JPWO2008108371A1 - 化学物質センシング素子、化学物質センシング装置、及び化学物質センシング素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ウェンチン・ツァオ他、「呼気分析:臨床診断及び曝露評価の可能性」、クリニカル・ケミストリ、第52巻:5、p.800−811、2006年(Wenqing Cao et al.、"Breath Analysis:Potential for Clinical Diagnosis and Exposure Assessment"、Clinical Chemistry、vol.52:5、p.800−811、2006) 齋藤理一郎、「カーボンナノチューブの概要と課題」、機能材料、vol.21、No.5、p6−14、2001年5月号
―構成―
図1に、本発明の第1の実施の形態に係る化学物質センシング素子を採用した化学物質センシング装置20の構成図を示す。図1を参照して、装置20は、直流電源30と、直流電源30のプラス端子に一端が接続された、本実施の形態に係る化学物質センシング素子32と、化学物質センシング素子32の他端と直流電源30のマイナス端子との間に接続された負荷抵抗34と、化学物質センシング素子32及び負荷抵抗34の接点に入力が接続され、この接点の電位変化を増幅するための増幅器36とを含む。測定時、この電位変化を測定するために、増幅器36の他方の端子に図示しない直流電圧計が接続される。
化学物質センシング素子32は以下のようにして製造される。センシング用基体を構成するカーボンナノ構造体は、従来の方法を用いて生成することができる。カーボンナノ構造体を生成後、不純物除去のため還流処理を行なう。その後、これを乾燥させ、MePc溶液中へ投入し超音波照射によりMePc溶液中にカーボンナノ構造体が一様に分散した分散液を作製する。その後、これを乾燥させて化学物質センシング部42とし、その両端に電極をつけて化学物質センシング素子32とする。
図1、図2、及び図3を参照して、本実施の形態に係る装置20は以下のように動作する。図1を参照して、直流電源30により、化学物質センシング素子32と負荷抵抗34とを直列接続したものの両端に一定電圧をかけながら、測定対象ガスを化学物質センシング素子32表面に導入する。
本実施の形態における化学物質センシングでは、特定の蛍光分子により表面修飾されたカーボンナノ構造体を用いる。この蛍光分子としては、生体情報に含まれる特定物質と反応し、その反応生成物に特定波長の光を照射すると、励起されて所定の波長の蛍光を発生するような蛍光分子を採用する。すなわち、本実施の形態では、このような蛍光分子により表面修飾されたカーボンナノ構造体を採用したセンシング素子を用いる。
図4に第2の実施の形態に係る化学物質センシング部を採用した、化学物質センシング装置62の構成を示す。図4を参照して、装置62は、大気に影響を受けないガスセンシングを行なうため、センシング素子の周辺雰囲気を閉系にするための容器64と、容器64の中に配された化学物質センシング部66と、光72を出射する光源67と、化学物質センシング部66の直上に、光源67からの光72を化学物質センシング部66に向けて反射し、化学物質センシング部66からの蛍光73を透過させるように配置されたダイクロイックミラー69と、容器64に接続され、ダイクロイックミラー69を収容し、光源67からの光72と化学物質センシング部66からの蛍光73との光路を形成する光路容器68と、光路容器68の、化学物質センシング部66からの蛍光73が到達する位置に設けられ、化学物質センシング部66から発生した蛍光73により得られる画像を撮像するためのCCDカメラ70と、CCDカメラ70の出力を受けるように接続され、励起により生じた蛍光73による画像の色彩と、複数の標準試料から得られる画像(色彩)とを表示画面74に対比して示すことにより、特定化学物質の存在の有無をユーザに確認させるための表示システム71とを含む。
化学物質センシング部66は、第1の実施の形態に係る化学物質センシング素子32の製造方法と同様に製造される。ただし、第1の実施の形態で使用したMePc溶液に代えてDAF−2溶液を用い、カーボンナノ構造体の分散液を作製する。その後、これを乾燥させて化学物質センシング部66とする。また本実施の形態では、蛍光を用いてNOの検出を行ない、電気抵抗の変化は使用しないので、第1の実施の形態と異なり、カーボンナノ構造体に電極を付与する必要はない。
図4及び図5を参照して、本実施の形態に係る装置62は以下のように動作する。図4を参照して、容器64内に化学物質センシング部66を設置し、容器64内に測定対象ガスを導入する。ここでは測定対象ガスを、NOと、大気を構成するO2との混合ガスとする。その結果、化学物質センシング部66にNOが吸着する。その量は測定対象ガス中のNOの濃度と正の相関を持つ。その後、光源67から波長を495nmに調整された励起光72を発生させ、ダイクロイックミラー69を介して化学物質センシング部66に照射させる。
DAF−2に代えて、テーブル3に示す蛍光分子を、カーボンナノ構造体表面へ同様に修飾し、化学物質センシング部66としてもよい。
本実施の形態における化学物質センシングでは、第2の実施の形態と同様、蛍光励起により特定の化学物質のセンシングを行なうが、マイクロプレートを用い、一度の測定で複数のセンシング対象の化学物質の有無を確認することを可能にする。
第3の実施の形態に係る化学物質センシング素子を採用した化学物質センシング装置は、第2の実施の形態に係る、図4に示す化学物質センシング装置62と同様の構成である。ただし、図4に示す化学物質センシング部66に代えて、複数の化学物質のセンシングを行なうための化学物質センシング素子を含む。
図5に示すNO検出用のウエル120と、アセトン検出用のウエル122とは以下のようにして作製する。
図4、図6(A)、及び図6(B)により、本実施の形態に係る装置の動作を以下に説明する。図4及び図6(A)を参照して、図4に示す化学物質センシング装置62において、化学物質センシング素子108を化学物質センシング部66に代えて容器64中に設置する。容器64中に、NOとアセトンとを含む測定対象ガスを導入する。これにより、測定対象ガス中のNOとアセトンとが化学物質センシング素子108表面に導入される。これらはそれぞれ、ウエル120及び122上に設置された化学物質センシング部と結合する。この後、化学物質センシング素子108に波長200nm〜800nmのUV光を励起光72として照射する。
本実施の形態においては、測定対象ガスを吸着させる化学物質センシング部をシート状にし、その形状をパターン化することで、化学物質センシング部の形状を使用用途にあわせて最適化する。
本実施の形態に係る化学物質センシング装置は、第1の実施の形態に示す化学物質センシング装置20と同様の構成を有する。ただし、図1に示す化学物質センシング素子32に代えて、シート状にパターン化された化学物質センシング部を有する化学物質センシング素子を使用する点で第1の実施の形態と異なる。
図7(C)を特に参照して、化学物質センシング素子128は以下のように製造される。はじめに、固体基板134上に熱酸化膜135を形成することで、基板130を準備する。熱酸化膜135は絶縁体である。この基板130上にカーボンナノ構造体を成長させるため、熱酸化膜135の表面にパターンにしたがったマスクを作製し、バッファ層136を熱酸化膜135上に作製する。
図7(C)を参照して、本来、触媒層137は導体である金属で構成されることから、本構造ではカーボンナノ構造体138の電気抵抗変化を測定不可能であることが予想される。なぜなら、化学物質センシング素子128では、電界は、図7(A)及び(B)を参照して、接点139から接点140の間にカーボンナノ構造体138を介してかかる。この際、図7(C)を参照して、熱酸化膜135及びその下に配された固体基板134と、絶縁膜であるバッファ層136には電流は流れないが、カーボンナノ構造体138以外に、導体である、金属からなる触媒層137には電流が流れてしまうからである。しかし、本発明者は、本実施の形態において、アークプラズマガン(Arc Plasma Gun。以下「APG」と呼ぶ。)で製膜した触媒層137は絶縁性を示すことを確認した。その理由としては、触媒金属の微粒子間の抵抗が想定される。また、カーボンナノ構造体138についても、垂直方向に1010〜13本/cm2程度で高密度に成長した状態で水平方向に電界をかけると、導電性を得ることを確認した。これはトンネル効果によりカーボンナノ構造体138がより高い導電性を得たことによると推定される。これらのことから、図1に示す装置20に、素子128を導入し、その電気抵抗変化を測定すると、図7(C)に示すカーボンナノ構造体138に電流が流れ、その電気抵抗変化を測定することができ、これにより特定化学物質のセンシングを行なうことが可能である。
図1を参照して、本実施の形態に係る化学物質センシング素子を、化学物質センシング素子32に代えて装置20へ導入し、その装置20を、図4に示す容器64へ導入し、容器64内に化学物質センシング部66に代えて設置し、前述の方法で作成した化学物質センシング素子に直流電源30を介して電圧をかけると同時に、励起光72を照射することにより、蛍光励起反応の測定と、電気抵抗変化の測定とを同時に行なうこともできる。これにより、蛍光分子と反応する特定化学物質と、MePcと反応する特定化学物質とを同時に測定することが可能である。
―構成―
本実施の形態に係る化学物質センシング素子は、第4の実施の形態に示す化学物質センシング素子128と同様の構成を有する。ただし、図8(A)〜(C)に示す、カーボンナノ構造体を含む2つの櫛型のパターンを、その櫛の歯が交互に配置されるように形成する点で第4の実施の形態と異なる。
図8(C)を特に参照して、化学物質センシング素子142は以下のように製造される。はじめに、固体基板170上に熱酸化膜172を形成することで、基板150を準備する。熱酸化膜172は絶縁体である。この基板150上にカーボンナノ構造体を成長させるため、熱酸化膜172の表面にパターンにしたがった開口部を有するマスクを作製し、バッファ層174を熱酸化膜172上に作製する。このとき、マスクパターンを図8(A)に示すような櫛型を残す形で、2つの櫛が交互に向かい合うような形状にし、櫛と櫛との間の開口部175の面積が大きくなるようにする。
本実施の形態に係る化学物質センシング素子は、図9を参照して、表面に形成された熱酸化膜を有する平板状の基板190と、その上に作製された、カーボンナノ構造体層を含む櫛型のパターン202及び203、櫛型のパターン202に接続する接点204、並びに櫛型のパターン203に接続する接点206を含む化学物質センシング素子200とを複数含んでもよい。基板190上には、この化学物質センシング素子200が複数個配置されてもよい。
以下に、第1の実施の形態に基づく実施例について説明する。
化学物質センシング素子32を以下に述べる方法により製造した。はじめに、カーボンナノ構造体を作製するための前準備を行なった。表面に厚さ300nmの熱酸化膜172が形成された2インチのSi基板上に、所望のパターンのメタルマスクを載せ、高周波スパッタ装置(ULVAC社製SBR2304/13.56MHz、200W)によりSiO2ターゲットで2200秒製膜することで、熱酸化膜の上に更に200nm程度のスパッタSiO2膜を製膜した。メタルマスクはそのまま維持して、APG装置(ULVAC社製/放電電圧60V、アノード―基板間90mm)にてCoを5nm、Tiを1nmの順番で蒸着し、触媒層176を製膜した。
この化学物質センシング素子32の特性評価方法を次に示す。図1に示す装置20を、雰囲気が制御できる約20リットルのステンレス(Stainless Used Steel:SUS)製チャンバー内へ挿入し、一旦、化学物質センシング素子の周辺雰囲気をダイヤフラムポンプで10−3Torr程度の真空状態とした。直流電源30により電流200μAを流し、化学物質センシング素子32と負荷抵抗34との間の接点の電気抵抗変化を増幅器36において増幅し、増幅した電気抵抗変化を増幅器36の出力電圧変化として図示しない直流電圧計により測定した。なお、化学物質センシング素子32の初期抵抗はRo=20kΩであり、測定頻度は1秒毎で、60秒間行なった。この測定値を初期値とした。次に、1リットルのテドラーバッグに封入したペンタン濃度100ppbのセンシング対象ガスを、チャンバー内へ、圧力ゲージを見ながら少量ずつ導入し、大気圧になったところで導入を停止した。
図11を参照して、測定値300は電気抵抗変化を示している。図11から、本実施例における化学物質センシング素子32は、ペンタンの存在の確認が可能で、その検出下限は、本実験系においては100ppb以下であることがわかった。
以下に、第2の実施の形態に基づく実施例について説明する。
本実施例に係る化学物質センシング部66の製造方法を以下に示す。はじめに、実施例1に示す化学物質センシング素子32の製造方法と同様に、カーボンナノ構造体を作製するための前準備と、カーボンナノ構造体の作製と、カーボンナノ構造体の還流処理とを行なった。次に、ジメチルスルホキシド(Dimethyl Sulfoxide。以下「DMSO」と呼ぶ。)550μL中にDAF−2を1mg展開したDAF−2の5mmoL溶液をリン酸緩衝液(0.1mol/L)で500倍に希釈し(約10μmol/L)、この溶液中へ、カーボンナノ構造体を5mg入れた後、超音波洗浄機を用いて分散した。この分散液を、PTFE膜上にろ過して乾燥させ、化学物質センシング部66とした。
化学物質センシング装置62の特性評価方法を次に示す。図4を参照して、内部に化学物質センシング部66が設置された容器64内に、窒素で希釈されたNO濃度100ppbの測定対象ガスを導入し、直後に波長495nmの励起光72を化学物質センシング部66へ照射した。この時の蛍光73の有無と、その波長とを、表示システム71を用いて調べた。
上記処理の結果、波長515nmの蛍光が観測された。これにより、本実施例における化学物質センシング素子は、NOの存在の確認が可能で、その検出下限は、本実験系において100ppb以下であることがわかった。
以下に、第3の実施の形態に基づく実施例について説明する。
化学物質センシング素子108の製造方法を以下に示す。はじめに、NOセンシング用の化学物質センシング部を、実施例2と同様にして作製し、図6を参照して、ウエル120へ設置した。
本実施例に基づく化学物質センシング素子108の特性評価方法を次に示す。本実施例でも、図4に示す化学物質センシング装置62と同構成の装置を用いる。図4を参照して、容器64内に化学物質センシング素子108を設置する。容器64内に窒素で希釈されたNO及びアセトン濃度100ppbの測定対象ガスを導入し、直後にUV光(波長200nm〜800nm)を励起光72として化学物質センシング素子108へ照射した。この時の蛍光73の有無と、その波長とを、表示システム71を用いて調べた。
図4を参照して、励起光72が波長440nmの時、ウエル122より、黄色味がかったオレンジ色の蛍光126を、波長495nmの時、ウエル120より、緑色の蛍光124を、それぞれ得た。これにより、本実施例における化学物質センシング素子は、NOとアセトンとの存在の確認が可能で、その検出下限は、本実験系において100ppb以下であることがわかった。
以下に、第5の実施の形態に基づく実施例について説明する。
化学物質センシング素子142の製造方法を以下に示す。はじめに、実施例1に示す化学物質センシング素子32の製造方法と同様に、カーボンナノ構造体を作製するための前準備と、カーボンナノ構造体の作製とを行なった。この時、カーボンナノ構造体製膜時の基板温度を、800℃に代えて、500℃〜1000℃とした。そのとき作製されたカーボンナノ構造体は、図8(C)に示される様に、表面に対して垂直に、100μm程度にその長さを揃えて、櫛型パターン上に成長していたカーボンナノ構造体178と、開口部において水平方向へ成長したカーボンナノ構造体179とを含んでいた。
窒素で希釈されたNO濃度100ppbのセンシング対象ガスを用いて実施例1と同様に評価を行ない、図11に示されると同様の電気抵抗変化を確認した。これにより、本実施例における化学物質センシング素子は、NOの存在の確認が可能で、その検出下限は、本実験系において100ppb以下であることがわかった。
実施例2及び実施例4において作製した、化学物質センシング素子32及び化学物質センシング素子142における、DAF−2による表面修飾の様子を、エネルギーフィルター型透過型電子顕微鏡(EF−TEM)、走査型電子顕微鏡(SEM)、ラマン分光装置、FT−IR装置、蛍光X線分析装置(FX)、X線回折装置(XD)により評価し、比較した。その結果、実施例2に基づく化学物質センシング素子32におけるDAF−2層は10〜50nm程度の範囲に膜厚が分布していることが確認された。一方、実施例4に基づく化学物質センシング素子142において、DAF−2層は平均膜厚が5nm程度で形成されていることが確認され、化学物質センシング素子32よりも膜厚が薄く、かつ均一であった。
本実施例に係る化学物質センシング部66の製造方法を以下に示す。はじめに、実施例1に示す化学物質センシング素子32の製造方法と同様に、カーボンナノ構造体を作製するための前準備と、カーボンナノ構造体の作製と、カーボンナノ構造体の還流処理とを行なった。次に、ジメチルスルホキシド(Dimethyl Sulfoxide。以下「DMSO」と呼ぶ。)550μL中にDAF−2を1mg展開したDAF−2の5mmol/L溶液をリン酸緩衝液(0.1mol/L)で500倍に希釈し(約10μmol/L)、この溶液中へ、カーボンナノ構造体を5mg入れた後、超音波洗浄機を用いて分散した。この分散液を、PTFE膜上にろ過して乾燥させ、化学物質センシング部66とした。
本実施例に基づく化学物質センシング素子108の特性評価方法を次に示す。本実施例でも、図4に示す化学物質センシング装置62と同構成の装置を用いる。図4を参照して、容器64内に化学物質センシング素子108を設置する。容器64内に窒素で希釈されたNO濃度100ppbの測定対象ガス及びアセトン濃度100ppbの測定対象ガスを切替えて導入し、直後にUV光(波長200nm〜800nm)を励起光72として化学物質センシング素子108へ照射した。この時の蛍光73の有無と、その波長とを、表示システム71を用いて調べた。
Claims (40)
- 金属錯体又はその誘導体により表面修飾された、導電性を有するセンシング用基体を含む、特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子。
- 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項1に記載の化学物質センシング素子。
- 前記金属錯体は金属フタロシアニン類からなる、請求項1に記載の化学物質センシング素子。
- 前記特定化学物質は、一酸化窒素及びペンタンからなるグループから選択される、請求項1に記載の化学物質センシング素子。
- 特定化学物質と選択的に結合可能で、結合による生成物が励起光に対して特定の波長の蛍光を発生する蛍光分子により表面修飾されたセンシング用基体を含む、特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子。
- 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項5に記載の化学物質センシング素子。
- 前記蛍光分子はジアミノフルオレセイン−2(Diaminofluorescein−2)からなる、請求項5に記載の化学物質センシング素子。
- 前記特定化学物質は一酸化窒素である、請求項5に記載の化学物質センシング素子。
- 前記蛍光分子は2,4-ジニトロフェニルヒドラジン(2,4-Dinitrophenylhydrazine)からなる、請求項5に記載の化学物質センシング素子。
- 前記特定化学物質はアセトンである、請求項5に記載の化学物質センシング素子。
- 金属錯体又はその誘導体、及び蛍光分子により表面修飾された、導電性を有するセンシング用基体を含む、特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子であって、
前記蛍光分子は、特定化学物質と選択的に結合可能で、結合による生成物が励起光に対して特定の波長の蛍光を発生する、化学物質センシング素子。 - 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項11に記載の化学物質センシング素子。
- 前記金属錯体は金属フタロシアニン類からなる、請求項11に記載の化学物質センシング素子。
- 前記蛍光分子はジアミノフルオレセイン−2からなる、請求項11に記載の化学物質センシング素子。
- 特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子であって、
第1の蛍光分子により表面修飾された第1のセンシング用基体を含む第1のセンシング素子と、
前記第1の蛍光分子と異なる第2の蛍光分子により表面修飾された第2のセンシング用基体を含む第2のセンシング素子とを含む、化学物質センシング素子。 - 前記第1及び第2のセンシング用基体は、カーボンナノ構造体を含む、請求項15に記載の化学物質センシング素子。
- 前記蛍光分子は、ジアミノフルオレセイン−2及び2,4-ジニトロフェニルヒドラジンからなるグループから選択される、請求項15に記載の化学物質センシング素子。
- 金属錯体又はその誘導体により表面修飾された導電性のセンシング用基体を含む化学物質センシング素子と、
前記化学物質センシング素子に電気的に結合され、前記化学物質センシング素子の電気抵抗の変化を検出するための検出手段とを含む、化学物質センシング装置。 - 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項18に記載の化学物質センシング装置。
- 前記金属錯体は金属フタロシアニン類からなる、請求項18に記載の化学物質センシング装置。
- 前記化学物質センシング装置は、さらに、前記化学物質センシング素子を加熱、光照射又は真空引きするための手段を含み、それにより、前記化学物質センシング素子表面に吸着された物質が実質的に除去される、請求項18に記載の化学物質センシング装置。
- 特定化学物質と選択的に結合可能で、結合による生成物が励起光に対して特定の波長の蛍光を発生する蛍光分子により表面修飾されたセンシング用基体を含む化学物質センシング素子と、
前記励起光に起因して前記化学物質センシング素子に結合した前記蛍光分子から発生する蛍光を検出可能なように設置された蛍光検出手段と、
前記蛍光検出手段に接続され、前記特定の波長の蛍光の有無を判定するための判定手段とを含む、化学物質センシング装置。 - 前記化学物質センシング素子に対し、その発光する光を照射可能な位置に設置された、前記蛍光分子の励起光を照射するための発光手段をさらに含む、請求項22に記載の化学物質センシング装置。
- 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項22に記載の化学物質センシング装置。
- 前記蛍光分子は、ジアミノフルオレセイン−2及び2,4-ジニトロフェニルヒドラジンからなるグループから選択される、請求項22に記載の化学物質センシング装置。
- 前記化学物質センシング装置は、さらに、前記化学物質センシング素子を加熱、光照射又は真空引きするための手段を含み、それにより、前記化学物質センシング素子表面に吸着された物質が実質的に除去される、請求項22に記載の化学物質センシング装置。
- 金属錯体又はその誘導体、及び蛍光分子により表面修飾された、導電性を有するセンシング用基体を含む、特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子と、
前記化学物質センシング素子に電気的に結合され、前記化学物質センシング素子の電気抵抗の変化を検出するための検出手段と、
励起光に起因して前記化学物質センシング素子に結合した前記蛍光分子から発生する蛍光を検出可能なように設置された蛍光検出手段と、
前記蛍光検出手段に接続され、前記特定の波長の蛍光の有無を判定するための判定手段とを含む、化学物質センシング装置であって、
前記蛍光分子は、特定化学物質と選択的に結合可能で、結合による生成物が前記励起光に対して特定の波長の蛍光を発生する、化学物質センシング装置。 - 前記化学物質センシング素子にその発光する光を照射可能な位置に設置された、前記蛍光分子のための前記励起光を照射するための発光手段をさらに含む、請求項27に記載の化学物質センシング装置。
- 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項27に記載の化学物質センシング装置。
- 前記金属錯体は金属フタロシアニン類からなる、請求項27に記載の化学物質センシング装置。
- 前記蛍光分子はジアミノフルオレセイン−2からなる、請求項27に記載の化学物質センシング装置。
- 前記化学物質センシング装置は、さらに、前記化学物質センシング素子を加熱、光照射又は真空引きするための手段を含み、それにより、前記化学物質センシング素子表面に吸着された物質が実質的に除去される、請求項27に記載の化学物質センシング装置。
- 金属錯体又はその誘導体により表面修飾された、導電性を有するセンシング用基体を含む、第1の化学物質センシング素子と、
蛍光分子により表面修飾された、導電性を有するセンシング用基体を含む、第2の化学物質センシング素子と、
前記第1の化学物質センシング素子に電気的に結合され、前記第1の化学物質センシング素子の電気抵抗の変化を検出するための検出手段と、
励起光に起因して前記第2の化学物質センシング素子に結合した前記蛍光分子から発生する蛍光を検出可能なように設置された蛍光検出手段と、
前記蛍光検出手段に接続され、特定の波長の蛍光の有無を判定するための判定手段とを含む、特定化学物質を検出するための、化学物質センシング装置であって、
前記蛍光分子は、特定化学物質と選択的に結合可能で、結合による生成物が前記励起光に対して前記特定の波長の蛍光を発生する、装置。 - 前記第2の化学物質センシング素子に対し、その発光する光を照射可能な位置に設置された、前記蛍光分子の前記励起光を照射するための発光手段をさらに含む、請求項33に記載の化学物質センシング装置。
- 前記センシング用基体はカーボンナノ構造体を含む、請求項33に記載の化学物質センシング装置。
- 前記金属錯体は金属フタロシアニン類からなる、請求項33に記載の化学物質センシング装置。
- 前記蛍光分子はジアミノフルオレセイン−2からなる、請求項33に記載の化学物質センシング装置。
- 前記化学物質センシング装置は、さらに、前記化学物質センシング素子を加熱、光照射又は真空引きするための手段を含み、それにより、前記化学物質センシング素子表面に吸着された物質が実質的に除去される、請求項33に記載の化学物質センシング装置。
- 特定化学物質を検出するための、化学物質センシング素子の製造方法であって、
導電性のセンシング用基体を平面上に作製するステップと、
金属錯体又はその誘導体、及び蛍光分子を含む溶液を、前記作製されたセンシング用基体に滴下するステップと、
前記平面上の前記センシング用基体の前記蛍光分子を含む溶液が滴下された領域において、前記センシング用基体と他の部位との間に所定の電圧をかけるステップとを含み、
前記蛍光分子は、特定化学物質と選択的に結合可能で、結合による生成物が励起光に対して特定の波長の蛍光を発生する、分子であって
前記方法により、前記センシング用基体が前記金属錯体又はその誘導体、及び蛍光分子により実質的に均一に表面修飾される、方法。 - 前記導電性のセンシング用基体は、カーボンナノ構造体を含む、請求項39に記載の方法。
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