JPWO2005001851A1 - コンデンサ - Google Patents
コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005001851A1 JPWO2005001851A1 JP2005511076A JP2005511076A JPWO2005001851A1 JP WO2005001851 A1 JPWO2005001851 A1 JP WO2005001851A1 JP 2005511076 A JP2005511076 A JP 2005511076A JP 2005511076 A JP2005511076 A JP 2005511076A JP WO2005001851 A1 JPWO2005001851 A1 JP WO2005001851A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic substance
- insulating organic
- metal fine
- fine particles
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 42
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Substances C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- -1 quinomethane compound Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LVWZTYCIRDMTEY-UHFFFAOYSA-N metamizole Chemical compound O=C1C(N(CS(O)(=O)=O)C)=C(C)N(C)N1C1=CC=CC=C1 LVWZTYCIRDMTEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-5-[5-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 17
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N (3r,4r)-3-azaniumyl-5-[[(2s,3r)-1-[(2s)-2,3-dicarboxypyrrolidin-1-yl]-3-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-5-oxo-4-sulfanylpentane-1-sulfonate Chemical compound OS(=O)(=O)CC[C@@H](N)[C@@H](S)C(=O)N[C@@H]([C@H](C)CC)C(=O)N1CCC(C(O)=O)[C@H]1C(O)=O HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- OJPNKYLDSDFUPG-UHFFFAOYSA-N p-quinomethane Chemical compound C=C1C=CC(=O)C=C1 OJPNKYLDSDFUPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N pyridin-2-ol Chemical class OC1=CC=CC=N1 UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004838 photoelectron emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- KMHSUNDEGHRBNV-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloropyrimidine-5-carbonitrile Chemical compound ClC1=NC=C(C#N)C(Cl)=N1 KMHSUNDEGHRBNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- HUVXQFBFIFIDDU-UHFFFAOYSA-N aluminum phthalocyanine Chemical compound [Al+3].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 HUVXQFBFIFIDDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/002—Inhomogeneous material in general
- H01B3/004—Inhomogeneous material in general with conductive additives or conductive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/301—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in group H01B3/302
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
- H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明のコンデンサによれば、電圧印加することで金属微粒子等に一度電荷が入ると、絶縁性有機物とのエネルギー準位の関係からこの電荷は金属微粒子等の中に閉じ込められることになる。この閉じ込められた電荷が誘電体における誘電分極と同様の作用をするために、誘電率の小さな絶縁性有機物を用いても実効的に非常に大きな誘電率を得る事ができる。
このようなコンデンサは、真空蒸着法、スピンコート法などの簡易な方法で室温にて作製でき、かつ有機物の特徴である可撓性も備えている。
本発明において、絶縁性有機物が2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、キノメタン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、ピリドン系化合物、金属微粒子がアルミ、金、銅から選ばれることが好ましい。
本発明において、絶縁性有機物が、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、トリフェニルアミン系化合物、α−NPD、電荷トラップとなる有機物としては、ピリドン系化合物、フタロシアニン類、α−6T、からなる一群から選ばれる一以上が好ましい。
また、本発明は、電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性有機物と金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物の混合液を塗布し乾燥するステップと、乾燥した塗布膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造方法を提供する。
さらに、本発明は、電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性有機物と金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物を共蒸着するステップと、共蒸着により形成された膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造方法を提供する。
図1は、本発明のコンデンサの一実施形態を示す概略断面図である。
図1に示すように、このコンデンサは、基板10上に、電極層21a、誘電体層として金属微粒子等を含む絶縁性有機物の層30、電極層21bが順次積層された構成となっている。
仕事関数は、固体から真空中に電子を取出すのに要する最小限の仕事の大きさである。
イオン化ポテンシャルは、中性原子やイオン、分子から電子を1個取去るのに必要なエネルギーであり、真空中で最外殻の電子1個を取去るためのエネルギーを第一イオン化ポテンシャル、ついで1価の陽イオンからもう1個の電子を取去るのに必要なエネルギーを第二イオン化ポテンシャル、さらに第三、第四番目の電子を取去るためのエネルギーを第三、第四イオン化ポテンシャルという。従って、イオン化ポテンシャルが小さいということは陽イオンになりやすいことを示す。本発明では、第一イオン化ポテンシャルを考慮の対象とする。
電子親和力は、原子、分子、陰イオンに電子を1個付加するときに放出されるエネルギーである。
金属材料の単一原子に対するイオン化ポテンシャルと電子親和力に関しては、表1に示したように、測定値又は計算値が得られている。また、金属材料の寸法が充分大きくなった場合(バルク状態)は、これらの値は仕事関数として観測され、前記の大気中光電子放出分光法等により容易に測定が可能であると同時に、多くの材料について値が既に得られている。これに対し、本件特許の如くそのサイズがnm程度の微粒子である場合は、これらの値は粒子サイズに依存することが知られている。即ち、微粒子状態でのイオン化ポテンシャル、電子親和力は単一原子のイオン化ポテンシャル、電子親和力と、バルク状態の仕事関数の中間の値をとる。これらの値は、誘電層材料内では周囲の分極などにより若干の影響を受けるものの、基本的には微粒子寸法と良い相関があることが知られており、多くの金属材料についてデータが得られている。例えば、Hellmut
Haberland編、「クラスターズ・オブ・アトムズ・アンド・モレキュルズ」Spring−Verlag、ベルリン、1994年を参照されたい。
即ち、最も簡便なモデルでは、イオン化ポテンシャルIP、電子親和力EAと仕事関数WF、微粒子直径R(nm)との関係は以下の通り表される。
IP=WF+A/R ・・・(I)
EA=WF−B/R ・・・(II)
(上式中、A=3e2/8、B=5e2/8であり、eは電子の電荷である。)
即ち、微粒子の寸法を観察することで、おおよそのイオン化ポテンシャルと電子親和力を推定することが可能である。
金属微粒子の平均粒径は、特に限定されないが、使用される金属微粒子の製造方法及び分散方法の点から好ましくは、蒸着法では2〜100nmであり、塗布法では1〜50nmである。
また、電荷トラップとなる有機物は、絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルよりも小さなイオン化ポテンシャル、および絶縁性有機物の電子親和力よりも大きな絶縁性有機物である事が必要であり、必然的に絶縁性有機物よりもエネルギーギャップの小さな物質となる。エネルギーギャップとしては、組み合わされる絶縁性有機物によるが、2eV以下であることが好ましい。
より具体的には、電荷トラップとなる有機物は、ピリドン系化合物、フタロシアニン類、α−6T(α−セキシチオフェン)に代表されるチオフェン系化合物、ペンタセンに代表されるアセン系化合物などが好ましい。
上記に示す材料のうち、特に金属微粒子を用いる態様にあっては、絶縁性有機物としては、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート又はキノメタン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、ピリドン系化合物、金属微粒子としては、アルミニウムと金と銅からなる一群から選ばれる一以上が特に好ましい。
また、上記に示す材料のうち、特に電荷トラップとなる有機物を用いる態様にあっては、絶縁性有機物としては、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、トリフェニルアミン系化合物、α−NPD、電荷トラップとなる有機物としては、ピリドン系化合物、フタロシアニン類、α−6Tからなる一群から選ばれる一以上が特に好ましい。
なお、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの構造式を下記に示す。
表1に示すように、アルミニウム、金、銅いずれの仕事関数も2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートのイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位にあるので、金属微粒子に電荷が蓄積される事で実効的に誘電率を向上させることができる。また、式(I)、(II)と表1の仕事関数WFから算出されるIP、EPが絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間となる粒子径の金属微粒子を用いることにより、金属微粒子に電荷が蓄積される事で実効的に誘電率を向上させることができる。また、表1に示すように、ピリドン系化合物、フタロシアニン類、α−6Tいずれのイオン化ポテンシャルおよび電子親和力も2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートのイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位にあるので、電荷トラップとなる有機物に電荷が蓄積される事で実効的に誘電率を向上させることができる。
また、電荷トラップとなる有機物と絶縁性有機物の配合体積比は、好ましくは1:100から1:1である。1:100より電荷トラップとなる有機物の量が少ないと誘電率が小さくなり、所望の特性が得られない場合があり、1:1より電荷トラップとなる有機物の量が多いと電荷トラップとなる有機物同士が接触して分散効果が得られず、また電気的短絡する場合がある。
金属微粒子等が絶縁性有機物中に分散される態様では、絶縁性有機物中に均一に分散されているのが好ましい。これは、分散が不均一な場合は、局所的に金属微粒子の濃度が高くなり、金属微粒子等同士の接触によって所望の分散効果が得られない可能性が高くなるからである。
電極層21a、21bの薄膜を形成する方法は、真空蒸着法等の従来公知の方法が好ましく用いられ、特に限定されない。
また、誘電体層30がさらに絶縁性有機物の層で挟まれる、即ち絶縁性有機物の中に中間層として誘電体層30を設ける構成も用いられる。
絶縁性有機物と金属微粒子等の混合層を蒸着する方法では、好ましい真空度は3×10−6Torr、好ましい膜の成膜速度は絶縁性有機物が0.5〜2.0Å/s、金属微粒子が0.1〜1.0Å/sである。この範囲の成膜速度が好ましいのは、蒸着物による膜の損傷を抑制するとともに、蒸着膜の結晶形態を抑制する必要があるからである。
[実施例1]
以下の手順で、図1に示すような構成のコンデンサを作成した。
基板10としてガラス基板を用い、真空蒸着法により、電極層21aとしてアルミニウム薄膜を形成した。次に、絶縁性有機物31として2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート(東京化成社製A1292)、金属微粒子32としてアルミニウムを用いてこれらを共蒸着法にて誘電体層30を形成し、その後、電極層21bとしてアルミニウムを順次連続して薄膜を形成し、実施例1のコンデンサを形成した。
なお、電極層21a、誘電体層30、電極層21bは、それぞれ、100nm、100nm、100nmの厚さとなるように成膜した。金属微粒子32としてのアルミニウムの平均粒径は約25nmであった。蒸着装置は拡散ポンプ排気で、3×10−6torrの真空度で行なった。また、アルミニウムの蒸着は抵抗加熱方式により成膜速度は3Å/secで行い、金属微粒子としてアルミニウムを含有する2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートは、共蒸着法により作製した。蒸着は抵抗加熱方式であり、成膜速度は2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートが2Å/sec、アルミニウムが1Å/secである。各層の蒸着は同一蒸着装置で連続して行い、蒸着中に試料が空気と接触しない条件で行った。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、金属微粒子32に金を用い、これらを共蒸着法した膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、金属微粒子32に銅を用い、これらを共蒸着法した膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、金属微粒子32にアルミニウムを用いた。さらに、誘電体層30と電極21a、21bとの間には、それぞれ2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートのみの層を設け、絶縁性有機物の中に中間層として誘電体層30を設ける構成とした。これを2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を40nm、誘電体層30の層を20nm、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を40nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記キノメタン系化合物A、金属微粒子32にアルミニウムを用い、キノメタン系化合物40nm、誘電体層20nm、キノメタン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記キノメタン系化合物B、金属微粒子32にアルミニウムを用い、キノメタン系化合物40nm、誘電体層20nm、キノメタン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記トリフェニルアミン系化合物C、金属微粒子32にアルミニウムを用い、トリフェニルアミン系化合物40nm、誘電体層20nm、トリフェニルアミン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記トリフェニルアミン系化合物D、金属微粒子32にアルミニウムを用い、トリフェニルアミン系化合物40nm、誘電体層20nm、トリフェニルアミン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記ピリドン系化合物E、金属微粒子32にアルミニウムを用い、ピリドン系化合物40nm、誘電体層20nm、ピリドン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
金属微粒子32の代わりに、電荷トラップとなる有機物32として銅フタロシアニンを用い、成膜速度は2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートが1Å/sec、銅フタロシアニンが0.5Å/secである。これ以外は、実施例1と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、電荷トラップとなる有機物32に銅フタロシアニンを用いた。さらに、誘電体層30と電極21a、21bとの間には、それぞれ2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートのみの層を設け、絶縁性有機物の中に中間層として誘電体層30を設ける構成とした。これを2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を30nm、誘電体層30の層を40nm、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を30nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例10と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、電荷トラップとなる有機物32に上記ピリドン系化合物Eを用い、これを2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を30nm、誘電体層30の層を40nm、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を30nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例11と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネート、電荷トラップとなる有機物32にα−6Tを用い、これを2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を30nm、誘電体層30の層を40nm、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートの層を30nmとなるように順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例11と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記トリフェニルアミン系化合物F、電荷トラップとなる有機物32に銅フタロシアニンを用い、トリフェニルアミン系化合物40nm、誘電体層20nm、トリフェニルアミン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例11と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31に下記トリフェニルアミン系化合物G、電荷トラップとなる有機物32に銅フタロシアニンを用い、トリフェニルアミン系化合物40nm、誘電体層20nm、トリフェニルアミン系化合物40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例11と同様な条件である。
誘電体層30として、絶縁性有機物31にα−NPD、電荷トラップとなる有機物32に銅フタロシアニンを用い、α−NPD40nm、誘電体層20nm、α−NPD40nmの順に真空蒸着法にて積層した三層膜を用いた。これ以外は、実施例11と同様な条件である。
基板10としてガラス基板を用い、真空蒸着法により、電極層21aとしてアルミニウムを、誘電体層として2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートを、電極層21bとしてアルミニウムを順次連続して薄膜を形成し、比較例1のコンデンサを形成した。作製条件は、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートを蒸着する時にアルミニウムを共蒸着しない事を除いては実施例1と同様な条件を用いている。
誘電体層として実施例5のキノメタン系化合物Aを用いた以外は、比較例1と同様にして、比較例2のコンデンサを形成した。
誘電体層として実施例6のキノメタン系化合物Bを用いた以外は、比較例1と同様にして、比較例3のコンデンサを形成した。
誘電体層として実施例7のトリフェニルアミン系化合物Cを用いた以外は、比較例1と同様にして、比較例4のコンデンサを形成した。
誘電体層として実施例8のトリフェニルアミン系化合物Dを用いた以外は、比較例1と同様にして、比較例5のコンデンサを形成した。
誘電体層として実施例9のピリドン系化合物Eを用いた以外は、比較例1と同様にして、比較例6のコンデンサを形成した。
基板10としてガラス基板を用い、真空蒸着法により、電極層21aとしてアルミニウムを、誘電体層として2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートを、電極層21bとしてアルミニウムを順次連続して薄膜を形成し、比較例7のコンデンサを形成した。作製条件は、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートを蒸着する時に銅フタロシアニンを共蒸着しない事を除いては実施例10と同様な条件を用いている。
誘電体層として実施例14のトリフェニルアミン系化合物Fを用いた以外は、比較例7と同様にして、比較例8のコンデンサを形成した。
誘電体層として実施例15のトリフェニルアミン系化合物Gを用いた以外は、比較例7と同様にして、比較例9のコンデンサを形成した。
誘電体層として実施例16のα−NPDを用いた以外は、比較例7と同様にして、比較例10のコンデンサを形成した。
上記の実施例1〜16、および比較1〜10のコンデンサについて、その比誘電率を室温環境で測定した。比誘電率は、インピーダンスアナライザー(YHP4192A)により測定した。1kHzにおける比誘電率をまとめて表2に示す。また、実施例1の誘電体層の表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を図2に示す。
21a、21b、:電極層
30:誘電体層
31:絶縁性有機物
32:金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物
Claims (8)
- 絶縁性有機物と、該絶縁性有機物の中の金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物とを含んでなり、該金属微粒子の仕事関数が該絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位であるか、又は該金属微粒子若しくは該電荷トラップとなる有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力が該絶縁性有機物のイオン化ポテンシャルと電子親和力との間のエネルギー準位である誘電体。
- 上記金属微粒子及び/又は上記電荷トラップとなる有機物が、上記絶縁性有機物中に分散されているか、又は、上記金属微粒子及び/又は上記電荷トラップとなる有機物の層が、上記絶縁性有機物の層で挟まれる請求項1に記載の誘電体。
- 上記絶縁性有機物が、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートとキノメタン系化合物とトリフェニルアミン系化合物とピリドン系化合物とポリスチレンとポリビニルカルバゾールとα−NPDとTPDとAlq3とCBPとからなる一群から選ばれる請求項1又は請求項2に記載の誘電体。
- 上記絶縁性有機物が、2−アミノ−4,5−イミダゾールジシアネートと、トリフェニルアミン系化合物と、α−NPDとからなる一群から選ばれ、かつ上記電荷トラップとなる有機物が、ピリドン系化合物と、フタロシアニン類と、α−6Tとからなる一群から選ばれる請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の誘電体の層とこれを挟む2つの電極を含んでなるコンデンサ。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の誘電体を絶縁性有機物の層で挟み、さらに電極で挟んでなるコンデンサ。
- 電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性有機物と金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物の混合液を塗布し乾燥するステップと、乾燥した塗布膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造方法。
- 電極薄膜を形成するステップと、形成された電極薄膜上に絶縁性有機物と金属微粒子及び/又は電荷トラップとなる有機物を共蒸着するステップと、共蒸着により形成された膜に電極薄膜を形成するステップを含むコンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003186228 | 2003-06-30 | ||
JP2003186228 | 2003-06-30 | ||
JP2004123649 | 2004-04-20 | ||
JP2004123649 | 2004-04-20 | ||
PCT/JP2004/009139 WO2005001851A1 (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005001851A1 true JPWO2005001851A1 (ja) | 2006-11-16 |
JP4505823B2 JP4505823B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=33554479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005511076A Expired - Fee Related JP4505823B2 (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | コンデンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060256503A1 (ja) |
EP (1) | EP1640998A4 (ja) |
JP (1) | JP4505823B2 (ja) |
WO (1) | WO2005001851A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7388248B2 (en) * | 2004-09-01 | 2008-06-17 | Micron Technology, Inc. | Dielectric relaxation memory |
DE102004052266A1 (de) * | 2004-10-27 | 2006-06-01 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Analogschaltung in Schaltkondesatortechnik sowie Verfahren zu deren Herstellung |
CN100517016C (zh) * | 2005-10-27 | 2009-07-22 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光源与背光模组 |
KR20130018644A (ko) | 2009-12-16 | 2013-02-25 | 애프리콧 머티어리얼즈 테크놀로지스, 엘엘씨 | 3-차원의 높은 표면 영역 전극을 갖는 캐패시터 및 제조 방법 |
US8929054B2 (en) | 2010-07-21 | 2015-01-06 | Cleanvolt Energy, Inc. | Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods |
EP2596508B1 (en) * | 2010-07-21 | 2024-05-22 | Cleanvolt Energy, Inc. | Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods |
US8885322B2 (en) * | 2010-10-12 | 2014-11-11 | Apricot Materials Technologies, LLC | Ceramic capacitor and methods of manufacture |
CN105283926B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-05-10 | 克林伏特能源有限公司 | 利用有机和有机金属高介电常数材料改进能量存储设备中的电极和电流及其改进方法 |
TWI641009B (zh) * | 2017-10-13 | 2018-11-11 | 鈺邦科技股份有限公司 | 多層式堆疊結構的製作設備以及薄膜電容器的製作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57160115A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrostatic capacitance element |
JPH05267091A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層薄膜コンデンサの製造方法 |
JPH07106181A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Towa Electron Kk | 導体、誘電体混合型コンデンサ |
JPH07226334A (ja) * | 1994-02-09 | 1995-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427264A (en) * | 1966-02-07 | 1969-02-11 | Exxon Research Engineering Co | Metal-filled plastics comprising a styrene polymer and an elastomer |
JPS5250053B2 (ja) * | 1974-06-19 | 1977-12-21 | ||
JPS5412500A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film material providing high electrostatic capacitance |
JPS54163399A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Matsushita Electric Works Ltd | High dielectric composition |
JPS54163400A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Matsushita Electric Works Ltd | High dielectric composition |
JPS556755A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-18 | Matsushita Electric Works Ltd | High dielectric composition |
JPS5869252A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 誘電体フイルムおよびその製造方法 |
JPS61206229U (ja) * | 1985-06-15 | 1986-12-26 | ||
JPH03284813A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-12-16 | Fujikin Sofuto Kk | コンデンサ |
DE4011580A1 (de) * | 1990-04-10 | 1991-10-17 | Feldmuehle Ag | Herstellung von materialien mit verbesserten dielektrischen eigenschaften |
KR100533097B1 (ko) * | 2000-04-27 | 2005-12-02 | 티디케이가부시기가이샤 | 복합자성재료와 이것을 이용한 자성성형재료, 압분 자성분말성형재료, 자성도료, 복합 유전체재료와 이것을이용한 성형재료, 압분성형 분말재료, 도료, 프리프레그및 기판, 전자부품 |
-
2004
- 2004-06-29 EP EP04746608A patent/EP1640998A4/en not_active Withdrawn
- 2004-06-29 JP JP2005511076A patent/JP4505823B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-29 WO PCT/JP2004/009139 patent/WO2005001851A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-06-29 US US10/562,419 patent/US20060256503A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57160115A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrostatic capacitance element |
JPH05267091A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層薄膜コンデンサの製造方法 |
JPH07106181A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Towa Electron Kk | 導体、誘電体混合型コンデンサ |
JPH07226334A (ja) * | 1994-02-09 | 1995-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1640998A4 (en) | 2007-02-28 |
WO2005001851A1 (ja) | 2005-01-06 |
US20060256503A1 (en) | 2006-11-16 |
EP1640998A1 (en) | 2006-03-29 |
JP4505823B2 (ja) | 2010-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2022190123A (ja) | パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法 | |
US10395841B2 (en) | Multilayered electrode and film energy storage device | |
KR100935263B1 (ko) | 베이스 금속 전극 위의 금속 산화 세라믹 박막 장치 및 그 장치를 포함하는 커패시터의 형성 방법 | |
Hwang et al. | Stable Solution‐Processed Molecular n‐Channel Organic Field‐Effect Transistors | |
EP1335392B1 (en) | Ceramic electronic device and method of manufacturing the device | |
US20040130849A1 (en) | Layer capacitor element and production process as well as electronic device | |
JP4505823B2 (ja) | コンデンサ | |
Lin et al. | A bipolar host containing carbazole/dibenzothiophene for efficient solution-processed blue and white phosphorescent OLEDs | |
KR20120092575A (ko) | 전이 금속 화합물 함유 나노 입자 및 그 제조 방법, 정공 주입 수송층용 잉크, 및 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스 및 그 제조 방법 | |
KR20110008196A (ko) | 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스, 및 그 제조 방법, 및 정공 주입 수송층 형성용 잉크 | |
US7453144B2 (en) | Thin film capacitors and methods of making the same | |
JP2009026730A (ja) | 電子デバイスの製造方法及びその製造方法に適した塗布液 | |
US6480370B1 (en) | Polymeric dielectric material for high-energy density capacitors | |
JP2009010114A (ja) | 誘電体薄膜キャパシタ | |
US20060099803A1 (en) | Thin film capacitor | |
CN104769154B (zh) | 制造多层半导体组件的方法及由该方法制造的半导体组件 | |
US10629373B2 (en) | Thin film capacitor | |
US7011726B1 (en) | Method of fabricating thin dielectric film and thin film capacitor including the dielectric film | |
US6891190B2 (en) | Organic semiconductor device and method | |
KR100806789B1 (ko) | 에스아이피 반도체 장치의 제조 방법 | |
CN104638197A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN117979708A (zh) | 聚合物复合修饰层的柔性薄膜晶体管及其制造方法 | |
Abothu et al. | Processing, properties and electrical reliability of embedded ultra-thin film ceramic capacitors in organic packages | |
JP2001110670A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
CN104638143A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060724 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060914 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100402 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100415 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |