JPWO2006041106A1 - 有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター - Google Patents
有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006041106A1 JPWO2006041106A1 JP2006540956A JP2006540956A JPWO2006041106A1 JP WO2006041106 A1 JPWO2006041106 A1 JP WO2006041106A1 JP 2006540956 A JP2006540956 A JP 2006540956A JP 2006540956 A JP2006540956 A JP 2006540956A JP WO2006041106 A1 JPWO2006041106 A1 JP WO2006041106A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dye
- resist composition
- compounds
- group
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/02—Dyestuff salts, e.g. salts of acid dyes with basic dyes
- C09B69/04—Dyestuff salts, e.g. salts of acid dyes with basic dyes of anionic dyes with nitrogen containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【課題】カラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めることにより高い分光スペクトルの再現性、高い耐熱性、耐光性を示し、且つ、５μｍ以下の高い解像性を持ちさらに現像残渣のないカラーレジスト組成物を提供する。【解決手段】式（１）：（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は有機基を示す。）で表される陽イオンを含有する染料を含むレジスト組成物である。染料がスルホン酸塩又はカルボン酸塩である。【選択図】なし
Description
本発明は染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルターに関する。
電荷結合素子（ＣＣＤ）または液晶表示素子（ＬＣＤ）等の撮像素子用カラーフィルターは、主に、微細なパターン形成ができることにより高精細なカラーフィルターを作製することが可能であることから、色素を添加したフォトレジストによりパターンを形成する方法を用いて作製されている。この方法では、色素と高分子樹脂とを含むレジスト組成物を用いて、それを基板上に塗布製膜した後、着色層をフォトリソグラフィー法でパターニング、現像することで一つの着色パターンを形成し、各色毎にこの工程を繰り返し行い、カラーフィルターを作製する。
その際、着色剤として用いられる色素には、一般的に耐熱性や耐光安定性に優れる顔料が用いられ、顔料を分散させたレジストが提案されている。例えば、酸により硬化し得る樹脂系材料と、光酸発生剤と、顔料とを含有してなることを特徴とする感光性着色樹脂組成物が開示されている。そこには樹脂系材料がフェノールを含む樹脂とＮ−メチロール構造を持つ架橋剤が開示されている（例えば、特許文献１）。
しかしながら、顔料は顔料自体が数十ｎｍ〜数百ｎｍ前後の粒子径を有する粒子を含んでいるため、それ自体が異物となったり、分散が安定せず凝集を起こす問題があった。そのため、高解像度が要求されるＣＣＤ用カラーフィルターの作製が困難な状況となってきている。
これに対して、色素として染料を用いた場合、染料は有機溶剤に対して可溶であることから均一なレジスト組成物が得られる。そのため、顔料を分散させたレジスト組成物に比べて微細なパターンを形成することが可能である。例えば、酸により硬化し得る樹脂、架橋剤、光酸発生剤、染料及び溶剤を含有してなるネガ型レジスト組成物が開示されている（例えば、特許文献２）。
また、酸性染料のアミン塩であり、有機溶媒及びアルカリ性水溶液に可溶なカラーフィルター用レジスト添加色素が開示されている（例えば、特許文献３）。
一方、含窒素有機化合物による陽イオンを有する染料については、テトラキスアゾ染料に、脂肪族アミン類、脂環族アミン類、芳香族アミン類又は第４級アンモニウム塩類を作用させる方法による製造方法が開示されている。これらは、各種インキ、ラッカー用として、あるいは紙、合成樹脂、繊維材料その他一般合成樹脂材料、木材、油、天然及び合成ワックス用の着色剤、石油製品の着色剤として使用できることが記載されている。（例えば、特許文献４）。
また、活性水素を有する水溶性染料、エポキシ化合物、アミンの反応混合物を着色剤として含有するインキ組成物が開示されている。これらは筆記具用、印刷用、記録用、スタンプ用、紙着色に利用されることが記載されている（例えば、特許文献５）。
特開平４−１６３５５２号公報（特許請求の範囲）
特開平６−５１５１４号公報（特許請求の範囲）
特開平６−５１１１５号公報（特許請求の範囲）
特開昭６０−２２９９５３号公報（特許請求の範囲、及び実施例）
特開昭６１−２０３１８２号公報（特許請求の範囲、及び実施例）
その際、着色剤として用いられる色素には、一般的に耐熱性や耐光安定性に優れる顔料が用いられ、顔料を分散させたレジストが提案されている。例えば、酸により硬化し得る樹脂系材料と、光酸発生剤と、顔料とを含有してなることを特徴とする感光性着色樹脂組成物が開示されている。そこには樹脂系材料がフェノールを含む樹脂とＮ−メチロール構造を持つ架橋剤が開示されている（例えば、特許文献１）。
しかしながら、顔料は顔料自体が数十ｎｍ〜数百ｎｍ前後の粒子径を有する粒子を含んでいるため、それ自体が異物となったり、分散が安定せず凝集を起こす問題があった。そのため、高解像度が要求されるＣＣＤ用カラーフィルターの作製が困難な状況となってきている。
これに対して、色素として染料を用いた場合、染料は有機溶剤に対して可溶であることから均一なレジスト組成物が得られる。そのため、顔料を分散させたレジスト組成物に比べて微細なパターンを形成することが可能である。例えば、酸により硬化し得る樹脂、架橋剤、光酸発生剤、染料及び溶剤を含有してなるネガ型レジスト組成物が開示されている（例えば、特許文献２）。
また、酸性染料のアミン塩であり、有機溶媒及びアルカリ性水溶液に可溶なカラーフィルター用レジスト添加色素が開示されている（例えば、特許文献３）。
一方、含窒素有機化合物による陽イオンを有する染料については、テトラキスアゾ染料に、脂肪族アミン類、脂環族アミン類、芳香族アミン類又は第４級アンモニウム塩類を作用させる方法による製造方法が開示されている。これらは、各種インキ、ラッカー用として、あるいは紙、合成樹脂、繊維材料その他一般合成樹脂材料、木材、油、天然及び合成ワックス用の着色剤、石油製品の着色剤として使用できることが記載されている。（例えば、特許文献４）。
また、活性水素を有する水溶性染料、エポキシ化合物、アミンの反応混合物を着色剤として含有するインキ組成物が開示されている。これらは筆記具用、印刷用、記録用、スタンプ用、紙着色に利用されることが記載されている（例えば、特許文献５）。
カラーフィルターの薄膜化がさらに進んだ場合、所望の分光スペクトルを発現させるためにはレジスト組成物中の染料濃度を高める必要がある。本発明はカラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めることにより高い分光スペクトルの再現性、高い耐熱性、耐光性を示し、且つ、５μｍ以下の高い解像性を持ちさらに現像残渣のないカラーレジスト組成物を提供することである。
本発明は第１観点として、式（１）：
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は有機基を示す。）で表される陽イオンを含有する染料を含むレジスト組成物、
第２観点として、Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方が含窒素有機基である第１観点に記載のレジスト組成物、
第３観点として、Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有する第１観点に記載のレジスト組成物、
第４観点として、Ｒ5が、置換又は未置換の芳香族基である第３観点に記載のレジスト組成物、
第５観点として、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一方が水素原子である第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第６観点として、陽イオンが式（２）：
（式中、Rは水素原子又はメチル基を示す。）で表されるものである第１観点に記載のレジスト組成物、
第７観点として、染料がスルホン酸塩又はカルボン酸塩である第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第８観点として、染料がフタロシアニン構造を有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第９観点として、染料がピラゾールアゾ構造を有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１０観点として、染料が金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１１観点として、染料がキサンテン構造を有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１２観点として、樹脂（Ａ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）、架橋性化合物（Ｃ）、第１観点乃至第１１観点のいずれか一つに記載の染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物、
第１３観点として、第１観点乃至第１２観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物を、基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法、
第１４観点として、第１３観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含む液晶表示装置、
第１５観点として、第１３観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含むＬＥＤ表示装置、及び
第１６観点として、第１３観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含む固体撮像素子である。
第２観点として、Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方が含窒素有機基である第１観点に記載のレジスト組成物、
第３観点として、Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有する第１観点に記載のレジスト組成物、
第４観点として、Ｒ5が、置換又は未置換の芳香族基である第３観点に記載のレジスト組成物、
第５観点として、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一方が水素原子である第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第６観点として、陽イオンが式（２）：
第７観点として、染料がスルホン酸塩又はカルボン酸塩である第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第８観点として、染料がフタロシアニン構造を有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第９観点として、染料がピラゾールアゾ構造を有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１０観点として、染料が金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１１観点として、染料がキサンテン構造を有する陰イオンを含有するものである第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１２観点として、樹脂（Ａ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）、架橋性化合物（Ｃ）、第１観点乃至第１１観点のいずれか一つに記載の染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物、
第１３観点として、第１観点乃至第１２観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物を、基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法、
第１４観点として、第１３観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含む液晶表示装置、
第１５観点として、第１３観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含むＬＥＤ表示装置、及び
第１６観点として、第１３観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含む固体撮像素子である。
本発明に係るレジスト組成物は、カラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度をレジスト組成物の全固形分中で３０質量％以上に高めることが可能であり、したがって、本レジスト組成物から得られたカラーフィルターは、所望の分光スペクトルを効果的に発現でき、その上、高い耐熱性及び耐光性を有する。また、本発明のカラーフィルターは、５μｍ以下の高い解像性を持ち、さらに現像残渣がないという利点をも有する。さらに、本発明のカラーフィルターは、高いアルカリ現像性を示す樹脂とアルカリ現像性を示す染料と組み合わせることにより、所望の分光スペクトルがさらに良好に発現され、しかも、より耐熱性及び耐光性に優れ、さらに高い解像性が示され得る。
本発明においては、レジスト組成物中の染料濃度を高めることにより、作製されたカラーフィルターの薄膜化が可能である。カラーフィルターの膜厚を０．３〜１．５μｍに設定するには、レジスト組成物中での染料濃度が３０質量％以上必要である。該染料分子を含有したレジスト組成物及びそれから製造されたカラーフィルターは、その染料分子に起因して４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と１０％以下の透過率を示す領域とを少なくとも有する光学特性を示す。染料濃度が低濃度でこの透過率の値を示す場合は、単位体積当たりの染料分子の数が少なくてすむが、耐熱性や耐光性が十分に確保できない。また、染料濃度が高濃度でこの透過率を示す場合は、所望の分光スペクトルを得る上で単位体積当たりの染料分子の数が多くなり、解像度や密着性が十分に確保できない。従って、可視光域（波長４００〜７５０ｎｍ）、特には４００〜７００ｎｍにおいて、７０％以上の透過率を示す領域と１０％以下の透過率を示す領域とを少なくとも有する分光スペクトルを示す染料を含有するものである。
赤、緑、青等の染料は、各染料が吸収を示す特定領域（透過率が１０％以下の領域）と吸収を示さない領域（透過率が７０％以上の領域）を有しているものであり、吸収を示さない領域は他の染料の吸収を阻害するものであっては好ましくない。各染料が本来、吸収を示さない領域に吸収を持つ場合は、その染料の耐熱性や耐光性が不十分な場合である。本発明に使用される上記染料は、吸収を示す特定領域で透過率が１０％以下であり、吸収を示さない領域では透過率が７０％以上であり、目的とする分光スペクトルを発現し、鮮明なカラーフィルターが得られる。
本発明では特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料が、樹脂、光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び架橋性化合物を主要成分としてなるレジスト組成物において、各成分に対して高い溶解性と相溶性を有し、基板に塗布し、硬化し、露光後、現像した際に得られるレジストパターンは高い現像性を有するものである。
更に詳しくは、本発明のレジスト組成物は樹脂（Ａ）を樹脂（ＡＮ）と樹脂（ＡＰ）から選択し、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）を光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）と光酸発生剤（ＢＰ）から選択することにより、ネガ型とポジ型に適用可能である。
ネガ型レジスト組成物としては、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物である。
また、ポジ型レジスト組成物としては、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するポジ型レジスト組成物である。
ネガ型レジスト組成物に使用される樹脂（ＡＮ）は、熱若しくは光照射により発生する酸、又は熱若しくは光照射により発生する塩基により硬化する樹脂、熱又は光照射により架橋する感光性樹脂であり、該樹脂中の未露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。
樹脂（ＡＮ）としては、例えばヒドロキシル基、又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。
例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸およびポリメタクリル酸等のアクリル系樹脂、ポリアミド酸、ポリビニルフェノール及びその誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、ヒドロキシル基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース、セルロース誘導体、スターチ、キチン、キトサン、ゼラチン、ゼイン、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。
特に好ましくは、樹脂（ＡＮ）としては、ポリビニルフェノール及びその共重合体である。
赤、緑、青等の染料は、各染料が吸収を示す特定領域（透過率が１０％以下の領域）と吸収を示さない領域（透過率が７０％以上の領域）を有しているものであり、吸収を示さない領域は他の染料の吸収を阻害するものであっては好ましくない。各染料が本来、吸収を示さない領域に吸収を持つ場合は、その染料の耐熱性や耐光性が不十分な場合である。本発明に使用される上記染料は、吸収を示す特定領域で透過率が１０％以下であり、吸収を示さない領域では透過率が７０％以上であり、目的とする分光スペクトルを発現し、鮮明なカラーフィルターが得られる。
本発明では特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料が、樹脂、光酸発生剤又は光塩基発生剤、及び架橋性化合物を主要成分としてなるレジスト組成物において、各成分に対して高い溶解性と相溶性を有し、基板に塗布し、硬化し、露光後、現像した際に得られるレジストパターンは高い現像性を有するものである。
更に詳しくは、本発明のレジスト組成物は樹脂（Ａ）を樹脂（ＡＮ）と樹脂（ＡＰ）から選択し、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）を光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）と光酸発生剤（ＢＰ）から選択することにより、ネガ型とポジ型に適用可能である。
ネガ型レジスト組成物としては、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物である。
また、ポジ型レジスト組成物としては、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するポジ型レジスト組成物である。
ネガ型レジスト組成物に使用される樹脂（ＡＮ）は、熱若しくは光照射により発生する酸、又は熱若しくは光照射により発生する塩基により硬化する樹脂、熱又は光照射により架橋する感光性樹脂であり、該樹脂中の未露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。
樹脂（ＡＮ）としては、例えばヒドロキシル基、又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。
例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸およびポリメタクリル酸等のアクリル系樹脂、ポリアミド酸、ポリビニルフェノール及びその誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、ヒドロキシル基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース、セルロース誘導体、スターチ、キチン、キトサン、ゼラチン、ゼイン、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。
特に好ましくは、樹脂（ＡＮ）としては、ポリビニルフェノール及びその共重合体である。
共重合モノマーとしてはアクリル系モノマーが挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。
エチレン性不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、およびそれらの酸無水物やハーフエステルが用いられる。これらのなかでは、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートが好ましい。
ポリビニルフェノール、ポリビニルフェノールと上記アクリル系モノマーとの共重合体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、ビニルフェノールと上記アクリル系モノマー１種とを共重合して用いることや、ビニルフェノールと上記アクリル系モノマー２種類以上との組み合わせからなる共重合体を用いることが可能である。
共重合に用いる他の化合物としては、アクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン等のスチレン誘導体が挙げられる。これらのなかではスチレンが好ましい。
ポリビニルフェノール又はその共重合体、即ちポリヒドロキシスチレン又はポリヒドロキシスチレン誘導体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で、又は２種類以上の共重合体を組み合わせて用いる事が出来る。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。
エチレン性不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、およびそれらの酸無水物やハーフエステルが用いられる。これらのなかでは、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートが好ましい。
ポリビニルフェノール、ポリビニルフェノールと上記アクリル系モノマーとの共重合体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、ビニルフェノールと上記アクリル系モノマー１種とを共重合して用いることや、ビニルフェノールと上記アクリル系モノマー２種類以上との組み合わせからなる共重合体を用いることが可能である。
共重合に用いる他の化合物としては、アクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン等のスチレン誘導体が挙げられる。これらのなかではスチレンが好ましい。
ポリビニルフェノール又はその共重合体、即ちポリヒドロキシスチレン又はポリヒドロキシスチレン誘導体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で、又は２種類以上の共重合体を組み合わせて用いる事が出来る。
ネガ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＮ）を用いた際に使用する光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）の中で、光酸発生剤としては、光照射により直接もしくは間接的に酸を発生するものであれば特に限定されない。具体例としては、トリアジン系化合物、アセトフェノン誘導体化合物、ジスルホン系化合物、ジアゾメタン系化合物、スルホン酸誘導体化合物、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールホスホニウム塩、鉄アレーン錯体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。具体的には、例えばジフェニルヨードニウムクロライド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムメシレート、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムメシレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトシレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリド、ビス（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムクロライド、ビス（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムクロリド、トリフェニルスルホニウムブロミド、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ（ｐ−エトキシフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルホスホニウムクロリド、トリフェニルホスホニウムブロミド、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ（ｐ−エトキシフェニル）ホスホニウムテトラフルオロボレートが挙げられる。
また式（３）〜式（６９）に挙げられる光酸発生剤も使用する事が出来る。
光酸発生剤は式（５３）〜式（５６）、式（６１）〜式（６９）の化合物を使用したレジスト組成物は、より鮮明なレジストパターンが得られる。
光酸発生剤は一例でありこれらの化合物に限定されるものではない。
光酸発生剤は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２〜１００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンが得られ難く、また３００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、酸発生剤の導入量は樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部であることが好ましい。
光酸発生剤は一例でありこれらの化合物に限定されるものではない。
光酸発生剤は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２〜１００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンが得られ難く、また３００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、酸発生剤の導入量は樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部であることが好ましい。
光塩基発生剤としては、光照射により直接もしくは間接的に塩基を発生するものであれば特に限定されない。例えば、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニルへキサン−１，６−ジアミン］、ニトロベンジルシクロへキシルカルバメート、ジ（メトキシベンジル）ヘキサメチレンジカルバメート、及び以下の式（７０）〜式（７２）の構造の化合物が挙げられる。
（ただし、式（７０）〜式（７２）において、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、置換または無置換のアルキル基、および置換または無置換のフェニル基を示す。）
これら光塩基発生剤は光酸発生剤と同様に、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。またその導入量は、上記と同様の理由で、樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２〜１００質量部であることが好ましい。
これら光塩基発生剤は光酸発生剤と同様に、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。またその導入量は、上記と同様の理由で、樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２〜１００質量部であることが好ましい。
さらに光増感剤として、従来から公知の光増感剤を用いることができる。例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ぺリレン系、メロシアニン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系が挙げられる。これらは、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。
ネガ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＮ）に用いられる架橋性化合物（Ｃ）としては、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の架橋形成基を有する化合物を使用することができる。
例えば、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えばメラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
この架橋性化合物（Ｃ）は例えば、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル基又はその両方で置換されたメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリルを用いることができる。このメラミン誘導体及びベンゾグアナミン誘導体は二量体又は三量体として存在することも可能である。これらはトリアジン環１個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以上６個以下有するものが好ましい。
例えば、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えばメラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
この架橋性化合物（Ｃ）は例えば、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル基又はその両方で置換されたメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリルを用いることができる。このメラミン誘導体及びベンゾグアナミン誘導体は二量体又は三量体として存在することも可能である。これらはトリアジン環１個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以上６個以下有するものが好ましい。
このようなメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販品のトリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均３．７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ−３０（以上、三和ケミカル社製）や、サイメル３００、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２５、３２７、７０３、７１２などのメトキシメチル化メラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２５３、２５４などのメトキシメチル化ブトキシメチル化メラミン、サイメル５０６、５０８などのブトキシメチル化メラミン、サイメル１１４１のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、サイメル１１２３のようなメトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２８のようなブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン（以上、三井サイアナミド社製）が挙げられる。また、グリコールウリルの例として、サイメル１１７０のようなブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル１１７２のようなメチロール化グリコールウリル等、パウダーリンク１１７４のようなメトキシメチロール化グリコールウリル（以上、サイテック（株）製）等が挙げられる。
また、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するベンゼンまたはフェノール性化合物、例えば１，３，５−トリス（メトキシメチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（イソプロポキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメチル）ベンゼン、２，６−ジヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。
また、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有する化合物も使用できる。具体例としては、例えばビスフェノールアセトングリシジルエーテル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルアミノジフェニレン、テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、トリフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノールヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、１，３−ビス（１−（２，３−エポキシプロポキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、２−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−２−（４−（１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）エチル）フェニル）プロパン、１，３−ビス（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチル）フェノキシ）−２−プロパノール等が挙げられる。
これらの架橋性化合物（Ｃ）は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２０〜２００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンが得られにくく、また３００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋剤の導入量は樹脂成分１００質量部に対して１〜３００質量部であることが好ましい。
また、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するベンゼンまたはフェノール性化合物、例えば１，３，５−トリス（メトキシメチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（イソプロポキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメチル）ベンゼン、２，６−ジヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。
また、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有する化合物も使用できる。具体例としては、例えばビスフェノールアセトングリシジルエーテル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルアミノジフェニレン、テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、トリフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノールヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、１，３−ビス（１−（２，３−エポキシプロポキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、２−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−２−（４−（１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）エチル）フェニル）プロパン、１，３−ビス（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチル）フェノキシ）−２−プロパノール等が挙げられる。
これらの架橋性化合物（Ｃ）は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２０〜２００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンが得られにくく、また３００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋剤の導入量は樹脂成分１００質量部に対して１〜３００質量部であることが好ましい。
ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂（ＡＰ）は、熱により硬化する樹脂であり、熱又は光照射により発生する酸により樹脂が分解することで、極性や分子量が変化し、現像液に対して溶解性を示すようになるものであり、該樹脂中の露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。
樹脂（ＡＰ）としては、例えばヒドロキシル基又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。具体的には、例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアミド酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレン誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂およびノボラック樹脂、ヒドロキシル基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いる事が出来る。
また、カルボキシル基含有アクリル系樹脂を用いることもできる。すなわち、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、エチレン性不飽和カルボン酸と必要に応じて他のモノマーを共重合したアクリル系共重合体である。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。
樹脂（ＡＰ）としては、例えばヒドロキシル基又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。具体的には、例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアミド酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレン誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂およびノボラック樹脂、ヒドロキシル基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いる事が出来る。
また、カルボキシル基含有アクリル系樹脂を用いることもできる。すなわち、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、エチレン性不飽和カルボン酸と必要に応じて他のモノマーを共重合したアクリル系共重合体である。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。
ポジ型レジスト組成物に用いられる光酸発生剤（ＢＰ）は、ナフトキノンジアジド化合物が挙げられる。一般的に１，２−キノンジアジド化合物が用いられる。例えば、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、および１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド等が挙げられる。これらナフトキノンジアジド化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また５０質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、ナフトキノンジアジド化合物の導入量は樹脂成分１００質量部に対して１〜５０質量部であることが好ましい。
ポジ型レジスト組成物に用いられる架橋性化合物（Ｃ）としては上記の架橋性化合物が用いられ、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、及び低級アルコキシアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋形成基を有する化合物、または、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有するもの、さらに重合性不飽和基を有する化合物を使用することができる。
これらの架橋性化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜２００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また２００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋性化合物（Ｃ）の導入量は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜２００質量部であることが好ましい。
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる染料（Ｄ）は、カラーフィルターとして望ましい分光スペクトルを有し、かつ溶剤にそのまま溶解するか、あるいは染料を変性した形で溶解するものを用いることができる。
これらの架橋性化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜２００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また２００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋性化合物（Ｃ）の導入量は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜２００質量部であることが好ましい。
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる染料（Ｄ）は、カラーフィルターとして望ましい分光スペクトルを有し、かつ溶剤にそのまま溶解するか、あるいは染料を変性した形で溶解するものを用いることができる。
本発明に用いられる染料（Ｄ）は式（１）：
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は有機基を示す。）で表される陽イオンを含有するものである。
式（１）中でＲ1及びＲ2のうち少なくとも一方は含窒素有機基を有するものであり、Ｒ1及びＲ2の両方が含窒素有機基であることが好ましい。
このＲ1及びＲ2の含窒素有機基のうち少なくとも一方はイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有するものであるが、Ｒ1及びＲ2の両方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有していることが好ましい。
Ｒ5は置換又は未置換の芳香族基であり、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香族基にメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、ニトロ基、クロル、ブルム等のハロゲン基が置換した芳香族基があげられる。Ｒ5は好ましくは、フェニル基、トリル基があげられる。
Ｒ3及びＲ4は水素原子又はメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、又は置換又は未置換の芳香族基があげられる。この芳香族基は例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香族基にメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、ニトロ基、クロル、ブルム等のハロゲン基が置換した芳香族基があげられる。しかし、Ｒ3及びＲ4の両方が水素原子である場合と、Ｒ3及びＲ4の一方が水素原子で他方が上記芳香族基である場合が好ましい。
式（１）中でＲ1及びＲ2のうち少なくとも一方は含窒素有機基を有するものであり、Ｒ1及びＲ2の両方が含窒素有機基であることが好ましい。
このＲ1及びＲ2の含窒素有機基のうち少なくとも一方はイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有するものであるが、Ｒ1及びＲ2の両方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有していることが好ましい。
Ｒ5は置換又は未置換の芳香族基であり、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香族基にメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、ニトロ基、クロル、ブルム等のハロゲン基が置換した芳香族基があげられる。Ｒ5は好ましくは、フェニル基、トリル基があげられる。
Ｒ3及びＲ4は水素原子又はメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、又は置換又は未置換の芳香族基があげられる。この芳香族基は例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香族基にメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、ニトロ基、クロル、ブルム等のハロゲン基が置換した芳香族基があげられる。しかし、Ｒ3及びＲ4の両方が水素原子である場合と、Ｒ3及びＲ4の一方が水素原子で他方が上記芳香族基である場合が好ましい。
本発明の染料（Ｄ）に含有される陽イオンの具体例としては、
本発明の染料（Ｄ）に含有される陽イオンは式（２）：
（式中、Rは水素原子又はメチル基を示す。）である場合が特に好ましい。
また、この式（１）及びその具体的化合物である式（２）の化合物は共鳴構造を有し、式（２）の化合物を例にあげて示すと式（７９）：
の構造を示す陽イオンも存在するが、この陽イオンを本発明に用いることも可能である。
上記染料は陽イオンと陰イオンからなる有機塩であり、カルボン酸塩やスルホン酸塩を用いることが好ましい。
本発明の染料（Ｄ）に含有される陽イオンは式（２）：
また、この式（１）及びその具体的化合物である式（２）の化合物は共鳴構造を有し、式（２）の化合物を例にあげて示すと式（７９）：
上記染料は陽イオンと陰イオンからなる有機塩であり、カルボン酸塩やスルホン酸塩を用いることが好ましい。
染料中の陰イオンとは上記陽イオンの対イオンとなるものであり、分子中に少なくとも１個の陰イオンを有する化合物であるが、場合によっては陰イオン性基を有することも可能である。
染料中の陰イオンとして用いられる化合物としては、フタロシアニン構造を有する化合物、ピラゾールアゾ構造を有する化合物、金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する化合物、キサンテン構造を有する化合物が例示される。特に、陰イオン性基のみを有する化合物であって、フタロシアニン構造を有する化合物、ピラゾールアゾ構造を有する化合物、及び金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する化合物が好ましい。
陰イオン成分としてフタロシアニン構造を有する化合物としては、スルホン酸イオン（−ＳＯ3 -）及び／又はカルボン酸イオン（−ＣＯＯ-）が陰イオン性を示す。このスルホン酸イオンとカルボン酸イオンは両者を合わせてフタロシアニンの１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。この陰イオン性基としてはスルホン酸イオンを好ましく用いることができる。また、この陰イオン性基以外にスルホン酸アミノエステル基（−ＳＯ2ＮＨＲ、ただしＲは炭素数１〜２０の脂肪族、芳香族の炭化水素基、エーテル基、エステル基である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、クロルやブロム等のハロゲン基、メチル基やエチル基等のアルキル基を有することができ、それらの非イオン性基は全基でフタロシアニンの１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。この非イオン性基はスルホン酸アミノエステルを好ましく用いることができる。フタロシアニンは金属含有、及び金属非含有のフタロシアニンを用いる事ができる。中心金属としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ等があげられるが、Ｃｕが好ましい。
陰イオンとしてスルホン酸基含有フタロシアニンと、式（２）及び式（７３）〜式（７８）で示される陽イオンとの組み合わせからなる本発明に使用できる染料（Ｄ）は、例えば式（８０）〜式（８２）の化合物を例示することができる。
陰イオン成分としてピラゾールアゾ構造を有する化合物としては、スルホン酸イオン（−ＳＯ3 -）及び／又はカルボン酸イオン（−ＣＯＯ-）が陰イオン性を示す。このスルホン酸イオンとカルボン酸イオンは両者を合わせてピラゾールアゾ構造を有する化合物の１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。陰イオン性基としてはスルホン酸イオンを好ましく用いることができる。また、この陰イオン性基以外にスルホン酸アミノエステル基（−ＳＯ2ＮＨＲ、ただしＲは炭素数１〜２０の脂肪族、芳香族の炭化水素基、エーテル基、エステル基である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、クロルやブロム等のハロゲン基、メチル基やエチル基等のアルキル基を有することができ、それらの非イオン性基は全基でピラゾールアゾ構造を有する化合物の１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。非イオン性基はヒドロキシル基とメチル基、エチル等のアルキル基を好ましく用いることができる。ピラゾールアゾ構造を有する化合物とは、１分子中にピラゾール部分とアゾ構造のそれぞれが少なくとも１個は有する化合物である。ピラゾール部分とアゾ部分が直接結合することも、他の有機基を挟んで存在することも可能である。ピラゾール部分やアゾ部分にフェニル基等の芳香族基や、アルキレン基等の脂肪族基が連結されていて、それらの芳香族基や脂肪族基にスルホン酸基やその他の置換基を有する化合物があげられる。
染料中の陰イオンとして用いられる化合物としては、フタロシアニン構造を有する化合物、ピラゾールアゾ構造を有する化合物、金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する化合物、キサンテン構造を有する化合物が例示される。特に、陰イオン性基のみを有する化合物であって、フタロシアニン構造を有する化合物、ピラゾールアゾ構造を有する化合物、及び金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する化合物が好ましい。
陰イオン成分としてフタロシアニン構造を有する化合物としては、スルホン酸イオン（−ＳＯ3 -）及び／又はカルボン酸イオン（−ＣＯＯ-）が陰イオン性を示す。このスルホン酸イオンとカルボン酸イオンは両者を合わせてフタロシアニンの１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。この陰イオン性基としてはスルホン酸イオンを好ましく用いることができる。また、この陰イオン性基以外にスルホン酸アミノエステル基（−ＳＯ2ＮＨＲ、ただしＲは炭素数１〜２０の脂肪族、芳香族の炭化水素基、エーテル基、エステル基である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、クロルやブロム等のハロゲン基、メチル基やエチル基等のアルキル基を有することができ、それらの非イオン性基は全基でフタロシアニンの１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。この非イオン性基はスルホン酸アミノエステルを好ましく用いることができる。フタロシアニンは金属含有、及び金属非含有のフタロシアニンを用いる事ができる。中心金属としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ等があげられるが、Ｃｕが好ましい。
陰イオンとしてスルホン酸基含有フタロシアニンと、式（２）及び式（７３）〜式（７８）で示される陽イオンとの組み合わせからなる本発明に使用できる染料（Ｄ）は、例えば式（８０）〜式（８２）の化合物を例示することができる。
陰イオンとしてスルホン酸基含有ピラゾールアゾ構造を有する化合物と、式（２）及び式（７３）〜式（７８）で示される陽イオンとの組み合わせからなる本発明に使用できる染料（Ｄ）は、例えば式（８３）〜（８５）の化合物を例示することができる。
陰イオン成分として金属錯体構造とピラゾールアゾ構造を有する化合物は、
スルホン酸イオン（−ＳＯ3 -）及び／又はカルボン酸イオン（−ＣＯＯ-）が陰イオン性を示す。また、金属錯体構造に起因して陰イオン性を示すこともある。この陰イオンの構造は陰イオン性基含有ピラゾールアゾ構造を有する化合物が金属と錯体を形成するものである。陰イオン性基含有ピラゾールアゾ構造を有する化合物と金属とは、１〜３：１の割合で錯体を形成するが、２：１の割合が好ましい。中心に存在する金属はＣｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ等があげられるが、Ｃｏが好ましい。このスルホン酸イオンとカルボン酸イオンは両者を合わせてピラゾールアゾ構造を有する化合物の１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。陰イオン性基としてはスルホン酸イオンを好ましく用いることができる。また、この陰イオン性基以外にスルホン酸アミノエステル基（−ＳＯ2ＮＨＲ、ただしＲは炭素数１〜２０の脂肪族、芳香族の炭化水素基、エーテル基、エステル基である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、クロルやブロム等のハロゲン基、メチル基やエチル基等のアルキル基を有することができ、それらの非イオン性基は全基でピラゾールアゾ構造を有する化合物の１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。この非イオン性基はニトロ基とヒドロキシル基とメチル基、エチル基等のアルキル基を好ましく用いることができる。
スルホン酸イオン（−ＳＯ3 -）及び／又はカルボン酸イオン（−ＣＯＯ-）が陰イオン性を示す。また、金属錯体構造に起因して陰イオン性を示すこともある。この陰イオンの構造は陰イオン性基含有ピラゾールアゾ構造を有する化合物が金属と錯体を形成するものである。陰イオン性基含有ピラゾールアゾ構造を有する化合物と金属とは、１〜３：１の割合で錯体を形成するが、２：１の割合が好ましい。中心に存在する金属はＣｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ等があげられるが、Ｃｏが好ましい。このスルホン酸イオンとカルボン酸イオンは両者を合わせてピラゾールアゾ構造を有する化合物の１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。陰イオン性基としてはスルホン酸イオンを好ましく用いることができる。また、この陰イオン性基以外にスルホン酸アミノエステル基（−ＳＯ2ＮＨＲ、ただしＲは炭素数１〜２０の脂肪族、芳香族の炭化水素基、エーテル基、エステル基である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、クロルやブロム等のハロゲン基、メチル基やエチル基等のアルキル基を有することができ、それらの非イオン性基は全基でピラゾールアゾ構造を有する化合物の１分子中に１〜４個の割合で含有することができる。この非イオン性基はニトロ基とヒドロキシル基とメチル基、エチル基等のアルキル基を好ましく用いることができる。
陰イオンとして金属錯体構造とスルホン酸基含有ピラゾールアゾ構造を有する化合物と、式（２）及び式（７３）〜式（７８）で示される陽イオンとの組み合わせからなる本発明に使用できる染料（Ｄ）は、例えば式（８６）〜（９１）の化合物を例示することができる。
陰イオン成分としてキサンテン構造を有する化合物は、スルホン酸イオン（−ＳＯ3 -）及び／又はカルボン酸イオン（−ＣＯＯ-）が陰イオン性を示す。このスルホン酸イオンとカルボン酸イオンは両者を合わせてキサンテン構造を有する化合物の１分子中に１〜３個の割合で含有することができる。陰イオン性基としてはカルボン酸イオンを好ましく用いることができる。また、この陰イオン性基以外にスルホン酸アミノエステル基（−ＳＯ2ＮＨＲ、ただしＲは炭素数１〜２０の脂肪族、芳香族の炭化水素基、エーテル基、エステル基である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、クロルやブロム等のハロゲン基、メチル基やエチル基等のアルキル基を有することができ、それらの非イオン性基は全基でキサンテン構造を有する化合物の１分子中に１〜３個の割合で含有することができる。
陰イオンとしてキサンテン構造を有する化合物と、式（２）及び式（７３）〜式（７８）で示される陽イオンとの組み合わせからなる本発明に使用できる染料（Ｄ）は、例えば式（９２）〜（９８）の化合物を例示することができる。
本発明に用いられるこれら染料（Ｄ）は、市販品を使用することができる。
また、これら染料は公知な方法で容易に合成することができる。例えば、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の構造に対応するアミンと、スルホン酸基又はカルボン酸基を有する染料分子（母体）を反応させる方法により得られる。即ち、スルホン酸基又はカルボン酸基を有するフタロシアニン構造を有する化合物、ピラゾールアゾ構造を有する化合物、金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する化合物、又はキサンテン構造を有する化合物の水溶液を所望のモル比の塩形成に必要なアミンと反応させ、水に難溶の塩を沈殿させることにより合成できる。染料の塩が水に可溶性のときは塩析を行うことにより塩が得られる。
また、スルホン酸ナトリウム、又はカルボン酸ナトリウムを有する上記染料の水溶液に、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の構造を有するアンモニウム塩の水溶液を加えて反応させ、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の陽イオンを有する染料を製造することができる。また、スルホン酸ナトリウム、又はカルボン酸ナトリウムを有する上記染料の水溶液に、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の構造に対応するアミンの塩酸塩の水溶液を加えて反応させ、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の陽イオンを有する染料を製造することができる。
また、これら染料は公知な方法で容易に合成することができる。例えば、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の構造に対応するアミンと、スルホン酸基又はカルボン酸基を有する染料分子（母体）を反応させる方法により得られる。即ち、スルホン酸基又はカルボン酸基を有するフタロシアニン構造を有する化合物、ピラゾールアゾ構造を有する化合物、金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する化合物、又はキサンテン構造を有する化合物の水溶液を所望のモル比の塩形成に必要なアミンと反応させ、水に難溶の塩を沈殿させることにより合成できる。染料の塩が水に可溶性のときは塩析を行うことにより塩が得られる。
また、スルホン酸ナトリウム、又はカルボン酸ナトリウムを有する上記染料の水溶液に、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の構造を有するアンモニウム塩の水溶液を加えて反応させ、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の陽イオンを有する染料を製造することができる。また、スルホン酸ナトリウム、又はカルボン酸ナトリウムを有する上記染料の水溶液に、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の構造に対応するアミンの塩酸塩の水溶液を加えて反応させ、式（２）及び式（７３）〜式（７８）の陽イオンを有する染料を製造することができる。
本発明に用いられる染料（Ｄ）には、更に任意の染料を混合して用いることも可能である。これらの染料としては、酸性染料、油溶性染料、分散染料、反応性染料、直接染料等が挙げられる。例えば、アゾ系染料、ベンゾキノン系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン系染料、シアニン系染料、スクアリリウム系染料、クロコニウム系染料、メロシアニン系染料、スチルベン系染料、ジフェニルメタン系染料、トリフェニルメタン系染料、フルオラン系染料、スピロピラン系染料、フタロシアニン系染料、インジゴ系染料、フルギド系染料、ニッケル錯体系染料、及びアズレン系染料が挙げられる。具体的には、カラーインデックス番号で以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ２、３、７、１２、１３、１４、１６、１８、１９、２１、２５、２５：１、２７、２８、２９、３０、３３、３４、３６、４２、４３、４４、４７、５６、６２、７２、７３、７７、７９、８１、８２、８３、８３：１、８８、８９、９０、９３、９４、９６、９８、１０４、１０７、１１４、１１６、１１７、１２４、１３０、１３１、１３３、１３５、１４１、１４３、１４５、１４６、１５７、１６０：１、１６１、１６２、１６３、１６７、１６９、１７２、１７４、１７５、１７６、１７９、１８０、１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６、１８７、１８９、１９０、１９１、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Orange１、２、３、４、５、７、１１、１４、２０、２３、２５、３１、４０：１、４１、４５、５４、５６、５８、６０、６２、６３、７０、７５、７７、８０、８１、８６、９９、１０２、１０３、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Red１、２、３、４、８、１６、１７、１８、１９、２３、２４、２５、２６、２７、３０、３３、３５、４１、４３、４５、４８、４９、５２、６８、６９、７２、７３、８３：１、８４：１、８９、９０、９０：１、９１、９２、１０６、１０９、１１０、１１８、１１９、１２２、１２４、１２５、１２７、１３０、１３２、１３５、１４１、１４３、１４５、１４６、１４９、１５０、１５１、１５５、１６０、１６１、１６４、１６４：１、１６５、１６６、１６８、１６９、１７２、１７５、１７９、１８０、１８１、１８２、１９５、１９６、１９７、１９８、２０７、２０８、２１０、２１２、２１４、２１５、２１８、２２２、２２３、２２５、２２７、２２９、２３０、２３３、２３４、２３５、２３６、２３８、２３９、２４０、２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４７、２４８、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Violet２、８、９、１１、１３、１４、２１、２１：１、２６、３１、３６、３７、３８、４５、４６、４７、４８、４ｍ９、５０、５１、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Blue２、３、４、５、７、１８、２５、２６、３５、３６、３７、３８、４３、４４、４５、４８、５１、５８、５９、５９：１、６３、６４、６７、６８、６９、７０、７８、７９、８３、９４、９７、９８、１００、１０１、１０２、１０４、１０５、１１１、１１２、１２２、１２４、１２８、１２９、１３２、１３６、１３７、１３８、１３９、１４３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ１、３、４、５、７、２８、２９、３２、３３、３４、３５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ１、３、４、５、１２、２０、２２、２８、３８、４１、４２、４３、４４、５２、５３、５９、６０、６１、６２、６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｂｌａｃｋ３、５、５：２、７、１３、２２、２２：１、２６、２７、２８、２９、３４、３５、４３、４５、４６、４８、４９、５０、C．I．Ａｃｉｄ Ｒｅｄ６、１１、２６、６０、８８、１１１、１８６、２１５、Ｃ．Ｉ．Ａｃｉｄ Ｇｒｅｅｎ ２５、２７、C．I．Ａｃｉｄ Ｂｌｕｅ ２２、２５、４０、７８、９２、１１３、１２９、１６７、２３０、Ｃ．Ｉ．Ａｃｉｄ Ｙｅｌｌｏｗ １７、２３、２５、３６、３８、４２、４４、７２、７８、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｒｅｄ １、２、１３、１４、２２、２７、２９、３９、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｇｒｅｅｎ ３、４、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｂｌｕｅ ３、９、４１、６６、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｖｉｏｌｅｔ １、３、１８、３９、６６、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｙｅｌｌｏｗ １１、２３、２５、２８、４１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ４、２３、３１、７５、７６、７９、８０、８１、８３、８４、１４９、２２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｇｒｅｅｎ ２６、２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ７１、７８、９８、１０６、１０８、１９２、２０１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ ５１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ２６、２７、２８、３３、４４、５０、８６、１４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ ２６、２９、３４、３７、７２、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｒｅｄ ５、６、７、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｇｒｅｅｎ ２、３、６、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｂｌｕｅ ２、３、７、９、１３、１５、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｖｉｏｌｅｔ ２、３、４、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｙｅｌｌｏｗ ４、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｒｅｄ １３、２１、２３、２８、２９、４８、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｇｒｅｅｎ ３、５、８、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｂｌｕｅ ６、１４、２６、３０、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｖｉｏｌｅｔ １、３、９、１３、１５、１６、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｙｅｌｌｏｗ ２、１２、２０、３３、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｏｒａｎｇｅ ２、５、１１、１５、１８、２０、Ｃ．Ｉ．Ａｚｏｉｃ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ２、３、４、５、７、８、９、１０、１１、１３、３２、３７、４１、４８、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｒｅｄ ８、２２、４６、１２０、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｂｌｕｅ １、２、７、１９、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｖｉｏｌｅｔ ２、４、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｙｅｌｌｏｗ １、２、４、１４、１６、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｏｒａｎｇｅ １、４、７、１３、１６、２０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ ４、１１、５４、５５、５８、６５、７３、１２７、１２９、１４１、１９６、２１０、２２９、３５４、３５６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ３、２４、７９、８２、８７、１０６、１２５、１６５、１８３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ １、６、１２、２６、２７、２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ３、４、５、７、２３、３３、４２、６０、６４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ １３、２９、３０。
染料（Ｄ）は、４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と、１０％以下の透過率を示す領域とを有する光学特性を示すものであり、そして２００℃以上の温度を経ても透過率変化が５％以内が好ましく、本発明のレジスト組成物及び、そのレジスト組成物から作成されたカラーフィルターにおいても同様の光学特性を示すものである。
染料（Ｄ）は、４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と、１０％以下の透過率を示す領域とを有する光学特性を示すものであり、そして２００℃以上の温度を経ても透過率変化が５％以内が好ましく、本発明のレジスト組成物及び、そのレジスト組成物から作成されたカラーフィルターにおいても同様の光学特性を示すものである。
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物は、基材に塗布後、５０〜１５０℃の温度で焼成し、露光、現像されるが、この焼成温度を２００〜２７０℃（２００℃では３０分、２７０℃では３０秒）の高温で焼成しても４００〜７００ｎｍの波長領域で７０％以上の透過率を示す部分の透過率の経時変化は高温焼成を行う前に比べて５％以内が好ましい。
本発明のネガ型レジスト組成物では、染料（Ｄ）の導入量は、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）及び染料（Ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０質量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本発明のレジスト組成物においては、特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分全体中の染料濃度）が数質量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０質量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。
また、ポジ型レジスト組成物では、染料（Ｄ）の導入量は、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）及び染料（Ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０質量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本発明のレジスト組成物においては、特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分全体中の染料濃度）が数質量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０質量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。
本発明のネガ型レジスト組成物では、染料（Ｄ）の導入量は、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）及び染料（Ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０質量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本発明のレジスト組成物においては、特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分全体中の染料濃度）が数質量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０質量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。
また、ポジ型レジスト組成物では、染料（Ｄ）の導入量は、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）及び染料（Ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０質量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本発明のレジスト組成物においては、特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分全体中の染料濃度）が数質量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０質量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる溶剤（Ｅ）は、例えばアセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジアセテートエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどが挙げられる。これらは単独で、また２種類以上の組み合わせで使用することができる。
これらの溶媒の中でも本発明に用いられる上記染料（Ｄ）との相溶性はケトール系溶媒が特に好ましい。ケトールはβ−ヒドロキシケトンがあげられ、具体的には４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンが好ましく例示される。
これは溶媒分子中のヒドロキシル基とカルボニル基の相対的な位置と、染料イオン、特に染料の陽イオンとの関係で好都合に配位子として効果を発揮するために、非常に高い溶解性を示し、これらの染料を使った場合に高い溶解性を有するものと考えられる。
本発明に用いられる溶媒（Ｄ）としては、このケトール系溶媒を単独で用いることができるが、全溶媒中にケトール系溶媒を１０質量％以上の割合で含む溶媒を選択することが好ましい。
これらの溶媒の中でも本発明に用いられる上記染料（Ｄ）との相溶性はケトール系溶媒が特に好ましい。ケトールはβ−ヒドロキシケトンがあげられ、具体的には４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンが好ましく例示される。
これは溶媒分子中のヒドロキシル基とカルボニル基の相対的な位置と、染料イオン、特に染料の陽イオンとの関係で好都合に配位子として効果を発揮するために、非常に高い溶解性を示し、これらの染料を使った場合に高い溶解性を有するものと考えられる。
本発明に用いられる溶媒（Ｄ）としては、このケトール系溶媒を単独で用いることができるが、全溶媒中にケトール系溶媒を１０質量％以上の割合で含む溶媒を選択することが好ましい。
本発明のネガ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）および染料（Ｄ）が、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）及び溶媒（Ｅ）中に含有する割合、すなわち固形分濃度は、５〜５０質量％であり、好ましくは、１０〜３０質量％である。この割合が５質量％未満である場合には、塗膜の膜厚が過小になり、要求される分光スペクトルが十分に発現しない。また、５０質量％を超える場合には、レジスト組成物の粘度が過大となり、塗膜の膜厚均一性が損なわれる。
また、本発明のポジ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）および染料（Ｄ）が、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）及び溶媒（Ｅ）中に含有する割合、すなわち固形分濃度は、５〜５０質量％であり、好ましくは、１０〜３０質量％である。この割合が５質量％未満である場合には、塗膜の膜厚が過小になり、要求される分光スペクトルが十分に発現しない。また、５０質量％を超える場合には、レジスト組成物の粘度が過大となり、塗膜の膜厚均一性が損なわれる。
また、本発明のポジ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）および染料（Ｄ）が、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）及び溶媒（Ｅ）中に含有する割合、すなわち固形分濃度は、５〜５０質量％であり、好ましくは、１０〜３０質量％である。この割合が５質量％未満である場合には、塗膜の膜厚が過小になり、要求される分光スペクトルが十分に発現しない。また、５０質量％を超える場合には、レジスト組成物の粘度が過大となり、塗膜の膜厚均一性が損なわれる。
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物には、レジスト膜の塗れ性や平坦化性を高める目的で、界面活性剤を含有する事が出来る。このような界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。
より具体的には、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）製））、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等が挙げられる。
これらの界面活性剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。界面活性剤の含有量が２質量部よりも多くなるとレジスト膜がムラになりやすく、０．０１質量部未満では、レジスト膜にストリエーションが発生しやすくなる。
また、現像後の基板との密着性を向上させる目的で、密着促進剤を含有する事が出来る。このような密着促進剤の具体例としては、例えばトリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール類のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環状化合物や、１，１−ジメチレンウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。
これらの密着促進剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、通常、２０質量部以下、好ましくは０．０５〜１０質量部、特に好ましくは１〜１０質量部である。
より具体的には、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）製））、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等が挙げられる。
これらの界面活性剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。界面活性剤の含有量が２質量部よりも多くなるとレジスト膜がムラになりやすく、０．０１質量部未満では、レジスト膜にストリエーションが発生しやすくなる。
また、現像後の基板との密着性を向上させる目的で、密着促進剤を含有する事が出来る。このような密着促進剤の具体例としては、例えばトリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール類のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環状化合物や、１，１−ジメチレンウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。
これらの密着促進剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、通常、２０質量部以下、好ましくは０．０５〜１０質量部、特に好ましくは１〜１０質量部である。
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物には、さらにレジスト組成物と混和性のある添加物類を加えることができる。例えば、耐光性を高める紫外線吸収剤や酸化防止剤、染料の析出を抑制する相溶化剤などが挙げられる。染料の析出を抑制する相溶化剤として、具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１２〜１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレンセチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルエーテル化合物、ポリオキシエチレンデシルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１１〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンセチルエーテル化合物等のアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルアミノエーテル化合物等のアルキルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイン酸アミドエーテル化合物、ラウリン酸ジエタノールアミド化合物、ステアリン酸ジエタノールアミド化合物、オレイン酸ジエタノールアミド化合物等のアルキルアミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテルホルムアミド縮合物、ポリオキシエチレンモノスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンジスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンナフチルエーテル化合物等のアリルフェニルエーテル化合物、グリセリンモノラウレート化合物、グリセリンモノステアレート化合物、グリセリンモノオレート化合物、グリセリントリオレート化合物等のグリセリン脂肪酸エステル化合物、ソルビタンモノラウレート化合物、ソルビタンモノパルミテート化合物、ソルビタンモノステアレート化合物、ソルビタントリステアレート化合物、ソルビタンモノオレート化合物、ソルビタントリオレート化合物等のソルビタン酸エステル化合物、ポリオキシエチレンジラウレート化合物、ポリオキシエチレンラウレート化合物、ポリオキシエチレンステアレート化合物、ポリオキシエチレンジステアレート化合物、ポリオキシエチレンジオレート化合物、ポリオキシエチレンオレート化合物等の脂肪酸エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンヒマシ油エーテル化合物、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油エーテル化合物等の植物油エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタントリオレート化合物等のソルビタンエーテルエステル化合物、ポリオキシアルキレンブチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１４〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンオレイルエーテル化合物等のモノオール型ポリエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物等のジオール型ポリエーテル化合物、トリメチロールプロパントリス（ポリオキシアルキレン）エーテル化合物、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル化合物等のポリオール型ポリエーテル化合物、メチルラウレート化合物、メチルオレート化合物、イソプロピルミリステート化合物、ブチルステアレート化合物、オクチルパルミテート化合物、オクチルステアレート化合物、ラウリルオレート化合物、イソトリデシルステアレート化合物、オレイルオレート化合物、ジオレイルアジペート化合物、トリメチロールプロパントリデカノエート化合物、トリメチロールプロパントリラウレート化合物、ペンタエリスリトールジオレート化合物、ペンタエリスリトールモノステアレート化合物、ペンタエリスリトールジステアレート化合物等の脂肪酸アルキルエステル化合物、アルキルスルホネート化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸化合物、分岐アルキルベンゼンスルホン酸化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルジフェニルエーテルジスルホネート化合物、モノイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、トリイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジブチルナフタレンスルホネート化合物、ジオクチルスルホサクシネート化合物等のスルホン酸型化合物、オレイン酸硫酸化油化合物、ヒマシ硫酸化化合物、オクチルサルフェート化合物、ラウリルサルフェート化合物、アルキルサルフェート化合物、アルキルエーテルサルフェート化合物等の硫酸エステル化合物、セルロース、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物が挙げられる。
これら相溶化剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、０．００１〜２０質量部である。使用量が少ない場合は染料の析出を抑制することができず、多い場合は良好なパターン形状が得られにくくなる。しかしながら、相溶化剤がパターン形状を阻害しない場合は２０質量部以上使用できる。
これら相溶化剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、０．００１〜２０質量部である。使用量が少ない場合は染料の析出を抑制することができず、多い場合は良好なパターン形状が得られにくくなる。しかしながら、相溶化剤がパターン形状を阻害しない場合は２０質量部以上使用できる。
次に本発明の染料含有ネガ型及びポジ型レジスト組成物を用いたカラーフィルター作製方法を説明する。
本発明のレジスト組成物を、スピナー法などで所望のレジスト膜厚を得る回転数でシリコンウエハーやガラス基板上に塗布し、ソフトベーク（焼成）を行う。ソフトベークは溶剤を蒸発させれば良く、５０〜１５０℃の温度範囲で、３０秒〜１０分間で行うことが好ましい。その後、マスクを介して、露光量１０〜３０００ｍＪ／ｃｍ2程度で露光する。露光には、例えば水銀ランプ等の紫外線、遠紫外線、電子線、もしくはＸ線等が用いられる。露光後、ネガ型レジスト組成物を用いてパターンを形成する場合、加熱（ＰＥＢ（ポストエクスポージャーベーク））を行うことが好ましい。ＰＥＢにより、露光により発生した酸または塩基による架橋化がさらに進行し、より未露光部との現像溶液溶解度に対する差が広がり、解像コントラストが向上する。ＰＥＢは５０〜１７０℃の温度範囲で、３０秒から５分間行うのが好ましい。
次に、現像を行う。現像方法としては、特に制限はなく、パドル法、ディッピング法、スプレー法等の公知の方法により行うことができる。現像温度は２０℃〜３０℃の間が好ましく、現像液に１０秒〜１０分間浸漬することが好ましい。
現像液としては、有機溶剤またはアルカリ性水溶液などを用いることができる。具体的には、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルアミン水溶液、ｎ−プロピルアミン水溶液、ジエチルアミン水溶液、ジ−ｎ−プロピルアミン水溶液、トリエチルアミン水溶液、メチルジエチルアミン水溶液、ジエタノールアミン水溶液、トリエタノールアミン水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、重炭酸ナトリウム水溶液、ケイ酸ナトリウム水溶液、メタケイ酸ナトリウム水溶液などが挙げられる。
本発明のレジスト組成物を、スピナー法などで所望のレジスト膜厚を得る回転数でシリコンウエハーやガラス基板上に塗布し、ソフトベーク（焼成）を行う。ソフトベークは溶剤を蒸発させれば良く、５０〜１５０℃の温度範囲で、３０秒〜１０分間で行うことが好ましい。その後、マスクを介して、露光量１０〜３０００ｍＪ／ｃｍ2程度で露光する。露光には、例えば水銀ランプ等の紫外線、遠紫外線、電子線、もしくはＸ線等が用いられる。露光後、ネガ型レジスト組成物を用いてパターンを形成する場合、加熱（ＰＥＢ（ポストエクスポージャーベーク））を行うことが好ましい。ＰＥＢにより、露光により発生した酸または塩基による架橋化がさらに進行し、より未露光部との現像溶液溶解度に対する差が広がり、解像コントラストが向上する。ＰＥＢは５０〜１７０℃の温度範囲で、３０秒から５分間行うのが好ましい。
次に、現像を行う。現像方法としては、特に制限はなく、パドル法、ディッピング法、スプレー法等の公知の方法により行うことができる。現像温度は２０℃〜３０℃の間が好ましく、現像液に１０秒〜１０分間浸漬することが好ましい。
現像液としては、有機溶剤またはアルカリ性水溶液などを用いることができる。具体的には、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルアミン水溶液、ｎ−プロピルアミン水溶液、ジエチルアミン水溶液、ジ−ｎ−プロピルアミン水溶液、トリエチルアミン水溶液、メチルジエチルアミン水溶液、ジエタノールアミン水溶液、トリエタノールアミン水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、重炭酸ナトリウム水溶液、ケイ酸ナトリウム水溶液、メタケイ酸ナトリウム水溶液などが挙げられる。
さらに、現像液には未露光部の除去性を高めるために、界面活性剤を添加することが好ましい。具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１２〜１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレンセチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルエーテル化合物、ポリオキシエチレンデシルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１１〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンセチルエーテル化合物等のアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルアミノエーテル化合物等のアルキルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイン酸アミドエーテル化合物、ラウリン酸ジエタノールアミド化合物、ステアリン酸ジエタノールアミド化合物、オレイン酸ジエタノールアミド化合物等のアルキルアミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテルホルムアミド縮合物、ポリオキシエチレンモノスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンジスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンナフチルエーテル化合物等のアリルフェニルエーテル化合物、グリセリンモノラウレート化合物、グリセリンモノステアレート化合物、グリセリンモノオレート化合物、グリセリントリオレート化合物等のグリセリン脂肪酸エステル化合物、ソルビタンモノラウレート化合物、ソルビタンモノパルミテート化合物、ソルビタンモノステアレート化合物、ソルビタントリステアレート化合物、ソルビタンモノオレート化合物、ソルビタントリオレート化合物等のソルビタン酸エステル化合物、ポリオキシエチレンジラウレート化合物、ポリオキシエチレンラウレート化合物、ポリオキシエチレンステアレート化合物、ポリオキシエチレンジステアレート化合物、ポリオキシエチレンジオレート化合物、ポリオキシエチレンオレート化合物等の脂肪酸エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンヒマシ油エーテル化合物、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油エーテル化合物等の植物油エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタントリオレート化合物等のソルビタンエーテルエステル化合物、ポリオキシアルキレンブチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数14〜15）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンオレイルエーテル化合物等のモノオール型ポリエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物等のジオール型ポリエーテル化合物、トリメチロールプロパントリス（ポリオキシアルキレン）エーテル化合物、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル化合物等のポリオール型ポリエーテル化合物、メチルラウレート化合物、メチルオレート化合物、イソプロピルミリステート化合物、ブチルステアレート化合物、オクチルパルミテート化合物、オクチルステアレート化合物、ラウリルオレート化合物、イソトリデシルステアレート化合物、オレイルオレート化合物、ジオレイルアジペート化合物、トリメチロールプロパントリデカノエート化合物、トリメチロールプロパントリラウレート化合物、ペンタエリスリトールジオレート化合物、ペンタエリスリトールモノステアレート化合物、ペンタエリスリトールジステアレート化合物等の脂肪酸アルキルエステル化合物、アルキルスルホネート化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸化合物、分岐アルキルベンゼンスルホン酸化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルジフェニルエーテルジスルホネート化合物、モノイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、トリイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジブチルナフタレンスルホネート化合物、ジオクチルスルホサクシネート化合物等のスルホン酸型化合物、オレイン酸硫酸化油化合物、ヒマシ硫酸化化合物、オクチルサルフェート化合物、ラウリルサルフェート化合物、アルキルサルフェート化合物、アルキルエーテルサルフェート化合物等の硫酸エステル化合物が挙げられる。アルカリ現像液の好ましい濃度は、アルカリ成分が０．００１〜１０質量％、界面活性剤成分が０．００１〜１０質量％である。アルカリ成分が高すぎると現像性能力が強すぎ、ネガ型では未露光部、ポジ型では露光部まで浸透してしまいパターン表面の荒れが起こりやすく、低すぎると現像能力が得られない。また、界面活性剤成分が高すぎると泡立ちやすくて現像ムラが発生しやすくなり、低すぎると現像性能力が得られない。
現像後、水あるいは一般有機溶剤でリンスすることが好ましい。その後、乾燥することでパターンが形成される。染料含有ネガ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が硬化し未露光部が溶解するネガ型のパターンが形成され、染料含有ポジ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が溶解するポジ型のパターンが形成される。
以上の一連の工程を、各色およびパターンを替え、必要な数だけ繰り返すことで必要な色数が組み合わされた着色パターンを得ることができる。また、パターン形成後、またはパターン中に残存する重合あるいは縮合可能な官能基を完全に反応させるために、加熱（ポストベーク）を行っても良い。ポストベークは各色のパターンを形成する毎に行っても、すべての着色パターンを形成した後に行っても良く、１５０〜５００℃の温度範囲で、３０分〜２時間行うのが好ましい。
現像後、水あるいは一般有機溶剤でリンスすることが好ましい。その後、乾燥することでパターンが形成される。染料含有ネガ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が硬化し未露光部が溶解するネガ型のパターンが形成され、染料含有ポジ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が溶解するポジ型のパターンが形成される。
以上の一連の工程を、各色およびパターンを替え、必要な数だけ繰り返すことで必要な色数が組み合わされた着色パターンを得ることができる。また、パターン形成後、またはパターン中に残存する重合あるいは縮合可能な官能基を完全に反応させるために、加熱（ポストベーク）を行っても良い。ポストベークは各色のパターンを形成する毎に行っても、すべての着色パターンを形成した後に行っても良く、１５０〜５００℃の温度範囲で、３０分〜２時間行うのが好ましい。
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（染料含有ネガ型レジスト組成物の調製）
樹脂Ａ１：ＶＰ８０００（日本曹達社製）、成分はポリビニルフェノールである。重量平均分子量８０００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ２：マルカーリンカーＣＨＭ（丸善石油化学社製）、成分はｐ−ビニルフェノール／メタクリル酸２−ヒドロキシエチル＝５０質量部／５０質量部の割合からなる重合体である。重量平均分子量１００００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ３：ビニルフェノール／スチレン＝８０質量部／２０質量部の割合からなる重合体。重量平均分子量９０００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ１：ＶＰ８０００（日本曹達社製）、成分はポリビニルフェノールである。重量平均分子量８０００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ２：マルカーリンカーＣＨＭ（丸善石油化学社製）、成分はｐ−ビニルフェノール／メタクリル酸２−ヒドロキシエチル＝５０質量部／５０質量部の割合からなる重合体である。重量平均分子量１００００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ３：ビニルフェノール／スチレン＝８０質量部／２０質量部の割合からなる重合体。重量平均分子量９０００（ポリスチレン換算）。
光酸発生剤Ｂ１：式（６８）（チバスペシャリティーケミカルズ社製）
光酸発生剤Ｂ２：式（６７）（チバスペシャリティーケミカルズ社製）
光酸発生剤Ｂ３：式（５４）ＴＡＺ−１０７（みどり化学社製）
光酸発生剤Ｂ４：式（６５）ＴＡＺ−１２３（みどり化学社製）
架橋性化合物Ｃ１：サイメル３０３（メトキシメチル化メラミン系架橋性化合物、三井サイテック社製）。
架橋性化合物Ｃ２：サイメル１１７０（ブトキシメチル化グリコールウリル系架橋性化合物、三井サイテック社製）。
架橋性化合物Ｃ３：ＧＴ−４０１（エポキシ系架橋性化合物、ダイセル化学社製）
架橋性化合物Ｃ２：サイメル１１７０（ブトキシメチル化グリコールウリル系架橋性化合物、三井サイテック社製）。
架橋性化合物Ｃ３：ＧＴ−４０１（エポキシ系架橋性化合物、ダイセル化学社製）
染料Ｄ１：式（９９）
染料Ｄ２：式（１００）
染料Ｄ３：式（８３）
染料Ｄ４：式（８４）
染料Ｄ５：式（８５）
染料Ｄ６：式（８０）
式（８０）はベンゼン環に置換するイオン性基と非イオン性基を合わせた全置換基は、一つのフタロシアニン骨核に対して１〜４個置換した混合物である。ただし、スルホン酸イオンの数と同数の陽イオンが存在する。
染料Ｄ７：式（８１）
式（８１）はベンゼン環に置換するイオン性基と非イオン性基を合わせた全置換基が、一つのフタロシアニン骨核に対して１〜４個置換した混合物である。ただし、スルホン酸イオンの数と同数の陽イオンが存在する。
染料Ｄ８：式（８２）
式（８２）はベンゼン環に置換するイオン性基と非イオン性基を合わせた全置換基が、一つのフタロシアニン骨核に対して１〜４個置換した混合物である。ただし、スルホン酸イオンの数と同数の陽イオンが存在する。
染料Ｄ９：式（９４）
染料Ｄ１０：式（９５）
染料Ｄ１１：式（１０１）
染料Ｄ１２：式（１０２）
染料Ｄ１３：式（１０３）
染料Ｄ１４：式（１０４）
式（１０４）は、ベンゼン環に置換するスルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）が、一つのフタロシアニン骨核に対して１〜４個置換した混合体である。
染料Ｄ７：式（８１）
染料Ｄ８：式（８２）
染料Ｄ９：式（９４）
実施例１
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３０ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（大日本インキ化学社製）（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（１）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（１）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ヘキサメチルシラザン（以下ＨＭＤＳ）処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１００℃で１分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚０．９５μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）（キヤノン社製）により、３６５ｎｍにおける照射量が、５００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で２分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化社製）で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３０ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（大日本インキ化学社製）（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（１）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（１）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ヘキサメチルシラザン（以下ＨＭＤＳ）処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１００℃で１分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚０．９５μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）（キヤノン社製）により、３６５ｎｍにおける照射量が、５００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で２分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化社製）で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
実施例２
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ５（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（２）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（２）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．１０μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．０２μｍの黄色薄膜（１）を形成した。
形成した黄色薄膜（１）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、黄色薄膜（２）を得た。
また、形成した黄色薄膜（１）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射し、黄色薄膜（３）を得た。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ５（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（２）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（２）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．１０μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．０２μｍの黄色薄膜（１）を形成した。
形成した黄色薄膜（１）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、黄色薄膜（２）を得た。
また、形成した黄色薄膜（１）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射し、黄色薄膜（３）を得た。
実施例３
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１．７６ｇ）、染料Ｄ３（０.８ｇ）、染料Ｄ７（０.８５ｇ）、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１２ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（３）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（３）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０１μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、４００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１．７６ｇ）、染料Ｄ３（０.８ｇ）、染料Ｄ７（０.８５ｇ）、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１２ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（３）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（３）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０１μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、４００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
実施例４
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ４（０.８ｇ）、染料Ｄ８（０.８３ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ４（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（４）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（４）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で１分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、２００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１１５℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ４（０.８ｇ）、染料Ｄ８（０.８３ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ４（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（４）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（４）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で１分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、２００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１１５℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
実施例５
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１.７６ｇ）、染料Ｄ５（０.３ｇ）、染料Ｄ６（０.１５ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２０ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．１５ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（５）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（５）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、８００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１.７６ｇ）、染料Ｄ５（０.３ｇ）、染料Ｄ６（０.１５ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２０ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．１５ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（５）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（５）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、８００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
実施例６
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１．７６ｇ）、染料Ｄ６（１．４５ｇ）、染料Ｄ１０（０.２ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびエチルラクテート（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２ｇ）、架橋性化合物Ｃ２（０．１ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（６）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（６）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１１０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚０．９８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２５℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１．７６ｇ）、染料Ｄ６（１．４５ｇ）、染料Ｄ１０（０.２ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびエチルラクテート（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２ｇ）、架橋性化合物Ｃ２（０．１ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（６）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（６）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１１０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚０．９８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２５℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
実施例７
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１.７６ｇ）、染料Ｄ２（１.９５ｇ）、染料Ｄ１０（０.１ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０.３０ｇ）、光酸発生剤Ｂ４（０．３０ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１５ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（７）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（７）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０３μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、５００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１.７６ｇ）、染料Ｄ２（１.９５ｇ）、染料Ｄ１０（０.１ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０.３０ｇ）、光酸発生剤Ｂ４（０．３０ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１５ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（７）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（７）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０３μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、５００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
実施例８
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１.７６ｇ）、染料Ｄ１（１.７ｇ）、染料Ｄ９（０．１ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４４ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３０ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１５ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（８）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（８）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１.７６ｇ）、染料Ｄ１（１.７ｇ）、染料Ｄ９（０．１ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４４ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３０ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１５ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、本発明の染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を得た。染料含有ネガ型レジスト組成物（８）中には不溶物は見られず、均一な溶液であった。
染料含有ネガ型レジスト組成物（８）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
比較例１
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１１（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物が確認された。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を得た。溶液中の不溶物は溶解しないままであった。不溶物は染料Ｄ１１（１.６ｇ）であった。そのため、目的量の染料を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることはできなかった。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が確認された。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１１０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物が見られた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜７μｍの大きさの異物が見られた。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１１（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物が確認された。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を得た。溶液中の不溶物は溶解しないままであった。不溶物は染料Ｄ１１（１.６ｇ）であった。そのため、目的量の染料を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることはできなかった。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が確認された。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１１０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物が見られた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜７μｍの大きさの異物が見られた。
比較例２
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１２（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が確認された。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０１μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物が見られた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜５μｍの大きさの異物が見られた。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１２（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が確認された。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０１μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物が見られた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜５μｍの大きさの異物が見られた。
比較例３
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１３（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚０．９９μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．１１μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．０２μｍの黄色薄膜（４）を形成した。
形成した黄色薄膜（４）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、黄色薄膜（５）を得た。
また、形成した黄色薄膜（４）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ２の紫外線を照射し、黄色薄膜（６）を得た。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１３（２．８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚０．９９μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．１１μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．０２μｍの黄色薄膜（４）を形成した。
形成した黄色薄膜（４）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、黄色薄膜（５）を得た。
また、形成した黄色薄膜（４）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ２の紫外線を照射し、黄色薄膜（６）を得た。
比較例４
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１．７６ｇ）、染料Ｄ１４（１．７ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物が確認された。
その後、架橋性化合物Ｃ３（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．０９ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）を得た。溶液中の不溶物は溶解しないままであった。不溶物は染料Ｄ１４（０.５５ｇ）であった。そのため、目的量の染料を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることはできなかった。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い室温で１週間放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が確認された。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物が見られた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜７μｍの大きさの異物が見られた。
分光スペクトルの評価は、島津自記分光光度計（ＵＶ−３１００ＰＣ）（島津製作所社製）を用い、測定波長３５０ｎｍから７５０ｎｍの透過率を測定した。
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１．７６ｇ）、染料Ｄ１４（１．７ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物が確認された。
その後、架橋性化合物Ｃ３（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．０９ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）を得た。溶液中の不溶物は溶解しないままであった。不溶物は染料Ｄ１４（０.５５ｇ）であった。そのため、目的量の染料を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることはできなかった。
溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い室温で１週間放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が確認された。
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した。１２０℃で２分間ホットプレート上で焼成（ソフトベーク）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、７００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物が見られた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜７μｍの大きさの異物が見られた。
分光スペクトルの評価は、島津自記分光光度計（ＵＶ−３１００ＰＣ）（島津製作所社製）を用い、測定波長３５０ｎｍから７５０ｎｍの透過率を測定した。
得られた黄色薄膜（１）乃至（６）の分光スペクトルの測定を行った。表１〜表４に測定波長４００ｎｍおよび５００ｎｍでの透過率とその変化率を示した。
変化率は、形成した黄色薄膜の透過率とその黄色薄膜に更に加熱処理や紫外線照射を行った場合の透過率の変化の度合を％値で示したものであり、その値が大きいほど加熱または紫外線処理に伴う変化が大きいことを示す。
変化率は、形成した黄色薄膜の透過率とその黄色薄膜に更に加熱処理や紫外線照射を行った場合の透過率の変化の度合を％値で示したものであり、その値が大きいほど加熱または紫外線処理に伴う変化が大きいことを示す。
本発明ではカラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めることにより高いスペクトル再現性、高い耐光性、耐熱性を示し、且つ、５μｍ以下の高い解像性を持ちさらに現像残渣のないカラーレジスト組成物を提供でき、それらのカラーレジスト組成物を用いるカラーフィルターは液晶表示装置、ＬＥＤ表示装置、及び固体撮像素子等に適用可能である。
Claims (16)
- 式（１）：
- Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方が含窒素有機基である請求項１に記載のレジスト組成物。
- Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有する請求項１に記載のレジスト組成物。
- Ｒ5が、置換又は未置換の芳香族基である請求項３に記載のレジスト組成物。
- Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一方が水素原子である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
- 陽イオンが式（２）：
- 染料がスルホン酸塩又はカルボン酸塩である請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
- 染料がフタロシアニン構造を有する陰イオンを含有するものである請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
- 染料がピラゾールアゾ構造を有する陰イオンを含有するものである請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
- 染料が金属錯体構造とピラゾールアゾ構造とを有する陰イオンを含有するものである請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
- 染料がキサンテン構造を有する陰イオンを含有するものである請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
- 樹脂（Ａ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）、架橋性化合物（Ｃ）、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物。
- 請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のレジスト組成物を、基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法。
- 請求項１３に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含む液晶表示装置。
- 請求項１３に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含むＬＥＤ表示装置。
- 請求項１３に記載の方法で製造されたカラーフィルターを含む固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006540956A JP4883299B2 (ja) | 2004-10-14 | 2005-10-12 | 有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004300008 | 2004-10-14 | ||
| JP2004300008 | 2004-10-14 | ||
| JP2006540956A JP4883299B2 (ja) | 2004-10-14 | 2005-10-12 | 有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター |
| PCT/JP2005/018815 WO2006041106A1 (ja) | 2004-10-14 | 2005-10-12 | 有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2006041106A1 true JPWO2006041106A1 (ja) | 2008-05-15 |
| JP4883299B2 JP4883299B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=36148393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006540956A Expired - Fee Related JP4883299B2 (ja) | 2004-10-14 | 2005-10-12 | 有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4883299B2 (ja) |
| TW (1) | TWI400566B (ja) |
| WO (1) | WO2006041106A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046398A1 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光酸発生剤を含む染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター |
| JP4652197B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-03-16 | 富士フイルム株式会社 | 染料含有ネガ型硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法 |
| KR101385946B1 (ko) * | 2007-04-02 | 2014-04-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의형성 방법 |
| JP5473239B2 (ja) | 2008-03-25 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 金属フタロシアニン染料混合物、硬化性組成物、カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法 |
| JP2010256863A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | フォトレジスト材料およびフォトレジスト膜、これを用いるエッチング方法、ならびに新規アゾ色素化合物 |
| JP5658924B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2015-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法 |
| CN103275519B (zh) * | 2013-06-05 | 2014-05-14 | 上海雅运纺织化工股份有限公司 | 黄色酸性染料组合物及其染色应用 |
| CN114839806B (zh) * | 2022-05-17 | 2023-09-01 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 彩色滤光片及其制备方法、显示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06248192A (ja) * | 1990-02-02 | 1994-09-06 | Morton Internatl Inc | スルホン化アリールアゾ／ジアリール グアニジン錯染料溶液の製造方法 |
| JPH07286105A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-10-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | キノフタロン系化合物及びこれを用いた偏光フィルム |
| JP2003344998A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | マゼンタ用感光性着色組成物、カラーフィルターの製造方法、及びカラーフィルター |
| JP2004029518A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 染料含有硬化性組成物、並びに、それを使用したカラーフィルターおよびその製造方法 |
| JP2004051727A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Mitsui Chemicals Inc | キサンテン化合物、該化合物を用いた感熱転写記録用色素、インキ組成物及び感熱転写シート |
| JP2004199040A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 着色感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60229953A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-15 | Orient Kagaku Kogyo Kk | 新規なテトラキスアゾ染料の製法 |
| JPH0651514A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルターの製造方法 |
| JP3578356B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2004-10-20 | 日本化薬株式会社 | 金属錯体のジフェニルグアニジン塩及び電子写真用トナー |
-
2005
- 2005-10-12 JP JP2006540956A patent/JP4883299B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-12 WO PCT/JP2005/018815 patent/WO2006041106A1/ja active Application Filing
- 2005-10-14 TW TW94135965A patent/TWI400566B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06248192A (ja) * | 1990-02-02 | 1994-09-06 | Morton Internatl Inc | スルホン化アリールアゾ／ジアリール グアニジン錯染料溶液の製造方法 |
| JPH07286105A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-10-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | キノフタロン系化合物及びこれを用いた偏光フィルム |
| JP2003344998A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | マゼンタ用感光性着色組成物、カラーフィルターの製造方法、及びカラーフィルター |
| JP2004029518A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 染料含有硬化性組成物、並びに、それを使用したカラーフィルターおよびその製造方法 |
| JP2004051727A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Mitsui Chemicals Inc | キサンテン化合物、該化合物を用いた感熱転写記録用色素、インキ組成物及び感熱転写シート |
| JP2004199040A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 着色感光性樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4883299B2 (ja) | 2012-02-22 |
| TWI400566B (zh) | 2013-07-01 |
| TW200625009A (en) | 2006-07-16 |
| WO2006041106A1 (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7517619B2 (en) | Dye-containing resist composition and color filter using same | |
| JP4883299B2 (ja) | 有機溶媒溶解性染料を含有するレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター | |
| JP4775585B2 (ja) | コバルト系染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター | |
| JP4569759B2 (ja) | 染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター | |
| JP4924813B2 (ja) | 光酸発生剤を含む染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター | |
| TWI408499B (zh) | 用於形成著色層之輻射敏感性組成物，濾光片及彩色液晶顯示器 | |
| CN103135350B (zh) | 用于滤色器的光敏树脂组合物以及使用其的滤色器 | |
| US7749664B2 (en) | Dye-containing resist composition and color filter using same | |
| TWI476523B (zh) | 用於濾色器的光敏樹脂組合物和使用其的濾色器 | |
| JP6625511B2 (ja) | 着色感光性樹脂組成物、これを含むカラーフィルタおよび表示装置 | |
| JP3967947B2 (ja) | 染料含有ネガ型硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法 | |
| US20070287087A1 (en) | Colored photosensitive resin composition, color filter, image sensor, and camera system | |
| TWI424270B (zh) | 正型感光性樹脂組成物及所得層間絕緣膜以及微透鏡 | |
| JP2007199376A (ja) | 光ラジカル発生剤を含有するネガ型カラーレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター | |
| JP4969063B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| TW201211166A (en) | Coloring composition for color filter, color filter, and display element | |
| CN100416311C (zh) | 喷墨方式滤色器用隔板 | |
| JP4794945B2 (ja) | 熱硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに画像記録材料 | |
| TW201821551A (zh) | 著色感光性樹脂組合物、使用該組合物製造之濾色器及圖像顯示裝置 | |
| CN1716094B (zh) | 辐射敏感树脂组合物 | |
| CN110007560A (zh) | 着色感光性树脂组合物、彩色滤光片以及显示装置 | |
| TWI409587B (zh) | 用於形成著色層之輻射敏感組成物、濾色器及彩色液晶顯示裝置 | |
| CN104345550A (zh) | 着色感光树脂组合物、滤色片和具有该滤色片的液晶显示装置 | |
| JP2005099747A (ja) | 染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルター | |
| CN109976093A (zh) | 着色感光性树脂组合物、彩色滤光片以及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080703 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110706 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111006 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111012 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111109 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4883299 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |