JPWO2008136404A1 - 光学部材、干渉計システム、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

光学部材は、第１方向に関する位置情報を計測するために光が照射される。光学部材は、第１方向と交差する第２方向に進行する光が入射する第１反射面と、第２方向に進行する光が入射する第２反射面とを備える。第１反射面と第２反射面とは光学的に接続され、第１反射面及び第２反射面の一方で反射した光は他方に入射する。

Description

本発明は、光学部材、干渉計システム、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００７年４月２７日に出願された特願２００７−１２０３３５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

リソグラフィ工程で用いられる露光装置は、露光光が照射される感光性の基板を保持しながら移動するステージを備えている。ステージの位置情報は、干渉計システムによって計測される場合が多い。下記特許文献には、干渉計システムに関する技術の一例が開示されている。
特開２００５−２３３９６６号公報 国際公開第２００７／００１０１７号パンフレット

干渉計システムは、ステージに配置された光学部材の反射面に光（ビーム）を照射し、その反射面で反射した光を用いて、ステージの位置情報を計測する。ステージに配置される光学部材が大型化すると、ステージの重量が増える可能性が高くなる。その結果、例えばステージの加速性能が低下したり、ステージを移動するための駆動装置にかかる負荷が大きくなったりする可能性がある。

本発明の態様は、大型化を抑制でき、ステージ等の移動体の位置計測を良好に実行できる光学部材を提供することを目的とする。別の目的は、大型化を抑制でき、移動体の位置計測を良好に実行できる干渉計システム、及びその干渉計システムを備えたステージ装置、露光装置を提供することを目的とする。他の目的は、デバイスを良好に製造できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、第１方向（Ｚ）に関する位置情報を計測するために光（Ｂ１、Ｂ２）が照射される光学部材であって、第１方向（Ｚ）と交差する第２方向（Ｙ）に進行する光（Ｂ１）が入射する第１反射面（２１）と、第２方向（Ｙ）に進行する光（Ｂ２）が入射する第２反射面（２２）と、を備え、第１反射面（２１）と第２反射面（２２）とは光学的に接続され、第１反射面（２１）及び第２反射面（２２）の一方で反射した光は他方に入射する光学部材（２０）が提供される。

本発明の第１の態様によれば、大型化を抑制でき、移動体の位置計測を良好に実行できる。

本発明の第２の態様に従えば、第１方向（Ｚ）に関する移動体（２）の位置情報を計測する干渉計システムであって、測定光（Ｂ１）を射出する第１射出部（３１）と、参照光（Ｂ２）を射出する第２射出部（３２）と、移動体（２）に配置され、第１方向（Ｚ）と交差する第２方向（Ｙ）に進行する第１射出部（３１）からの測定光（Ｂ１）が入射する第１反射面（２１）と、移動体（２）に配置され、第２方向（Ｙ）に進行する第２射出部（３２）からの参照光（Ｂ２）が入射する第２反射面（２２）と、第２反射面（２２）と光学的に接続され、第１位置で実質的に動かない第３反射面（２３）と、第１反射面（２１）と光学的に接続され、第２位置で実質的に動かない第４反射面（２４）と、を備え、第１反射面（２１）と第２反射面（２２）とは光学的に接続され、第１反射面（２１）及び第２反射面（２２）の一方で反射した光は他方に入射する干渉計システム（１３）が提供される。

本発明の第２の態様によれば、大型化を抑制でき、移動体の位置計測を良好に実行できる。

本発明の第３の態様に従えば、第１方向（Ｚ）と実質的に垂直な所定面内（ＸＹ平面内）を移動可能なステージ（２）と、ステージ（２）に配置された第１の態様の光学部材（２０）と、を備えたステージ装置が提供される。

本発明の第３の態様によれば、ステージが良好に移動できる。

本発明の第４の態様に従えば、第１方向（Ｚ）と実質的に垂直な所定面内（ＸＹ平面内）を移動可能なステージ（２）と、第１方向（Ｚ）に関してステージ（２）の位置情報を計測するために、第２の態様の干渉計システム（１３）と、を備えたステージ装置が提供される。

本発明の第４の態様によれば、ステージが良好に移動できる。

本発明の第５の態様に従えば、パターンを有するマスク（Ｍ）を介した露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、マスク（Ｍ）を保持しながら移動するマスクステージ（１）と、基板（Ｐ）を保持しながら移動する基板ステージ（２）と、を備え、マスクステージ（１）及び基板ステージ（２）の少なくとも一方は、第３及び第４の態様のステージ装置を含む露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第５の態様によれば、良好に移動できるステージ装置を用いて基板を露光できる。

本発明の第６の態様に従えば、第５の態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様によれば、デバイスを良好に製造できる。

本発明の第７の態様に従えば、第１軸に沿った移動体の位置を計測する干渉計システムが提供される。干渉計システムは、前記第１軸、前記第１軸と交差する第２軸、及び前記第１軸及び前記第２軸と交差する第３軸を含む座標系と；前記移動体に配置された第１部材と；前記第２軸に沿って前記移動体から離間して配置された第２部材及び第３部材と；測定ビーム用の第１ルートであり、前記第３軸周りに前記測定ビームが曲がる、前記第１部材での連続する２回の反射と、前記第１部材からの前記測定ビームが前記第１部材に戻る、前記第２部材での少なくとも１回の反射と、を含む前記第１ルートと；参照ビーム用の第２ルートであり、前記第３軸周りに前記参照ビームが曲がる、前記第１部材での連続する２回の反射と、前記第１部材からの前記参照ビームが前記第１部材に戻る、前記第３部材での少なくとも１回の反射と、を含む前記第２ルートと；を備える。

本発明によれば、装置の大型化を抑制でき、移動体の位置計測を良好に実行でき、所望のデバイスを製造できる。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る干渉計システムを説明するための斜視図である。 本実施形態に係る光学部材を示す図である。 本実施形態に係るＺ干渉計システムを示す斜視図である。 本実施形態に係るＺ干渉計システムを示す概略構成図である。 比較例を示す図である。 本実施形態に係る光学部材の変形例を示す図である。 Ｚ干渉計システムの他の例を模式的に示す斜視図である。 ルーフミラーの一例を示す模式図である。 ルーフミラーの他の例を示す模式図である。 ルーフミラーの他の例を示す模式図である。 基板ステージの姿勢が変化したときの干渉計システムにおけるビームの光路の変化を模式的に示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…マスクステージ、２…基板ステージ、３…計測システム、３Ｍ…マスクステージ側干渉計システム、３Ｐ…基板ステージ側干渉計システム、４…制御装置、１３…Ｚ干渉計システム、２０…光学部材、２１…第１反射面、２２…第２反射面、２３…第３反射面、２４…第４反射面、４０…光源、５０…光学系、５１…偏光ビームスプリッタ、６０…光検出器、Ｂ１…測定ビーム、Ｂ２…参照ビーム、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンを有するマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動可能な第１駆動システム１Ｄと、基板ステージ２を移動可能な第２駆動システム２Ｄと、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計を含む計測システム３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。

なお、ここでいう基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐには、感光膜とは別に保護膜（トップコート膜）等の各種の膜が形成されていてもよい。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

本実施形態においては、露光装置ＥＸが、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である場合を例にして説明する。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子５の像面側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳが形成される。なお、露光光ＥＬの光路空間は、露光光ＥＬが通過する光路を含む空間である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

露光装置ＥＸは、液浸空間ＬＳを形成するための液浸部材６を備えている。液浸部材６は、終端光学素子５の近傍に配置されている。液浸部材６としては、例えば国際公開第２００６／１０６９０７号パンフレット等に開示されているものを用いることができる。液浸空間ＬＳは、終端光学素子５及び液浸部材６と、終端光学素子５及び液浸部材６と対向する位置に配置された物体との間に形成される。本実施形態においては、終端光学素子５及び液浸部材６と対向する位置に配置可能な物体は、基板ステージ２、あるいは基板ステージ２に保持されている基板Ｐを含む。

本実施形態においては、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。

本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、Ｚ軸とほぼ平行な投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（露光光ＥＬの光路）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム１Ｄにより、マスクＭを保持しながら移動可能である。マスクステージ１は、照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射される位置を含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射される位置は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと交わる位置を含む。また、マスクステージ１に保持されているマスクＭも、照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射される位置を含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫに保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム２Ｄにより、基板Ｐを保持しながら移動可能である。基板ステージ２は、ベース部材７上を移動する。ベース部材７は、基板ステージ２を移動可能に支持するガイド面７Ｇを有する。ガイド面７Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２は、終端光学素子５（投影光学系ＰＬ）からの露光光ＥＬが照射される位置を含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、終端光学素子５からの露光光ＥＬが照射される位置は、終端光学素子５の射出面５Ｋと対向する位置を含み、終端光学素子５の光軸（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ）と交わる位置を含む。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐも、終端光学素子５（投影光学系ＰＬ）からの露光光ＥＬが照射される位置を含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持する基板ホルダ２Ｈと、基板ホルダ２Ｈの周囲に配置された上面２Ｔとを有する。基板ステージ２の上面２Ｔは、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。基板ホルダ２Ｈは、基板ステージ２上に設けられた凹部２Ｃに配置されている。基板ホルダ２Ｈは、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ホルダ２Ｈに保持された基板Ｐの表面と基板ステージ２の上面２Ｔとは、ほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。

次に、計測システム３について説明する。計測システム３は、マスクステージ１の位置情報、及び基板ステージ２の位置情報を計測する。計測システム３は、複数のレーザ干渉計を含む。計測システム３は、マスクステージ１の位置情報を計測するマスクステージ用干渉計システム３Ｍと、基板ステージ２の位置情報を計測する基板ステージ用干渉計システム３Ｐとを含む。

図２は、基板ステージ２及び基板ステージ用干渉計システム３Ｐを示す概略斜視図である。基板ステージ用干渉計システム３Ｐは、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測するＸ干渉計システム１１と、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測するＹ干渉計システム１２と、Ｚ軸方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測するＺ干渉計システム１３とを有する。

基板ステージ２は、Ｘ軸方向に関する位置情報を計測するためにＸ干渉計システム１１からのレーザビームＢＸが照射されるＸ反射面１４と、Ｙ軸方向に関する位置情報を計測するためにＹ干渉計システム１２からのレーザビームＢＹが照射されるＹ反射面１５と、Ｚ軸方向に関する位置情報を計測するためにＺ干渉計システム１３からのレーザビームが照射される光学部材２０とを備えている。

Ｘ反射面１４は、Ｘ軸と垂直な面である。換言すれば、Ｘ反射面１４は、ＹＺ平面と平行な面である。Ｘ干渉計システム１１は、Ｘ軸を計測軸とする。Ｘ干渉計システム１１からのレーザビームＢＸは、Ｘ軸方向に進行して、Ｘ反射面１４に入射する。Ｘ干渉計システム１１は、Ｘ反射面１４で反射したレーザビームＢＸを受光して、Ｘ軸方向に関するＸ反射面１４の位置情報を計測する。

Ｙ反射面１５は、Ｙ軸と垂直な面である。換言すれば、Ｙ反射面１５は、ＸＺ平面と平行な面である。Ｙ干渉計システム１２は、Ｙ軸を計測軸とする。Ｙ干渉計システム１２からのレーザビームＢＹは、Ｙ軸方向に進行して、Ｙ反射面１５に入射する。Ｙ干渉計システム１２は、Ｙ反射面１５で反射したレーザビームＢＹを受光して、Ｙ軸方向に関するＹ反射面１５の位置情報を計測する。

Ｚ干渉計システム１３は、Ｚ軸方向に関する位置情報を計測するために、光学部材２０にレーザビームを照射する。Ｚ干渉計システム１３からのレーザビームは、測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２を含む。本実施形態においては、光学部材２０は、基板ステージ２の＋Ｙ側の側面に配置されている。

図３は、光学部材２０の側面図である。光学部材２０は、Ｙ軸方向に進行する測定ビームＢ１が入射する第１反射面２１と、Ｙ軸方向に進行する参照ビームＢ２が入射する第２反射面２２とを備えている。第１反射面２１と第２反射面２２とは光学的に接続されており、第１反射面２１及び第２反射面２２の一方で反射した光は他方に入射する。

具体的には、第１反射面２１は、Ｘ軸とＺ軸とを含むＸＺ平面をＸ軸周りに第１の角度θ１を傾けた面と平行である。第２反射面２２は、Ｘ軸とＺ軸とを含むＸＺ平面をＸ軸周りに第２の角度θ２を傾けた面と平行である。第１反射面２１と第２反射面２２とがなす角度θ（第１反射面２１と第２反射面２２との間の角度）は、９０度以外であって、１８０度よりも小さい。本実施形態においては、角度θは、例えば、９０度を除き、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、又は１８０度未満にできる。好ましくは、角度θは、９０度以外であって、８０度以上１００、１１０、１２０、又は１３０度以下にできる。より好ましくは、角度θは、約９１度以上１００度以下にできる。例えば、角度θは、約９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、又は１００度にできる。上記数値は一例であって、所定範囲内で、他の数値を適用可能である。

本実施形態において、θ１とθ２は同じにできる。他の実施形態において、θ１とθ２とを互いに異なるようにできる。θ１及びθ２は、例えば、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、又は９０度未満にできる。好ましくは、その角度は、２５、３０、３５、又は４０度以上かつ５０度以下にできる。より好ましくは、その角度は、約４０度以上４５度以下にできる。例えば、その角度は、約４０、４０．５、４１、４１．５、４２、４２．５、４３、４３．５、４４、４４．５、又は４５度にできる。上記数値は一例であって、所定範囲内で、他の数値を適用可能である。

本実施形態において、光学部材２０での連続する２回のビーム反射は、好ましくは、Ｘ軸周りの合計回転量が１８０°を除き、１６０°以上２６０°以下にできる。より好ましくは、合計回転量は、１８２°以上２００°以下にできる。例えば、θは、約１８２、１８４、１８６、１８８、１９０、１９２、１９４、１９６、１９８、又は２００°にできる。上記数値は一例であって、所定範囲内で、他の数値を適用可能である。

図４は、Ｚ干渉計システム１３を示す概略斜視図、図５は、Ｚ干渉計システム１３を示す概略構成図である。図４及び図５において、Ｚ干渉計システム１３は、測定ビームＢ１を射出する第１射出部３１と、参照ビームＢ２を射出する第２射出部３２と、光学部材２０の第２反射面２２と光学的に接続され、第１位置でほぼ動かない第３反射面２３と、光学部材２０の第１反射面２１と光学的に接続され、第２位置でほぼ動かない第４反射面２４とを備えている。第１位置は、光学部材２０に対して−Ｚ側であって、第１反射面２１と対向する位置を含む。第２位置は、光学部材２０に対して＋Ｚ側であって、第２反射面２２と対向する位置を含む。換言すると、第３反射面２３及び第４反射面２４は、Ｚ軸に沿った光学部材２０の光学的な中心位置を通るＸＹ面を挟んで、両側に分かれて配置されている。Ｚ干渉計システム１３は、光学部材２０に測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２を照射し、光学部材２０からの測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２を受光して、測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２に基づく干渉情報を取得する。

第１射出部３１から射出される測定ビームＢ１は、Ｙ軸方向（−Ｙ方向）に進行し、光学部材２０の第１反射面２１に入射する。第２射出部３２から射出される参照ビームＢ２は、Ｙ軸方向（−Ｙ方向）に進行し、光学部材２０の第２反射面２２に入射する。

第３反射面２３は、第１位置でほぼ動かないように配置されている。本実施形態においては、第３反射面２３は、ほぼ動かないように所定の支持機構に固定された固定部材２３Ｂに配置されている。

第３反射面２３は、Ｘ軸とＺ軸とを含むＸＺ平面をＸ軸周りに所定角度を傾けた面と平行である。第３反射面２３は、第１反射面２１と対向し、第２反射面２２と光学的に接続されている。

第４反射面２４は、第２位置でほぼ動かないように配置されている。本実施形態においては、第４反射面２４は、ほぼ動かないように所定の支持機構に固定された固定部材２４Ｂに配置されている。

第４反射面２４は、Ｘ軸とＺ軸とを含むＸＺ平面をＸ軸周りに所定角度を傾けた面と平行である。第４反射面２４は、第２反射面２２と対向し、第１反射面２１と光学的に接続されている。

本実施形態においては、Ｚ干渉計システム１３は、所謂ダブルパス方式のレーザ干渉計システムであって、レーザビームＬＢを射出する光源４０と、第３反射面２３との間で測定ビームＢ１を少なくとも２往復させるとともに、第４反射面２４との間で参照ビームＢ２を少なくとも２往復させる光学系５０と、光検出器６０とを備えている。

光学系５０は、光源４０より射出されたレーザビームＬＢを測定ビームＢ１と参照ビームＢ２とに分離する偏光ビームスプリッタ５１と、偏光ビームスプリッタ５１と第１反射面２１との間の光路上に配置されたλ／４板５２（５２Ａ、５２Ｂ）と、偏光ビームスプリッタ５１と第２反射面２２との間の光路上に配置されたλ／４板５４（５４Ａ、５４Ｂ）と、偏光ビームスプリッタ５１の＋Ｚ側に配置されたコーナーキューブ５５と、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｚ側に配置された反射面５３を有する反射ミラー５３Ｂとを備えている。

光源４０から射出されたレーザビームＬＢは、偏光ビームスプリッタ５１に入射する。偏光ビームスプリッタ５１は、入射したレーザビームＬＢを、第１偏光状態の測定ビームＢ１と、第２偏光状態の参照ビームＢ２とに分離する偏光分離面５１Ｓを有する。光源４０より射出され、偏光ビームスプリッタ５１に入射したレーザビームＬＢは、第１偏光状態の測定ビームＢ１と、第２偏光状態の参照ビームＢ２とに分離される。参照ビームＢ２は、偏光分離面５１Ｓで反射して、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｚ側の面より射出される。測定ビームＢ１は、偏光分離面５１Ｓを通過して、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｙ側の面より射出される。以下の説明では、一例として、偏光ビームスプリッタ５１（偏光分離面５１Ｓ）が、光源４０からのレーザビームＬＢを、Ｐ偏光状態の測定ビームＢ１と、Ｓ偏光状態の参照ビームＢ２とに分離する場合を例にして説明する。

偏光分離面５１Ｓを通過して、−Ｙ方向に進行するＰ偏光状態の測定ビームＢ１は、λ／４板５２（５２Ａ）を通過して、円偏光状態の光に変換された後、第１反射面２１に照射される。

第１反射面２１に照射され、第１反射面２１で反射した測定ビームＢ１は、第２反射面２２に入射する。第２反射面２２に入射し、第２反射面２２で反射した測定ビームＢ１は、第３反射面２３に入射する。

第３反射面２３は、平面であり、第２反射面２２からの測定ビームＢ１は、第３反射面２３にほぼ垂直に入射する。第３反射面２３に入射した測定ビームＢ１は、第３反射面２３で反射し、第２反射面２２に入射する。第２反射面２２に照射され、第２反射面２２で反射した測定ビームＢ１は、第１反射面２１に入射する。第１反射面２１に入射し、第１反射面２１で反射した測定ビームＢ１は、＋Ｙ方向に進行し、λ／４板５２（５２Ａ）を再び通過して、Ｓ偏光状態の光に変換された後、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｙ側の面より偏光ビームスプリッタ５１に再入射する。

偏光ビームスプリッタ５１に再入射したＳ偏光状態の測定ビームＢ１は、偏光分離面５１Ｓで反射して、＋Ｚ方向に進行し、偏光ビームスプリッタ５１の＋Ｚ側の面より射出され、コーナーキューブ５５に入射する。コーナーキューブ５５に入射した測定ビームＢ１は、コーナーキューブ５５の内部で＋Ｘ方向に進行した後、−Ｚ方向に進行して、コーナーキューブ５５の−Ｚ側の面より射出される。コーナーキューブ５５の−Ｚ側の面より射出された測定ビームＢ１は、偏光ビームスプリッタ５１の＋Ｚ側の面に入射し、偏光分離面５１Ｓで反射した後、−Ｙ方向に進行して、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｙ側の面より射出される。偏光分離面５１Ｓで反射して、−Ｙ方向に進行するＳ偏光状態の測定ビームＢ１は、λ／４板５２（５２Ｂ）を通過して、円偏光状態の光に変換された後、第１反射面２１に照射される。

第１反射面２１に照射され、第１反射面２１で反射した測定ビームＢ１は、第２反射面２２に入射する。第２反射面２２に入射し、第２反射面２２で反射した測定ビームＢ１は、第３反射面２３に入射する。第３反射面２３に入射した測定ビームＢ１は、第３反射面２３で反射し、第２反射面２２に入射する。第２反射面２２に照射され、第２反射面２２で反射した測定ビームＢ１は、第１反射面２１に入射する。第１反射面２１に入射し、第１反射面２１で反射した測定ビームＢ１は、＋Ｙ方向に進行し、λ／４板５２（５２Ｂ）を再び通過して、Ｐ偏光状態の光に変換された後、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｙ側の面より偏光ビームスプリッタ５１に再入射する。

偏光ビームスプリッタ５１に再入射したＰ偏光状態の測定ビームＢ１は、偏光分離面５１Ｓを通過して、＋Ｙ側の面より射出され、光検出器６０に入射する。

一方、光源４０より射出され、偏光分離面５１Ｓで反射したＳ偏光状態の参照ビームＢ２は、−Ｚ方向に進行し、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｚ側の面より射出され、反射面５３で反射して、−Ｙ方向に進行して、λ／４板５４（５４Ａ）に入射する。−Ｙ方向に進行するＳ偏光状態の参照ビームＢ２は、λ／４板５４（５４Ａ）を通過して、円偏光状態の光に変換された後、第２反射面２２に照射される。

第２反射面２２に照射され、第２反射面２２で反射した参照ビームＢ２は、第１反射面２１に入射する。第１反射面２１に入射し、第１反射面２１で反射した参照ビームＢ２は、第４反射面２４に入射する。

第４反射面２４は、平面であり、第１反射面２１からの参照ビームＢ２は、第４反射面２４にほぼ垂直に入射する。第４反射面２４に入射した参照ビームＢ２は、第４反射面２４で反射し、第１反射面２１に入射する。第１反射面２１に照射され、第１反射面２１で反射した参照ビームＢ２は、第２反射面２２に入射する。第２反射面２２に入射し、第２反射面２２で反射した参照ビームＢ２は、＋Ｙ方向に進行し、λ／４板５４（５４Ａ）を再び通過して、Ｐ偏光状態の光に変換された後、反射面５３を介して、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｚ側の面より偏光ビームスプリッタ５１に再入射する。

偏光ビームスプリッタ５１に再入射したＰ偏光状態の参照ビームＢ２は、偏光分離面５１Ｓを通過して、＋Ｚ方向に進行し、偏光ビームスプリッタ５１の＋Ｚ側の面より射出され、コーナーキューブ５５に入射する。コーナーキューブ５５に入射した参照ビームＢ２は、コーナーキューブ５５の内部で＋Ｘ方向に進行した後、−Ｚ方向に進行して、コーナーキューブ５５の−Ｚ側の面より射出される。コーナーキューブ５５の−Ｚ側の面より射出された参照ビームＢ２は、偏光ビームスプリッタ５１の＋Ｚ側の面に入射し、偏光分離面５１Ｓを通過した後、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｚ側の面より射出される。偏光分離面５１Ｓを通過して、−Ｚ方向に進行するＰ偏光状態の参照ビームＢ２は、反射面５３で反射して、−Ｙ方向に進行する。−Ｙ方向に進行する参照ビームＢ２は、λ／４板５４（５４Ｂ）を通過して、円偏光状態の光に変換された後、第２反射面２２に照射される。

第２反射面２２に照射され、第２反射面２２で反射した参照ビームＢ２は、第１反射面２１に入射する。第１反射面２１に入射し、第１反射面２１で反射した参照ビームＢ２は、第４反射面２４に入射する。第４反射面２４に入射した参照ビームＢ２は、第４反射面２４で反射し、第１反射面２１に入射する。第１反射面２１に照射され、第１反射面２１で反射した参照ビームＢ２は、第２反射面２２に入射する。第２反射面２２に入射し、第２反射面２２で反射した参照ビームＢ２は、＋Ｙ方向に進行し、λ／４板５４（５４Ｂ）を再び通過して、Ｓ偏光状態の光に変換された後、反射面５３を介して、偏光ビームスプリッタ５１の−Ｚ側の面より偏光ビームスプリッタ５１に再入射する。

偏光ビームスプリッタ５１に再入射したＳ偏光状態の参照ビームＢ２は、偏光分離面５１Ｓで反射して、＋Ｙ側の面より射出され、光検出器６０に入射する。

光検出器６０は、偏光ビームスプリッタ５１からの測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２を受光する。Ｚ干渉計システム１３は、光検出器６０に入射した測定ビームＢ１と参照ビームＢ２とに基づいて、Ｚ軸方向に関する基板ステージ２（光学部材２０）の位置情報を計測する。Ｚ軸方向に関する基板ステージ２（光学部材２０）の位置が変化すると、測定ビームＢ１、参照ビームＢ２の光路長が変化する。Ｚ干渉計システム１３は、その光路長の変化に基づいて、Ｚ軸方向に関する基板ステージ２（光学部材２０）の位置情報を計測する。

基板Ｐを露光するとき、制御装置４は、計測システム３を用いて、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測しつつ、マスクＭ及び基板Ｐを移動しながら、基板Ｐ上のショット領域を露光する。制御装置４は、マスクステージ用干渉計システム３Ｍの計測結果に基づいて第１駆動システム１Ｄを駆動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行うとともに、基板ステージ側干渉計システム３Ｐの計測結果に基づいて第２駆動システム２Ｄを駆動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行いながら、基板Ｐを露光する。

以上説明したように、本実施形態によれば、Ｚ干渉計システム１３及び光学部材２０を用いて、Ｚ軸方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測することができる。また、本実施形態によれば、光学部材２０の大型化が抑制される。

図６は、比較例を示す図である。図６において、光学部材２０Ｊの第１反射面２１Ｊと第２反射面２２Ｊとがなす角度θは１８０度よりも大きい。図６に示す例においても、光学系５０が配置されており、測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２は、光学部材２０Ｊとの間で２往復する。図６に示す例において、例えば、基板ステージ２（光学部材２０Ｊ）がθＸ方向に回転した場合、第１反射面２１Ｊに１回目に照射される測定ビームＢ１の位置に対して、２回目に照射される測定ビームＢ１の位置が、大きく変化する可能性がある。同様に、基板ステージ２（光学部材２０Ｊ）がθＸ方向に回転した場合、第２反射面２２Ｊに１回目に照射される参照ビームＢ２の位置に対して、２回目に照射される参照ビームＢ２の位置が、大きく変化する可能性がある。その場合、測定ビームＢ１、参照ビームＢ２を、第１反射面２１Ｊ、第２反射面２２Ｊで良好に反射するために、光学部材２０Ｊを大型化する必要がある。その場合、基板ステージ２の重量が増え、基板ステージ２の加速性能が低下したり、第２駆動システム２Ｄにかかる負荷が大きくなったりする可能性がある。また、偏光ビームスプリッタ５１等を含む光学系５０を大型化する必要が生じる可能性もある。

本実施形態においては、第１反射面２１と第２反射面２２とがなす角度θが１８０度よりも小さい光学部材２０、所謂ルーフ型の光学部材２０を用いているので、光学部材２０の大型化を抑制しつつ、光学部材２０（基板ステージ２）の位置計測を良好に実行できる。

また、本実施形態において、Ｚ干渉計システム１３は、所謂ダブルパス方式であり、コーナーキューブ５５を用いて、入射した測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２をＸ軸方向にシフトする。ダブルパス方式を採用することにより、Ｘ軸方向に関して測定ビームＢ１及び参照ビームＢ２が大きくシフトすることを抑制でき、Ｚ干渉計システム１３の大型化を抑制できる。

なお、図７に示すように、光学部材２０Ｂが、第１反射面２１と、第２反射面２２と、Ｙ軸に垂直な反射面（ＸＺ面にある）１５Ｂとを備えていてもよい。このような光学部材２０Ｂを用いることによって、Ｙ干渉計システム１２Ｂは、光学部材２０ＢのＹ反射面１５Ｂを用いて、Ｙ軸方向に関する位置計測を実行できる。基板ステージ２に、光学部材２０Ｂとは別に反射面を設け、それに対応したＹ干渉計システムで得られたＹ軸方向に関する位置に関する情報と、反射面１５Ｂとそれに対応したＹ干渉計システム１２Ｂで得られた計測結果とに基づいて、基板ステージ２のθＸ方向の変位を求めるようにしてもよい。Ｚ干渉計システム１３は、光学部材２０Ｂの第１反射面２１及び第２反射面２２を用いて位置計測処理を実行できる。また、反射面１５ＢがＸ軸と垂直となるように光学部材２０Ｂを配置することによって、Ｘ軸方向に関する位置計測を実行できる。

図８は、図７に示すような光学部材２０Ｂを用いたＺ干渉計システム１３を示す模式的な斜視図である。

本実施形態において、Ｚ干渉計システム１３は、図８に示すように、偏光ビームスプリッタ５１、１／４波長板５２，５４、反射ミラー５３Ｂ、コーナーキューブ５５、移動鏡としての光学部材２０Ｂ、及び固定鏡としてのルーフミラー２５４，２５５を含み、さらに必要に応じて、ビームの光軸を調整するための調整機構２５６，２５７，２５８，２５９を含む。

本実施形態において、調整機構２５６，２５７，２５８はそれぞれ、対面配置される２つの光学素子と、各光学素子を保持・固定するための固定具（不図示）とを含む。各調整機構２５６，２５７，２５８において、２つの光学素子（偏角レンズなど）の相対的な位置（光軸を中心とする回転位置など）を変化させ、ビームの光軸などを調整することができる。調整機構２５９は、調整機構２５６，２５７，２５８と同様の形態、又は異なる形態を有する。例えば、調整機構２５９は、光軸シフト機能、及び縮小機能の少なくとも１つを有することができる。なお、調整機構の形態、数、及び配置位置は図８の例に限定されない。

光源４０からのレーザビーム２５０は、波長が安定化された互いに偏光方向が直交する一対の偏光成分を含む。以下の説明では、光源４０からのレーザビーム２５０が、偏光ビームスプリッタ５１（偏光分離面５１Ｓ）において、Ｐ偏光状態の参照ビーム２４０と、Ｓ偏光状態の測定ビーム２４１とに分離される場合を一例とする。これらは逆にすることもできる。

Ｚ干渉計システム１３は、光学部材２０Ｂに参照ビーム２４０及び測定ビーム２４１を照射し、光学部材２０Ｂからの参照ビーム２４０及び測定ビーム２４１を受光して干渉情報を取得することができる。

本実施形態において、光源４０と偏光ビームスプリッタ５１との間におけるレーザビーム２５０の光路上には必要に応じて調整機構２５６が配設されており、レーザビーム２５０の光軸が調整される。調整機構２５６は、例えば、参照ビーム２４０の垂直度調整等のために用いられる。

レーザビーム２５０は、ＸＹ面内を−Ｙ方向に進んで偏光ビームスプリッタ５１の偏光分離面５１Ｓに入射し、その偏光分離面５１Ｓによって直交する偏光成分、すなわち２つの周波数成分（Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分）に分割される。

参照ビーム２４０（Ｐ偏光成分）は、偏光ビームスプリッタ５１における偏光分離面５１Ｓを透過して−Ｙ方向に進むとともに、第１面５１ｂの出射位置Ｐ１１から出射する。測定ビーム２４１（Ｓ偏光成分）は、偏光ビームスプリッタ５１における偏光分離面５１Ｓで反射して折り曲げられ、−Ｚ方向に進むとともに、第２面５１ｃの出射位置Ｐ１２から出射する。

偏光ビームスプリッタ５１からの参照ビーム２４０は、１／４波長板５２によって円偏光状態の光に変換された後、光学部材２０Ｂの第１反射面２１に照射される。偏光ビームスプリッタ５１からの測定ビーム２４１は、反射ミラー５３Ｂの反射面５３で折り曲げられて−Ｙ方向に進む。反射ミラー５３Ｂと光学部材２０Ｂとの間における測定ビーム２４１の光路上には必要に応じて調整機構２５７が配設されており、測定ビーム２４１の光軸が調整される。調整機構２５７は、例えば、測定ビーム２４１の垂直度調整等のために用いられる。反射ミラー５３Ｂからの測定ビーム２４１は、１／４波長板５４によって円偏光状態の光に変換された後、調整機構２５７を経由して、光学部材２０Ｂの第２反射面２２に照射される。なお、１／４波長板５２，５４は、偏光ビームスプリッタ５１から離間して配置でき、又は偏光ビームスプリッタ５１に接触して配置できる。

本実施形態において、光学部材２０Ｂは、ＸＺ面に平行に配される反射面１５Ｂと、Ｘ軸と平行かつＸＺ平面から傾けて配される第１反射面２１と、Ｘ軸と平行かつＸＺ平面から第１反射面２１とは逆方向に傾けて配される第２反射面２２とを含む。第１反射面２１と第２反射面２２とは光学的に接続されており、第１反射面２１及び第２反射面２２の一方で反射したビームは他方に入射することができる。本実施形態において、光学部材２０Ｂに入射したビームは、第１反射面２１及び第２反射面２２で連続して２回反射する。

具体的には、第１反射面２１は、Ｘ軸とＺ軸とを含むＸＺ面をＸ軸周りに第１の角度θ１を傾けた面と平行である。第２反射面２２は、Ｘ軸とＺ軸とを含むＸＺ面をＸ軸周りに第１反射面２１とは逆方向に、第２の角度θ２を傾けた面と平行である。第１反射面２１と第２反射面２２とがなす角度θ（第１反射面２１と第２反射面２２との間の角度）は、９０度以外であって、１８０度よりも小さい。本実施形態において、θは、例えば、９０度を除き、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、又は１８０度未満にできる。好ましくは、θは、９０度以外であって、８０度以上１００、１１０、１２０、又は１３０度以下にできる。より好ましくは、θは、約９１度以上１００度以下にできる。例えば、θは、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、又は１００度にできる。上記数値は一例であって、所定範囲内で、他の数値を適用可能である。

本実施形態において、θ１とθ２は同じにできる。他の実施形態において、θ１とθ２とを互いに異なるようにできる。θ１及びθ２は、例えば、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、又は９０度未満にできる。好ましくは、その角度は、２５、３０、３５、又は４０度以上かつ５０度以下にできる。より好ましくは、その角度は、約４０度以上４５度以下にできる。例えば、その角度は、約４０、４０．５、４１、４１．５、４２、４２．５、４３、４３．５、４４、４４．５、又は４５度にできる。上記数値は一例であって、所定範囲内で、他の数値を適用可能である。

本実施形態において、光学部材２０Ｂでの連続する２回の反射は、好ましくは、Ｘ軸周りの合計回転量が１８０°を除き、１６０°以上２６０°以下にできる。より好ましくは、合計回転量は、約１８２°以上２００°以下にできる。例えば、θは、約１８２、１８４、１８６、１８８、１９０、１９２、１９４、１９６、１９８、又は２００°にできる。上記数値は一例であって、所定範囲内で、他の数値を適用可能である。

光学部材２０Ｂに入射した参照ビーム２４０は、第１反射面２１及び第２反射面２２で反射する。すなわち、参照ビーム２４０のルートは、Ｘ軸周りに参照ビーム２４０が曲がる光学部材２０Ｂでの連続した２回の反射を含む。光学部材２０Ｂの第２反射面２２からの参照ビーム２４０は、ルーフミラー２５４に入射する。一方、光学部材２０Ｂに入射した測定ビーム２４１は、第２反射面２２及び第１反射面２１で反射する。すなわち、測定ビーム２４１のルートは、Ｘ軸周りに測定ビーム２４１が曲がる光学部材２０Ｂでの連続した２回の反射を含む。光学部材２０Ｂの第１反射面２１からの測定ビーム２４１は、ルーフミラー２５５に入射する。

本実施形態において、ルーフミラー２５４，２５５は、実質的に動かないように露光装置ＥＸ（図１参照）の本体に対して固定される。本実施形態において、ルーフミラー２５４は、偏光ビームスプリッタ５１に対して下方位置（−Ｚ方向）に離間して配置され、ルーフミラー２５５は、偏光ビームスプリッタ５１に対して上方位置（＋Ｚ方向）に離間して配置される。換言すると、ルーフミラー２５４及びルーフミラー２５５は、Ｚ軸に沿った光学部材２０Ｂの光学的な中心位置を通るＸＹ面を挟んで、両側に分かれて配置されている。ルーフミラー２５４は、互いに９０°の狭角をなす２つの反射面２５４ａ，２５４ｂを有する。ルーフミラー２５５は、互いに９０°の狭角をなす２つの反射面２５５ａ，２５５ｂを有する。反射面２５４ａ，２５４ｂの交線２５４ｃ、及び反射面２５５ａ，２５５ｂの交線２５５ｃは、ＹＺ面内にあり、かつ光学部材２０Ｂからのビームの進行方向に対して垂直に配置できる。なお、基板ステージ２（図７参照）のＺ軸に沿った移動に加え、基板ステージ２のＹ軸に沿った移動に伴って、ルーフミラー２５４（２５５）に対するビームの照射位置が交線２５４ｃ（２５５ｃ）に沿った方向に変化する。基板ステージ２のＹ軸に沿った移動範囲に基づいて、ルーフミラー２５４，２５５の交線方向における延在長さが定められている。

図９Ａ、図９Ｂ、及び図９Ｃは、ルーフミラー２５４，２５５の形態例を示している。

図９Ａにおいて、ルーフミラー２５４（２５５）は、２つのミラーが組み合わされた構成を有する。ミラーの各反射面２５４ａ，２５４ｂ（２５５ａ，２５５ｂ）が９０°の狭角をなしている。２つのミラーは互いに固定できる。ミラーは接着剤や金属バネ等で不図示の支持体に固定することができる。代替的に、２つのミラーは互いに離間でき、この場合、２つの反射面２５４ａ，２５４ｂ（２５５ａ，２５５ｂ）の交線２５４ｃ（２５５ｃ）は仮想線となる。各ミラーの形態は図９Ａの例に限定されない。

図９Ｂにおいて、ルーフミラー２５４（２５５）は、一体構造を有する。図９Ｂに示すように、ルーフミラー２５４（２５５）には、互いに９０°の狭角をなす２つの反射面２５４ａ，２５４ｂ（２５５ａ，２５５ｂ）が形成されている。

図９Ｃにおいて、ルーフミラー２５４（２５５）は、ルーフプリズムから構成される。ルーフプリズムには、互いに９０°の狭角をなす２つの反射面２５４ａ，２５４ｂ（２５５ａ，２５５ｂ）が形成されている。ルーフプリズムの形成材料としては、ガラス、あるいは石英ガラスが用いられ、相対屈折率の温度変化率の低いものが好ましく用いられる。

図８に戻り、ルーフミラー２５４に入射した参照ビーム２４０は、光軸シフトを伴う再帰反射を経てルーフミラー２５４から光学部材２０Ｂに戻る。具体的には、光学部材２０Ｂからの参照ビーム２４０は、ルーフミラー２５４における反射面２５４ａで９０°折り曲げられて＋Ｘ方向に進み、反射面２５４ｂに入射する。そして、参照ビーム２４０は、反射面２５４ｂで９０°折り曲げられ、光学部材２０Ｂに向かって−Ｙ方向かつ斜め上方に向けて進む。参照ビーム２４０のルートは、ルーフミラー２５４での連続する２回の反射を含む。この連続する２回の反射は、Ｚ軸周りの合計回転量が実質的に１８０°である。ルーフミラー２５４に入射する参照ビーム２４０とルーフミラー２５４から出射する参照ビーム２４０とは互いに実質的に平行であり、入射ビームの光軸に対して出射ビームの光軸が平行に＋Ｘ方向にシフトしている。すなわち、ルーフミラー２５４は、参照ビーム２４０の光軸（光路）を、２つの反射面２５４ａ，２５４ｂの交線２５４ｃと交差する方向である＋Ｘ方向にシフトさせる。

ルーフミラー２５４からの参照ビーム２４０は、光学部材２０Ｂの第２反射面２２及び第１反射面２１で反射する。参照ビーム２４０のルートは、Ｘ軸周りに参照ビーム２４０が曲がる光学部材２０Ｂでの別の連続する２回の反射を含む。光学部材２０Ｂからの参照ビーム２４０は、１／４波長板５２及び偏光ビームスプリッタ５１に向かって＋Ｙ方向に進む。１／４波長板５２を通過することにより、参照ビームは、元の偏光方向とは直交する方向を有する、Ｓ偏光状態の光に変換される。変換された参照ビーム２４０は、第１面５１ｂの入射位置Ｐ１３において、偏光ビームスプリッタ５１に入射する。入射した参照ビーム２４０は、偏光ビームスプリッタ５１の偏光分離面５１Ｓで反射し、コーナーキューブ（コーナーキューブリトロリフレクター、Corner Cube Retro Reflector）５５に入射する。

参照ビーム２４０は、Ｘ軸に沿った光軸のシフトを伴う反射を経てコーナーキューブ５５から偏光ビームスプリッタ５１に戻る。コーナーキューブ５５に入射する参照ビーム２４０とコーナーキューブ５５から出射する参照ビーム２４０とは互いに平行であり、入射ビームの光軸に対して出射ビームの光軸が平行に−Ｘ方向にシフトしている。

コーナーキューブ５５からの参照ビーム２４０は、偏光ビームスプリッタ５１における偏光分離面５１Ｓで反射して−Ｙ方向に進み、偏光ビームスプリッタ５１の第１面５１ｂから出射する。偏光ビームスプリッタ５１の第１面５１ｂにおける参照ビーム２４０の２回目の出射位置Ｐ１１は、１回目のそれと実質的に同じである。偏光ビームスプリッタ５１からの２回目の参照ビーム２４０は、１回目の参照ビーム２４０と同じルート（１／４波長板５２、光学部材２０Ｂ、ルーフミラー２５４、光学部材２０Ｂ、及び１／４波長板５２）をたどり、偏光ビームスプリッタ５１に戻る。光学部材２０Ｂからの２回目の参照ビーム２４０は、１／４波長板５２を通ることで、元の偏光方向と同じ方向を有する、Ｐ偏光状態の光に変換される。そして、参照ビーム２４０は、偏光ビームスプリッタ５１を透過して＋Ｙ方向にさらに進み、光検出器６０に入射する。

一方、ルーフミラー２５５に入射した測定ビーム２４１は、光軸シフトを伴う再帰反射を経てルーフミラー２５５から光学部材２０Ｂに戻る。具体的には、光学部材２０Ｂからの測定ビーム２４１は、ルーフミラー２５５における反射面２５５ａで９０°折り曲げられて＋Ｘ方向に進み、反射面２５５ｂに入射する。そして、測定ビーム２４１は、反射面２５５ｂで９０°折り曲げられ、光学部材２０Ｂに向かって−Ｙ方向かつ斜め下方に向けて進む。測定ビーム２４１のルートは、ルーフミラー２５５での連続する２回の反射を含む。この連続する２回の反射は、Ｚ軸周りの合計回転量が実質的に１８０°である。ルーフミラー２５５に入射する測定ビーム２４１とルーフミラー２５５から出射する測定ビーム２４１とは互いに実質的に平行であり、入射ビームの光軸に対して出射ビームの光軸が平行に＋Ｘ方向にシフトしている。すなわち、ルーフミラー２５５は、測定ビーム２４１の光軸（光路）を、２つの反射面２５５ａ，２５５ｂの交線２５５ｃと交差する方向である＋Ｘ方向にシフトさせる。

ルーフミラー２５５からの測定ビーム２４１は、光学部材２０Ｂの第１反射面２１及び第２反射面２２で反射する。測定ビーム２４１のルートは、Ｘ軸周りに測定ビーム２４１が曲がる光学部材２０Ｂでの別の連続する２回の反射を含む。光学部材２０Ｂからの測定ビームは、１／４波長板５４及び偏光ビームスプリッタ５１に向かって＋Ｙ方向に進む。光学部材２０Ｂと１／４波長板５４との間における測定ビーム２４１の光路上には必要に応じて調整機構２５８が配設されており、測定ビーム２４１の光軸が調整される。調整機構２５８は、例えば、測定ビーム２４１の合致調整等のために用いられる。１／４波長板５４を通過することにより、測定ビーム２４１は、元の偏光方向とは直交する方向を有する、Ｐ偏光状態の光に変換される。変換された測定ビーム２４１は、反射ミラー５３Ｂで反射して、第２面５１ｃの入射位置Ｐ１４において、偏光ビームスプリッタ５１に入射する。入射した測定ビーム２４１は、偏光ビームスプリッタ５１の偏光分離面５１Ｓを透過し、コーナーキューブ５５に入射する。

測定ビーム２４１は、Ｘ軸に沿った光軸のシフトを伴う反射を経てコーナーキューブ５５から偏光ビームスプリッタ５１に戻る。コーナーキューブ５５に入射する測定ビーム２４１とコーナーキューブ５５から出射する測定ビーム２４１とは互いに平行であり、入射ビームの光軸に対して出射ビームの光軸が平行に−Ｘ方向にシフトしている。

コーナーキューブ５５からの測定ビーム２４１は、偏光ビームスプリッタ５１における偏光分離面５１Ｓを透過して、偏光ビームスプリッタ５１の第２面５１ｃから出射する。偏光ビームスプリッタ５１の第２面５１ｃにおける測定ビーム２４１の２回目の出射位置Ｐ１２は、１回目のそれと実質的に同じである。偏光ビームスプリッタ５１からの２回目の測定ビーム２４１は、１回目の測定ビーム２４１と同じルート（反射ミラー５３Ｂ、１／４波長板５４、光学部材２０Ｂ、ルーフミラー２５５、光学部材２０Ｂ、１／４波長板５４、及び反射ミラー５３Ｂ）をたどり、偏光ビームスプリッタ５１に戻る。光学部材２０Ｂからの２回目の測定ビーム２４１は、１／４波長板５４を通ることで、元の偏光方向と同じ方向を有する、Ｓ偏光状態の光に変換される。そして、測定ビーム２４１は、偏光ビームスプリッタ５１の偏光分離面５１Ｓで反射して＋Ｙ方向に進み、光検出器６０に入射する。

偏光ビームスプリッタ５１と光検出器６０との間における、参照ビーム２４０及び測定ビーム２４１を含むビームの光路上には、必要に応じて調整機構２５９が配設されている。調整機構２５９は、ビームの光軸シフト、及び縮小の少なくとも１つのために用いられる。

図１０は、基板ステージ２（図１参照）の姿勢が変化したときのＺ干渉計システム１３における測定ビーム２４１の光路の変化を模式的に示す図である。なお、図１０において、基準姿勢における測定ビーム２４１の光路が実線で描かれている。

図１０に示すように、基板ステージ２のＺ軸を中心とする回転方向の位置が変化した場合（ヨーイング、回転量：Ｔｚ）、光学部材２０Ｂで反射した測定ビーム２４１は、図１０に破線で示すように、基板ステージ２のＺ軸周りの回転量Ｔｚに応じて、基準の光路に対して傾いてルーフミラー２５５に入射する。ルーフミラー２５５の各反射面２５５ａ，２５５ｂに対する測定ビーム２４１の入射角度は、基準の光路におけるそれとは異なる。しかしながら、ルーフミラー２５５で２回反射することで、ルーフミラー２５５から光学部材２０Ｂに戻る測定ビーム２４１の方向は、光学部材２０Ｂからルーフミラー２５５に向かう測定ビーム２４１の方向と平行となる。すなわち、基板ステージ２のＺ軸周りの位置が変化しても、ルーフミラー２５５における光軸シフトを伴う再帰反射により、ルーフミラー２５５に対する入射ビームと出射ビームとの平行状態が維持される。光学部材２０Ｂからの戻りの測定ビーム２４１は、基準の光路と同じ角度で光検出器６０に入射する。このように、Ｚ干渉計システム１３では、基板ステージ２（光学部材２０Ｂ）のＺ軸周りの位置が変化しても、戻りの測定ビーム２４１の角度ずれが実質的に防止される。

また、光学部材２０Ｂの反射面（第１反射面２１及び第２反射面２２）は、前述したように、Ｘ軸と平行かつＸＺ面から傾けて配されている（図８参照）。したがって、ルーフミラー２５５による再帰反射の角度ずれに関する効果は、Ｚ軸周りの回転量Ｔｚ（ヨーイング）に加え、Ｙ軸周りの回転量Ｔｙ（ローリング）にも適用され得る。

これは参照ビーム２４０（図８参照）についても適用される。すなわち、基板ステージ２（光学部材２０Ｂ）のＺ軸又はＹ軸周りの位置が変化しても、ルーフミラー２５４で２回反射することで、戻りの参照ビーム２４０の角度ずれが実質的に防止される。

なお、基板ステージ２（光学部材２０Ｂ）のヨーイングに伴い、光学部材２０Ｂからの戻りの測定ビーム２４１（参照ビーム２４０）について、図１０に示すように、基準の光路に対してＸ軸に沿った位置ずれｄｘが生じる。図８に示す調整機構２５９は、この位置ずれｄｘを縮小する構成を有することができる。追加的に、図８に示す調整機構２５９は、ローリングに伴うＺ軸に沿ったビームの位置ずれを縮小する構成を有することができる。

Ｘ軸周りの回転量Ｔｘ（ピッチング）に関しては、図８に示すように、第１反射面２１及び第２反射面２２を有する光学部材２０Ｂでの２回反射によって角度ずれが実質的に防止される。すなわち、基板ステージ２（光学部材２０Ｂ）のＸ軸周りの位置が変化しても、２回反射によって、光学部材２０Ｂからルーフミラー２５５に向かう測定ビーム２４１について基準からの角度ずれは生じず、また、光学部材２０Ｂから偏光ビームスプリッタ５１に向かう戻りの測定ビーム２４１について角度ずれは生じない。さらに、基板ステージ２（光学部材２０Ｂ）のピッチングに伴い、ルーフミラー２５５における、光学部材２０Ｂからの測定ビーム２４１のＺ軸に沿った照射位置が基準の光路に対してずれても、Ｚ軸に関して同じ経路をたどるルーフミラー２５５からの戻りの測定ビーム２４１がその位置ずれを相殺する。このように、Ｚ干渉計システム１３では、ピッチングに伴うＺ軸に沿ったビームの位置ずれ、及びＸ軸周りの角度ずれが実質的に回避される。

本実施形態において、上記のピッチングに伴うビームの角度ずれや位置ずれが実質的に生じない、固定鏡としてのルーフミラー２５４，２５５の姿勢変動による合致ずれが実質的に生じない、及び、ダブルパス方式の採用に伴って高い分解能が得られる、などの利点をＺ干渉計システム１３が有することができる。

本実施形態において、Ｚ軸に関する光学部材２０Ｂの中心位置を挟んで、測定ビーム２４１用の固定鏡であるルーフミラー２５５のＺ軸に関する対称位置に、参照ビーム２４０用の固定鏡であるルーフミラー２５４が配置されている。そのため、光学部材２０Ｂ（基板ステージ２）のＺ軸に沿った移動に対して、測定ビーム２４１の光路長と参照ビーム２４０の光路長との相対変化量が比較的大きく、基板ステージ２の微小な位置変動を高精度に検出することができる。

また、本実施形態において、測定ビーム２４１及び参照ビーム２４０は互いに似た光学ルートをたどるから、測定ビーム２４１の光路長（第１ルート距離）と、参照ビーム２４０の光路長（第２ルート距離）とが同程度である。そのため、計測対象物である基板ステージ２の傾きが変化した場合に、測定ビーム２４１及び参照ビーム２４０の各戻りビームの位置ずれが同程度である。両ビームを確実に干渉させることは、検出不良及び計測誤差の低減に有利である。

図８に戻り、光検出器６０は、偏光ビームスプリッタ５１からの参照ビーム２４０（戻りビーム）及び測定ビーム２４１（戻りビーム）を受光する。Ｚ干渉計システム１３は、光検出器６０に入射した参照ビーム２４０と測定ビーム２４１とに基づいて、Ｚ軸方向に関する光学部材２０Ｂ（基板ステージ２（図１参照））の位置情報を計測する。Ｚ軸方向に関する光学部材２０Ｂ（基板ステージ２）の位置が変化すると、参照ビーム２４０及び測定ビーム２４１の光路長が変化する。Ｚ干渉計システム１３は、その光路長の変化に基づいて、Ｚ軸方向に関する光学部材２０Ｂ（基板ステージ２）の位置情報を計測することができる。すなわち、光学部材２０Ｂ（基板ステージ２）のＺ軸に沿った移動に伴い、測定ビーム２４１の光路長（第１ルート距離）と、参照ビーム２４０の光路長（第２ルート距離）との差が変動する。Ｚ干渉計システム１３は、基準信号と変動分に基づく測定信号とに基づき、Ｚ軸に沿った光学部材２０Ｂ（基板ステージ２）の位置を計測することができる。

なお、本実施形態においては、基板ステージ２に光学部材２０（光学部材２０Ｂ）が配置された場合を例にして説明したが、もちろん、マスクステージ１に光学部材２０（光学部材２０Ｂ）を配置することができる。その場合、マスクステージ用干渉計システム３Ｍが、図４及び図５を参照して説明したような、Ｚ干渉計システム１３を備える。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、又はフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも、本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光ＥＬはレンズ等の光学部材を介して基板に照射される。

本願実施形態において、露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。

Claims (23)

1. 第１方向に関する位置情報を計測するために光が照射される光学部材であって、
   前記第１方向と交差する第２方向に進行する光が入射する第１反射面と、
   前記第２方向に進行する光が入射する第２反射面と、を備え、
   前記第１反射面と前記第２反射面とは光学的に接続され、前記第１反射面及び前記第２反射面の一方で反射した光は他方に入射する光学部材。
2. 前記第１反射面は、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向と平行な第３軸と前記第１方向と平行な第１軸とを含む平面を前記第３軸周りに第１角度傾けた面と実質的に平行であり、
   前記第２反射面は、前記第３軸と前記第１軸とを含む前記平面を前記第３軸周りに第２角度傾けた面と実質的に平行であり、
   前記第１反射面と前記第２反射面とがなす角度は、９０度以外であって、１８０度よりも小さい請求項１記載の光学部材。
3. 第１方向に関する移動体の位置情報を計測する干渉計システムであって、
   測定光を射出する第１射出部と、
   参照光を射出する第２射出部と、
   前記移動体に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に進行する前記第１射出部からの前記測定光が入射する第１反射面と、
   前記移動体に配置され、前記第２方向に進行する前記第２射出部からの前記参照光が入射する第２反射面と、
   前記第２反射面と光学的に接続され、第１位置で実質的に動かない第３反射面と、
   前記第１反射面と光学的に接続され、第２位置で実質的に動かない第４反射面と、を備え、
   前記第１反射面と前記第２反射面とは光学的に接続され、前記第１反射面及び前記第２反射面の一方で反射した光は他方に入射する干渉計システム。
4. 前記第１反射面は、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向と平行な第３軸と前記第１方向と平行な第１軸とを含む平面を前記第３軸周りに第１角度傾けた面と実質的に平行であり、
   前記第２反射面は、前記第３軸と前記第１軸とを含む前記平面を前記第３軸周りに第２角度傾けた面と実質的に平行であり、
   前記第１反射面と前記第２反射面とがなす角度は、９０度以外であって、１８０度よりも小さい請求項３記載の干渉計システム。
5. 前記第１反射面及び前記第２反射面は、所定の光学部材に形成され、
   前記光学部材が前記移動体に配置されている請求項３又は４記載の干渉計システム。
6. 前記第１反射面で反射し、前記第２反射面を介した前記測定光が前記第３反射面に入射し、
   前記第２反射面で反射し、前記第１反射面を介した前記参照光が前記第４反射面に入射する請求項３〜５のいずれか一項記載の干渉計システム。
7. 前記第３反射面及び前記第４反射面のそれぞれは平面であり、
   前記第２反射面からの前記測定光は、前記第３反射面に実質的に垂直に入射し、
   前記第１反射面からの前記参照光は、前記第４反射面に実質的に垂直に入射する請求項６記載の干渉計システム。
8. 前記第３反射面及び前記第４反射面のそれぞれは平面であり、
   前記第３反射面を含むルートで前記測定光を少なくとも２往復させるとともに、前記第４反射面を含むルートで前記参照光を少なくとも２往復させる光学系を有する請求項３〜６のいずれか一項記載の干渉計システム。
9. 前記第３反射面で反射し、前記第２反射面を介した前記測定光が前記第１反射面に入射し、
   前記第４反射面で反射し、前記第１反射面を介した前記測定光が前記第２反射面に入射する請求項３〜８のいずれか一項記載の干渉計システム。
10. 前記第３反射面で反射し、前記第２反射面で反射した後、前記第１反射面で反射した前記測定光、及び前記第４反射面で反射し、前記第１反射面で反射した後、前記第２反射面で反射した前記参照光のそれぞれが入射される光検出器を備える請求項３〜９のいずれか一項記載の干渉計システム。
11. 前記第１方向と実質的に垂直な所定面内を移動可能なステージと、
    前記ステージに配置された請求項１又は２記載の光学部材と、を備えたステージ装置。
12. 前記第１方向と実質的に垂直な所定面内を移動可能なステージと、
    前記第１方向に関して前記ステージの位置情報を計測するために、請求項３〜１０のいずれか一項記載の干渉計システムと、を備えたステージ装置。
13. パターンを有するマスクを介した露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記マスクを保持しながら移動するマスクステージと、
    前記基板を保持しながら移動する基板ステージと、を備え、
    前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方は、請求項１１又は１２記載のステージ装置を含む露光装置。
14. 請求項１３記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
15. 第１軸に沿った移動体の位置を計測する干渉計システムであって、
    前記第１軸、前記第１軸と交差する第２軸、及び前記第１軸及び前記第２軸と交差する第３軸を含む座標系と；
    前記移動体に配置された第１部材と；
    前記第２軸に沿って前記移動体から離間して配置された第２部材及び第３部材と；
    測定ビーム用の第１ルートであり、前記第３軸周りに前記測定ビームが曲がる、前記第１部材での連続する２回の反射と、前記第１部材からの前記測定ビームが前記第１部材に戻る、前記第２部材での少なくとも１回の反射と、を含む前記第１ルートと；
    参照ビーム用の第２ルートであり、前記第３軸周りに前記参照ビームが曲がる、前記第１部材での連続する２回の反射と、前記第１部材からの前記参照ビームが前記第１部材に戻る、前記第３部材での少なくとも１回の反射と、を含む前記第２ルートと；
    を備えた干渉計システム。
16. 前記移動体の前記第１軸に沿った移動に伴い、前記第１ルートの距離と前記第２ルートの距離との差が変動する請求項１５に記載の干渉計システム。
17. 前記第１ルート及び前記第２ルートの少なくとも１つは、前記第３軸周りに前記測定ビーム又は前記参照ビームが曲がる、前記第１部材での連続する別の２回の反射をさらに含む請求項１５又は１６に記載の干渉計システム。
18. 前記第２部材及び前記第３部材は、前記第１軸に沿った前記光学部材の光学的な中心位置を通りかつ前記第２軸と前記第３軸とを含む面を挟んで、両側に分かれて配置されている請求項１５〜１７のいずれか一項記載の干渉計システム。
19. 前記測定ビーム及び前記参照ビームは、前記第１ルート又は前記第２ルートを２回通る請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の干渉計システム。
20. 前記測定ビーム及び前記参照ビームの少なくとも１つの光軸を前記第３軸に沿って平行シフトさせる第４部材をさらに備える請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の干渉計システム。
21. 前記第１ルート及び前記第２ルートの少なくとも１つにおける、前記第１部材での連続する前記２回の反射は、前記第３軸周りの合計回転量が１６０°以上かつ２６０°以下である請求項１５〜２０のいずれか一項に記載の干渉計システム。
22. 前記第２部材での前記少なくとも１回の反射及び前記第３部材での前記少なくとも１回の反射は、前記第２部材又は前記第３部材での連続する２回の反射を含む請求項１５〜２１のいずれか一項に記載の干渉計システム。
23. 前記第２部材又は前記第３部材での連続する前記２回の反射は、前記第１軸周りの合計回転量が実質的に１８０°である請求項２２に記載の干渉計システム。

Images