JPWO2005111542A1 - 小型姿勢検知センサ及び、この小型姿勢検知センサを搭載した携帯電話 - Google Patents

Abstract

小型姿勢検知センサ１は、互いに直交する３軸方向の磁界強度を検出する３基の磁気センシング部４１〜４３と、互いに直交する２軸周りの傾斜角度を検出する２基の傾斜センシング部２ａ、２ｂとを有する。傾斜センシング部２ａ、２ｂは、傾斜角度に応じて変位するよう構成された磁石体２１を有するカンチレバー２２と磁石体２１の変位の変化量を検知する磁気検出ヘッド２３とからなる。３基の磁気センシング部４１〜４３と２基の磁気検出ヘッド２ａ、２ｂとは同種類の磁気検出素子からなる。これら合計５基の磁気検出素子を制御する少なくとも１個以上の電子回路と、３基の磁気センシング部４１〜４３と、２基の傾斜センシング部２ａ、２ｂとを、一つのパッケージにモジュール化してなる。

Description

本発明は、方位及び傾斜を検知する小型姿勢検知センサ及び、この小型姿勢検知センサを搭載した携帯電話に関する。

従来、方位検出及び姿勢検出を可能とした姿勢検知センサとしては、例えば、３軸の磁気センサ部と２軸以上の加速度センサ部とを組み合わせたものがある。例えば、ホール素子を利用した磁気センサ部と、作用する重力に応じて変位する重り部の変位を計測するための応力検知素子を含む加速度センサ部とを組み合わせて構成されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００３−１７２６３３号公報

しかしながら、上記従来の姿勢検知センサでは、次のような問題がある。すなわち、上記姿勢検知センサでは、計測原理が全く異なる上記磁気センサ部及び上記加速度センサ部を効率良く配置するのが難しく、センサ全体の体格を十分に小型化できないおそれがある。さらに、上記磁気センサ部及び上記加速度センサ部は、計測信号を処理するための電子回路として、全く別設計の電子回路を必要とする。そのため、少なくとも２種類の電子回路が必要となる上記姿勢検知センサは、十分に小型化できないおそれがある。

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、方位検出と傾斜検出を可能とした小型姿勢検知センサを提供しようとするものである。

第１の発明は、互いに直交する３軸方向の磁界強度を検出する３基の磁気センシング部と、互いに直交する２軸周りの傾斜角度を検出する２基の傾斜センシング部とを有し、
該傾斜センシング部は、傾斜角度に応じて変位するよう構成された磁石体を有するカンチレバーと上記磁石体の変位の変化量を検知する磁気検出ヘッドとからなり、
上記３基の磁気センシング部と上記２基の磁気検出ヘッドとは同種類の磁気検出素子からなり、
これら合計５基の磁気検出素子を制御する少なくとも１個以上の電子回路と、上記３基の磁気センシング部と、上記２基の傾斜センシング部とを、一つのパッケージにモジュール化してなることを特徴とする小型姿勢検知センサにある。

上記第１の発明の小型姿勢検知センサは、上記のごとく、互いに直交する３軸方向の磁界強度を検出する３基の磁気センシング部と、互いに直交する２軸周りの傾斜角度を検出する２基の傾斜センシング部と、上記各磁気センシング部及び上記各傾斜センシング部の磁気検出ヘッドを制御する電子回路とを、一つのパッケージに配置してモジュール化してなる。

上記２基の傾斜センシング部によれば、上記互いに直交する２軸により規定される平面の傾斜角を検出できる。そして、上記３基の磁気センシング部によれば自転角、すなわち、上記傾斜角には関係なく、その場で自転するような回転角を検出することができる。すなわち、上記２個１組の傾斜センシング部と、上記３個１組の磁気センシング部との組み合わせによれば、上記小型姿勢検知センサの方位及び傾斜角を検知することができる。

上記小型姿勢検知センサでは、上記３基の磁気センシング部と、上記２基の傾斜センシング部とをモジュール化してある。そのため、上記小型姿勢検知センサでは、上記各傾斜センシング部及び上記各磁気センシング部を個別に搭載する場合と比べて全体の消費電力を抑制でき、かつ、小型に構成することができる。
さらに、モジュール化した上記小型姿勢検知センサによれば、上記各磁気センシング部及び上記各傾斜センシング部の相対的な軸精度を高く維持でき、方位及び傾斜角の計測精度をさらに向上することができる。

また、上記３基の磁気センシング部と上記２基の磁気検出ヘッドとは同種類の磁気検出素子からなる。そのため、これらの磁気検出素子を制御する電子回路は同一原理で駆動させることができる。その結果、小型姿勢検知センサの簡素化、小型化を容易に行うことができる。

以上のように、第１の発明の小型姿勢検知センサは、小型、高い軸精度かつ低消費電力の優れた特性を有するものである。

第２の発明は、姿勢情報を検出する磁気検知センサと、中央演算処理ユニットと、動作プログラムを格納するメモリ素子とを有してなり、
上記磁気検知センサが、上記第１の発明の小型姿勢検知センサであり、
上記中央演算処理ユニットが、上記磁気検知センサの出力信号を取り込み、上記動作プログラムで規定された所定の動作を実行するように構成されていることを特徴とする携帯電話にある。

上記第２の発明の携帯電話では、搭載した上記小型姿勢検知センサを用いて、上記携帯電話の方位及び傾斜角を精度高く検知できる。そして、上記携帯電話における上記中央演算処理ユニットは、上記磁気検知センサの出力信号、すなわち上記の姿勢や方位等の情報を取り込み、上記動作プログラムに沿った所定の動作を実行するように構成してある。

上記所定の動作としては、例えば、上記の姿勢情報に基づく所定の方向へ、画面をスクロールする、カーソルを移動させる等の動作がある。また、上記所定の動作としては、所定の姿勢変化が生じたとき、例えば、ローテーションが生じたときやシェークされたときに、通話を開始させる、通話を終了する、或いは、受信メールを開く等の動作もある。

このように上記小型姿勢検知センサの出力信号に基づいて上記携帯電話が所定の動作を実行するように構成すれば、キー操作によらない携帯電話の入力情報として、あるいは、キー操作と協調した携帯電話の入力情報として上記姿勢情報を利用することができる。
さらに、例えば、上記所定の動作としては、上記小型姿勢検知センサの出力信号を、例えば、ＲＡＭやＲＯＭ等の上記メモリ素子に格納する動作等もある。この場合には、上記メモリ素子に格納した上記出力信号の経時的な変化に基づいて、上記携帯電話を使用する使用者の動きを把握することも可能である。

実施例１における、小型姿勢検知センサを示す斜視図。 実施例１における、磁気センシング部を示す正面図。 実施例１における、磁気センシング部の断面構造を示す断面図。 実施例１における、磁気センシング部を説明する斜視図。 実施例１における、電磁コイルを説明する斜視図。 実施例１における、磁気センシング部用のＩＣチップの電子回路を示す等価回路図。 実施例１における、アモルファスワイヤに通電するパルス電流と、電磁コイルに発生する誘起電圧との関係を示すグラフ。 実施例１における、磁気センシング部用のＩＣチップの電子回路を示す回路図。 実施例１における、傾斜センシング部における磁石体周辺を示す上面図。 実施例１における、傾斜センシング部用のＩＣチップの電子回路を示す回路図。 実施例１における、２個の電子回路を用いて５基の磁気検出素子を制御する場合の回路構成を示すブロック図。 実施例１における、磁気センシング部と傾斜センシング部とが共用するＩＣチップの電子回路を示す回路図。 実施例１における、１個の電子回路を用いて５基の磁気検出素子を制御する場合の回路構成を示すブロック図。 実施例２における、小型姿勢検知センサを示す上面図。 実施例２における、小型姿勢検知センサの断面構造を示す断面図（図１４におけるＢ−Ｂ線矢視断面図。） 実施例３における、携帯電話を示す一部カット図。 実施例４における、小型姿勢検知センサの平面図。 図１７のＡ−Ａ線矢視断面図。 実施例４における、傾斜感知部品及びストッパーの平面図及び断面図。 実施例４における、ストッパーの機能を説明するの傾斜感知部品及びストッパーの平面図。 実施例４における、傾斜感知部品を示す斜視図。 実施例４における、支持部材を示す斜視図。

上記第１の発明の小型姿勢検知センサは、携帯電話等の携帯機器の他、自動車や、自律移動ロボットや、ロボットのマニュピレータ等の制御に利用することもできる。

また、上記３基の磁気センシング部を構成する磁気検出素子及び上記２基の磁気検出ヘッドを構成する磁気検出素子は、マグネト・インピーダンス・センサ素子（以下、適宜「ＭＩ素子」という）からなることが好ましい。

即ち、上記磁気センシング部及び上記磁気検出ヘッドは、感磁体と該感磁体の外周側に巻回した電磁コイルとを含み、上記感磁体に通電する電流の変化に応じて上記電磁コイルの両端に電位差を発生するＭＩ素子よりなることが好ましい。
そして、上記カンチレバーは、短冊状の梁形状からなり、一方の端部を支持ポストを介して上記パッケージの基板に配設し、他方の端部に上記磁石体を配設し、上記カンチレバーの主面の法線方向に回動する片持梁状を呈し、その回動方向が上記基板の表面に平行となるよう配設されていることが好ましい。

上記「回動」とは、カンチレバーが撓むことにより、カンチレバーの自由端（磁石体を設けた方の端部）が変位し角度変化することを意味する。なお、このカンチレバーの撓みや自由端の変位等は僅かな量であり、例えば、カンチレバーの自由端の変位は、カンチレバーの長さの１０分の１程度以下である。

また、上記感磁体に通電する電流の変化に応じて電磁コイルに誘起電圧を生じる現象は、マグネト・インピーダンス現象（以下、適宜「ＭＩ現象」という）と呼ばれるものである。このＭＩ現象は、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体について生じるものである。この感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じる。そして、その際の感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化が生じる現象が上記のＭＩ現象である。

そして、ＭＩ素子とは、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体を利用するものである。この感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じる。そして、その際の感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化を感磁体に生じる電圧もしくは電流又は、感磁体の外周に配置した電磁コイルの両端に発生する電圧もしくは電流等に変換するよう構成した素子がＭＩ素子である。そして、例えば、このＭＩ素子と電子回路とを組み合わせたものがＭＩセンサと呼ばれるものである。

そして、上記感磁体に通電する電流の変化に応じて上記電磁コイルの両端に電位差を発生するＭＩ素子により上記磁気センシング部或いは上記磁気検出ヘッドを構成した場合には、高感度な磁気検出が可能となり、精度良く上記磁石体の変位を検出することができる。なお、上記感磁体としては、例えば、線状に形成したものや、薄膜状に形成したものがある。また、上記感磁体の材質としては、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ等がある。

そして、上記ＭＩ素子により上記磁気センシング部を構成した場合には、上記各軸方向に沿う上記磁界強度を高い精度で計測することができる。さらに、上記傾斜センシング部における磁気検出ヘッドをＭＩ素子により構成した場合には、上記パッケージの基板の傾斜角、すなわち、上記カンチレバーの長手方向に沿う軸回りの回転角を精度良く検出することができる。

また、上記磁石体は、互いに磁化方向が逆向きの第１の磁石体と第２の磁石体とを組み合わせてなることが好ましい。
この場合には、上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体に、互いに逆向きの磁気モーメントを発生させることができる。そして、互いに逆向きの磁気モーメントを呈する上記各磁石体に周辺磁界が作用したとき、各磁石体に互いに逆向きのトルクを生じさせることができる。それ故、上記第１の磁石体のトルクによる上記カンチレバーの変位方向と、上記第２の磁石体のトルクによる上記カンチレバーの変位方向とが逆となり、相互に相殺して、周辺磁界の影響によるカンチレバーの変位及び上記磁石体の変位を抑制することができる。

また、上記磁気センシング部及び上記磁気検出ヘッドは、上記感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以下で立ち上げたとき、或いは、立ち下げたときに、上記電磁コイルの両端に発生する誘起電圧の大きさを計測することで作用する磁界強度を計測し得るように構成されていることが好ましい。

この場合には、上記のような急激な通電電流の変化により、上記感磁体について、電子スピン変化の伝播速度に近い速度に見合う周回方向の磁場変化を生じさせることができ、それにより十分なＭＩ現象を発現させることができる。
そして、１０ナノ秒以下で通電電流の立ち上げあるいは立ち下げを実施すれば、およそ０．１ＧＨｚの高周波成分を含む電流変化を上記感磁体に作用することができる。そして、上記電磁コイルの両端に発生する誘起電圧を計測すれば、周辺磁界に応じて上記感磁体に生じる内部磁界変化を、上記誘起電圧の大きさとして計測でき、さらに精度良く周辺磁界の強度を計測することができる。ここで、通電電流の立ち上げ或いは立ち下げとは、例えば、上記ＭＩ素子に通電する電流の電流値を、定常電流値の１０（９０）％以上から９０（１０）％以下に変化させることをいう。

また、上記磁気検出ヘッドは、上記感磁体に通電する電流を立ち下げたときに上記電磁コイルの両端に発生する誘起電圧を計測するように構成されていることが好ましい。
通電電流を立ち上げる場合に比べて、通電電流を急激に立ち下げる場合は、磁界の強さに対して上記磁気検出ヘッドの計測信号の直線性が良好になる。

また、上記基板は、少なくとも上記磁気センシング部のうち上記基板の法線方向の磁界強度を検出する垂直磁気センシング部を配置する第１の基板と、該第１の基板に保持された第２の基板とよりなり、
上記垂直磁気センシング部は、上記第１の基板の実装表面に、上記第２の基板と並列して配置されていることが好ましい。
ここで、上記第１の基板の実装表面において、上記垂直磁気センシング部と上記第１の基板とを並列して配置するとは、上記第２の基板によって実装高さが制限されていない部分に上記垂直磁気センシング部を配置するということを意味している。

そして、上記の場合には、上記第１の基板の実装表面において、高さ方向の寸法が大きい上記垂直磁気センシング部と、上記第２の基板とを並列して配置することで、上記小型姿勢検知センサの高さ方向のスペースを有効に活用できる。そのため、上記小型姿勢検知センサは、内部素子の実装密度の高い小型のものとなる。

また、上記小型姿勢検知センサは、上記カンチレバーの自由端の回動方向に、上記カンチレバーの過変位を防ぐストッパーを配設してなることが好ましい。
この場合には、小型姿勢検知センサに大きな衝撃が加わって、カンチレバーに大きな力が加わった場合にも、カンチレバーの自由端が上記ストッパーに当接することにより、必要以上の変位（過変位）を防ぐことができる。これにより、カンチレバーの変形、破損を防ぐことができる。
また、上記ストッパーは、上記カンチレバーの自由端の回動方向の片側にのみ設けてもよいし、両側に設けてもよい。

また、上記ストッパーの少なくとも一方は、上記支持ポストと一体化されていることが好ましい。
この場合には、小型姿勢検知センサの部品点数を少なくすることができ、組み付け容易性、コスト面において有利となる。

また、上記小型姿勢検知センサは、切替スイッチを有する上記電子回路を２個用いて時分割して、上記５基の磁気検出素子を制御するよう構成してあることが好ましい。
即ち、上記電子回路は、上記各磁気センシング部を制御する第１の電子回路と、上記各傾斜センシング部を制御する第２の電子回路とからなり、上記第１の電子回路は、時分割で上記３基の磁気センシング部を制御するように構成してあり、上記第２の電子回路は、時分割で上記２基の傾斜センシング部を制御するように構成してあることが好ましい。
ここで、「時分割で制御」とは、磁気センシング部もしくは傾斜センシング部を、所定の時間ごとに順次切り替えて制御することを意味する。

この場合には、上記３基の磁気センシング部で上記第１の電子回路を共用し、さらに、上記２基の傾斜センシング部で上記第２の電子回路を共用することで、上記小型姿勢検知センサ全体の体格を小型化できると共に、その消費電力を抑制できる。それ故、上記小型姿勢検知センサは、例えば、電子基板への実装性が向上する。

また、上記電子回路は、上記３基の磁気センシング部及び上記２基の傾斜センシング部を時分割で制御するように構成してあることが好ましい。
この場合には、上記各磁気センシング部及び上記各傾斜センシング部を構成する全ての上記ＭＩ素子を時分割で制御するように上記電子回路を構成することで、該電子回路の回路規模を小規模にすることができる。

また、切替スイッチを有する上記電子回路を１個用いて時分割して、上記５基の磁気検出素子を制御するよう構成してあることが更に好ましい。
この場合には、上記３基の磁気センシング部と上記２基の傾斜センシング部の磁気検出ヘッドとの全てが１つの電子回路を共用することとなり、姿勢検知センサ全体の更なる小型化を容易に行うことができると共に、その消費電力を抑制することができる。

また、上記電子回路では、上記３基の磁気センシング部のうちの少なくともいずれかの計測信号を用いて、上記各磁気検出ヘッドの計測信号を補正することが好ましい。
即ち、上記電子回路では、上記各磁気検出ヘッドの計測信号を、当該磁気検出ヘッドと同じ方向（感度方向）の上記磁気センシング部の計測信号を用いて補正することが好ましい。
この場合には、上記磁気センシング部の検出信号を利用すれば、上記各傾斜センシング部の検出信号のうち、例えば、地磁気等の周辺磁界による影響を排除でき、その計測精度を格段に向上することができる。

具体的には、上記傾斜センシング部の上記磁気検出ヘッドが測定した磁界の値から、上記磁気検出ヘッドと平行に配置された磁気センシング部が測定した磁界の値を差し引き補正する機能を有することが好ましい。
例えば、上記３基のうちの２基の磁気センシング部が、上記２基の傾斜センシング部の磁気検出ヘッドのそれぞれに対して平行に配置されており、互いに平行な磁気検出ヘッドと磁気センシング部とがそれぞれ検出した磁界の値を上述のごとく差し引き補正する。これにより、容易に精確に周辺磁界の影響を排除する補正を行うことができる。

また、上記小型姿勢検知センサは、表面実装用のチップであることが好ましい。
この場合には、上記小型姿勢検知センサは、例えば、電子基板等への実装性がさらに良好になる。
また、上記小型姿勢検知センサは、縦６ｍｍ以下、横６ｍｍ以下、高さ２ｍｍ以下の小型の表面実装用のチップからなることが好ましい。この場合には、上記小型姿勢検知センサの更なる小型化を実現し、電子基板等への実装性の更なる向上を図ることができる。

（実施例１）
本例は、小型かつ省電力の小型姿勢検知センサに関する例である。この内容について、図１〜図１３を用いて説明する。
本例の小型姿勢検知センサ１は、図１に示すごとく、互いに直交する３軸方向の磁界強度を検出する３基の磁気センシング部４１、４２、４３と、互いに直交する２軸周りの傾斜角度を検出する２基の傾斜センシング部２ａ、２ｂとを有する。
該傾斜センシング部２ａ、２ｂは、傾斜角度に応じて変位するよう構成された磁石体２１を有するカンチレバー２２と上記磁石体２１の変位の変化量を検知する磁気検出ヘッド２３とからなる。

上記３基の磁気センシング部４１、４２、４３と上記２基の磁気検出ヘッド２３とは同種類の磁気検出素子からなる。
これら合計５基の磁気検出素子を制御する少なくとも１個以上の電子回路と、上記３基の磁気センシング部４１、４２、４３と、上記２基の傾斜センシング部２３とを、一つのパッケージにモジュール化してなる。
以下に、この内容について、詳しく説明する。

本例の小型姿勢検知センサ１における磁気センシング部４１〜４３は、矩形状を呈する基板１０の直交する２辺に沿う２軸と、該２軸に直交する軸（基板１０の法線方向の軸）との３軸方向の磁界強度をそれぞれ検出するように配置してある。また、傾斜センシング部２ａ、２ｂは、図１に示すごとく、矩形状を呈する基板１０の直交する２辺に沿う２軸に対する傾斜角度を検出するように配置してある。さらに、基板１０の表面には、磁気センシング部制御用の電子回路であるＩＣチップ１４と、傾斜センシング部制御用の電子回路であるＩＣチップ１２とを配置してある。なお、以下の説明では、基板１０の直交する２辺に沿う軸をＸ軸１０ａ及びＹ軸１０ｂとし、基板１０の法線方向の軸をＺ軸１０ｃとした。

本例の各磁気センシング部４１〜４３は、感磁体４４として長さ１ｍｍ、線径２０ミクロンのＣｏ_68.1Ｆｅ_4.4Ｓｉ_12.5Ｂ_15.0合金からなるアモルファスワイヤ（以下、適宜アモルファスワイヤ４４と記載。）を利用したものである。磁気センシング部４１〜４３は、図２及び図３に示すごとく、アルモルファスワイヤ４４に外挿したチューブ状の絶縁樹脂４６の外周側に、内径２００ミクロン以下の電磁コイル４５を巻回したものである。

すなわち、本例の磁気センシング部４１〜４３は、周辺磁界の強度に応じてインピーダンスが大きく変化するという、感磁体としてのアモルファスワイヤ４４が発揮するＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）現象を利用したものである。そして、本例では、アモルファスワイヤ４４にパルス状の電流（以下、適宜パルス電流と記載する。）を通電したときに電磁コイル４５に生じる誘起電圧を計測することで、周辺磁界の強度を検出している。

上記ＭＩ現象を利用したＭＩ素子（本例では、磁気センシング部４１〜４３。）は、感磁体としてのアモルファスワイヤ４４の通電電流を急激に変化させたときの電子スピン方向の変化に伴う感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化を、アモルファスワイヤ４４の外周に配置した電磁コイル４５の両端に発生する電圧（誘起電圧）に変換するように構成されている。そして、本例の磁気センシング部４１〜４３は、感磁体としてのアモルファスワイヤ４４の長手方向に磁気検出感度を有している。

この磁気センシング部４１〜４３は、図４及び図５に示すごとく、深さ５〜２００ミクロンの断面矩形状を呈する溝状の凹部４７０を設けた素子基板４７上に形成してある。この凹部４７０の内周面のうちの相互に対面する各溝側面４７０ａには、溝方向に直交するＣｕベースからなる導電パターン４５ａを均一ピッチで複数、配設してある。また、凹部４７０の溝底面４７０ｂには、対面する溝側面４７０ａにおける１ピッチずれた導電パターン４５ａを電気的に接続する導電パターン４５ｂを溝方向に対して斜めに設けてある。

各溝側面４７０ａ及び溝底面４７０ｂに導電パターン４５ａ、４５ｂを配設した凹部４７０の内部には、エポキシよりなる絶縁樹脂４６（図５では、図示略。図３参照。）中に、感磁体としてのアモルファスワイヤ４４を埋設してある。そして、凹部４７０に充填した絶縁樹脂４６の外表面には、相互に対面する溝側面４７０ａの導電パターン４５ａを電気的に接続する導電パターン４５ｃを、溝方向と直交して設けてある。そして、導電パターン４５ａ、４５ｂ、４５ｃが、全体として、ら旋状の電磁コイル４５を形成している。

なお、本例では、凹部４７０の内周面４７０ａ、４７０ｂの全面に、導電性の金属薄膜（図示略。）を蒸着したのち、エッチング処理を実施して導電パターン４５ａ及び４５ｂを形成した。また、導電パターン４５ｃは、絶縁樹脂４６の表面に導電性の金属薄膜（図示略。）を蒸着したのち、エッチング処理を実施して形成した。

本例の電磁コイル４５の捲線内径は、凹部４７０の断面積と同一断面積を呈する円の直径である円相当内径である６６ミクロンとしてある。そして、電磁コイル４５の単位長さ当たりの捲線間隔は、５０ミクロン／巻としてある。なお、本例では、上記各磁気センシング部４１〜４３としては、全く同一仕様のものを用い、アモルファスワイヤ４４の長手方向を、それぞれ、Ｘ軸１０ａ方向、Ｙ軸１０ｂ方向、Ｚ軸１０ｃ方向としてある。

上記各磁気センシング部４１〜４３を制御する磁気センシング部用のＩＣチップ１４は、図６に示すごとく、アモルファスワイヤ４４に入力するパルス電流を生成する信号発生器１４１と、電磁コイル４５の誘起電圧ｅ（図７（ｂ））に応じた計測信号を出力する信号処理部１４２とを含む電子回路を有してなる。信号発生器１４１は、通電時間４０ｎｓｅｃ、パルス間隔５マイクロｓｅｃのパルス電流を生成するように構成してある。さらに、本例の信号発生器１４１は、パルス電流の立ち下がりに同期したトリガー信号を、信号処理部１４１のアナログスイッチ１４２ａに向けて出力するように構成してある。

信号処理部１４２は、上記トリガー信号に同期して、電磁コイル４５と信号処理部１４２との間の電気的な接続をオンオフするアナログスイッチ１４２ａ及び該アナログスイッチ１４２ａを介して電磁コイル４５と接続したコンデンサ１４２ｃを含み、いわゆるピークホールド回路として機能する同期検波回路と、増幅器１４２ｂとを組み合わせて構成したものである。

ここで、本例の磁気センシング部４１〜４３による磁気検出方法について、簡単に説明しておく。この磁気検出方法は、この磁気検出方法は、図７に示すごとく、アモルファスワイヤ４４に通電したパルス電流（同図（ａ））の立ち下がり時に、電磁コイル４５に発生する誘起電圧ｅ（同図（ｂ））を計測するものである。なお、本例では、パルス電流が、定常値（電流値１５０ｍＡ。）の９０％から１０％に立ち下がる遮断時間を４ナノ秒とした。

すなわち、図７に示すごとく、磁界中に置かれたアモルファスワイヤ４４に通電したパルス電流が遮断された瞬間には、磁界のうちアモルファスワイヤ４４の長手方向成分に比例した大きさの誘起電圧ｅが電磁コイル４５の両端に発生する。本例のＩＣチップ１４では、電磁コイル４５の誘起電圧ｅが、上記トリガー信号によりＯＮとされたアナログスイッチ１４２ａを介してコンデンサ１４２ｃに蓄積され、さらに、増幅器１４２ｂで増幅されて出力端子１４５から出力される。
本例の各磁気センシング部４１〜４３は、以上のように、アモルファスワイヤ４４の長手方向に作用する磁界の強度に応じた出力信号を、ＩＣチップ１４を介して外部に出力する。

なお、本例の磁気センシング部用のＩＣチップ１４は、図８に示すごとく、信号発生器１４１と各磁気センシング部４１〜４３の感磁体４４との間の電気経路及び、信号処理部１４２と各電磁コイル４５との間の電気経路を切り替える電子スイッチ１４８を設けてある。これにより、本例では、Ｘ軸１０ａ、Ｙ軸１０ｂ、Ｚ軸１０ｃ（図１参照。）の各軸に沿う磁界の強度を計測する３基の磁気センシング部４１〜４３について、２ｍｓごとに切り替えて磁気センシング部用のＩＣチップ１４を時分割で共用している。なお、切替時間の２ｍｓは一例であり、２ｍｓよりも短くても長くてもよい。

本例の傾斜センシング部２ａ、２ｂは、図１に示すごとく、自由端に磁石体２１を配設した片持梁構造のカンチレバー２２と、その磁石体２１が生じる磁界強度を検出する磁気検出ヘッド２３とを含むものである。そして、この傾斜センシング部２ａ、２ｂは、傾斜角に応じてカンチレバー２２に働く重力の大きさを、自由端に配設した磁石体２１の変位として顕在化し、その変位による磁界強度の変化を磁気検出ヘッド２３により検出するように構成してある。

カンチレバー２２は、同図に示すごとく、基板１０の表面の法線方向に突出して配設した支持ポスト２８により、長手方向の一方の端部を支持された片持梁構造を呈する弾性体である。そして、その自由端、すなわち支持ポスト２８の反対側の端部には、磁石体２１を配設してある。本例のカンチレバー２２は、材質ＮｉＰよりなり、幅０．３ｍｍ、長さ１．５ｍｍ、厚さ５ミクロンの矩形板状を呈するものである。さらに、本例では、厚さ方向の力に対する剛性を低下させて磁石体２１の変位量を拡大できるよう、支持ポスト２８側の付け根部分から自由端の手前０．３８ｍｍに至る位置にかけて、幅０．２２ｍｍの長孔２２０を設けてある。

本例では、上記の長孔２２０を設けることにより、カンチレバー２２の固有振動数をおよそ５０Ｈｚ以上６０Ｈｚ以下の範囲に設定した。なお、本例では、カンチレバーの側面に上記長孔２２０を設けたが、これに代えて、開口部を持たない平板状のカンチレバーを適用することもできる。

磁石体２１は、カンチレバー２２の自由端側の端部の側面に配設してある。本例では、この側面に、磁石体塗料を塗布し、その後、乾燥及び硬化後に着磁することにより上記磁石体２１を形成した。ここで、本例では、図９（ａ）に示すごとく、Ｎ極が外方を向く第１の磁石体２１ａと、Ｓ極が外方を向く第２の磁石体２１ｂとを、カンチレバー２２の長手方向に沿って隣接して配置してある。すなわち、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとでは、磁化方向Ｍが互いに逆向きであり、互いに逆方向の磁気モーメントを発生する。

そのため、本例の磁石体２１を磁界中に置いたとき、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとに逆向きのトルクが作用する。それ故、各磁石体２１ａ、２１ｂでは、そのトルクによりカンチレバー２２を回動させようとする回動方向が互いに逆方向となる。したがって、磁石体２１全体として、周辺磁界が作用したときのトルクを相殺できカンチレバー２２の変位を抑制することができる。それ故、本例の傾斜センシング部２１ａ、２１ｂでは、地磁気等の周辺磁界の影響により磁石体２１が変位するおそれが少なく、精度良く傾斜角を計測可能である。なお、単一の磁石体によって磁石体２１を構成することも可能である。

さらに、上記磁石体２１では、同図（ａ）に示すごとく、第１の磁石体２１ａの周辺に作用する磁界と、第２の磁石体２１ｂの周辺に作用する磁界とが閉ループ状の磁場を形成する。一方、同図（ｂ）に示すごとく、単一の磁石体を配置した場合には、その周辺に開ループ状の磁場が形成されて周囲に磁界が漏洩し、電磁波ノイズ等の原因となるおそれがある。
すなわち、本例の傾斜センシング部２ａ、２ｂ（図１）は、周囲への磁界の漏洩を抑制した磁石体２１を備えており、周辺回路に対して電磁波ノイズの原因となるおそれが少ない。なお、本例では、上記各磁石体２１ａ、２１ｂの大きさは、幅（カンチレバー２２の長手方向の寸法。）Ｗ０．５ｍｍ、高さ０．３ｍｍ、厚さＴ１００ミクロンとした。

さらに、傾斜センシング部２ａ、２ｂで磁気検出ヘッド２３を配置するに当たっては、磁石体２１が発生する磁界方向に直交するように感磁体２４を配置しても良く、磁界方向に沿うように感磁体２４を配置しても良い。さらには、磁界方向に対する感磁体２４の向きを任意の方向としても良い。ただし、この場合には、カンチレバー２２が初期位置にあるときの磁気検出ヘッド２３の出力が最大又は最小の極値とならないおそれがあるので、磁気検出ヘッド２３の出力値をシフトする必要がある。

そして、傾斜センシング部２ａ、２ｂを構成する磁気検出ヘッド２３（図１）は、上記磁気センシング部４１〜４３と同一仕様のものである。すなわち、本例の傾斜センシング部２ａ、２ｂでは、磁気センシング部４１〜４３と同様に、感磁体としてのアモルファスワイヤ２４（図１０）と、電磁コイル２５（図１０）とを組み合わせて高感度の磁気検出ヘッド２３を構成してある。

傾斜センシング部用のＩＣチップ１２は、図１０に示すごとく、上記磁気センシング部用のＩＣチップ１４（図８）とほぼ同一の仕様のものであり、上述したように、アモルファスワイヤ２４に通電するパルス電流を生成する信号発生器１２１と、電磁コイル２５の誘起電圧に応じた計測信号を出力する信号処理部１２２とを含む電子回路を有してなる。

なお、本例の傾斜センシング部用のＩＣチップ１２は、信号発生器１２１と各傾斜センシング部２ａ、２ｂの感磁体２４との間の電気経路及び、信号処理部１２２と各電磁コイル２５との間の電気経路を切り替える電子スイッチ１２８を有する。これにより、本例の上記２基の傾斜センシング部２ａ、２ｂは、１個の傾斜センシング部用のＩＣチップ１２を２ｍｓごとに時分割で共用している。なお、本例の傾斜センシング部２ａ、２ｂにおける磁気検出ヘッド２３による磁気検出方法については、上記磁気センシング部４１〜４３における磁気検出方法と同様なので、説明を省略する。

以上のように、本例の小型姿勢検知センサ１では、磁気センシング部４１〜４３及び傾斜センシング部２ａ、２ｂを、一体的にモジュール化したものである。
また、上記３基の磁気センシング部４１〜４３と上記２基の磁気検出ヘッド２３とは同種類の磁気検出素子からなる。そのため、これらの磁気検出素子を制御する電子回路は同一原理で駆動させることができる。
そして、この小型姿勢検知センサ１では、図１１に示すごとく、３基の磁気センシング部４１〜４３が、制御用の電子回路としてのＩＣチップ１４（図８）を共用するとともに、２基の傾斜センシング部２ａ、２ｂが、制御用の電子回路としてのＩＣチップ１２（図１５）を共用している。そのため、この小型姿勢検知センサ１は、小型であって、かつ、消費電力を抑えたものとなる。

さらに、上記傾斜センシング部２ａ、２ｂでは、磁化方向Ｍ（図９）が逆向きである第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを、カンチレバー２２の長手方向に沿って隣接して配置してある。そのため、両者を組み合わせた上記磁石体２１では、地磁気等の周辺磁界によるトルクが極めて小さい。それ故、本例の小型姿勢検知センサ１では、傾斜角の検出精度が非常に高い。

また、上記のごとく第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを隣接して配置することで、両者を組み合わせた磁石体２１の周囲に、閉ループ状の磁場を形成できる。それ故、この磁石体２１を用いた本例の小型姿勢検知センサ１は、電磁波ノイズの原因となるおそれが少なく、実装密度の高い電子基板に実装しても、周辺回路にトラブルを及ぼすおそれが少ない。

なお、上記のごとく、本例の磁気センシング部４１〜４３と、磁気検出ヘッド２３とは同一仕様のものである。特に、傾斜センシング部２ａの磁気検出ヘッド２３と磁気センシング部４２及び、磁気センシング部４１と傾斜センシング部２ｂの磁気検出ヘッド２３とは、アモルファスワイヤ４４の長手方向も一致している。
即ち、上記２基の磁気センシング部４１、４２が、上記２基の傾斜センシング部２ｂ、２ａの磁気検出ヘッド２３のそれぞれに対して平行に配置されている。

そのため、磁気センシング部４１〜４３におけるアモルファスワイヤ４４に巻回した各電磁コイル４５と、磁気検出ヘッド２３におけるアモルファスワイヤ２４に巻回した各電磁コイル２５とは、互いに長手方向が一致するものについては、地磁気等による周辺磁界に対して、一致した大きさの誘起電圧を出力する。

そこで、傾斜センシング部２ａの磁気検出ヘッド２３の出力信号から、磁気センシング部４２の出力信号を減算する補正を行えば、傾斜センシング部２ａの出力信号から周辺磁界による影響を排除して、その検出精度をさらに向上できる。
即ち、傾斜センシング部２ａの磁気検出ヘッド２３の出力Ｈsは、傾斜量θに対応する磁気量ｋ₁Ｈ_θと、地磁気のＹ方向成分（磁気検出ヘッド２３の感度方向成分）Ｈeとの和になり、以下の式１のように表せる。
Ｈs＝ｋ₁Ｈ_θ＋ｋ₂Ｈe・・・（式１）
また、当該磁気検出ヘッド２３と同一方向の磁気センシング部４２の出力Ｈ'sは、以下の式２のように表せる。
Ｈ's＝ｋ₃Ｈe・・・（式２）

そこで、ｋ₂＝ｋ₃としておけば、ＨsとＨ'sとの減算補正（式１）−（式２）を施して、以下の式３のように表せる。
Ｈs−Ｈ's＝ｋ₁Ｈ_θ・・・（式３）
このようにして、ノイズである地磁気の影響を排除できる。
ここで、ｋ₁、ｋ₂、ｋ₃は磁気量についての係数である。
なお、傾斜センシング部２ｂについても同様である。

さらになお、上記のごとく、本例の磁気検出ヘッド２３と、磁気センシング部４１〜４３とは同一仕様のものであり、そのうえ、磁気センシング部用のＩＣチップ１４の電子回路と、傾斜センシング部用のＩＣチップ１２の電子回路とは同一の仕様のものである。そこで、全ての磁気センシング部４１〜４３及び、傾斜センシング部２ａ、２ｂについて、単一の制御回路を２ｍｓごとの時分割で共用することもできる。

即ち、図１２、図１３に示すごとく、５チャンネルの切替スイッチ（電子スイッチ１５８）を有する電子回路としてのＩＣチップ１５を１個用いて時分割して、上記５基の磁気検出素子即ち３基の磁気センシング部４１〜４３と２基の磁気検出ヘッド２３とを制御するよう構成することもできる。
この場合には、上記３基の磁気センシング部４１〜４３と上記２基の傾斜センシング部２ａ、２ｂの磁気検出ヘッド２３との全てが１つの電子回路を共用することとなり、姿勢検知センサ１全体の更なる小型化を容易に行うことができると共に、その消費電力を抑制することができる。

即ち、上記電子回路は、磁気検出素子と回路本体とを連結する接続部を除くと、磁気検出素子の駆動回路、信号検知回路、信号処理回路、信号転送回路、及びセンサ電源回路からなる。そこで、これらの回路を、上記５基の磁気検出素子のそれぞれに対して設けるのではなく、電子スイッチ１５８を用いて、上記５基の磁気検出素子の制御用として一つの電子回路を共用する。これにより、電子回路の部分を大幅に小型化することが可能となり、ひいては小型姿勢検知センサ１の更なる小型化が可能となる。

このように、５軸の切替スイッチを設けて１個の電子回路にて５基の磁気検出素子を制御することにより、小型姿勢検知センサ１の小型化を図ることができる。また、上述のごとく２個の電子回路にて５基の磁気検出素子を制御する場合にも、小型化は可能である。
また、本例のように上記磁気検出素子としてＭＩ素子を用いる場合において、上記の切替スイッチ（電子スイッチ１２８、１４８、１５８）を用いることは極めて有効である。即ち、ＭＩ素子は、出力の直線性及び追従性に極めて優れているため、切替スイッチにて各ＭＩ素子と電子回路との接続を切り替えた際にも良好な動作を実現することができる。
なお、図１０、図１２において、符号１２２、１５２は信号処理部を示し、符号１２２ａ、１５２ａはアナログスイッチを示す。

（実施例２）
本例は、実施例１の小型姿勢検知センサに基づいて、上記基板を２枚構成とした例である。この内容について、図１４〜図１５を用いて説明する。
本例の基板１０は、少なくとも磁気センシング部４１〜４３のうち、基板１０の法線方向（図１中、符号１０ｃの矢印で図示するＺ軸方向。）の磁界強度を検出する垂直磁気センシング部４３を配置する第１の基板１０１と、該第１の基板１０１に保持した第２の基板１０２とよりなる。そして、垂直磁気センシング部４３は、第１の基板１０１における上記第２の基板１０２側に面する実装表面のうち、第２の基板１０２に対面しない部分に実装してある。さらに、本例の小型姿勢検知センサ１では、基板１０１の実装表面のうちの第２の基板１０２に対面しない表面には、磁気センシング部４１、４２やＩＣチップ１２、１４等と比べて、高さ方向の寸法が大きい傾斜センシング部２ａ、２ｂも配置してある。

本例では、第２の基板１０２は、２箇所の貫通孔１０５を設けた両面実装基板である。そして、第２の基板１０２における第１の基板１０１の実装面と同じ側に面する第１実装面１０２ａには、該第１実装面１０２ａに平行であって、かつ、互いに直交する２軸方向の磁界強度を検出する２基の磁気センシング部４１、４２と、各磁気センシング部４１〜４３を制御する磁気センシング部用のＩＣチップ１２を実装してある。また、第２の基板１０２における第１実装面１０２ａの裏面に当たる第２実装面１０２ｂには、各傾斜センシング部２ａ、２ｂを制御する傾斜センシング部用のＩＣチップ１２を実装してある。

上記のごとく、本例の小型姿勢検知センサ１では、第１の基板１０１と第２の基板１０２との２階構造として基板１０を構成し、高さ方向の寸法が大きい部品（垂直磁気センシング部４３、傾斜センシング部２ａ、２ｂ等）を、両基板１０１、１０２が高さ方向に重合しない部分に効率良く配置してある。そのため、本例の小型姿勢検知センサ１は、内部素子の実装密度が高い小型のモジュールとなる。
なお、その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。

（実施例３）
本例は、実施例１或いは実施例２の小型姿勢検知センサを搭載した携帯電話に関する例である。この内容について、図１６を用いて説明する。
本例の携帯電話６は、無線通信により双方向の音声通話を可能とするものである。そして、この携帯電話６は、内部基板６５に、小型姿勢検知センサ１と、ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）を含む１チップマイコン６２と、動作プログラムを格納したメモリ素子（図示略）とを実装してなる。そして、小型姿勢検知センサ１は、携帯電話６を原点としてＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸周りの回転角、すなわち、ロール角、ピッチ角、ヨー角の姿勢情報をマイコン６２に向けて出力するように構成してある。なお、本例の小型姿勢検知センサ１は、縦５．５ｍｍ、横５．５ｍｍ、高さ１．５ｍｍと、非常にコンパクトに構成されたものである。

この携帯電話６は、インターネットブラウザとしての機能を備えており、液晶画面６１上にインターネット上の各種の情報を表示するように構成してある。この携帯電話６では、該携帯電話６自体を傾けることにより、その傾き方向に向けて液晶画面６１に表示する内容をスクロールできるように構成してある。すなわち、マイコン６２は、上記メモリ素子に格納した動作プログラムにより、小型姿勢検知センサ１が出力した上記姿勢情報に応じた液晶画面６１のスクロール量を演算するように構成してある。
本例の携帯電話６によれば、その操作面６３に配置した操作ボタン６３０による操作を補助して、使用者の操作負担を軽減することができる。
なお、その他の構成及び作用効果については、実施例１或いは実施例２と同様である。

（実施例４）
本例は、図１７〜図２２に示すごとく、カンチレバー２２の自由端２２２の回動方向の両側に、上記カンチレバー２２の過変位を防ぐストッパー５１、５２を配設した小型姿勢検知センサ１の例である。

また、本例においては、カンチレバー２２の固定端２２１を支持する支持ポスト２８０を、断面略Ｌ字状に形成している。
即ち、図２１、図２２に示すごとく、上記支持ポスト２８０は、上記固定端２２１を接合した基体部２８１と、上記カンチレバー２２との間に間隙２８９を設けつつ基体部２８１からカンチレバー２２の自由端２２２側へ延設された延設部２８２とを有する。そして、カンチレバー２２の自由端２２２における、上記間隙２８９側と反対側の面に、磁石体２１が配設されている。

支持ポスト２８０とカンチレバー２２と磁石体２１とが結合されて傾斜感知部品２０が構成されている。
支持ポスト２８０の寸法は、例えば、幅ｗが０．６ｍｍ、長さａ１が２．０ｍｍであり、基体部２８１の高さｈ１が０．４ｍｍ、延設部２８２の高さｈ２が０．３ｍｍであり、基体部２８１の長さａ２が０．４ｍｍとすることができる。

また、磁石体２１の寸法は、例えば、長さＬを０．２〜０．６ｍｍ、幅Ｗを０．２〜０．８ｍｍ、高さＨを０．０５〜０．２ｍｍとすることができる。ここで、長さとは、カンチレバー２２の固定端２２１から自由端２２２へ向かう方向に沿った長さである。また、上記幅Ｗは、上記長さＬの方向に直交すると共にカンチレバー２２の表面に平行となる方向についての長さである。また、上記高さＨは、カンチレバー２２の表面に直交する方向の長さである。

上記一対のストッパー５１、５２のうち一方のストッパー５２は、支持ポスト２８０と一体化されている。即ち、支持ポスト２８０の延設部２８２が上記ストッパー５２となっている。
また、カンチレバー２２の自由端２２２を挟んでストッパー５２と反対側の位置には、支持ポスト２８０とは独立したストッパー５１が基板１０上に固定されている。

そして、上記ストッパー５１は、傾斜感知部品２０におけるカンチレバー２２の自由端２２２の側方に配置されている。図１９に示すごとく、このストッパー５１と傾斜感知部品２０の延設部２８２（ストッパー５２）との間の間隔ｄ１は、例えば０．４ｍｍとすることができる。
また、例えば、カンチレバー２２の自由端２２２に配設された磁石体２１とストッパー５１との間の間隔ｄ２は０．１８ｍｍとし、カンチレバー２２の自由端２２２とストッパー５２（延設部２８２）との間の間隔ｄ３は０．０８ｍｍとすることができる。

また、ストッパー５１の基板１０に対する立設方向の長さｗ３は、支持ポスト２８０の立設方向の長さと同程度とすることが好ましく、例えば０．５５ｍｍとすることができる。また、カンチレバー２２に対して垂直な方向の長さｈ３は０．５ｍｍ、カンチレバー２２に平行な方向の長さａ３は０．９ｍｍとすることができる。
また、ストッパー５１及び支持ポスト２８０は、Ｓｉ（シリコン）からなり、カンチレバー２２は、Ｎｉ−Ｐ合金からなる。
その他は、実施例１と同様である。

本例の場合には、小型姿勢検知センサ１に大きな衝撃が加わって、カンチレバー２２に大きな力が加わった場合にも、図２０に示すごとく、カンチレバー２２の自由端２２２が上記ストッパー５１（又はストッパー５２）に当接することにより、必要以上の変位（過変位）を防ぐことができる。これにより、カンチレバー２２の変形、破損を防ぐことができる。

また、一方のストッパー５２は、支持ポスト２８０と一体化されているため、小型姿勢検知センサ１の部品点数を少なくすることができ、組み付け容易性、コスト面において有利となる。

また、上記支持部材２８０は、基体部２８１と延設部２８２とを有するため、カンチレバー２２を固定した支持部材２８０（傾斜感知部品２０）を、基板１０に取付ける際における、傾斜感知部品２０の取り扱いを容易にすることができる。

即ち、傾斜感知部品２０を取り扱う際には、カンチレバー２２の変形を防止するため、それ以外の部分、即ち、支持部材２８０を把持することが好ましい。そこで、支持部材２８０の形状を上記の形状とすることにより、支持部材２８０を把持しやすくし、傾斜感知部品２０の取扱いを容易にすることができる。
なお、上記支持部材２８０の長さａ１をカンチレバー２２の長さよりも若干（例えば０．１ｍｍ程度）長くすることにより、支持部材２８０の長手方向の両端部を把持したとき、カンチレバー２２に触れないようにすることが容易となる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

Claims (8)

1. 互いに直交する３軸方向の磁界強度を検出する３基の磁気センシング部と、互いに直交する２軸周りの傾斜角度を検出する２基の傾斜センシング部とを有し、
   該傾斜センシング部は、傾斜角度に応じて変位するよう構成された磁石体を有するカンチレバーと上記磁石体の変位の変化量を検知する磁気検出ヘッドとからなり、
   上記３基の磁気センシング部と上記２基の磁気検出ヘッドとは同種類の磁気検出素子からなり、
   これら合計５基の磁気検出素子を制御する少なくとも１個以上の電子回路と、上記３基の磁気センシング部と、上記２基の傾斜センシング部とを、一つのパッケージにモジュール化してなることを特徴とする小型姿勢検知センサ。
2. 請求項１において、上記３基の磁気センシング部を構成する磁気検出素子及び上記２基の磁気検出ヘッドを構成する磁気検出素子は、マグネト・インピーダンス・センサ素子からなることを特徴とする小型姿勢検知センサ。
3. 請求項１又は２において、上記カンチレバーは、短冊状の梁形状からなり、一方の端部を支持ポストを介して上記パッケージの基板に配設し、他方の端部に上記磁石体を配設し、上記カンチレバーの主面の法線方向に回動する片持梁状を呈し、その回動方向が上記基板の表面に平行となるよう配設されていることを特徴とする小型姿勢検知センサ。
4. 請求項１〜３のいずれか一項において、切替スイッチを有する上記電子回路を２個用いて時分割して、上記５基の磁気検出素子を制御するよう構成してあることを特徴とする小型姿勢検知センサ。
5. 請求項１〜３のいずれか一項において、切替スイッチを有する上記電子回路を１個用いて時分割して、上記５基の磁気検出素子を制御するよう構成してあることを特徴とする小型姿勢検知センサ。
6. 請求項１〜５のいずれか１項において、上記傾斜センシング部の上記磁気検出ヘッドが測定した磁界の値から、上記磁気検出ヘッドと平行に配置された磁気センシング部が測定した磁界の値を差し引き補正する機能を有することを特徴とする小型姿勢検知センサ。
7. 請求項１〜６のいずれか１項において、上記小型姿勢検知センサは、縦６ｍｍ以下、横６ｍｍ以下、高さ２ｍｍ以下の小型の表面実装用のチップからなることを特徴とする小型姿勢検知センサ。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の小型姿勢検知センサと、中央演算処理ユニットと、動作プログラムを格納するメモリ素子とを有してなり、
   上記中央演算処理ユニットが、上記磁気検知センサの出力信号を取り込み、上記動作プログラムで規定された所定の動作を実行するように構成されていることを特徴とする携帯電話。

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