圧が発生する。
吸着プレート18は、吸着面12a,12b,12cを下向きにして、水平な状態で装置基台20上方に配置され、図示しない吸着プレート昇降機構によって上下移動自在に支持されている。この吸着プレート昇降機構は、移動の開始、停止、移動の速度のほか、ウエハ受け台22や後述する枠部材24,26,28に当接するときの当接圧力等を制御することができる。
装置基台20上に取付けられたウエハ受け台22は、上方の水平受け面22aが、吸着プレート18の吸着面12a,12b,12cと互いに平行になるように設けられている。ここでは、水平受け面22aの外形は、枠部材24と接触しない程度に小さい円形である。
枠部材24は、保護テープ14を6インチの半導体ウエハ16に貼り付ける場合に機能する。枠部材24は、図5及び図7に示すように、断面が略四角形の金属製で、内径が約6インチの環状に形成された枠本体24aを備えている。そして、枠本体24aの上面には、断面略円形のゴム製のOリングからなる気密保持部材24bが取り付けられている。気密保持部材24bは、環状の枠本体24aに取り付けられ、吸着プレート18の隔壁部40bとほぼ等しい外径で、かつ、6インチの半導体ウエハ16の外周形状とほぼ等しい内径で、枠本体24aに固定されている。枠本体24aの上面であって、気密保持部材24bの内側には、断面が略四角形の弾性を有する緩衝材であり気密保持機能も有した環状の支持部材24cが、6インチの半導体ウエハ16の周縁部分に沿って、その外周から外側にはみ出さない形状に固着されている。
枠部材26,28は、保護テープ14を各々8インチの半導体ウエハ16と、12インチ半導体ウエハ16に貼り付ける場合に機能するものであって、枠部材24と同様に、各々枠本体26a、気密保持部材26b,28b、及び支持部材26c,28cを備えており、対応する半導体ウエハ16の外形に合わせて各部材の内径や外径その他の形状が決定されている。さらに、枠部材24,26,28は、気密保持部材24b,26b,28b及び支持部材24c,26c,28cが、ウエハ受け台22を中心に同心円を形成するようにほぼ同一面上に配置され、装置基台20上に下端が固定された弾性支持部30,32,34の上端に取付けられて、上下動可能で水平状態に支持されている。そして、気密保持部材24b,26b,28bは、上方の吸着プレート18の隔壁壁部40b,40c、側壁部40aの端面に対して互いに対向する位置に配置される。また、枠部材24,26,28に上方から荷重を加えない初期状態では、支持部材24c,26c,28cの上面が最も高い位置にあり、次いで、気密保持部材24b,26b,28bの上端、受け台22の水平面部分22aの順に低い位置となるよう調整されている。
半導体ウエハ搬送機構36は、半導体ウエハ16を吸着プレート18の吸着面12と枠部材24,26,28の間の空間に搬入し、半導体ウエハ16の中点が吸着面12の中点と一致する位置で、ウエハ受け台22の水平受け面22aに載せて、保護テープ14表面側を吸着可能にセットする。
次に、保護テープ貼付装置10による、保護テープ14の貼付方法について説明する。ここでは、被貼付部材が8インチの半導体ウエハ16であると想定する。半導体ウエハ16は、表面に多数の回路パターンや素子などが形成され、上述の実施形態の図4に示すように、多数の凸部16aを有している。
半導体ウエハ16の表面には、予め、保護テープ14が上述の実施形態のように仮貼付されている。この保護テープ14も、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)などから成る数十μm程度の樹脂製のテープ基材14aに、薄い接合層を介して数百μm程度の厚さに熱可塑性樹脂の粘着剤14bが塗布されて形成されている。この粘着剤14bの厚さは、半導体ウエハ16表面の凸部16aより厚く、所定の温度、例えば60℃〜80℃程度の温度により軟化してゲル状になるものである。
保護テープ14が仮貼付された半導体ウエハ16は、半導体ウエハ搬送機構36によって搬入され、図8に示すように、ウエハ受け台22の水平受け面22aに載置される。このとき、半導体ウエハ16の中心点と水平受け面22aの中心が一致する位置に置かれる。そして、半導体ウエハ搬送機構36は、半導体ウエハ16を載置した後、吸着プレート18の外側に退避する。
その後、半導体ウエハ16を支持したウエハ受け台22が降下し、半導体ウエハ16の裏面の外周縁部が支持部材24c,26cに当接する。このとき、半導体ウエハ16の外周端面が、気密保持部材26bの内側に位置している。
次に、吸着プレート18が、図9に示すように、図示しない吸着プレート昇降機構によって下方に移動し、半導体ウエハ16が支持部材26cに当接して押圧する。図10は、半導体ウエハ16の周縁部分に支持部材26b上面が当接した様子の拡大図である。図10に示すように、支持部材26cは弾性を有する柔軟な素材のため、上面に半導体ウエハ16からの当接圧力が加わって圧縮され、そして、ゴム状の気密保持部材26bの上端が隔壁部40cに当接したところで圧縮が止まる。また、半導体ウエハ16を吸着した吸着プレート18は、弾性支持部32を圧縮しながら下方に移動し、ウエハ受け台22の水平受け面22aに当接したとことで静止している状態である。このとき、図10に示すように、気密保持部材26bは、その内周側の部分が半導体ウエハ16の外周側面に密着している。すなわち、半導体ウエハ16外周から外側に露出する吸着面12bの周縁部分は、半導体ウエハ16、気密保持部材26b及び隔壁部40cによって密閉された状態となる。さらに、支持部材26cも気密状態で半導体ウエハ16に接するようにすると良い。
この状態で、保護テープ14の表面は、継続してポンプ42cによりエアー吸引され、テープ基材14aの表面全体が平坦な吸着面12a,12bに密着する。エアー吸引による負圧は、吸着面12a,18bで等しくなるように設定されており、かつ、各吸着面12a,18bの面内で均等になる。特に、吸着面12bについては、上記シール性環状部材26bによる密閉効果によって、半導体ウエハ16外周から外側に露出する吸着面12bの周縁部分を含め、全体に均等な負圧を発生させることができる。
また、例えば図11に示すように、保護テープ14が、半導体ウエハ16の外周よりも大きくはみ出してカットされているときは、ゴム状の気密保持部材26bの上端は、保護テープ14を介して隔壁部40cに当接する。すなわち、半導体ウエハ16外周から外側の吸着面12b周縁部分は、半導体ウエハ16、気密保持部材26b、保護テープ14及び隔壁部40cによって密閉される状態となる。従って、上記と同様に、吸着面12b全体に、均等な負圧を発生させることができる。
この実施形態の保護テープ貼付方法と貼付装置によれば、吸着面12の全面に均等な負圧が発生し、吸着面12が半導体ウエハ16に正確に水平に押し付けられ、粘着剤14bは、保護テープ14の表面が半導体ウエハ12平面と互いに平行な状態になるように流動変形する。そして、半導体ウエハ16上の凸部16a間の隙間の細部にまで粘着剤14bがムラなく行き渡り、保護テープ14表面を、半導体ウエハ16の表面と平行で均一な平面に仕上げることができる。
また、多孔質部材38に図示しないヒータ等を取付け、吸着面12を60℃〜80℃程度に加熱すれば、粘着剤14bの粘度が低下し、上記の流動変形を短時間で完了させることができる。
なお、枠部材28は、被貼付部材が上記8インチの半導体ウエハ16bの場合は、保護テープ14の貼付動作に関与しない。すなわち、半導体ウエハ16が12インチの場合に、枠部材28が機能し、半導体ウエハ16が6インチの場合は、枠部材24のみが機能する。
以上説明したように、この実施形態の保護テープ貼付装置10によれば、半導体ウエハ16の外周部分を密閉してエアー漏れを防止することによって、保護テープ14の表面全体が均等に吸引されるので、保護テープ14表面に発生する微細な凹凸が現れるのを確実に抑え、研磨工程において半導体ウエハ16の吸着保持を安定に行うことができる。同時に半導体ウエハ16裏面の研磨面の平坦性が確保され、半導体ウエハ16に無理な力を与えず、割れ等の不良の発生を抑えることができる。
また、枠部材24,26,28の支持部分を、弾性を有する支持部材24c,26c,28cで構成することにより、半導体ウエハ16が支持部材24c,26c,28cに当接する際に、半導体ウエハ16に加わる衝撃を和らげることができる。
また、枠部材24,26,28を弾性支持部30,32,34で上下移動可能に支持することにより、半導体ウエハが受け台の水平面部分に当接する際に半導体ウエハに加わる衝撃を和らげることができると同時に、枠部材24,26,28のうち、被貼付部材である所定外形の半導体ウエハに対応する枠部材を自動的に選択し、保護テープ14を貼り付けるための所定の動作を行うことができる。
次に、この発明の貼付装置の気密保持部材の変形例について、図12を基にして説明する。ここで上述の実施形態と同様の部材は、同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態では、吸着プレート18が図示しない基台に設置され、吸着面12が上方を向いて位置している。そして、吸着面12上に保護テープが仮貼付された半導体ウエハ16が、保護テープ14を下にして載置される。
さらに半導体ウエハ16の周縁部には、環状の枠部材56が上方から載せられ、枠部材56の枠本体56aの外周壁の下端面に設けられたOリングの気密保持部材56bが吸着プレート18の筐体40の側壁部40aに当接し、その内側の支持部材56cが半導体ウエハ16の周縁部に、気密状態で当接する。
これにより、半導体ウエハ16と吸着面12の周縁部の側壁部40aとの間のエアー漏れが無くなり、確実に吸着面12を保護テープ14の表面に当接させて、均一に平面化することが出来る。
次に、この発明の貼付装置の気密保持部材の他の変形例について、図13を基にして説明する。ここで上述の実施形態と同様の部材は、同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態も、吸着プレート18が図示しない基台に設置され、吸着面12が上方を向いて位置している。そして、吸着面12上に保護テープが仮貼付された半導体ウエハ16が、保護テープ14を下にして載置される。
さらに半導体ウエハ16の周縁部には、環状のゴム等の弾性体からなり枠部材を兼用した気密保持部材58が吸着プレート18の筐体40の側壁部40aに当接するとともに、その上の半導体ウエハ16の端縁外周面に、気密状態で当接する。
この構造によっても、簡単な構成で、半導体ウエハ16と吸着面12の周縁部の側壁部40aとの間のエアー漏れが無くなり、確実に吸着面12を保護テープ14の表面に当接させて、均一に平面化することが出来る。
次に、この発明の貼付装置の気密保持部材のさらに他の変形例について、図14を基にして説明する。ここで上述の実施形態と同様の部材は、同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態も、吸着プレート18が図示しない基台に設置され、吸着面12が上方を向いて位置している。そして、吸着面12上に保護テープが仮貼付された半導体ウエハ16が、保護テープ14を下にして載置される。
さらに半導体ウエハ16の保護テープ貼付面と反対側の面の周縁部に、環状の枠部材60が設けられ、枠部材60の下面に機密保持部材である支持部材62が半導体ウエハ16の外周縁部上面に当接する。この状態で、半導体ウエハ16の周縁部が確実に気密状態で吸着プレート18上に位置する。
この構造によっても、半導体ウエハ16と吸着面12の周縁部の側壁部40aとの間のエアー漏れが無くなり、確実に吸着面12を保護テープ14の表面に当接させて、均一に平面化することが出来る。
次に、この発明の貼付装置の気密保持部材のさらに他の変形例について、図15を基にして説明する。ここで上述の実施形態と同様の部材は、同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態も、吸着プレート18が図示しない基台に設置され、吸着面12が上方を向いて位置している。そして、吸着面12上に保護テープが仮貼付された半導体ウエハ16が、保護テープ14を下にして載置される。
そして、半導体ウエハ16の裏面側には、ピストンプレート62が位置し、ピストンプレート62には、外周縁部にOリング等の気密保持部材64が取り付けられている。ピストンプレート62は、シリンダ部66に嵌合され、気密状態で、シリンダ部66とともに、吸着面12上の半導体ウエハ16を密封する。
なお、ピストンプレート62には、適宜圧力調整弁が設けられていると良い。これにより、保護テープ14に加わる圧力を一定にして、半導体ウエハ16を吸着することができる。
なお、この発明の貼付材の貼付方法は上記実施形態に限定されるものではなく、仮貼付工程における貼付材の貼付方法は、貼付材である保護テープ等の表面にしわや気泡が発生しない程度に平坦な面が形成される方法であれば、他の方法であってもよい。また、ロール状に巻かれた保護テープシートから保護テープを切り取る作業は、半導体ウエハに貼り付ける前と後のいずれであってもよい。
また、ウエハ載置テーブルや吸着装置の設定温度や、保護テープ上に吸着面を当接する当接荷重は、保護テープのテープ基材や粘着層の材質などに合わせて適宜設定可能なものである。保護テープを加熱しなくても所望の仕上がり状態が得られる場合には、ウエハ載置テーブルや吸着装置は、電気ヒータ等の加熱装置を内蔵しないものを用いてもよい。また、粘着層の流動変形がより加速されるように、当接荷重に微振動を重畳させてもよい。
また、多孔質部材は、連続的な気泡穴が無数に内在する多孔質性を備え、上記の当接荷重などで変形しない硬度や強度を有するものであれば、セラミック材以外の合成樹脂材、その他無機系の成形体などであってもよい。また、素材の細孔径や気孔率などは、保護テープ上に作用する単位面積当たりの吸引力が所望の値になるよう適宜設定可能なものである。また、所定の吸着面が形成され、吸着面全体に均等な吸引力を発生させることができる構造体であれば、多孔質部材と異なる構造の他の面吸着体であってもよい。
また、複数種類の大きさの半導体ウエハは、3種類に限定されず、任意の種類のサイズの半導体ウエハに対応した装置にすることも可能である。
また、枠部材は、必ずしも環状に連続している必要はなく、枠本体の上面の所定の箇所に設けられ、半導体ウエハを下方からバランスよく安定に支持できる形態であればよい。
さらに、吸着面を加熱する加熱温度や、保護テープ上に吸着面を当接する当接圧力等は、保護テープのテープ基材や粘着剤の材質などに合わせて適宜設定可能なものである。また、粘着剤の流動変形がより加速されるように、当接圧力に微振動を重畳させてもよい。その他、各部材の形状や素材などは、適宜変更可能である。

Claims (13)

  1. 被貼付部材の表面に、薄い貼付材を貼り付け、この貼付材の表面に多数の吸着孔を有し所定形状の吸着面を備えた吸着体を当接させ、前記吸着体前により前記貼付材を吸着し、前記貼付材表面を前記吸着体の吸着面形状に倣わせることを特徴とする貼付材の貼付方法。
  2. 半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ表面の素子を保護する貼付材である保護テープを前記半導体ウエハ表面に貼付する際に、前記保護テープの熱可塑性樹脂から成る粘着剤を一旦前記半導体ウエハの表面に仮貼付した後、表面に多数の吸着孔を有し前記半導体ウエハ表面を覆うサイズもしくはそれより大きなサイズの平面状の吸着面が形成された吸着体を、前記半導体ウエハと平行に向き合う位置に配置し、前記吸着体の前記吸着面を所定の荷重で前記保護テープ表面に当接させ、前記吸着面に負圧を発生させて、前記保護テープ表面の前記吸着面に接した部分及び前記粘着剤を、前記吸着面側へ吸引して、前記保護テープを前記吸着面の平面に倣わせて貼付することを特徴とする貼付材の貼付方法。
  3. 前記吸着体の前記吸着面は、前記半導体ウエハ表面と互いに平行に位置する請求項2記載の貼付方法。
  4. 前記吸着体は、前記粘着剤の熱可塑性樹脂が軟化する温度に加温され、前記吸着体に前記保護テープを当接させて、前記粘着剤を軟化させる請求項2記載の貼付材の貼付方法。
  5. 多数の吸着孔を有して平面状に形成され被貼付部材の表面を覆う大きさの吸着面が形成された吸着体と、
    前記吸着体を保持して前記吸着面を除く表面全体が密閉された吸着部材と、
    前記吸着体内の空気を吸引して前記吸着面の吸着孔を負圧にする吸引用のポンプとを備え、
    前記被貼付部材表面に前記貼付材を貼付し、前記吸着部材の前記吸着面を前記貼付材に当接させ、前記ポンプにより前記貼付材の表面を前記吸着面側へ吸引して、前記被貼付部材表面の前記貼付材を、前記吸着面の形状に倣わせることを特徴とする貼付装置。
  6. 前記被貼付部材表面に前記貼付材を貼付し、前記吸着部材の前記吸着面を前記貼付材に当接させた状態で、前記貼付材の外周縁部に当接して前記被貼付部材の外周縁部を囲んで前記吸着面を前記貼付材とともに密封する気密保持部材を備えた請求項5記載の貼付装置。
  7. 半導体ウエハの表面及び該半導体ウエハ表面の素子を保護する保護テープを、前記半導体ウエハ表面に粘着剤を介して貼付する貼付装置において、
    多数の吸着孔を有して平面状に形成され前記半導体ウエハの表面を覆う大きさの吸着面が形成された吸着体と、前記吸着体の側周面を覆う側壁部が設けられ前記吸着体の前記吸着面を除く表面全体を密閉した筐体とから成る吸着プレートを備え、
    前記吸着体内の空気を吸引して前記吸着面の吸着孔を負圧にする吸引用のポンプと、
    前記半導体ウエハ表面に予め仮貼付された前記保護テープ表面に前記吸着面を当接させた状態で、前記半導体ウエハの外周縁部に当接するとともに、前記吸着プレートに直接又は間接的に当接して、前記吸着面に対面した前記半導体ウエハの前記外周縁部を囲んで前記吸着面を密封する気密保持部材を備え、
    前記半導体ウエハ表面に前記保護テープが貼付けられ前記吸着プレートに対面した状態で、前記保護テープの表面を前記吸着面側へ吸引して、前記半導体ウエハ表面の前記保護テープを、前記吸着面の平面に倣わせることを特徴とする貼付装置。
  8. 前記気密保持部材は、環状の枠部材に取り付けられ、前記吸着プレートの周縁部と前記半導体ウエハに当接して前記吸着面を密封する請求項7記載の貼付装置。
  9. 前記気密保持部材は、前記半導体ウエハの周縁部を押圧して前記吸着面を密封する請求項7記載の貼付装置。
  10. 前記吸着体は、多孔質材料から成る請求項7記載の貼付装置。
  11. 前記吸着体は、前記吸着面を前記保護テープの前記粘着剤が軟化する温度に加熱する加熱手段を備えた請求項7記載の貼付装置。
  12. 前記吸着体は、異なる大きさの前記半導体ウエハに各々対応した外形を有し同心状に複数配置され、
    前記吸着プレートは、異なる大きさの各半導体ウエハの各外周形状に各々対応した形状に形成され、複数の前記吸着体の側周面を覆う隔壁部を有し、前記吸着体の前記吸着面を除く表面全体を密閉した筐体を備え、
    前記気密保持部材は、前記吸着面と対向する所定の位置に配置され、異なる大きさの前記半導体ウエハに各々対応した外形を有して複数設けられた請求項7記載の貼付装置。
  13. 前記保護テープの仮貼付を行う貼付テーブルと、前記半導体ウエハの前記保護テープを吸引する前記吸着プレートを水平方向に異なる位置に配置し、前記保護テープが仮貼付された前記半導体ウエハを、前記吸着プレートの前記吸着面と対向する位置に搬送する半導体ウエハ搬送機構を備えた請求項7記載の貼付装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104221131B (zh) * 2012-09-07 2016-12-21 富士电机株式会社 半导体元件的制造方法
JP2016102048A (ja) * 2014-11-13 2016-06-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ方法並びにスクライブ装置
DE102014227005B4 (de) * 2014-12-29 2023-09-07 Disco Corporation Verfahren zum Aufteilen eines Wafers in Chips
JP6576786B2 (ja) * 2015-10-19 2019-09-18 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
KR102499977B1 (ko) 2016-07-13 2023-02-15 삼성전자주식회사 접착 테이프 부착 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
DE102018214337A1 (de) * 2018-08-24 2020-02-27 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186522A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2005340311A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Tsubaki Seiko:Kk テープ接着装置およびテープ接着方法
WO2006040848A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Tsubaki Seiko Inc. テープ接着装置およびテープ接着方法
JP2006222231A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Tsubaki Seiko:Kk テープ接着装置およびテープ接着方法
JP2007258210A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Nitto Denko Corp 基板貼合せ方法およびこれを用いた装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186522A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2005340311A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Tsubaki Seiko:Kk テープ接着装置およびテープ接着方法
WO2006040848A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Tsubaki Seiko Inc. テープ接着装置およびテープ接着方法
JP2006222231A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Tsubaki Seiko:Kk テープ接着装置およびテープ接着方法
JP2007258210A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Nitto Denko Corp 基板貼合せ方法およびこれを用いた装置

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