JPWO2006126576A1 - 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法 - Google Patents
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Abstract
Description
10a 半導体ウェハの主面
10b 半導体ウェハの裏面
10c 絶縁膜
11 素子分離領域
12 ゲート電極
13,21,23 層間絶縁膜
22 金属配線
13a,23a スルーホール
24 側壁
25 残渣
100,200 微細領域撮像装置
101 移動ステージ
102 電子ビーム照射部
103 制御部
104 位置検出部
110,210 電流検出部
111 電流検出ヘッド
112 セカンドアンプ
113 直流カットフィルター
120 画像データ生成部
121 表示部
201 発振回路
211 ミキサー
212 ハイカットフィルター
Claims (8)
- 撮像対象物に荷電粒子線を照射する照射手段と、前記荷電粒子線の照射によって発生したエネルギー信号の交流成分を検出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて、前記撮像対象物の表面状態を示すデータを生成するデータ生成手段とを備えることを特徴とする微細領域撮像装置。
- 前記荷電粒子線は電子ビームであり、前記エネルギー信号は前記撮像対象物を流れる電流であることを特徴とする請求項1に記載の微細領域撮像装置。
- 前記撮像対象物は裏面に絶縁膜が形成された半導体ウェハであり、前記検出手段は前記絶縁膜を介して前記半導体ウェハを流れる基板電流を検出するものであることを特徴とする請求項2に記載の微細領域撮像装置。
- 前記照射手段は、一定出力の前記荷電粒子線を照射するものであり、前記検出手段は、前記エネルギー信号を増幅するアンプと、前記アンプの出力から少なくとも直流成分を除去するフィルターとを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の微細領域撮像装置。
- 前記照射手段は、基準信号に基づき交流変調された前記荷電粒子線を照射するものであり、前記検出手段は、交流変調された前記エネルギー信号を復調することを特徴とする請求項1に記載の微細領域撮像装置。
- 前記検出手段は、前記基準信号と高周波変調された前記エネルギー信号を乗算するミキサーと、前記ミキサーの出力から不要な周波数成分を除去するフィルターとを含んでいることを特徴とする請求項5に記載の微細領域撮像装置。
- 照射位置を連続的又は断続的に変化させながら撮像対象物に荷電粒子線を照射し、これにより発生したエネルギー信号の交流成分を検出し、前記エネルギー信号の交流成分に基づいて、前記撮像対象物の表面状態を示すデータを生成することを特徴とする微細領域撮像方法。
- 照射位置を連続的又は断続的に変化させながら、交流変調された荷電粒子線を撮像対象物に照射し、これにより発生したエネルギー信号を復調することによって、前記撮像対象物の表面状態を示すデータを生成することを特徴とする微細領域撮像方法。
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