JPWO2006103945A1 - 無声放電式プラズマ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
また、高圧ヒューズ自身の電気抵抗値が数十Ω程度となり、電気的、熱的な損失が無視できず、オゾン発生装置のエネルギー効率にも影響を及ぼすという問題もあった。
更に、短絡時にヒューズの溶断不良が発生する場合もあり、安全性についても問題があった。
図1は、全体が100で表される、本実施の形態1にかかるオゾン発生装置の断面図を示す。図1において、オゾン発生装置100は、所定の空隙長dで対向して配置された接地電極1と高電圧電極2とを有する。接地電極1と高電圧電極2は、ともに同軸円筒型の電極であり、その間に少なくとも1つの誘電体3が配置されている。この空隙長dを放電空隙長、放電空隙長により形成された空間を放電空間4という。
放電空間4には、酸素を含んだガスが原料ガスとして導入され、駆動電源6と接続された給電部材7を介して、接地電極1と高電圧電極2との間に交流高電圧が印加されることにより、無声放電プラズマが発生する。なお、給電部材7は、接地電極1の外側で高電圧電極2と接している。
なお、以下の図においても、同一符合は、同一又は相当箇所を示すものとする。
高電圧電極2には、表面処理されたガラス管の内表面に無電解ニッケルメッキにより形成された導電性薄膜を用いた。導電性薄膜は、ガラス管内表面の適度な表面処理により、隙間なく、かつ適度な強度でガラス管と密着させることができる。なお、図1中、矢印はガスの流れる方向を示しており、電極部右側端部より発生したオゾンが取り出される。
オゾン発生装置500では、誘電体103には、オゾン発生装置100のガラス管よりも大口径の、外径100mm以下のガラス管が使用される。ガラス管内表面にはアルミニウムなどの金属を溶射、スパッタリング、蒸着等することにより高電圧電極102が形成されている。
高電圧電極102は、ガラス管内表面に表面処理を施さなくても極めて強固な密着度が得られる。膜厚は抵抗値を低く抑えるために、数100μm程度となっている。また、給電部材107は、高電圧電極102の長手方向に均一に給電するために、端板108、109に固定された接地電極101の内部で複数箇所で高電圧電極102と接触している。
即ち、破損したガラス管に接続された高圧ヒューズ110が短絡電流の流入により溶断され、駆動電源106と破損したガラス管が電気的に切断されるため、破損したガラス管を新品に交換しなくても、破損していないガラス管のみでオゾン発生を継続することができる。ただし、破損部を有したガラス管は二度とオゾン発生に寄与することはできない。
ここでは、複数本の電極の中に、図5に示すような模擬破損部10を形成したガラス管11(内表面には上記に示した無電解ニッケルメッキによる高電圧電極が形成されている)を1本混在させてオゾンの発生を行った。模擬破損部10は、幅1mm程度、長さ5mm程度の貫通穴となっている。オゾン発生装置150の運転条件は、印加電圧波高値は5〜12kVp程度、周波数は0.3kHz〜10kHzである。
即ち、本発明にかかるオゾン発生装置150においてガラス管に破損が生じた場合、従来のオゾン発生装置と同様に破損部を介して瞬時にアーク放電が発生するが、そのアーク放電が発生した瞬間に、過電流(短絡電流)に基づく熱的影響などにより破損部周辺の導電性薄膜で構成される高電圧電極が剥離、蒸発、または昇華などにより消失する。つまり、高電圧電極自身が瞬時にアーク放電による短絡電流を検出し、アーク放電がほぼ停止すると考えられる沿面距離に相当する領域の高電圧電極を自己消失させている。破損部周辺のみの放電を選択的に停止させることができるこの作用は、高圧ヒューズと同様の作用であり、本発明における高電圧電極は無限個の高圧ヒューズが並列に接続されていることと等価であると考えられる。
また、Rzが10μm以上では形成できる高電圧電極の膜厚は0.6μm程度でほとんど変化しなくなる。
更に、Rzが12μmを超えると、膜厚はほとんど変化しないことに加えて、部分的な剥離が発生する。
しかし、Rzが12μm以上の場合、メッキ皮膜の密着強度が低下していることから、アーク放電による外部エネルギーがトリガーとなり、自己消失効果とともに破損部以外での剥離も確認された。従って、ガラス管の内表面の表面粗さRzを12μm以下とすることにより、破損部だけでの選択的自己消失効果を達成できる。
条件Bでは、メッキ液温度とメッキ時間、条件Cではメッキ液濃度とメッキ時間を条件Aから変更した。両者の場合においてもすべての高電圧電極は自己消失効果を十分に発揮することが確認された。
これに対して、本発明では、高電圧電極による発熱損失はオゾン発生に関わる放電電力の1%以内としているため、本実施の形態のようにガラス管の長さが1500mm程度の場合、高電圧電極の長手方向の抵抗値は、同一高電圧電極内での均一給電と発熱損失を考慮して、1000Ω以下であることが望ましい。当然のことながら、この抵抗値は、高電圧電極の長さにより変化する。
なお、本実施の形態で用いた無電解ニッケルメッキ皮膜の抵抗率は10−6Ω・mのオーダであり、バルクのニッケル(10−8Ω・m)より2桁程度大きくなっている。
なお、自己消失効果の信頼性から動作周波数は低い方が好ましく、またオゾン発生装置へ印加する電圧波高値を軽減する観点から、動作周波数は0.8〜6kHzがさらに好ましい。
この結果、本発明におけるオゾン発生装置の動作条件において、ガラス管の破損時に十分な高電圧電極の自己消失効果を達成するためには、高電圧電極を形成する基材の十点表面平均粗さを15μm以下とし、高電圧電極の膜厚を0.05μm以上とするのが良いことがわかった。
ただし、高電圧電極は自然剥離しない程度の適度な密着度さえ有していれば本発明においては問題ないため、密着度を必要以上に大きくする必要がない膜厚0.05〜10μmで高電圧電極を形成するのがさらに望ましい。
しかし、消失部分の進展は高電圧電極端部に酸化物層13が形成されることにより、自動的に停止し、消失部分の進展は停止する。この酸化物層13は絶縁体ではなく、幅2mm程度の半導電性を有する電界緩和層として作用し、沿面放電を停止させるに至っている。
従って、高電圧電極の自己消失部分は、瞬時的なアーク放電の後、破損部14に対する初期消失部分15を含めて長手方向の両側へ10mm程度の沿面距離Lを形成するまで、つまり自己消失範囲が20mm程度になるまで、沿面放電により消失を継続する可能性を考えておく必要がある。
従って、図11に示すように、給電部材7は接地電極1の外部、つまり放電空間の外部で高電圧電極2と接触させることにより、高電圧電極2の自己消失を有効に行える。具体的には、接地電極1端部でガラス管の破損が発生し、破損部16および高電圧電極の自己消失部分17が形成された場合、給電部材7は接地電極1端部から少なくとも10mm以上の沿面距離Lを有して設置することが好ましい。このように給電部材7を接触させることにより、放電空間のあらゆる位置におけるガラス管の破損を、短絡を発生させることなく検知することができる。
一方、外径がφ30mmを超えると、ガラス管の外径公差が放電空隙長精度を補償できなくなることに加え、ガラス管の破損形態には「割れ」が発生する場合があり、本発明の実施には望ましくない。
しかし、このようなガラス管において、「割れ」が発生せず、貫通穴状の破損が発生した場合、高電圧電極の自己消失効果により破損部以外では正常なオゾン発生を継続することができるため、オゾン発生量の低下を抑制する効果はある。
また、かかるガラス管に高電圧電極として、膜厚0.05〜100μm、好ましくは0.05〜10μmの導電性薄膜を形成し、高電圧を接地電極端部から少なくとも10mm以上離れた位置から給電部材にて高電圧電極に給電する。ガラス管が破損した場合には、高電圧電極が短絡電流を瞬時に検知し、顕著なアーク放電を停止できるだけの沿面距離を確保しながら自己消失する。このため、高圧ヒューズなどの高価な保護装置を用いることなく、オゾン発生装置を短絡させず、破損部のみ選択的に放電を停止することができる。なお、φ30mm以下、肉厚0.5mm以上であり、その熱膨張係数が10×10-6K-1未満であるセラミクス管においてもガラス管と同様の効果が得られた。
実施の形態1では、ガラス管が破損した場合、破損部周辺の高電圧電極が剥離、蒸発、または昇華などにより自己消失することにより、高圧ヒューズを用いることなく短絡保護動作を実現できた。しかしながら、図13に示すような場合、つまり破損部18の周囲の高電圧電極が消失する代わりに酸化することによっても、実施の形態1と同様の短絡保護動作を実現できることが確認できた。
従って、破損部18周囲の酸化層19のみにおいて高電圧の給電が選択的に停止され、実施の形態1と同様の効果が得られる。
小容量または中容量のオゾン発生装置、つまりオゾン発生量が10kg/h程度以下のオゾン発生装置においては、ガラス管が破損した場合、高電圧電極の自己消失領域は実施の形態1に示したように極めて小さい。
図15より、ガラス管に破損が発生した瞬間、出力電圧が8kVから4kV程度に低下し、出力電流は300Aから150A程度に低下することがわかる。
次に、t=50msにおいて、出力電圧は4kVから2kV程度にさらに低下するが、出力電流は150A程度を維持している。
更に、t=350ms程度になると、出力電圧はほぼ0kVとなり、出力電流は150Aから200A程度に増加する。
また、高圧ヒューズを用いないことにより、コスト削減および高圧ヒューズによるエネルギー損失を緩和できる上に、小口径のガラス管を使用できることから、オゾン発生装置のコンパクト化も可能となる。
小容量または中容量のオゾン発生装置においても、投入電力密度が例えば0.5W/cm2程度以上と単位放電面積あたりの投入電力が大きくなる場合、実施の形態1で示したような高電圧電極を用いると、実施の形態3と同様に広範囲な自己消失が発生する場合がある。
しかし、場合によっては、実施の形態3と同様に給電部材7と高電圧電極2の接触位置からガラス管3の貫通穴状の破損部20までのすべての高電圧電極がアーク放電による熱的影響により自己消失する(自己消失部分21は点線で表示)。
従って、投入電力密度が大きくなる場合は、実施の形態3で示した制御方法を用い、自己消失部分が給電部材7に到達する前にオゾン発生を停止し、アークを消滅させた後に再起動するのが好ましい。
この結果、オゾン発生装置が使用されるプラント全体を停止させる必要がなくなり、極めて短い時間のみオゾン発生を停止するだけで再度安全にオゾン発生を継続することができる。
また、高圧ヒューズを用いないことにより、コスト削減および高圧ヒューズによるエネルギー損失を緩和できることに加えて、小口径のガラス管を使用できることから、オゾン発生装置のコンパクト化も可能となる。
図19は、実施の形態1で示したオゾン発生装置100の接地電極1の上に誘電体23を設けた構造であり、図19中、図1と同一符合は同一又は相当箇所を示す。
誘電体23は、ステンレス管からなる接地電極1の内表面にガラスライニングやホウロウ、セラミクス溶射などにより形成することができる。また、誘電体3と同種異径のガラス管を誘電体23として接地電極1に接合しても良い。
図20は、実施の形態1で示したオゾン発生装置100の接地電極1を、誘電体24の内表面に設けた構造であり、図20中、図1と同一符合は同一又は相当箇所を示す。
誘電体24にはガラス管やセラミクス管を用いることができる。また、接地電極1には高電圧電極2と同様に無電解ニッケルメッキなどを用い、誘電体24の内表面に膜厚0.05〜100μmとなる接地電極1を形成すればよい。
本発明にかかる構造は、実施の形態1で示した円筒多管式オゾン発生装置だけでなく、平行平板型オゾン発生装置にも適用できる。
図21、22は、全体が200で表される、本実施の形態7にかかる平行平板型オゾン発生装置の断面図である。
図1に示したオゾン発生装置100の高電圧電極2が、ステンレス、クロム、金、銀、錫、亜鉛、銅、カーボン、アルミニウムのいずれかを主成分とする場合や、実施の形態1、2で述べたニッケルやニッケルを主成分として含有する導電性化合物からなる場合も、実施の形態1、2で述べた現象を確認することができる。即ち、ガラス管が破損した場合、破損部周辺の高電圧電極が剥離、蒸発、または昇華などにより自己消失または酸化し、アーク放電を自己抑止する。これにより、高圧ヒューズを用いることなく、また短絡することなく、オゾン発生量の低下がほとんどない状態で非破損部のみでのオゾン発生を継続することができる。
本発明にかかるオゾン発生装置の高電圧電極表面温度は、放電空隙長dが0.6mm、放電電力密度0.5W/cm2の動作条件において、およそ100℃程度である。ガラス管が破損した場合、瞬時のアーク放電によりさらに温度が急上昇する。このため、融点が150〜200℃程度の金属を高電圧電極に使用した場合、高電圧電極の膜厚にかかわらず、ガラス管破損時に高電圧電極を自己消失させることができる。
本実施の形態10は、本発明の無声放電をレーザ発振器に適用したものである。
図23の(a)〜(c)は、全体が301〜303で表される、本実施の形態10にかかる無声放電式CO2レーザ発振器の電極構造の断面図である。
本実施の形態11は、本発明の無声放電を有害ガス分解装置に適用したものである。
図24は、全体が400で表される希薄有害ガス分解装置の電極構造であり、(a)に横断面図、(b)に縦断面図を示す。
なお、実施の形態10と同様に、異常時に蒸発、昇華により自己消失する高電圧電極2を吸着できるように、絶縁体32には比較的多孔質な材料を選択するのが好ましい。
本実施の形態12は、本発明の無声放電を、RIE(Reactive Ion Etching)装置やCVD(Chemical Vapor Deposition)装置などの半導体製造プロセス装置に適用するものである。図25は、本発明を適用したCVD装置の断面図であり、図26は、本発明を適用したRIE装置の断面図である。図25、26中、図1と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
Claims (10)
- 誘電体と、該誘電体を挟んで対向配置された1組の電極と、該電極間に交流電圧を印加して放電させる交流電源とを含み、該放電を発生させる放電空間にガスを供給してプラズマを形成する無声放電式プラズマ発生装置であって、
該電極の少なくとも一方が、該誘電体の上に形成された導電性の給電薄膜からなり、該誘電体が破損して該電極間にアーク放電が発生した場合に、該アーク放電が発生した部分の該給電薄膜を消滅させて、該アーク放電の発生を停止させることを特徴とする無声放電式プラズマ発生装置。 - 誘電体と、該誘電体を挟んで対向配置された1組の電極と、該電極間に交流電圧を印加して放電させる交流電源とを含み、該放電を発生させる放電空間にガスを供給してプラズマを形成する無声放電式プラズマ発生装置であって、
該電極の少なくとも一方が、該誘電体の上に形成された導電性の給電薄膜からなり、該誘電体が破損して該電極間にアーク放電が発生した場合に、該アーク放電が発生した部分の該給電薄膜を酸化させて電気抵抗を増大させ、該アーク放電の発生を停止させることを特徴とする無声放電式プラズマ発生装置。 - 上記給電薄膜が、略0.05〜略100μmの膜厚を有する導電性薄膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記誘電体の熱膨張係数が、1×10−5K-1未満であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記給電薄膜が形成される上記誘電体の表面が、略15μm以下の十点平均表面粗さであることを特徴とする請求1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記給電薄膜が、ステンレス、クロム、金、銀、錫、亜鉛、ニッケル、カーボン、銅、およびアルミニウムからなる材料の群から選択される少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記給電薄膜が、無電解メッキまたは電解メッキにより形成されたメッキ膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記交流電源が、上記給電薄膜に対向して配置される電極の端部から、少なくとも略10mmの沿面距離を有して、上記放電空間の外部で該給電薄膜に接続されたことを特徴とする請求項1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記誘電体が、外径が略30mm以下で、かつ厚さが0.5mm以上のガラス管であることを特徴とする請求項1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
- 上記交流電源の出力電圧と出力電流の少なくとも一方を監視し、上記誘電体が破損して上記電極間にアーク放電が発生した場合に、該交流電源を少なくとも0.5秒間停止させて該アーク放電の発生を停止させる制御回路を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の無声放電式プラズマ発生装置。
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KR100875233B1 (ko) * | 2007-02-06 | 2008-12-19 | (주)에스이 플라즈마 | 돌출된 플라즈마 배출구 주위에 흡입구가 형성된 플라즈마발생장치 |
CN101627514B (zh) * | 2007-03-05 | 2012-12-05 | 奥奈特有限公司 | 低温等离子体发生器 |
JP5086282B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2012-11-28 | 三菱電機株式会社 | オゾン発生装置 |
JP5063622B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2012-10-31 | 三菱電機株式会社 | 無声放電式プラズマ発生装置および無声放電式プラズマ発生装置における消孤方法 |
JP4875120B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2012-02-15 | 三菱電機株式会社 | オゾン発生装置 |
JP5456049B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-03-26 | 三菱電機株式会社 | プラズマ生成装置 |
CN101993046A (zh) * | 2010-11-29 | 2011-03-30 | 福建新大陆环保科技有限公司 | 一种用于臭氧发生器的多间隙的放电单元 |
US8663569B2 (en) * | 2010-12-21 | 2014-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ozone generating apparatus |
US8723423B2 (en) * | 2011-01-25 | 2014-05-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Electrostatic remote plasma source |
WO2012165583A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 株式会社和廣武 | Cvd装置、及び、cvd膜の製造方法 |
US10384938B2 (en) | 2011-08-26 | 2019-08-20 | Aqua21 Limited | Ozone generator |
JP2014002937A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Air Water Inc | 大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理装置の製造方法および大気圧プラズマ処理方法 |
JP2014002936A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Air Water Inc | 大気圧プラズマ処理装置および大気圧プラズマ処理方法 |
WO2014009883A2 (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Asahi Glass Company, Limited | Device and process for preventing substrate damages in a dbd plasma installation |
JP2015076328A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社ケイテックリサーチ | プラズマ処理装置 |
JP6560064B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2019-08-14 | 株式会社東芝 | 気流発生装置に発生した損傷の補修方法 |
CN112087854B (zh) * | 2019-06-12 | 2024-01-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 介质阻挡放电等离子体发生装置 |
JP7203295B1 (ja) * | 2022-04-15 | 2023-01-12 | 三菱電機株式会社 | 放電装置の製造方法および放電装置 |
JP7334309B1 (ja) | 2022-07-15 | 2023-08-28 | 日本特殊陶業株式会社 | オゾン発生体、及びオゾン発生器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61266304A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | オツォニア・アクチェンゲゼルシャフト | オゾン発生器 |
JPH11500705A (ja) * | 1995-03-25 | 1999-01-19 | ユーロフラム ゲーエムベーハー | オゾナイザおよびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2406606A1 (fr) * | 1977-10-18 | 1979-05-18 | Degremont | Electrode pour appareil generateur d'ozone |
JP2531772B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | オゾン発生装置 |
US5955038A (en) * | 1995-03-25 | 1999-09-21 | Euroflamm Gmbh | Ozonizer and method of manufacturing it |
CN2521868Y (zh) * | 2001-11-02 | 2002-11-20 | 朱益民 | 多重微放电协同一体的放电装置 |
CN2653838Y (zh) * | 2003-10-31 | 2004-11-03 | 罗炳灿 | 丝状等离子体反应器 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61266304A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | オツォニア・アクチェンゲゼルシャフト | オゾン発生器 |
JPH11500705A (ja) * | 1995-03-25 | 1999-01-19 | ユーロフラム ゲーエムベーハー | オゾナイザおよびその製造方法 |
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