CN108898036B - 一种数据读写控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种数据读写控制装置及其方法，装置包括存储卡模块、监测模块和控制模块，所述存储卡模块包括N个存储卡，N为大于等于1的整数；所述控制模块用于存储卡模块的数据读写状态的开启与关闭；所述监测模块包括用于对存储卡模块N个监测单元，第N个监测单元对应第N个存储卡，用于对存储卡的数据读写状态进行监测。本发明解决了存储卡之间的速度差异性对并行读写时的速度的提升造成的影响及缓冲区的数据溢出和组帧问题，实现了多个存储卡并行读写时速度的有效提升，减少了控制模块的引脚的数目。

Description

一种数据读写控制方法
技术领域
本发明涉及读写数据技术领域，特别是一种数据读写控制方法。
背景技术
SD卡作为储存装置已被应用在各种电子设备中，随着各种多媒体娱乐内容的丰富，消费者对于所用的电子产品的储存容量要求越来越高，对SD卡的速度和容量的要求也越来越高。
现在市场上已经有服从SD3.0协议的UHS-I卡，最高带宽可达104MB/s，SD4.0协议的UHS-II卡，最高带宽可达312MB/s，但接口速度越高，接口时序的处理以及最佳采样窗口的选择就越复杂，这就为控制器的设计提出了更高的要求；同时，目前市面上仍然有大量服从SD2.0协议的卡，他们的速度显然已经不能满足智能设备对读写速度的要求。
现有应用中，为获得SD卡在容量和速度上的翻倍提升，通常会将多个SD卡拼接成一个，然而，SD卡之间的速度差异性会对并行读写时的速度提升造成的影响，并导致缓冲区的数据溢出和组帧问题。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种解决了存储卡之间的速度差异性对并行读写时的速度的提升造成的影响及缓冲区的数据溢出和组帧问题，实现了多个存储卡并行读写时速度的有效提升，减少了控制模块的引脚的数目的数据读写控制方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现。
一种数据读写控制装置，包括存储卡模块、监测模块和控制模块，所述存储卡模块包括N个存储卡，N为大于等于1的整数；所述控制模块用于存储卡模块的数据读写状态的开启与关闭；所述监测模块包括用于对存储卡模块N个监测单元，第N个监测单元对应第N个存储卡，用于对存储卡的数据读写状态进行监测。
进一步的，所述N个存储卡共用控制模块的同一个原始时钟通信信道。
进一步的，所述N个存储卡分别使用控制模块的N个原始时钟通信信道，所述监测模块设置于控制模块内部。
进一步的，所述存储卡为EMMC卡或者SD卡或者TF卡。
一种数据读写控制方法，包括以下步骤：
S1、使用控制模块使存储卡模块处于数据读写状态，所述存储卡模块包括N个存储卡，N为大于等于1的整数；
S2、使用监测模块对所述存储卡模块的数据读写状态进行监测，所述监测模块包括N个监测单元，第N个监测单元对应第N个存储卡；
S3、如果监测单元监测到对应存储卡的数据读写完成，则由控制模块关闭对应的存储卡的数据读写状态；
S4、当存储卡模块中最后一个存储卡的数据读写状态被关闭，认定存储卡模块数据读写完成。
进一步的，S1中所述N个存储卡共用控制模块的同一个原始时钟通信信道或者所述N个存储卡分别使用控制模块的N个原始时钟通信信道。
进一步的，所述监测单元为计数单元，所述计数单元对对应的存储卡的数据位进行计数，当计数值达到阈值时则认定对应的存储卡的数据读写完成。
进一步的，所述控制模块关闭对应存储卡的数据读写状态，具体为关闭所述对应存储卡的时钟。
进一步的，所述存储卡为EMMC卡或者SD卡或者TF卡。
进一步的，所述N为2n，n为零或正整数。
相比于现有技术，本发明的优点在于：本发明解决了存储卡之间的速度差异性对并行读写时的速度的提升造成的影响及缓冲区的数据溢出和组帧问题，实现了多个存储卡并行读写时速度的有效提升，减少了控制模块的引脚的数目。
附图说明
图1为一种数据读写控制方法的流程图；
图2为一种数据读写控制装置的结构图；
图3为监测模块的端口示意图；
图4为另一种数据读写控制装置的结构图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体的实施例，对本发明作详细描述。
如图1所示，数据读写控制方法，包括以下步骤：使用控制模块使SD卡模块处于数据读写状态，所述SD卡模块包括共用控制模块的同一个原始时钟通信信道的N个SD卡，N为大于1的整数，使用监测模块对所述SD卡模块的数据读写状态进行监测，所述监测模块包括N个监测单元，第N个监测单元对应第N个SD卡；如果监测单元监测到对应SD卡的数据读写完成，则由控制模块关闭对应的SD卡的数据读写状态；当SD卡模块中最后一个SD的数据读写状态被关闭，认定SD模块数据读写完成。其中，监测模块为计数模块，其中的监测单元为计数单元，所述计数单元可以为计数芯片、CPLD或FPGA，所述计数单元对对应的SD卡的数据位进行计数，当计数值达到阈值时则认定对应的SD卡的数据读写完成，阈值可以为固定的SD时钟周期，如1042个SD时钟周期；控制模块关闭对应SD卡的数据读写状态，具体为关闭所述对应SD卡的时钟，所述时钟包括由监测单元输出的衍生时钟。控制模块包括SD卡控制器；此外，可用EMMC卡模块代替SD卡模块，所述EMMC卡模块包括N个EMMC卡，N为大于等于1的整数，同时为提升软件处理的效率，本方法更适用于N为2n(n为零或正整数)的情形，此外N个SD卡还可以分别使用N个控制模块的时钟通信信道。
如图2所示，CTRL用来控制计数状态和SDCKN相位，DATN是第N张卡的数据线，监测模块用来进行数据包计数，SDCKN是输出给第N个卡单独使用的卡时钟。数据读写控制装置，包括SD卡模块，所述SD卡模块包括N个SD卡，N为大于1的整数,所述N个SD卡共用控制模块的同一个原始时钟通信信道；控制模块，用于SD卡模块的数据读写状态的开启与关闭；监测模块，所述监测模块包括用于对SD卡模块N个监测单元，第N个监测单元对应第N个SD卡，用于对SD卡的数据读写状态进行监测。其中监测模块可以为计数模块，其中的监测单元为计数单元，计数单元对对应的SD卡的数据位进行计数，当计数值达到阈值时则认定对应的SD卡的数据读写完成。控制模块关闭对应SD卡的数据读写状态，具体为关闭所述对应SD卡的时钟。监测模块为计数模块，其中的监测单元为计数单元，控制模块包括至少一个SD卡控制器。
如图3所示，其中CTRL和SDCK是控制信号，CTRL用来控制计数状态和SDCKn相位，SDCK是控制模块输出的时钟。DATn是第N张卡的数据线，监测模块用来进行数据包计数，SDCKn是输出给第n个卡单独使用的卡时钟。
如图4所示，N个SD卡还可以分别使用N个控制模块的时钟通信信道，监测模块设置于控制模块的内部。
需要指出的是，可用EMMC卡模块代替SD卡模块，所述EMMC卡模块包括N个EMMC卡，N为大于等于1的整数。同时，为提升软件处理的效率，本方法和装置更适用于N为2n(n为零或正整数)的情形，而且，基于相同的物理层协议，本发明方案同样适用于TF卡。本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。

Claims (3)

1.一种数据读写控制方法，其特征在于应用在一种数据读写控制装置上，所述一种数据读写控制装置包括存储卡模块、监测模块和控制模块，所述存储卡模块包括N个存储卡，N为大于1的整数；所述控制模块用于控制存储卡模块的数据读写状态的开启与关闭；所述监测模块包括N个监测单元，第N个监测单元对应第N个存储卡，每个监测单元与对应的存储卡之间通过一个数据线和一个衍生时钟通信信道连接，所述监测单元用于对所述存储卡的数据读写状态进行监测，所述N个存储卡共用控制模块的同一个原始时钟通信信道，控制模块与监测模块之间通过一个原始时钟通信信道和一个控制信号线连接；
所述一种数据读写控制方法包括以下步骤：
S1、使用控制模块使存储卡模块处于数据读写状态；
S2、使用监测模块对所述存储卡模块的数据读写状态进行监测；
S3、所述监测单元为计数单元，所述计数单元对对应的存储卡的数据位进行计数，当计数值达到阈值时则认定对应的存储卡的数据读写完成，如果监测单元监测到对应存储卡的数据读写完成，则由控制模块关闭对应的存储卡的数据读写状态，具体为关闭所述对应存储卡的衍生时钟；
S4、当存储卡模块中最后一个存储卡的数据读写状态被关闭，认定存储卡模块数据读写完成。
2.根据权利要求1所述的一种数据读写控制方法，其特征在于所述存储卡为EMMC卡或者SD卡或者TF卡。
3.根据权利要求1所述的一种数据读写控制方法，其特征在于所述N为2n，n为零或正整数。
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