JPWO2008013227A1

JPWO2008013227A1 - 不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システム

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Publication number: JPWO2008013227A1
Application number: JP2008526805A
Authority: JP
Inventors: 前田　卓治; 卓治前田; 本多　利行; 利行本多; 中西　雅浩; 雅浩中西; 小野　正; 正小野; 足立　達也; 達也足立; 加藤　勇雄; 勇雄加藤
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-07-26
Filing date: 2007-07-26
Publication date: 2009-12-17
Also published as: CN101479745B; CN101479745A; EP2045762A1; US20100005226A1; EP2045762B1; US8661186B2; EP2045762A4; WO2008013227A1

Abstract

アクセス装置１００は、アクセス装置１００がデータ記録時に必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置２００に通知するアクセス速度通知部１１２を有する。不揮発性記憶装置は通知されたアクセス速度を満たすために必要なアクセス条件を決定するアクセス条件決定部２１２と、決定されたアクセス条件に基づきアクセス領域を決定するアクセス領域決定部２１３を有する。アクセス装置１００は必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置２００に予め通知し、不揮発性記憶装置２００内のアクセス条件決定部２１２とアクセス領域決定部２１３がデータ記録時に予め通知されたアクセス速度を満たすデータ記録を実現する。これにより不揮発性記憶装置毎に異なる記録速度の特性の違いに関わらず、全ての不揮発性記憶装置に対して所望の速度でアクセスできる。

Description

本発明は、不揮発性記憶装置内の記録素子にアクセス装置からデータを記録する際に、その記録素子への記録速度を保証する不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システムに関する。

音楽コンテンツや、映像データなどのデジタルデータを記録する記録媒体には、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクなど、様々な種類が存在する。これら記録媒体の１種類である半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置は、記録媒体の小型化が図れることから、デジタルスチルカメラや携帯電話端末など、小型の携帯機器を中心に急速に普及しつつある。

半導体メモリカードは、記録素子としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリと呼ばれる半導体素子を主に使用している。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、データ書き込みに先立ち一旦データを消去する必要がある。消去処理は消去の単位である物理ブロックと呼ばれるブロック単位でしか行えないことから、物理ブロック単位での書き込みが最速となるという特徴を持つ。また、半導体メモリカードは記録素子として使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリの枚数は１枚とは限らず、複数枚使用して並列処理することにより、アクセス性能を高めた半導体メモリカードが存在する。このような半導体メモリカードでは、複数の物理ブロックを１つの管理単位としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを制御しており、この管理単位で書き込みを行った場合に書き込みが最速となる。このように半導体メモリカードの記録速度は、使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリの物理ブロックのサイズや使用するフラッシュメモリの枚数、データ記録時の処理単位サイズ等に依存し、変化する。

半導体メモリカードに使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリの物理ブロックサイズや使用する枚数などは、メーカーや世代毎に異なるため、市場には様々な記録速度の特性を持った半導体メモリカードが存在する。従来、半導体メモリカード内に半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を保持し、その情報を基に半導体メモリカードとアクセス装置間で記録速度や最適なアクセス条件に関する情報を送受信することにより、半導体メモリカード毎に異なる記録速度の特性の違いに関わらず、全ての半導体メモリカードに対し高速にアクセスする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ＷＯ２００５／０１５４０６号公報

従来の方法では、アクセス装置が半導体メモリカードから取得した情報を基に半導体メモリカードの記録速度と最適なアクセス条件を決定する。そしてそのアクセス条件に従って、アクセス装置が半導体メモリカードにデータを記録することにより、半導体メモリカードへの高速記録を実現している。ここで、アクセス条件には半導体メモリカードへデータを記録する際の処理単位サイズが含まれている。すなわち、半導体メモリカードへの高速記録を実現するためには、アクセス装置はこの処理単位サイズに従った大きさで半導体メモリカードへデータを記録する必要がある。一方、半導体メモリカード上のデータはＦＡＴファイルシステムなどのファイルシステムにより記録領域が管理されており、半導体メモリカードへファイルを記録する際には、このファイルシステムが空き領域をファイルに割り当てて、その領域へデータを記録する。そのため、先の処理単位サイズに従ったデータ記録を実現するためには、ファイルシステムがこの処理単位サイズを把握して、論物アドレス上で連続した空き領域を割り当てる必要があり、アクセス装置側に特殊なファイルシステムを実装する必要が生じる。

本発明では、従来のような特殊なファイルシステムをアクセス装置側に必要とすることなく、不揮発性記憶装置へのデータを高速に記録することができる不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システムを提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶装置は、所定サイズの複数管理単位領域によって構成され、データを格納する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリにデータを記録する際に、所定以上のアクセス速度で記録するためにデータの管理単位の開始位置及び記録データ量を含むアクセス条件を決定するアクセス条件決定部と、前記アクセス条件決定部により決定された前記アクセス条件に基づき、前記不揮発性メモリにデータを記録する領域を決定するアクセス領域決定部と、を具備するものである。

ここで前記アクセス領域決定部は、前記アクセス条件に基づき、データを記録する領域の物理アドレスを決定するものであり、アクセス装置から与えられる前記不揮発性記憶装置の記録位置を示す論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとを変換するアドレス変換制御部を更に具備するようにしてもよい。

ここで前記不揮発性メモリ内に格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部を更に具備し、前記アクセス領域決定部は、前記アクセス条件に基づき、前記ファイルシステム制御部により管理されている前記不揮発性メモリ内の記録領域の中で、データを記録する領域を決定するようにしてもよい。

ここで前記アクセス条件は、前記不揮発性メモリの領域管理の１単位内に最低限記録されるデータ量を含むようにしてもよい。

ここで前記所定のアクセス速度は、アクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度であり、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立って通知されるようにしてもよい。

ここで前記所定のアクセス速度は、前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度のレベルを示すフラグとして示されており、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記アクセス装置から前記不揮発性記憶装置に通知されるようにしてもよい。

ここで前記所定のアクセス速度は、前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際、１回のデータ記録に要する時間として示されており、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記アクセス装置から前記不揮発性記憶装置に通知されるようにしてもよい。

ここで前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする複数のアクセス装置と接続されており、前記複数のアクセス装置の内、１つの前記アクセス装置から前記所定のアクセス速度に関する情報が通知され、前記１つのアクセス装置との通信を継続している間は、その他の前記アクセス装置からのアクセス要求を拒絶するようにしてもよい。

ここで前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする複数のアクセス装置と接続されており、前記複数のアクセス装置の内、１つの前記アクセス装置から前記所定のアクセス速度に関する情報が通知され、前記１つのアクセス装置との通信を継続している間は、その他の前記アクセス装置からのアクセス要求を読み取り専用にすること、及びアクセス速度の保証を行わないことのいずれかで通信を許容するようにしてもよい。

ここで前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする複数のアクセス装置と接続されており、前記不揮発性記憶装置内の前記不揮発性メモリへの最大記録速度以下の範囲内で、前記複数のアクセス装置から通知される前記所定のアクセス速度を保証したデータ記録を１つ以上並行して実施するようにしてもよい。

ここで前記アクセス条件決定部は、前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置に対し、前記不揮発性記憶装置に送信して記録するデータの単位を所定のデータサイズ以上とする制限を前記アクセス装置に付加するようにしてもよい。

ここで前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置に前記所定のアクセス速度を通知した後に、前記所定のデータサイズを前記アクセス装置に通知するようにしてもよい。

ここで前記不揮発性メモリのメモリ管理単位及び管理単位以下のデータに対する記録速度を含むアクセス特性情報を格納する情報格納部を更に有するようにしてもよい。

この課題を解決するために、本発明のアクセス装置は、不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置であって、前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度を、データ記録に先立ち前記不揮発性記憶装置に通知するアクセス速度通知部を具備するものである。

ここで前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置内の前記不揮発性メモリに格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部を更に具備するようにしてもよい。

ここで前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置内に存在し、前記不揮発性記憶装置内の前記不揮発性メモリに格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部に対し、ファイルのオープン、クローズ、リード、ライトを含むファイル単位のアクセス命令を送信するようにしてもよい。

ここで前記アクセス速度通知部は、前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度のレベルを示すフラグを前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記不揮発性記憶装置に通知するものとしてもよい。

ここで前記アクセス速度通知部は、前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際において、１回のデータ記録処理にかけることのできる時間を前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記不揮発性記憶装置に通知するものとしてもよい。

ここで前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に、前記不揮発性記憶装置が前記アクセス速度を満たすデータ記録を行うために必要な所定のデータサイズ以上のデータを、前記不揮発性記憶装置に記録するようにしてもよい。

この課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶システムは、所定サイズの複数管理単位領域によって構成され、データを格納する不揮発性メモリを有する不揮発性記憶装置と、前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置とを具備する不揮発性記憶システムであって、前記アクセス装置は前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度を、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記不揮発性記憶装置に通知するアクセス速度通知部を具備するものである。

ここで前記不揮発性記憶装置は、所定サイズの複数管理単位領域によって構成され、データを格納する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリにデータを記録する際に、所定以上のアクセス速度で記録するためにデータの管理単位の開始位置及び記録データ量を含むアクセス条件を決定するアクセス条件決定部と、前記アクセス条件決定部により決定された前記アクセス条件に基づき、前記不揮発性メモリにデータを記録する領域を決定するアクセス領域決定部と、を具備するようにしてもよい。

ここで前記不揮発性記憶装置のアクセス領域決定部は前記アクセス条件に基づき、データを記録する領域の物理アドレスを決定し、アクセス装置から与えられる前記不揮発性記憶装置の記録位置を示す論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとを変換するアドレス変換制御部を更に具備するようにしてもよい。

ここで前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性メモリ内に格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部を更に具備し、前記アクセス領域決定部は、前記アクセス条件に基づき、前記ファイルシステム制御部により管理されている前記不揮発性メモリ内の記録領域の中で、データを記録する領域を決定するようにしてもよい。

本発明によれば、アクセス装置側に特殊なファイルシステムを搭載することなく、記録速度の特性が異なる様々な不揮発性記憶装置に対して、高速にデータを記録することが可能となる。

図１は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置、及び不揮発性記憶装置を示した説明図である。図２は本実施の形態のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構成を示した説明図である。図３は本発明の実施の形態１におけるアクセス特性情報の一例を示した説明図である。図４は本発明の実施の形態１における論物アドレス変換表の一例を示した説明図である。図５は本発明の実施の形態１におけるデータ記録時のアクセス装置と不揮発性記憶装置の動作フローを示したフローチャートである。図６は本発明の実施の形態１におけるデータ記録時の動作を示すフローチャートである。図７Ａはデータ記録時の各メモリ管理単位の記録内容の変化を示す図である。図７Ｂはデータ記録時の各メモリ管理単位の記録内容の変化を示す図である。図７Ｃはデータ記録時の各メモリ管理単位の記録内容の変化を示す図である。図７Ｄはデータ記録時の各メモリ管理単位の記録内容の変化を示す図である。図７Ｅはデータ記録時の各メモリ管理単位の記録内容の変化を示す図である。図８は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置と不揮発性記憶装置の構成例を示した説明図である。図９は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置と不揮発性記憶装置のアクセス速度を保証した接続の一例を示したフローチャートである。図１０は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置と不揮発性記憶装置のアクセス速度を保証した接続の一例を示したフローチャートである。図１１は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置と不揮発性記憶装置のアクセス速度を保証した接続の一例を示したフローチャートである。図１２は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置、及び不揮発性記憶装置の変形例を示した説明図である。図１３は本発明の実施の形態２におけるアクセス装置、及び不揮発性記憶装置の実施方法を示した説明図である。図１４は本発明の実施の形態２におけるデータ記録時のアクセス装置と不揮発性記憶装置の動作フローを示したフローチャートである。

符号の説明

１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｅアクセス装置
１０１，２０２ＣＰＵ
１０２，２０３ＲＡＭ
１０３インターフェイス
１０４，２０４ＲＯＭ
１１１アプリケーション制御部
１１２アクセス速度通知部
１１３，２１６ファイルシステム制御部
１１４不揮発性記憶装置アクセス部
２００，２００Ｄ，２００Ｅ不揮発性記憶装置
２０１インターフェイス
２０５情報格納部
２０６不揮発性メモリ
２１１コマンド解釈部
２１２アクセス条件決定部
２１３アクセス領域決定部
２１４アドレス変換制御部
２１５不揮発性メモリアクセス部
２２０メモリコントローラ

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるアクセス装置、不揮発性記憶装置の構成図である。図１においてアクセス装置１００には不揮発性記憶装置２００が接続される。アクセス装置１００は、ＣＰＵ１０１、ＲＡＭ１０２、インターフェイス１０３、ＲＯＭ１０４を含んでいる。

インターフェイス１０３は、不揮発性記憶装置２００とアクセス装置１００との接続部であり、制御信号及びデータはインターフェイス１０３を経由してアクセス装置１００と不揮発性記憶装置２００間で送受信される。

ＲＯＭ１０４にはアクセス装置１００を制御するプログラムが格納されており、このプログラムはＲＡＭ１０２を一時記憶領域として使用し、ＣＰＵ１０１上で動作する。ＲＯＭ１０４には、アプリケーション制御部１１１、アクセス速度通知部１１２、ファイルシステム制御部１１３、不揮発性記憶装置アクセス部１１４のプログラムを含んでいる。

アプリケーション制御部１１１は、データの生成や電源の制御などアクセス装置全体の制御を行うものである。

アクセス速度通知部１１２は、アクセス装置１００がデータを記録する際に必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置２００に通知するものである。アクセス速度通知部１１２では、アクセス速度を通知するのみで、処理単位サイズなどのアクセス条件に関する情報は通知しない。

ファイルシステム制御部１１３は、従来のアクセス装置に搭載されているファイルシステム制御部と同様のものであり、ＦＡＴファイルシステムなどを用いて、データをファイルとして管理するための制御を行うものである。

不揮発性記憶装置アクセス部１１４は、ファイルシステム制御部１１３からデータと共にサイズとアドレスを渡され、指定されたサイズのデータを不揮発性記憶装置２００の記録領域内における指定された位置に記録するなど、不揮発性記憶装置２００に対するコマンドやデータの送受信を制御するものである。

一方、図１において不揮発性記憶装置２００は、インターフェイス２０１、ＣＰＵ２０２、ＲＡＭ２０３、ＲＯＭ２０４、情報格納部２０５、及び不揮発性メモリ２０６を含んでいる。

インターフェイス２０１は、不揮発性記憶装置２００とアクセス装置１００との接続のためのインターフェイスであり、インターフェイス１０３と同様に、制御信号及びデータを送受信するインターフェイスである。

ＲＯＭ２０４には不揮発性記憶装置２００を制御するプログラムが格納されており、このプログラムはＲＡＭ２０３を一時記憶領域として使用し、ＣＰＵ２０２上で動作する。ＲＯＭ２０４は、コマンド解釈部２１１、アクセス条件決定部２１２、アクセス領域決定部２１３、アドレス変換制御部２１４、及び不揮発性メモリアクセス部２１５のプログラムを含んでいる。

情報格納部２０５は、処理単位サイズと記録速度との関係など、不揮発性メモリ２０６に対するアクセスに関するアクセス特性情報を格納する格納部である。

不揮発性メモリ２０６は、アクセス装置から送信されたデータを記録する不揮発性のメモリである。不揮発性メモリ２０６は例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリが用いられ、図２に基づきその構成を説明する。本実施の形態では不揮発性メモリ２０６はＰＢ０〜ＰＢ（Ｎ−１）のＮ個の物理ブロックから構成される。物理ブロックは消去の単位であって、夫々６４ページで構成されており、各ページの容量を２ｋバイト（以下Ｂで表す）、各物理ブロックの容量を１２８ｋＢとする。物理ページの番号ＰＰＮは０から始まる一連の番号が図示のように付されている。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、データの書き込みはページ単位で行い、データ記録に先立ち、物理ブロック単位で一旦データを消去する。

図３に情報格納部２０５に格納するアクセス特性情報の一例を示す。不揮発性メモリ２０６にＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用する場合には、情報記録媒体内部で管理する領域管理単位である不揮発性メモリ管理単位と、データ量に対する記録速度をアクセス特性情報として格納する。これは記録するデータ量が管理単位以下の場合に、記録するデータ量により記録速度が変化することから、必要な情報である。

図２の例では、データの書き込みはページ（例えば２ｋＢ）単位で行うことが可能であるが、消去は物理ブロック単位で行う必要がある。１２８ｋＢのデータを更新する場合には、未使用の物理ブロックを１つ割り当てて１２８ｋＢ分の新データを記録し、旧データが格納された物理ブロックを消去する。これに対し既に書かれている物理ブロックのうちの２ｋＢのデータを更新する場合には、未使用の物理ブロックを１つ割り当てて２ｋＢ分の新データを記録し、２ｋＢ分の旧データが格納された１２８ｋＢの物理ブロックに含まれる残りの１２６ｋＢ分のデータを先に割り当てた未使用の物理ブロックにコピーし、最後に旧データが格納された物理ブロックを１２８ｋＢ分消去する。このように、１２８ｋＢのデータ記録も２ｋＢのデータ記録も同様に１２８ｋＢ分のデータを記録する必要があることから、１２８ｋＢのデータ記録の方が２ｋＢのデータ記録よりも高速に記録できることになる。本実施の形態における不揮発性記憶装置２００では、このような記録速度に関する特性情報を情報格納部２０５に格納する。

図３の例では、不揮発性メモリ管理単位として４ＭＢが設定されている。この不揮発性メモリ管理単位は、不揮発性メモリ２０６に対する記録速度を決定するための仮想的な管理単位であり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを記録素子とする場合においても、必ずしも物理ブロックサイズと一致させる必要はない。例えば、複数のフラッシュメモリを使用して並列書き込みを行う不揮発性記憶装置の場合、物理ブロックサイズと使用するフラッシュメモリの枚数を乗算したサイズでデータを記録する場合に最速となることから、このサイズを不揮発性メモリ管理単位として使用することが考えられる。図３の例では、１６の物理ブロックが並列に記録できるように構成され、各物理ブロックが１２８ｋＢの容量を持つため、４ＭＢ単位での記録時に最高の速度となる。従ってデータ量４ＭＢの場合に記録速度が４ＭＢ／ｓと設定されている。これは、４ＭＢの不揮発性メモリ管理単位内に４ＭＢ分のデータを記録した場合に４ＭＢ／ｓの記録速度となることを示している。同様に、データ量３ＭＢの場合に記録速度が２．６ＭＢ／ｓと設定されている。これは不揮発性メモリ管理単位以下の３ＭＢ分のデータを記録した場合に２．６ＭＢ／ｓの記録速度となることを示している。このように、図３の例では、不揮発性メモリ管理単位以下の記録データ量と記録速度との関係がアクセス特性情報として格納される。

次に不揮発性記憶装置２００のＲＯＭ２０４に含まれるプログラムについて説明する。コマンド解釈部２１１はアクセス装置１００から送信されたコマンドを解釈するものである。

アクセス条件決定部２１２は情報格納部２０５に格納された情報を基に、アクセス装置１００が指定したアクセス速度を満たすために必要な不揮発性メモリ２０６に対するアクセス条件を決定するものである。このアクセス条件には、不揮発性メモリの管理単位の夫々の境界値となる記録位置や、メモリ管理単位内に書き込むデータ量が含まれている。

アクセス領域決定部２１３はアクセス条件に従ってデータを不揮発性メモリ２０６上に記録する際に実際に記録する物理アドレスを決定するものである。この決定にあたってはメモリ管理単位内で所定のデータ量以上の空き領域があるメモリ管理単位を選択して記録領域を決定する。

アドレス変換制御部２１４はアクセス装置１００との通信で使用する論理アドレスと不揮発性メモリ２０６上の物理アドレスとを変換するものである。図４はＲＡＭ２０３に一時的に保持されている論物アドレス変換テーブルを示す図である。この図では物理ページ番号に対応する論理アドレスとそのページの使用状態を示している。アドレス変換制御部２１４はこの変換テーブルに基づいて物理アドレスと論理アドレスとを変換し、データの書き込み処理が終了するとこの論物アドレス変換テーブルを更新して必要な変更を行い、不揮発性メモリ２０６内に書き戻すものである。このテーブルでは、論理アドレスと物理アドレス（物理ページ番号）との対応付けを管理すると共に各物理アドレスに対応する記録領域の使用状況を管理している。表中の“ＮＡ”は、その物理アドレスがある論理アドレスに割り当てられていたが、その論理アドレスに上書きされることで別の物理アドレスページに新しいデータが格納されたため、現在は論理アドレスとの対応付けが解放された未消去のページであることを示している。

更に不揮発性メモリアクセス部２１５は不揮発性メモリ２０６の制御を行うものである。

実施の形態１の不揮発性記憶装置２００では、アクセス装置１００がデータを記録する際には、アクセス条件部２１２で決定されたアクセス条件に基づいて不揮発性メモリ２０６へ記録できるように、アクセス領域決定部２１３が物理アドレスを決定する。アドレス変換制御部２１４はアクセス装置１００がデータを記録しようとしている論理アドレスがその物理領域へ対応付けられるように論理アドレスと物理アドレスを変換する。これにより、アクセス装置１００が不揮発性メモリ２０６の特性を意識することなく、高速にデータを記録することが可能となる。

続いて、図５を用いて本実施の形態におけるデータ記録におけるアクセス装置１００と不揮発性記憶装置２００との信号のやりとりについて説明する。本実施の形態におけるデータ記録では、まず始めにアクセス装置１００から不揮発性記憶装置２００へ初期化を指示するコマンドを送信する（Ｓ１０１）。この初期化コマンドを受信した不揮発性記憶装置２００は、内部で使用するＲＡＭ２０３上の変数の初期化や、不揮発性メモリ２０６の初期化など、不揮発性メモリ２０６へのアクセスの準備を行う。不揮発性記憶装置２００は初期化処理を終えると、初期化終了を示すレスポンスをアクセス装置１００に返信する（Ｓ１０２）。

次に、アクセス装置１００は、アクセス速度通知部１１２を用いてデータ記録時に必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置２００に通知する（Ｓ１０３）。このアクセス速度の通知では、例えばコマンドの引数として“最低記録速度＝１ＭＢ／ｓ”などの情報を不揮発性記憶装置２００に通知する。アクセス速度通知コマンドを受信した不揮発性記憶装置２００は、アクセス条件決定部２１２が情報格納部２０５を参照し、通知されたアクセス速度を満たすことが可能なアクセス条件を決定し、アクセス装置１００に対してアクセス速度を満たす記録を実施することが可能か否かを示す判断を返信する（Ｓ１０４）。例えば図３のアクセス特性情報より、“最低記録速度＝１ＭＢ／ｓ”を満足させるために必要なデータ量は“２ＭＢ”以上であることから、このデータ量がアクセス条件となる。またメモリの管理単位である４ＭＢの境界の記録位置が他のアクセス条件となる。また、この際、通知されたアクセス速度、決定したアクセス条件を不揮発性記憶装置２００内に保持する。

次にアクセス装置１００は、不揮発性記憶装置２００に記録するデータを生成した上で、データ記録コマンドを不揮発性記憶装置２００に送信する（Ｓ１０５）。このデータ記録コマンドには、例えばデータを送信すると共にデータのサイズや、データを記録する論理アドレスが含まれる。データ記録コマンドを受信した不揮発性記憶装置２００は、アクセス領域決定部２１３がアクセス条件決定部２１２からアクセス条件を取得し、実際にデータを記録する物理アドレスを決定する。アクセス条件では、例えば図３のアクセス特性情報より、“最低記録速度＝１ＭＢ／ｓ”を満足させるために必要なデータ量は“２ＭＢ”以上となっている。従って、物理アドレス空間をメモリ管理単位である“４ＭＢ”、即ちページ数としては２０４８ページ毎に分割した際に、“２ＭＢ”のページ数である１０２４ページ以上の“未使用”ページが存在するメモリ管理単位を見つけ出し、そのうちの空き領域を記録領域として決定する。この際、物理アドレス空間上の空き領域を探索するために、図４の論物アドレス変換テーブルを使用する。

次に実際にその空き領域の物理アドレスに対応する不揮発性メモリ２０６上の記録領域にデータを記録する。また当該メモリ管理単位内に既に１０２４ページ未満の使用ページが存在する場合には、新たなメモリ管理単位にアクセス装置に送られてきたデータを記録すると共に、既に存在する有効データを新たなメモリ管理単位に記録する。

そして、アドレス変換制御部２１４において、今回データを記録した物理アドレスを、アクセス装置１００が指定した論理アドレス空間に割り当てるべく、論物アドレス変換テーブルを更新する。これら一連の作業が完了した後、データ記録が終了した旨をアクセス装置１００に返信する（Ｓ１０６）。

その後、更に書き込むべきデータがあれば、アクセス装置１００側によるデータ生成からＳ１０６までの処理を、必要なデータ量の記録が完了するまで繰り返し実施する。

次に書き込みの全体のフローについて図６を用いて説明する。書き込みを開始すると、まずステップＳ２０１においてターゲットブロックの取得が可能かどうかを判別する。ここでターゲットブロックとは、メモリ管理単位の４ＭＢ中に２ＭＢ以上のＮＡページが含まれる管理単位であり、残っている有効データを他のメモリ管理単位にコピーし、全てをＮＡページとし、これを消去してフリー管理単位とするためのブロックである。ターゲットブロックが設定可能であれば、ターゲットブロックを決定し（Ｓ２０２）、次いでライトブロックを決定する（Ｓ２０３）。ライトブロックとはフリー管理単位から選択された書き込みの対象となる１つのメモリ管理単位である。フリー管理単位は消去済みページのみから成るメモリ管理単位であり、常に１以上が必要である、フリー管理単位がなくなればエラーとして処理を終える。そしてＳ２０４においてターゲットブロック内の全有効データをライトブロックにコピーし、コピーしたターゲットブロック内の元の有効データが書き込まれていた領域をＮＡとしてターゲットブロック全体を消去する（Ｓ２０５）。これによってターゲットブロックはフリー管理単位となる。ターゲットブロックが取得できなければライトブロックの決定のみを行う（Ｓ２０６）。

次いでライトブロックに新データを記録し（Ｓ２０７）、このデータに対応する旧データが格納されている物理ページの対応する論理ページアドレスをＮＡとする（Ｓ２０８）。これは論物アドレス変換テーブルで対応論理アドレスをＮＡに変更するだけであり、旧データが格納されているページ自体は消去せず、旧データを格納した状態となっている。そしてＳ２０９において書き込むべきデータが残っているかどうかを判別し、なければ処理を終える。又書き込みデータが残っていればＳ２１０に進んで、ライトブロックに消去済みページがあるかどうかを判別する。消去済みページがあればＳ２０７に戻って同様の処理を繰り返す。又消去済みページがなくなればＳ２０１に戻って同様の処理を繰り返す。

次にこのデータの記録の具体例について図７Ａ〜図７Ｅを用いて更に詳細に説明する。図７Ａはメモリ管理単位ＭＵ０に論理ページ０〜２０４７、メモリ管理単位ＭＵ１に論理ページ２０４８〜４０９５、メモリ管理単位ＭＵ３に論理ページ４０９６〜６１４３が記録されており、メモリ管理単位ＭＵ２，ＭＵ４は全ての物理ページが消去済みでフリー管理単位となっている。他のメモリ管理単位については記載を省略する。さてこの状態でアクセス装置１００から与えられた論理ページ０〜１０２３、２０４８〜３０７１、及び４０９６〜５１１９を上書きする書き込み処理を例として説明する。

ここで論理ページ０〜１０２３を上書きする際に、４ＭＢ中２ＭＢ以上のＮＡページが含まれる管理単位を探す。図７Ａの状態ではこのような管理単位は存在しないので、ターゲットブロックを定めず、Ｓ２０１からＳ２０６に進んでフリー管理単位であるメモリ管理単位ＭＵ２をライトブロックとする。次いでライトブロック内の消去済みページに新たなデータである論理ページ０〜１０２３を記録する（Ｓ２０７）。

そして図７Ｂに示すように記録した新データに対応する旧データが格納されている管理単位ＭＵ０の各ページの対応論理アドレスをＮＡに変更する。

続けて論理ページ２０４８〜３０７１を上書きするコマンドに応じステップＳ２０９からＳ２１０に進む。そしてメモリ管理単位ＭＵ２（ライトブロック）の消去済みページに新しいデータを記録する（Ｓ２０７）。ここで記録した新データに対応する旧データが格納されているメモリ管理単位ＭＵ１の各データの対応論理アドレスをＮＡに変更する（Ｓ２０８）。これによって図７Ｃの状態となる。

更に書き込むべきデータはあってもライトブロックに消去済みページがなくなったため、Ｓ２１０からＳ２０１に戻ってターゲットブロックの設定からの処理を繰り返す。この場合にはＳ２０２においてメモリ管理単位ＭＵ０をターゲットブロックとする。更にＳ２０３においてフリー管理単位である管理単位ＭＵ４をライトブロックとする。そしてＳ２０４においてターゲットブロックの有効データである論理ページ１０２４〜２０４７のデータをライトブロックにコピーする。これによって図７Ｄに示す状態となる。

このコピーによりメモリ管理単位ＭＵ０の各ページをＮＡと変更する。そしてターゲットブロックの全てのページがＮＡとなれば、ターゲットブロックのデータを消去し、全ページを消去済みページとする（Ｓ２０５）。そしてライトブロックの消去済みページに新しいデータ、即ち論理ページ４０９６〜５１１９を書き込む（Ｓ２０７）。更にＳ２０８において旧データが保持されていた管理単位ＭＵ３のページをＮＡページとする。これによって図７Ｅに示す状態となる。以下、書き込みコマンドに応じて同様の処理を繰り返す。尚ここでは論理アドレス、物理アドレスをページ単位で説明しているが、他の単位のアドレスであってもよい。

以上のように、本発明の実施の形態１におけるアクセス装置１００、及び不揮発性記憶装置２００は、アクセス装置１００が必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置２００に予め通知することにより、不揮発性記憶装置２００がデータ記録時に予め通知されたアクセス速度を満たすデータ記録を実現する。このデータ記録の際は、アクセス装置１００は、特定のアクセス条件に従った記録を実施する必要がなく、従来のファイルシステム制御部を用いてデータ記録を実施することができる。従ってアクセス装置側に特殊なファイルシステムを搭載することなく、記録速度の特性が異なる様々な不揮発性記憶装置２００に対して、高速にデータを記録することが可能となる。

尚、本発明を上記の実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施の形態に限定されないのは勿論である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で本実施の形態を変更することができる。本発明の実施の形態では、不揮発性メモリ２０６としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを用いる場合について説明したが、ハードディスクや光ディスクなど、その他の媒体を用いても良い。

またアクセス速度通知部１１２は、Ｓ１０３の処理において、コマンドの引数として最低記録速度の情報を不揮発性記憶装置２００に通知する例について説明したが、アクセス速度を示す情報であれば、その他の形式で不揮発性記憶装置２００に通知しても良い。例えば、最低記録速度に代えて、平均記録速度であってもよく、これらを組み合わせた情報を不揮発性記憶装置２００に通知しても良い。更に、速度そのものではなく、Ｎ段階の速度レベルがあらかじめ決まっている場合にはそのレベルを示すフラグ（１〜Ｎ）を通知してもよい。更に１回のデータ記録コマンド送信からレスポンス受信までの最大許容遅延時間などを不揮発性記憶装置２００に通知しても良い。

また、本発明の実施の形態では、アクセス装置１００と不揮発性記憶装置２００が１対１に接続されている場合の例について説明したが、図８のように複数のアクセス装置１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃと１つの不揮発性記憶装置２００が接続されている場合についても、本発明を適用することができる。この場合、図９のようにアクセス装置１００Ａとの接続を開始した後は、そのアクセス速度を保証するために、その他のアクセス装置１００Ｂ、アクセス装置１００Ｃから接続された際に、不揮発性記憶装置２００がアクセスを拒否するようにしても良い。また、図１０のようにアクセス装置１００Ａとの接続を開始した後は、その他のアクセス装置１００Ｂ、アクセス装置１００Ｃからの接続時に一定の条件を付加して接続するようにしても良い。一定条件とは、例えば読み出し専用としたり、あるいはアクセス速度の保証がない状態で接続するなどが考えられる。

更に、図１１のように不揮発性記憶装置２００が４ＭＢ／ｓのアクセス速度を保証することができる場合、アクセス装置１００Ａが２ＭＢ／ｓのアクセス速度で接続した状態で、残りの２ＭＢ／ｓのアクセス速度以下の接続であれば、他のアクセス装置からの接続を受け付けても良い。図１１の場合、アクセス装置１００Ｂのアクセス速度が２ＭＢ／ｓであるため、この接続を不揮発性記憶装置２００が受け付け、アクセス装置１００Ｃからの接続を拒否する。この場合にはアクセス装置１００Ａが２ＭＢ／ｓ以上のアクセス速度を要求していた場合には、図３に示すように記録速度２．６ＭＢ／ｓとなるデータ量は３ＭＢであるので、不揮発性メモリの管理単位内で３ＭＢ以上の空き領域があるメモリ管理単位にのみ書き込んでいる。ここでアクセス装置１００Ｂから２ＭＢ／ｓでの接続が要求された場合には、上限の速度である４ＭＢ／ｓを確保するためにメモリ管理単位内の４ＭＢの空き領域がある管理単位にのみ書き込む。この場合にはアクセス装置１００Ａ，１００Ｂから送られるデータが同時に書き込まれ、夫々に対しては２ＭＢ／ｓで接続されたこととなる。

また、不揮発性メモリ２０６としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用する場合などでは、物理ブロックサイズ未満のデータを記録した場合に記録速度が低下することから、一定の記録速度を維持するためには、物理ブロックサイズ以上のデータを記録するなど、ある程度まとまった量のデータを記録する必要がある。そのため、アクセス装置１００側に単位データ記録量の制約を設けても良い。この場合、図４のＳ１０４において、不揮発性記憶装置２００がアクセス装置１００にアクセス速度保証可否を通知する際に、“必要とする単位データ記録量＝２ＭＢ”以上などの情報を付加すれば良い。アクセス装置１００がこのレスポンスを受信した場合、データ記録開始から終了までの間に不揮発性記憶装置２００に送信する総データ量が２ＭＢの単位以上となるようにデータを生成し、不揮発性記憶装置２００にデータを記録する。更に、Ｓ１０４のレスポンスとして単位データ記録量の情報を付加しなくても、予めアクセス装置１００、不揮発性記憶装置２００間で決められた所定のサイズを単位データ記録量として使用しても良い。

図１２は実施の形態１の変形例を示している。不揮発性記憶装置２００ＤのＣＰＵ２０２、ＲＡＭ２０３、ＲＯＭ２０４は必ずしも独立して存在する必要はなく、図１２のように一体化されたメモリコントローラ２２０にこれらを含めるようにしても良い。その際、メモリコントローラ２２０内に示されたブロック全てを含む必要はなく、一部のみを含んでも良いし、アクセス装置インターフェイス２０１など、その他のブロックをメモリコントローラ２２０内に含んでも良い。

（実施の形態２）
図１３は本発明の実施の形態２におけるアクセス装置、及び不揮発性記憶装置の構成図である。本実施の形態が実施の形態１と異なる点は、アクセス装置１００Ｅ内にファイルシステム制御部１１３が存在せず、不揮発性記憶装置２００Ｅ内のアドレス変換制御部２１４がファイルシステム制御部２１６に置き換わっている。その他の点は実施の形態１と同様であり、同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。

本発明の実施の形態１では、アクセス速度を保証するため、不揮発性記憶装置２００内のアクセス条件決定部２１２が決定したアクセス条件に基づき、アクセス領域決定部２１３がアクセス条件を満たす不揮発性メモリ２０６上の領域を決定し、データを記録した。本発明の実施の形態２では、ファイルシステム制御部２１６を不揮発性記憶装置２００ＥのＲＯＭ２０４側に設けることで、ファイルシステム上でのデータ配置をアクセス条件に合致させ、アクセス速度の保証を実現する。この場合にアドレス変換制御部２１４の機能はファイルシステム制御部２１６に含まれているものとする。

実施の形態では、アクセス装置１００Ｅは不揮発性記憶装置のファイルシステム制御部２１６に対してファイルのオープン、クローズ、リード、ライトを含むファイル単位のアクセス命令を送信するものとする。

続いて、図１４を用いて本実施の形態におけるデータ記録フローを説明する。本実施の形態におけるデータ記録において、Ｓ３０１からＳ３０４までの処理は図４のＳ１０１からＳ１０４の処理と同様であるため、説明を省略する。初期化処理、アクセス速度通知処理が完了すると、次にアクセス装置１００は、ファイルオープンコマンドを不揮発性記憶装置２００に送信する（Ｓ３０５）。これは従来アクセス装置１００側に搭載されていたファイルシステム制御部１１３に対するファイルオープン命令と同様のものであり、ファイル名やオープンモードを指定してファイルのオープンを指示する。ファイルオープンコマンドを受信した不揮発性記憶装置２００は、ファイルシステム制御部２１６において、ファイルのオープン処理を実施する。このファイルシステム制御部２１６では、従来アクセス装置１００側に搭載されていたファイルシステム制御部１１３と同様の処理が行われる。またファイルを新規作成する場合は、ファイル名と新規作成である旨をアクセス装置１００Ｅが指定してファイルのオープンを指示する。この場合、不揮発性記憶装置２００Ｅ内のファイルシステム制御部２１６は、ファイルを新規に作成する。また、オープンしたファイルに関する情報をＲＡＭ２０３上に生成すると共に、オープンしたファイルを識別するための識別子を生成する。ファイルのオープンが完了すると、不揮発性記憶装置２００Ｅはアクセス装置１００Ｅに生成した識別子と共にファイルオープン処理の完了を示すレスポンスを返信する（Ｓ３０６）。

次に、アクセス装置１００Ｅは、不揮発性記憶装置２００Ｅに記録するデータを生成した上で、ファイルデータ記録コマンドを不揮発性記憶装置２００Ｅに送信する（Ｓ３０７）。このデータ記録コマンドでは、例えばデータを送信すると共にデータのサイズや、データを記録するファイルの識別子を不揮発性記憶装置２００Ｅに通知する。ファイルデータ記録コマンドを受信した不揮発性記憶装置２００Ｅは、アクセス領域決定部２１３がアクセス条件決定部２１２からアクセス条件を取得し、実際にデータを記録する領域のアドレスを決定する。ファイルシステム上のアドレス管理は、例えばＦＡＴファイルシステムではファイルアロケーションテーブルにより一元管理されている。そのため、この場合アクセス領域決定部２１３はファイルアロケーションテーブルを参照し、アクセス条件に該当する空き領域を検索して、データを記録する領域のアドレスを決定する。次に実際にそのアドレスに対応する不揮発性メモリ２０６上の記録領域にデータを記録する。そして、ファイルシステム制御部２１６において、今回データを記録したアドレスを使用済みの領域として管理するため、ファイルアロケーションテーブルなどのファイルシステムの管理情報を更新する。これら一連の作業が完了した後、ファイルデータ記録が終了した旨をアクセス装置１００に返信する（Ｓ３０８）。その後、アクセス装置１００Ｅ側によるデータ生成からＳ３０８までの処理を、必要なデータ量の記録が完了するまで繰り返し実施する。

最後に、アクセス装置１００Ｅは、ファイルクローズコマンドを不揮発性記憶装置２００Ｅに送信する（Ｓ３０９）。これは従来アクセス装置１００Ｅ側に搭載されていたファイルシステム制御部１１３に対するファイルクローズ命令と同様のものである。このコマンドでは、指定された識別子のファイルに関してＲＡＭ２０３上に生成されたファイルのオープン状態に関する情報を削除し、ファイルをオープンされていない状態に戻す。ファイルのクローズが完了すると、不揮発性記憶装置２００はアクセス装置１００にファイルクローズ処理の完了を示すレスポンスを返信する（Ｓ２１０）。

以上のように、本発明の実施の形態２では、アクセス装置１００Ｅが必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置２００Ｅに予め通知することにより、不揮発性記憶装置２００Ｅがデータ記録時に予め通知されたアクセス速度を満たすデータ記録を実現できる。このデータ記録の際には、アクセス速度を保証するために、アクセス領域決定部２１３がアクセス条件を満たす領域を探索して、不揮発性記憶装置２００側に設けたファイルシステム制御部２１６に通知し、ファイルデータとして記録する。このように不揮発性記憶装置２００側にアクセス領域決定部２１３などのアクセス速度を保証する処理部を設けると共にファイルシステム制御部２１６を設けることにより、アクセス装置１００は、特定のアクセス条件に従って記録する必要がなく、且つファイルシステムの制御も行う必要がない。そのため、アクセス装置側に特殊なファイルシステムを搭載することなく、記録速度の特性が異なる様々な不揮発性記憶装置２００に対して、高速にデータを記録することが可能となる。

尚、本発明を上記の実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施の形態に限定されないのは勿論である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で本実施の形態を変更することができる。本発明の実施の形態１において説明した種々の変形例は、実施の形態２においても適用することが可能である。

本発明に関わるアクセス装置、及び不揮発性記憶装置は、アクセス装置が必要とするアクセス速度を不揮発性記憶装置に予め通知することにより、不揮発性記憶装置がデータ記録時に予め通知されたアクセス速度を満たすデータ記録を実現する。これにより、特殊なファイルシステムをアクセス装置側に必要とすることなく、不揮発性記憶装置へのデータ記録を高速に行うことが可能となる。このような不揮発性記憶装置は、音楽や静止画、動画などのデジタルコンテンツを格納する記録媒体として利用することができ、またアクセス装置は、前記不揮発性記憶装置にアクセスするＰＣアプリケーション、オーディオプレーヤ、ＤＶＤレコーダ、ＨＤＤレコーダ、ムービー、デジタルテレビ、デジタルスチルカメラ、携帯電話端末等として利用することができる。

Claims

所定サイズの複数管理単位領域によって構成され、データを格納する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリにデータを記録する際に、所定以上のアクセス速度で記録するためにデータの管理単位の開始位置及び記録データ量を含むアクセス条件を決定するアクセス条件決定部と、
前記アクセス条件決定部により決定された前記アクセス条件に基づき、前記不揮発性メモリにデータを記録する領域を決定するアクセス領域決定部と、を具備する不揮発性記憶装置。
前記アクセス領域決定部は、前記アクセス条件に基づき、データを記録する領域の物理アドレスを決定するものであり、
アクセス装置から与えられる前記不揮発性記憶装置の記録位置を示す論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとを変換するアドレス変換制御部を更に具備する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記不揮発性メモリ内に格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部を更に具備し、
前記アクセス領域決定部は、前記アクセス条件に基づき、前記ファイルシステム制御部により管理されている前記不揮発性メモリ内の記録領域の中で、データを記録する領域を決定する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記アクセス条件は、
前記不揮発性メモリの領域管理の１単位内に最低限記録されるデータ量を含む請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記所定のアクセス速度は、
アクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度であり、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立って通知される請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記所定のアクセス速度は、
前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度のレベルを示すフラグとして示されており、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記アクセス装置から前記不揮発性記憶装置に通知される請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記所定のアクセス速度は、
前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際、１回のデータ記録に要する時間として示されており、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記アクセス装置から前記不揮発性記憶装置に通知される請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記不揮発性記憶装置は、
前記不揮発性記憶装置にアクセスする複数のアクセス装置と接続されており、前記複数のアクセス装置の内、１つの前記アクセス装置から前記所定のアクセス速度に関する情報が通知され、前記１つのアクセス装置との通信を継続している間は、その他の前記アクセス装置からのアクセス要求を拒絶する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記不揮発性記憶装置は、
前記不揮発性記憶装置にアクセスする複数のアクセス装置と接続されており、前記複数のアクセス装置の内、１つの前記アクセス装置から前記所定のアクセス速度に関する情報が通知され、前記１つのアクセス装置との通信を継続している間は、その他の前記アクセス装置からのアクセス要求を読み取り専用にすること、及びアクセス速度の保証を行わないことのいずれかで通信を許容する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記不揮発性記憶装置は、
前記不揮発性記憶装置にアクセスする複数のアクセス装置と接続されており、前記不揮発性記憶装置内の前記不揮発性メモリへの最大記録速度以下の範囲内で、前記複数のアクセス装置から通知される前記所定のアクセス速度を保証したデータ記録を１つ以上並行して実施する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記アクセス条件決定部は、
前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置に対し、前記不揮発性記憶装置に送信して記録するデータの単位を所定のデータサイズ以上とする制限を前記アクセス装置に付加する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置に前記所定のアクセス速度を通知した後に、前記所定のデータサイズを前記アクセス装置に通知する請求項１１記載の不揮発性記憶装置。
前記不揮発性メモリのメモリ管理単位及び管理単位以下のデータに対する記録速度を含むアクセス特性情報を格納する情報格納部を更に有する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置であって、
前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度を、データ記録に先立ち前記不揮発性記憶装置に通知するアクセス速度通知部を具備するアクセス装置。
前記アクセス装置は、
前記不揮発性記憶装置内の前記不揮発性メモリに格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部を更に具備する請求項１４記載のアクセス装置。
前記アクセス装置は、
前記不揮発性記憶装置内に存在し、前記不揮発性記憶装置内の前記不揮発性メモリに格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部に対し、ファイルのオープン、クローズ、リード、ライトを含むファイル単位のアクセス命令を送信する請求項１４記載のアクセス装置。
前記アクセス速度通知部は、
前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度のレベルを示すフラグを前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記不揮発性記憶装置に通知するものである請求項１４記載のアクセス装置。
前記アクセス速度通知部は、
前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際において、１回のデータ記録処理にかけることのできる時間を前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記不揮発性記憶装置に通知するものである請求項１４記載のアクセス装置。
前記アクセス装置は、
前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に、前記不揮発性記憶装置が前記アクセス速度を満たすデータ記録を行うために必要な所定のデータサイズ以上のデータを、前記不揮発性記憶装置に記録する請求項１４記載のアクセス装置。
所定サイズの複数管理単位領域によって構成され、データを格納する不揮発性メモリを有する不揮発性記憶装置と、前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置とを具備する不揮発性記憶システムであって、
前記アクセス装置は前記不揮発性記憶装置にデータを記録する際に必要とするアクセス速度を、前記不揮発性記憶装置へのデータ記録に先立ち、前記不揮発性記憶装置に通知するアクセス速度通知部を具備する不揮発性記憶システム。
前記不揮発性記憶装置は、
所定サイズの複数管理単位領域によって構成され、データを格納する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリにデータを記録する際に、所定以上のアクセス速度で記録するためにデータの管理単位の開始位置及び記録データ量を含むアクセス条件を決定するアクセス条件決定部と、
前記アクセス条件決定部により決定された前記アクセス条件に基づき、前記不揮発性メモリにデータを記録する領域を決定するアクセス領域決定部と、を具備する請求項２０記載の不揮発性記憶システム。
前記不揮発性記憶装置のアクセス領域決定部は前記アクセス条件に基づき、データを記録する領域の物理アドレスを決定し、
アクセス装置から与えられる前記不揮発性記憶装置の記録位置を示す論理アドレスと前記不揮発性メモリの物理アドレスとを変換するアドレス変換制御部を更に具備する請求項２１記載の不揮発性記憶システム。
前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性メモリ内に格納されたデータをファイルとして管理するファイルシステム制御部を更に具備し、
前記アクセス領域決定部は、前記アクセス条件に基づき、前記ファイルシステム制御部により管理されている前記不揮発性メモリ内の記録領域の中で、データを記録する領域を決定する請求項２１記載の不揮発性記憶システム。