JPWO2008126267A1

JPWO2008126267A1 - 発光装置

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Publication number: JPWO2008126267A1
Application number: JP2009508815A
Authority: JP
Inventors: 晶紀早藤; 賢一奥山
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2007-03-30
Publication date: 2010-07-22
Anticipated expiration: 2027-03-30
Also published as: US8405302B2; EP2131629A1; EP2131629A4; US20120194063A1; JP4968967B2; US20100127617A1; US8227974B2; WO2008126267A1

Abstract

例えばガラス素材による透明な基板１と、この基板上に形成された第１電極層（ＩＴＯ等による透明電極）２と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層５と、前記発光機能層上に形成された第２電極層としての例えば金属素材による背面電極６と、前記第１電極層上２に配置されたドット状導電体３とが具備される。前記ドット状導電体３は、ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層２に対して複数のドット状導電体がそれぞれ配置される。電気抵抗率が低い素材によるドット状導電体３が前記第１電極層２に配置される事により、前記透明電極２と複数のドット状導電体の合成抵抗値が、透明電極２のみの場合の抵抗値に比べて低くなるため、透明電極２において発生する電圧降下を効果的に抑制させる事ができる。

Description

この発明は、面発光光源として有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素子を用いた発光装置に関する。

有機ＥＬ素子は直流の低電圧により駆動されることで高い発光効率を有し、軽量かつ薄型化が可能であることから、近年においては、この有機ＥＬ素子を例えばドットマトリクス状に配列してディスプレイとし利用した製品が提供されている。また、有機ＥＬ素子は前記したディスプレイに限らず面発光の光源体として利用する点においても注目されている。

前記した有機ＥＬ素子を面発光の光源体として利用しようとするものとして、すでに多数の特許出願がなされており、例として特許文献１および２として示す公開公報が存在する。
特開２００６−２２８５５７号公報特開２００６−２２８４５７号公報

前記した有機ＥＬ素子は、対向する電極間に直流電圧が印加されることで、陰極側から注入された電子と、陽極側から注入された正孔が、前記両電極に挟まれた発光機能層内で再結合し、そのエネルギーが蛍光物質を励起して発光されることが知られている。したがって、前記発光機能層からの光を外部に導出させるために、少なくとも一方の電極には光透過性の電極（透明電極）が用いられる。

前記透明電極としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などの酸化物が用いられ、一般的には透明な基板上に前記したＩＴＯなどの透明電極が成膜される。そして、透明電極上に有機材料を含む発光機能層が形成され、この発光機能層の上に例えば金属素材による対向電極が形成された構成にされる。そして、発光機能層からの光は、前記透明電極および基板を透過して素子の外部にもたらされるようになされる。

ところで、前記した透明電極を構成するＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物は、その電気抵抗率が１×１０^-4Ωｃｍ程度であり、金属素材に比較してその電気抵抗率は１〜２桁程度高い。したがって広い面積を有する面発光光源を形成した場合においては、透明電極において大きな電圧降下が発生し、これにより発光輝度にむらが発生する。

すなわち、有機ＥＬ素子における発光輝度は、素子の単位面積に注入される電流量にほぼ比例すると言われており、したがって、前記した透明電極を比較的面積の広いベタ電極とした場合、前記した透明電極に対する給電点から離れるほど、前記透明電極における電圧降下の影響を受けて輝度が低くなるという問題が発生する。

そこで、透明電極における前記した電圧降下を少なくさせるために、抵抗値が低い補助電極を設置することで、前記した輝度むらの発生を低減させようとする特許出願がなされており、これは例えば特許文献３〜５に示す公開公報に開示されている。
特開２００４−１３４２８２号公報特開平５−２２６０７６号公報特開２００２−１５６６３３号公報

前記特許文献３には、透明電極の長辺の外側に沿って、長尺状に形成された金属製の補助電極を配置した構成が示されている。また前記特許文献４には、透明電極の周縁部に沿って例えば金属素材により形成された枠型の補助電極を配置した構成が示されている。さらに前記特許文献５には、透明電極の全体にわたって格子状に形成された補助電極を重畳させた構成が示されている。

しかしながら、前記各特許文献３〜５に示された構成においては、面内における補助電極が配置されている箇所と配置されていない箇所との間で輝度の差が発生し、面内で均一な輝度を得ることができないという問題を抱えている。例えば前記補助電極がストライプ状に形成された場合には、補助電極の形成位置に沿ってストライプ状の明暗が発生するという問題が生ずる。

そこで、前記した問題を解決するために、次の特許文献６に示す面発光装置（照明装置）の出願がなされている。これによると、有機材料を含む発光機能層とその上の対向電極部分を間欠的に剥離して開口部を形成し、第３の電極に接続された突起状の導体部を介して透明電極に対してスポット的に陽極電圧を印加するように構成されている。
特開２００６−１９２５１号公報

前記特許文献６に示された構成によると、第３の電極および突起状の導体部を介して透明電極に対してスポット的に同一電位の陽極電圧を印加するものであるため、前記特許文献３に示された課題を解決できると記載されている。しかしながら、依然としてスポット的に陽極電圧が印加される周辺部は明るく発光し、陽極印加点から離れた部分においては、暗く発光するという問題が残される。

また、前記特許文献６に示された構成によると、突起状の導体部が位置する部分、すなわちスポット的に陽極電圧が印加される部分においては、有機材料を含む発光機能層が存在しないために、この部分においては発光せず、したがってこの未発光部分がより発光むらになるという問題も含んでいる。

この発明は、有機ＥＬ素子を面発光光源として利用する発光装置において、特に電極素材の高い電気抵抗率に起因して発生する輝度むらを、より低減させることができる発光装置を提供することを課題とするものである。

前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる発光装置の好ましい基本形態は、請求項１に記載のとおり、基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続された構成にされる。

この発明にかかる発光装置の基本形態を主要部分を透視状態で示した平面図である。図１に示すＡ−Ａ線より矢印方向に視た状態を示す発光装置の部分拡大断面図である。この発明にかかる発光装置の第２の実施の形態を示した部分拡大断面図である。同じく第３の実施の形態を示した部分拡大断面図である。同じく第４の実施の形態を示した部分拡大断面図である。同じく第５の実施の形態を示した部分拡大断面図である。同じく第６の実施の形態を示した部分拡大断面図である。この発明にかかる発光装置におけるドット状導電体の配列形態を変えた他の例について主要部分を透視状態で示した平面図である。同じくドット状導電体の配列形態を変えた他の例について主要部分を透視状態で示した平面図である。同じくドット状導電体の配列形態を変えた他の例について主要部分を透視状態で示した平面図である。同じくドット状導電体の配列形態を変えた他の例について主要部分を透視状態で示した平面図である。同じくドット状導電体の配列形態を変えたさらに他の例について主要部分を透視状態で示した平面図である。この発明にかかる発光装置の第７の実施の形態について主要部分を透視状態で示した平面図である。図１３に示すＢ−Ｂ線より矢印方向に視た状態を示す発光装置の部分拡大断面図である。

符号の説明

１基板
２第１電極層（透明電極）
２ａ凹部
３ドット状導電体
３ａ傾斜面
４絶縁膜
５発光機能層
６第２電極層（背面電極）
７給電部
１１絶縁層
１２陰極隔壁

以下、この発明にかかる発光装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１および図２は、その第１の実施の形態を示したものであり、図１はその主要部分を透視状態で示した平面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ線より矢印方向に視た状態の部分拡大断面図である。

図１および図２に示す発光装置は、例えばガラス等の光透過性の基板１の一面（図２に示す上面）に、第１電極層としての透明電極２がベタ電極として成膜されている。この透明電極２は前記したＩＴＯやＩＺＯなどの素材が用いられ、例えば蒸着手段により基板１に対して成膜される。また、前記透明電極２における一方の表面上、すなわち図２に示す透明電極２上には、ドット状導電体３が透明電極２に対して電気的に接続された状態で配置されている。

このドット状導電体３は、前記透明電極２を構成する素材よりも電気抵抗率が低い素材により形成されているのが好ましく、図１および図２に示す実施の形態においては、それぞれがほぼ同一径の円形状になされ、かつ薄膜状に形成されている。

前記ドット状導電体３を構成する素材としては、例えば銀ペースト等のペースト状の金属や、Ｍｏ，Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒやその合金、もしくは導電性樹脂等を用いることができるが、必ずしも前記透明電極２を構成する素材よりも電気抵抗率が低い素材に限らず、正孔輸送性の有機物、例えばポリフルオレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）、ポリ（ＰＤＡＦ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ｐｏｌｙ（２，５−ｄｉａｌｋｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）：ＲＯ−ＰＰＶ、ｃｙａｎｏ−ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ−ＰＰＶ：ＣＮ−ＰＰＶ、ｐｏｌｙ（２−ｄｉｍｅｔｙｌｏｃｔｙｌｓｉｌｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）：ＤＭＯＳ−ＰＰＶ、ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌａｔｅｄ−ＰＰＰ：ＦＰ−ＰＰＰ、ｐｏｌｙ（２，５−ｄｉａｌｋｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）：ＲＯ−ＰＰＰ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等を用いることもできる。

そして、前記各ドット状導電体３は、１つの前記透明電極２に対して複数のドット状導電体３がそれぞれ分離された状態で配置されている。すなわち、この実施の形態においては、前記ドット状導電体３は、透明電極２上において縦横方向に規則正しく、互いにほぼ等間隔となるように配置されている。

なお、前記各ドット状導電体３は、マスクを利用して蒸着手段により形成させることができるが、インクジェット方式などの印刷技術を利用して形成することもでき、フォトリソグラフィを利用して形成することもできる。そして前記各ドット状導電体３は、後述する発光機能層から発光される光の一部がそれぞれ透過できる程度に、ごく薄い薄膜状に形成されていることが望ましい。

前記各ドット状導電体３には、その上面に絶縁膜４が形成されており、図２に示す形態においては、前記絶縁膜４は各ドット状導電体３の全面を覆うようにして形成されており、かつドット状導電体を被覆する絶縁膜同士は分離した状態に形成されている。すなわち図１および図２に示されたように各絶縁膜４は、前記ドット状導電体３を同心円状にして被覆するように構成されている。

前記絶縁膜４としては、光透過性の素材を用いることが望ましく、例えばポリイミド、アクリル、ＳｉＯ₂等を好適に利用することができる。そして、絶縁膜４の一部を曲面に成形して光学的なレンズ体を形成させることもできる。

前記透明電極２および絶縁膜４を覆うようにして発光機能層５が形成されている。この発光機能層５は、有機化合物による単一の発光層、あるいは有機正孔輸送層と発光層による二層構造、または有機正孔輸送層と発光層および有機電子輸送層からなる三層構造、さらには前記各層に正孔注入層、電子注入層を加えた多層構造になされる場合もある。これらは例えば蒸着手段を利用することにより成膜することができる。

さらに前記した発光機能層５上には、第２電極層としての背面電極６がベタ電極として積層形成されている。この背面電極６は例えばアルミニウム合金などの金属素材により構成され、これは例えば蒸着等の手段を利用して積層させることができる。

斯くして、図１および図２に示す構成の発光装置においては、第１電極層としての透明電極２を例えば陽極端子とし、第２電極層としての背面電極６を陰極端子として所定の駆動電流を供給することで、前記発光機能層５において発光させることができる。その光は前記絶縁膜４、ドット状導電体３、透明電極２を適宜透過し、基板１を介して外部にもたらされる。これにより面発光光源を有する発光装置を実現させることができる。

この場合、複数の前記したドット状導電体３が透明電極２に対して接合しているので、前記透明電極２と複数のドット状導電体の合成抵抗値は、透明電極２のみの場合の抵抗値に比べて低くなり、電気抵抗率が高い透明電極２において発生する電圧降下を効果的に抑制させるように作用する。

したがって、第１電極層としての前記透明電極２への給電部７を、図１に示す例えば右端縁とした場合、給電部７から離れるにしたがって（図１において右から左に行くにしたがって）暗くなる輝度傾斜の発生度合いを効果的に抑制させることができる。

また、前記したドット状導電体３は、発光機能層５から発光される光の一部が透過できる程度に薄膜状に形成することで、ドット状導電体３による発光むらの発生を低減させることができ、全体として均一な光を発光させることができる発光装置を得ることができる。

図３はこの発明にかかる発光装置の第２の実施の形態を示したものであり、この図３においては、先に説明した図２と同様に部分拡大断面図で示している。なお、この図３においては図２に示した構成と同一の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。

この図３に示す構成においては、前記ドット状導電体３を被覆する絶縁膜４は、ドット状導電体３の端部、すなわち円形状に形成されたドット状導電体３の周縁のエッジ部を被覆し、ドット状導電体３の中央部には絶縁膜４は形成されていない。

図３に示す構成によると、絶縁膜４は少なくともドット状導電体３の端部を被覆しているので、例えば発光機能層５に若干の成膜不良が発生しても、ドット状導電体３の端部より、第２電極層としての背面電極６に対してリークが発生するのを効果的に防止させることができる。また、図３に示す構成においても、絶縁膜４の一部を曲面に成形して光学的なレンズ体を形成させることができる。

この図３に示す構成によると、ドット状導電体３の中央部には絶縁膜４は形成されておらず、ドット状導電体３の中央部は発光機能層５を介して第２電極層としての背面電極６に対峙されている。したがって、ドット状導電体３の中央部に接する部分における発光機能層５においても発光することができ、この光の一部はドット状導電体３を透過して外部にもたらされるので、より発光効率を向上させることができる。

図４はこの発明にかかる発光装置の第３の実施の形態を示したものであり、この図４においても、先に説明した図２と同様に部分拡大断面図で示している。なお、この図４においては図２に示した構成と同一の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。

この図４に示す構成においては、ドット状導電体３の端部、すなわち、円形状に形成されたドット状導電体３の周縁部には傾斜面３ａが形成されている。この構成によると、例えば発光機能層５に若干の成膜不良が発生しても、ドット状導電体３の周縁部より、第２電極層としての背面電極６に対してリークが発生するのを効果的に防止させることができる。したがって、図４に示した構成によると、ドット状導電体３を覆う絶縁膜を不要にすることができる。

なお、図４に示した構成においては、ドット状導電体３の周縁部に傾斜面３ａが形成されているが、これは曲面形状になされていても同様の作用効果を得ることができる。

図５はこの発明にかかる発光装置の第４の実施の形態を示したものであり、この図５においても、先に説明した図２と同様に部分拡大断面図で示している。なお、この図５においては図２に示した構成と同一の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。

この図５に示す構成においては、前記ドット状導電体３は、第１電極層を構成する透明電極２の表面上に形成された凹部２ａ内にそれぞれ配置されている。そして、図５に示す実施の形態においては、凹部２ａ内に収容されたドット状導電体３の上面を絶縁膜４で被覆した構成にされている。

図５に示した構成によると、ドット状導電体３と背面電極６との間におけるリークの発生の問題は大幅に解消することができる。また、この構成においては絶縁膜４を削除しても、前記したリークの発生を効果的に防止させることが可能となる。

図６はこの発明にかかる発光装置の第５の実施の形態を示したものであり、この図６においても、先に説明した図２と同様に部分拡大断面図で示している。なお、この図６においては図２に示した構成と同一の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。

この図６に示す構成においては、ドット状導電体３は、第１電極層としての透明電極２の内部に配置されている。すなわち、ドット状導電体３は透明電極２内に埋め込まれた状態になされている。この構成においても、前記したリークの発生を効果的に防止させることができる。

図７はこの発明にかかる発光装置の第６の実施の形態を示したものであり、この図７においても、先に説明した図２と同様に部分拡大断面図で示している。なお、この図７においては図２に示した構成と同一の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。

この図７に示す構成においては、ドット状導電体３は、基板と第１電極層としての透明電極２との間に配置されている。この構成においても図６に示す構成と同様の効果を得ることができる。なお、図７に示す構成においても、ドット状導電体３の少なくとも一部を覆う絶縁膜を形成させても良い。

図８はこの発明にかかる発光装置におけるドット状導電体の一つの好ましい配列形態について示したものであり、これはすでに説明した図１と同様に主要部分を透視状態にした平面図で示している。この図８に示した例は、図１に示した例に対して拡大率を下げた状態で示しており、この例においてはほぼ同一径になされたドット状導電体３が、一列ごとに１／２ピッチずれた状態で透明電極２に配列されている。なお、図８に示した例においては、ドット状導電体３を覆う絶縁膜は形成されていない状態で示している。そして、図８に示すドット状導電体の配列形態は、すでに説明した図２〜図７に示す各実施の形態において採用することができる。

図１および図８に示したドット状導電体の配列形態においては、いずれもほぼ同一径になされたドット状導電体３が互いにほぼ同一ピッチの関係に配列されているが、この場合、ドット状導電体の膜厚が、前記第１電極層としての透明電極２への給電部７からの距離に応じて異なるように形成させることもできる。

すなわち、前記ドット状導電体の膜厚を透明電極２への給電部７から離れるにしたがって厚く形成することで、給電部７から離れるにしたがって透明電極２とドット状導電体の単位面積あたりの合成抵抗値を低減させることができ、これにより、給電部７から離れるにしたがって暗くなる輝度傾斜の発生度合いを抑制させることができる。

図９はこの発明にかかる発光装置におけるドット状導電体の他の好ましい配列形態について示したものであり、この図９はすでに説明した図１と同様に主要部分を透視状態にした平面図で示している。この図９に示す構成においては、ドット状導電体３は、図１に示した例と同様に透明電極２に対して縦横方向に規則正しく配置されている。

しかしながら、図９に示す構成においては透明電極２の右端縁の給電部７から離れるにしたがって、各ドット状導電体３の径は小さくなるように構成されている。なお、符号４は前記各ドット状導電体３を覆う絶縁膜を示している。

前記したドット状導電体の配置構成によると、透明電極２の給電部７に近い領域においては面積の広いドット状導電体が配置され、前記給電部７から遠い領域においては面積が狭いドット状導電体が配置される。前記ドット状導電体３は、すでに述べたとおり、発光機能層５から発光される光の一部がそれぞれ透過できる程度に、薄膜状に形成されているものの、ドット状導電体５において光の一部が吸収されるのはやむをえない。

したがって、図９に示す構成によると給電部７に近い領域においてはドット状導電体３による光の吸収分は多くなされ、給電部７から遠い領域においてはドット状導電体３による光の吸収分は少なくなされる。これにより、透明電極２の配線抵抗により発生する輝度傾斜の発生を相殺するように作用し、より均一な面発光特性を確保することができる。そして図９に示すドット状導電体の配列形態は、すでに説明した図２〜図７に示す各実施の形態において採用することができる。

なお、図９に示した構成において、ドット状導電体３の全面をそれぞれ絶縁膜４で覆った場合においては、ドット状導電体３が配置された部分における発光機能層５は発光しないことになる。したがって、図９に示したように給電部７から離れるにしたがって各ドット状導電体３の径が小さくなるように構成させた場合、給電部７から離れるにしたがって発光しない部分の面積は実質的に少なくなるという効果も生ずる。したがってこのような効果も利用して、透明電極２の配線抵抗により発生する輝度傾斜を相殺させるように作用させることができる。

図１０はこの発明にかかる発光装置におけるドット状導電体の他の好ましい配列形態について示したものであり、これはすでに説明した図１と同様に主要部分を透視状態にした平面図で示している。この図１０に示した例においては、ドット状導電体３はそれぞれほぼ同一面積に形成され、図１に示した例と同様に透明電極２に対して縦横方向に規則正しく配置されている。

しかしながら、図１０に示す構成においては透明電極２の右端縁の給電部７から離れるにしたがって、各ドット状導電体３を覆う絶縁膜４の面積（直径）が小さくなるように構成されている。このような絶縁膜４の構成としたことで、給電部７から離れるにしたがって発光しない部分の面積は実質的に小さくなり、透明電極２の配線抵抗により発生する輝度傾斜を相殺させるように作用させることができる。なお、図１０に示したドット状導電体の配列形態は、すでに説明した図２〜図７に示す各実施の形態において採用することができる。

図１１はこの発明にかかる発光装置におけるドット状導電体の他の好ましい配列形態について示したものであり、これはすでに説明した図１と同様に主要部分を透視状態にした平面図で示している。この図１１に示した例においては、絶縁膜４の面積はそれぞれほぼ同一面積に形成され、透明電極２の右端縁の給電部７から離れるにしたがって、ドット状導電体３の面積（直径）が大きくなるように構成されている。

前記したドット状導電体３と絶縁膜４の組み合わせによると、発光面積を一定に保ったまま、給電部７から離れるにしたがって透明電極２とドット状導電体の単位面積あたりの合成抵抗値のみを低減させることができるため、透明電極２の配線抵抗により発生する輝度傾斜を相殺させるように作用させることができ、かつ発光面積のバラつきも無い均一な発光を得ることができる。なお、図１１に示したドット状導電体３と絶縁膜４の組み合わせの形態は、すでに説明した図２〜図７に示す各実施の形態において採用することができる。

図１２はこの発明にかかる発光装置におけるドット状導電体のさらに他の好ましい配列形態について示したものであり、これはすでに説明した図１と同様に主要部分を透視状態にした平面図で示している。この図１２に示した例は、図１に示した例に対して拡大率を下げた状態で示しており、この例においてはほぼ同一径のドット状導電体３が透明電極２に対して配置され、ドット状導電体３を覆う絶縁膜は形成されていない状態で示している。

しかしながら、図１２に示す構成においては右端縁の給電部７から離れるにしたがって、各ドット状導電体３の配置密度が低くなるように構成されている。すなわち、単位面積あ８たりに配置されている前記ドット状導電体の数は、前記透明電極２への給電部７からの距離に応じて異なった状態になされている。

この図１２に示した構成においても、透明電極２の給電部７に近い領域においてはドット状導電体３による光の吸収分は多くなされ、前記給電部７から遠い領域においてはドット状導電体３による光の吸収分は少なくなされる。

したがって、図１２に示したドット状導電体の配列構成においても、図９に示した構成と同様の効果を得ることができる。なお、この図１２に示したドット状導電体の配列形態も、すでに説明した図２〜図７に示す各実施の形態において採用することができる。

図１３および図１４は、この発明にかかる発光装置をパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルに応用した例を示すものであり、図１３はその主要部分を透視状態で示した平面図であり、図１４は図１３おけるＢ−Ｂ線より矢印方向に視た状態の部分拡大断面図である。

この図１３および図１４に示す構成においては、基板１の上面に第１電極層としての前記したＩＴＯに代表される透明電極２がストライプ状に形成される。そして、ストライプ状に形成された前記透明電極２の間およびこれに直交する方向に絶縁層１１が格子状に形成される。すなわち、この格子に囲まれた部分が画素を構成することになる。

また、ストライプ状に形成された前記透明電極２に直交する前記絶縁層１１上には逆等脚台形状になされた陰極隔壁１２が形成される。そして、前記絶縁層１１による格子に囲まれたほぼ中央の透明電極２上には、ドット状導電体３がそれぞれ配置され、また、このドット状導電体３を覆うようにして絶縁膜４が被覆される。

この状態で、有機材料を含む発光機能層５が例えば蒸着手段により成膜される。前記発光機能層５は、逆等脚台形状になされた陰極隔壁１２によってストライプ状に分断されて成膜され、画素位置に配置された前記ドット状導電体３および絶縁膜４の上にも成膜される。さらに第２電極層としての背面電極６が、例えば蒸着手段により成膜されるが、この背面電極６においても逆等脚台形状になされた陰極隔壁１２によって分断されてストライプ状に形成される。

すなわち、前記した第１電極層としての透明電極と、第２電極層としての背面電極６は互いに直交する方向に形成され、その交差位置において発光機能層５による画素が形成される。加えて、各画素の中央位置における前記透明電極２の上にはドット状導電体３が配置された構成になる。

前記したパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルによると、透明電極２の上に沿って電気抵抗率が低い素材による複数のドット状導電体３が配置されることになり、したがってこのドット状導電体３が、透明電極２において電気的なバイパス手段として機能する。したがって図１３および図１４に示した形態においても、電気抵抗率が高い透明電極２において発生する電圧降下を効果的に抑制させるように作用し、前記電圧降下による輝度傾斜の発生度合いを低減させることに寄与できる。

なお、以上説明した実施の形態においては、ドット状導電体３としていずれも円形状に形成された例を示しているが、この形態は楕円や方形状であっても良く、同様の作用効果を得ることができる。

前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる発光装置の好ましい基本形態は、以下に示す独立請求項に係る特徴を少なくとも具備するものである。
〔請求項１〕
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続され、かつ、前記第１電極層の内部に配置されていることを特徴とする発光装置。
〔請求項６〕
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続され、
前記ドット状導電体は、前記第１電極層における一方の表面上に配置され、かつ、前記ドット状導電体の面積は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする発光装置。
〔請求項７〕
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続され、
前記ドット状導電体は、前記第１電極層における一方の表面上に配置され、かつ、前記ドット状導電体の膜厚は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする発光装置。
〔請求項８〕
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続され、
前記ドット状導電体は、前記第１電極層における一方の表面上に配置され、かつ、前記第１電極層における単位面積あたりに配置されている前記ドット状導電体の数は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする発光装置。
〔請求項１２〕
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続され、
前記ドット状導電体は、前記第１電極層における一方の表面上に配置され、
前記ドット状導電体は、少なくとも一部が絶縁膜で被覆され、複数の前記ドット状導電体を被覆する絶縁膜同士は分離した状態に形成され、
前記絶縁膜の面積は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする発光装置。
〔請求項１３〕
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続され、かつ、前記ドット状導電体は、前記発光機能層から発光される光の一部が透過するように薄膜状に構成されていることを特徴とする発光装置。

Claims

基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機材料を含む発光機能層と、前記発光機能層上に形成された第２電極層と、前記第１電極層に接続されたドット状導電体とが具備され、
前記ドット状導電体は、前記ドット状導電体同士が分離された状態で１つの前記第１電極層に対して複数のドット状導電体がそれぞれ接続されていることを特徴とする発光装置。
前記ドット状導電体は、前記第１電極層における一方の表面上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載された発光装置。
前記ドット状導電体は、前記第１電極層の内部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載された発光装置。
前記ドット状導電体は、少なくとも一部が絶縁膜で被覆され、複数の前記ドット状導電体を被覆する絶縁膜同士は分離した状態に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載された発光装置。
前記ドット状導電体は、その端部が前記絶縁膜で被覆されていることを特徴とする請求項４に記載された発光装置。
前記ドット状導電体の面積は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載された発光装置。
前記ドット状導電体の膜厚は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載された発光装置。
前記絶縁膜の面積は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載された発光装置。
前記第１電極層における単位面積あたりに配置されている前記ドット状導電体の数は、前記第１電極層の一端部からの距離に応じて異なっていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載された発光装置。
前記ドット状導電体は、前記発光機能層から発光される光の一部が透過するように薄膜状に構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項１に記載された発光装置。