JPWO2004108283A1 - 光触媒部材 - Google Patents

Abstract

本発明は、熱処理を行わなくても実用に値する光触媒部材を提供することを目的とする。本発明の光触媒部材は、基材表面に下地層を介して光触媒層が形成されたものである。前記下地層は結晶性ジルコニウム化合物、とりわけ単斜晶系ジルコニウム化合物を主成分とし、前記光触媒層は結晶相から構成され、例えば正方晶系酸化チタンを主成分とする。そして、前記基材は耐熱性の低い要素を含むものである。

Description

本発明は、建築用ガラス，自動車用ガラス，ディスプレイ用ガラス，バイオチップ，ケミカルチップ，電子デバイス，光デバイス，ガラス繊維，ガラスフレークなどに関するものであり、特に、防汚，親水，防曇，有機物分解などの目的でこれらに光触媒を適用する応用分野に関する。

アナターゼ型の酸化チタンなどの光触媒は紫外線の照射によって有機物を分解する防汚効果、抗菌性および親水性を発揮することが知られている。また最近では可視光によって触媒機能を発揮する光触媒も注目されている。

酸化チタンの膜を形成し、その触媒活性を向上させる手段として、膜を形成する際、あるいは膜を形成した後に、大気中あるいは真空中などで熱処理を施すことにより、その結晶性などを向上させ光触媒活性を高めて実用に値する物とすることが開示されている。

特許第２５１７８７４号公報（第２頁〜第４頁）。

しかしながら、このような熱処理を実施すると、光触媒の性能は向上するものの、その基材となっている材料や、その基材に既に形成されている別の機能性膜などが、この熱により変形や酸化、コロイド化などを起こし、その形状や光学特性などが劣化してしまうという問題がある。

特に樹脂基板や樹脂フィルム、耐熱性の低いガラスやその他の材料、また一般的に耐熱性の低い、銀などの材料を用いた熱線反射膜（いわゆるＬｏｗ−Ｅ膜）などは熱処理の影響を受けやすく、これらを具備した基材に実用的な光触媒層を形成する場合に特に問題があった。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、熱処理を行わなくても実用に値する光触媒部材を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明者らは熱処理を施さなくても高活性な光触媒層を得る手段を鋭意検討した。その結果、ある特定の下地層上に光触媒層を形成することで、一貫して低温のプロセスであっても、高活性な光触媒層が得られることを発見した。具体的には耐熱性の低い要素を含む基材に結晶性ジルコニウム化合物、とりわけ単斜晶系ジルコニウム化合物を主成分とする下地層を非加熱で成膜し、その後結晶相から構成される酸化チタンを主成分とする光触媒層が非加熱で形成される。

上記基材は、耐熱性の低いガラス、耐熱性の低い金属、樹脂基体、樹脂フィルム、有機無機複合体基体などを用いてもいいし、非耐熱性薄膜を有するものでもよい。本発明は７００℃以下の耐熱温度の基材に適用できるが、特に、本発明の効果が享受できる５００℃以下、さらには、従来技術では高活性な光触媒層の形成が困難となる３００℃以下の耐熱温度の基材に有効に適用できる。なお耐熱温度とは、この温度で３０分間大気中にて熱処理し、光学透過率，反射率，形状に５％以上の変化がない上限温度をさす。

また、上記非耐熱性薄膜としては、例えば、銀を使用した熱線反射膜、若しくは誘電体層／銀層／誘電体層の積層膜を使用した熱線反射膜、若しくは誘電体層／銀層／誘電体層／銀層／誘電体層の積層膜を使用した熱線反射膜等が挙げられる。
上記積層膜を形成するに当たり、後の工程で生じるプラズマから銀層を保護するために、銀層の成膜直後にＺｎ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｎｂなどからなる犠牲層を設けてもよい。

また、本発明に係る光触媒部材は、基材表面に珪素、錫の少なくとも一方を含む酸化物、酸窒化物、及び窒化物を主成分とする剥離防止層を設けることができる。この剥離防止層の上に結晶性の下地層を介して光触媒層が形成され、更に上記下地層と光触媒層との間にはデッドレイヤー（柱状粒子構造が認められないアモルファス層）が実質的に存在しない構成である。なお、上記の剥離防止層の厚みは２ｎｍ〜２００ｎｍであり、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍである。剥離防止層の厚みが２ｎｍより薄いと、膜剥離や欠点の発生の抑制効果が充分ではなく好ましくない。またこれが２００ｎｍより厚くなっても、前記膜剥離や欠点の発生の抑制効果が大きく向上することはないので、経済的観点から、剥離防止層の厚みの上限は２００ｎｍが好ましい。剥離防止層の厚みが５ｎｍより厚いと、水に対する遮断効果がより大きくなり、より好ましい。また５０ｎｍを超えると、非晶質膜の応力が大きくなり、剥離しやすいので、剥離防止層の厚みのさらに好ましい上限は５０ｎｍである。

また、本発明に係る光触媒部材の一形態は、基材表面に結晶性の下地層を介して光触媒層が形成され、また、基材はフロートガラス法で作製したガラス基板であり、かつこのガラス基板の非耐熱性薄膜を含む面または、その面とは反対側の面の上に前記下地層が設けられる。

結晶性の下地層を設けることによって、光触媒層の結晶性を向上させることができ、光触媒層表面を高速に超親水化することができる。さらに、基材と結晶性下地層との間に剥離防止層を設けることによって、基材からの下地層の剥離や欠点の発生を抑制することができる。

上記剥離防止層は、表面からの塩素イオンや水分を遮断し、これらイオンや分子がガラス基板（基材）まで到達するのを防ぎ、基板からの下地層の剥離を抑制できる。また、外界からの炭酸ガスや水分とガラス基板のアルカリ成分とが反応して、ヤケや欠点となるのを防ぐことができる。

上記光触媒層の厚みは１ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましい。１ｎｍより薄いと膜の連続性が悪く光触媒活性が十分でなく、１０００ｎｍより厚いと光触媒膜の奥まで励起光（紫外線）が届かず、膜厚を大きくしてももはや光触媒活性は大きくならない。特に、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲では下地層の効果が大きく観測される。即ち、同じ膜厚で比較した場合、下地層がない場合よりも光触媒活性が大きく観察されたので、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が更に好ましい。

光触媒層の厚みを１ｎｍ〜１０００ｎｍと薄くしても、光触媒層を構成する粒子が下地層との界面から光触媒層表面まで連続的に形成されていれば、結晶成長が進んでおり、光触媒活性を十分に発揮できる。

光触媒層を構成する粒子の基板と平行な方向の幅は５ｎｍ以上であることが好ましい。これは粒子幅が５ｎｍより小さいと結晶性が低く、光触媒活性が十分でないことによる。

下地層としては、前記単斜晶系酸化ジルコニウムの他、窒素が微量添加された酸化ジルコニウム、酸窒化ジルコニウム、ニオブ（Ｎｂ）を０．１〜１０ａｔｍ％添加した酸化ジルコニウムが好ましく用いられる。特にニオブを添加したターゲットを用いてスパッタする場合には、アーキングの発生とそのための不本意なパワー制御及びそれによる成膜レートの低下を防止できる。

また、光触媒層としては正方晶系酸化チタンが好ましく用いられるが、特にアナターゼ型酸化チタンは光触媒活性が高いので好ましく用いられる。アナターゼ型酸化チタンの他、ルチル型酸化チタン、チタンと錫の複合酸化物、及びチタンと錫の混合酸化物、窒素が微量添加された酸化チタンや、酸窒化チタンが好ましく用いられる。

下地層の厚みは、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍより薄いと下地層の膜としての連続性がなくなり、島状になり耐久性が低下するので好ましくない。更に５００ｎｍより厚くても、光触媒層への影響はあまり変わらないので、膜厚を大きくすることが、経済的な無駄となり好ましくない。さらに好ましい下地層の厚みは２〜５０ｎｍである。２ｎｍより薄いと、下地層の結晶性が低く、光触媒層の結晶成長促進効果が小さい。５０ｎｍより厚いと、膜厚変動に対する光学的特性（色調、反射率）の変動が大きくなるので、好ましくない。

上記非耐熱性薄膜、下地層および光触媒層の形成方法としては、液相法（ゾルゲル法、液相析出法、スプレー法、パイロゾル法）、気相法（スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法）など、何れの方法でも良く、下地層による光触媒層の結晶性向上効果が認められるが、結晶成長を伴うので、本発明において特に大きな効果が認められるスパッタリング法や蒸着法などの気相法がさらに適当である。

また、上記光触媒層の表面に親水性を有する薄膜を形成することで親水効果を高めることができる。親水性を有する薄膜は、酸化珪素、酸化ジルコニウム、酸化ゲルマニウム、酸化アルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物が好ましい。これらのうち酸化珪素が、親水性向上効果と耐久性の観点から、さらに好ましく用いられる。親水性を有する薄膜は、多孔質状であることが好ましい。多孔質状であることで、保水効果が高まり、親水性の維持性能が高まるばかりでなく、紫外線照射によって光触媒層表面で発生した活性酸素等の活性種が孔を通って物品の表面まで到達できるので、光触媒層の光触媒活性を大きく損なうことがないからである。

多孔質状の親水性薄膜を形成する方法としては、液相法（ゾルゲル法、液相析出法、スプレー法、ゾルゲル法）や気相法（スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法）が用いられる。一般に知られているゾルゲル法を適用すれば、多孔質状の薄膜が簡単に作製できるが、ゾルゲル法の原料液中に有機高分子や高級アルコールを添加することで、さらに容易に多孔質の薄膜を得ることができる。スパッタリング法などの気相法では、スパッタ時のガス圧を上げる、ガス中の酸素の量を減らす等、酸化物のダングリングボンドを増やすように成膜条件を調整することで、多孔質状の薄膜を作製することができる。

上記親水性を有する薄膜の厚みは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍより薄いと、親水性の付与が十分でなく、３０ｎｍより厚いと光触媒層の光触媒活性を損なうので、好ましくない。また、この厚みのさらに好ましい範囲は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。この範囲で、光が当らない時の親水性維持性能が高い。

ジルコニウム化合物下地層を、特に減圧雰囲気中で蒸着法やスパッタリング法などにて成膜する場合、低温であってもそれ自体が単斜晶系をはじめとする結晶性の薄膜となる。この結晶性の下地層がその上に形成される酸化チタンをはじめとする光触媒の膜の成長に対し、１種のシード（種）層の役割を果たすため、加熱しなくても、結晶性の高い光触媒層が容易に得られる。光触媒層として酸化チタンを用いた場合、アナターゼ型結晶に成長する場合が多く、この方法により非常に高活性な光触媒層を非加熱で得ることができる。

このように、本発明によれば、非加熱で、高い光触媒活性を有する光触媒層を耐熱性の低い基材上や薄膜上にも形成することができ、耐熱性の低い部材との組み合わせも可能となる。また、均一加熱や、加熱冷却時の破損抑制が難しいガラスをはじめとする大きなサイズの基材への成膜にも適用できる。

以上に説明したように本発明によれば、基材表面に結晶性ジルコニウム化合物を主成分とした下地層を介して光触媒層が形成され、前記下地層が前記光触媒層の結晶性を高め、光触媒活性を向上させるので、光触媒層形成後の熱処理が不要となる。よって建築用の窓ガラス，ディスプレイ用ガラス板，ＤＮＡ分析用のガラス基板，情報携帯機器，衛生設備，医療設備，電子機器，生体・医療用の検査チップ，水素・酸素発生装置用材料などのあらゆる部材に対して、特に耐熱性が低い部材に高い光触媒活性及び防汚性を付与することができ、これまで容易に得ることができなかった非耐熱性部材と高い光触媒活性を有する光触媒層の組み合わせも可能となる。

また、均一加熱や、加熱冷却時の破損抑制が難しいガラスをはじめとする大きなサイズの基材への製膜にも適用できる。

［図１］本発明に係る光触媒部材の具体例の断面図
［図２］本発明に係る光触媒部材の具体例の断面図
［図３］本発明に係る光触媒部材の具体例の断面図

以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１乃至図３は本発明に係る光触媒部材の具体例を示す断面図であり、図１に示す具体例では、基材であるガラス板表面に形成された非耐熱性薄膜とは反対の面の表面に下地層として単斜晶系ＺｒＯ_２層を形成し、更にその上に光触媒層として結晶性のＴｉＯ_２層を形成している。なお、図示しないが、基板と下地層との間に剥離防止層を形成してもよいし、結晶性のＴｉＯ_２層の上に親水性を高めるために多孔質状のＳｉＯ_２層を形成してもよい。

図２に示す具体例では、基材であるガラス板表面に、非耐熱性薄膜、下地層としての単斜晶系ＺｒＯ_２層、光触媒層として結晶性のＴｉＯ_２層をこの順番で形成している。なお、図示しないが、基板と下地層との間に剥離防止層を形成してもよいし、結晶性のＴｉＯ_２層の上に親水性を高めるために多孔質状のＳｉＯ_２層を形成してもよい。

図３に示す具体例では、非耐熱性の基材である基板表面に下地層として単斜晶系ＺｒＯ_２層を形成し、この単斜晶ＺｒＯ_２層の上に更に光触媒層として結晶性のＴｉＯ_２層を形成している。なお、図示しないが、基板と下地層との間に剥離防止層を形成してもよいし、結晶性のＴｉＯ_２層の上に親水性を高めるために多孔質状のＳｉＯ_２層を形成してもよい。

上記非耐熱性薄膜、ＺｒＯ_２層、ＴｉＯ_２層及びＳｉＯ_２層はスパッタリング法で形成される。非耐熱性薄膜としては、誘電体層／銀層／誘電体層／銀層／誘電体層のような多層膜が例示される。

以下の表１及び表２には、実施例１〜４の非耐熱性薄膜と、下地層、光触媒層及び剥離防止層の構成、光触媒特性および光学特性の評価結果をまとめた。なお、比較として、比較例１〜６の熱処理工程と、光触媒層及び剥離防止層の形成方法、光触媒特性及び光学特性の評価結果も示している。

インライン型マグネトロンスパッタリング装置を用いて、縦１ｍ×横１ｍ、厚さ３ｍｍのソーダライムガラス基板上に、酸化亜鉛層と銀層を交互に積層し、基板／酸化亜鉛層４０ｎｍ／銀層１０ｎｍ／酸化亜鉛層８０ｎｍ／銀層１０ｎｍ／酸化亜鉛層４０ｎｍの構成の多層膜を形成した。酸化亜鉛層は、アルミニウムを添加した酸化亜鉛ターゲットを用い、また銀層は銀ターゲットを用い、それぞれ、減圧アルゴン雰囲気中、非加熱にて形成した。この酸化亜鉛と銀の多層膜は熱線反射機能を有するが耐熱性は低く、前記定義の耐熱温度は１５０℃であり、この耐熱温度を越える温度に曝されると銀が凝集して黒化してしまう。

次に上記工程と連続して同じインライン型マグネトロンスパッタリング装置内の後段のチャンバー内（アルゴンと酸素の等量混合雰囲気、０．９３Ｐａ）で、このソーダライムガラス基板の上記酸化亜鉛と銀の多層膜（非耐熱性薄膜）とは反対側の面に、酸化珪素層５ｎｍ／単斜晶系酸化ジルコニウム層５ｎｍ／アナターゼ型酸化チタン層５ｎｍをこの順で形成した。それぞれの膜は、珪素ターゲット、ジルコニウムターゲット、チタンターゲットを用いて、非加熱の反応性スパッタリング法により形成した。

これによりソーダライムガラス基板の片面に酸化亜鉛と銀の多層膜からなる熱線反射膜が、その反対面に光触媒層が形成された非耐熱性機能を有する光触媒ガラスを得た。この際、加熱工程を一切経なかったので、銀の凝集は起こらず、可視光透過率の高い物品が得られた。可視光透過率の測定結果を表１に示す。可視光透過率は、Ｄ６５光源を使用して、ＪＩＳ Ｒ３１０６記載の「板ガラス類の透過率・反射率・放射率・日射熱取得率の試験方法」に準じて測定した。

また、光触媒層の光触媒活性を、親水性化性能の指標で評価した。光触媒層の成膜後、光の当らない暗所に多層膜物品を１４日間放置し、大気中のハイドロカーボンを表面に堆積させ、表面の親水性を低下させた。その後、ブラックライトを用いて、酸化チタン層表面に１ｍＷ／ｃｍ^２強度の紫外線を１時間照射し、照射後の水滴接触角にて、以下の評価を行なった。

上記物品の酸化チタン層の光触媒活性を評価した結果、良好な性能を示した。

このソーダライムガラス基板の熱線反射膜が形成された側を内側として、別のソーダライムガラスとこのガラスとにより、複層ガラス加工処理を施し、屋外側ガラスの内面に熱線反射膜が、屋外側ガラスの外面に光触媒防汚膜が形成された防汚機能つき熱線反射型複層ガラスを得た。

インライン型マグネトロンスパッタリング装置を用いて、縦１ｍ×横１ｍ、厚さ３ｍｍのアクリル樹脂基板上に、単斜晶系酸化ジルコニウム層１０ｎｍ／アナターゼ型酸化チタン層２０ｎｍを形成した。それぞれの膜は、ジルコニウムターゲット、チタンターゲットを用いて、アルゴンと酸素の等量混合雰囲気（０．９３Ｐａ）中、非加熱の反応性スパッタリング法により形成した。

アクリル樹脂は、耐熱性が低く前記定義の耐熱温度は２３０℃である。この温度より高い温度に曝されると黄色に着色する。上記光触媒層成膜工程では、加熱工程を一切使用しなかったので、アクリル樹脂基板は黄変せず、成膜前後のアクリル樹脂の光学特性は全く変化しなかった。

この非耐熱性の光触媒ガラス基板は、ディスプレイ用基板として用いることができる。

インライン型マグネトロンスパッタリング装置を用いて、縦１ｍ×横１ｍ、厚さ３ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム基板上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層と銀層を交互に積層し、基板／ＩＴＯ層４５ｎｍ／銀層１０ｎｍ／ＩＴＯ層４０ｎｍの構成の多層膜を得た。ＩＴＯ層はＩＴＯターゲットを用い、また銀層は銀ターゲットを用い、減圧アルゴン雰囲気中、非加熱にて形成した。このＩＴＯと銀の多層膜は熱線反射機能を有するが耐熱性は低く、前記定義の耐熱温度は１５０℃であり、この耐熱温度を越える温度に曝されると銀が凝集して黒化してしまう。また、ＰＥＴフィルム自体も、耐熱温度は１８０℃であり、この温度を越えると軟化変形が著しい。

次に上記工程と連続して同じインライン型マグネトロンスパッタリング装置内の後段のチャンバー内（アルゴンと酸素の等量混合雰囲気、０．９３Ｐａ）で、このＩＴＯと銀の多層膜の上に、単斜晶系酸化ジルコニウム層１０ｎｍ／アナターゼ型酸化チタン層１０ｎｍをこの順で形成した。それぞれの膜は、ジルコニウムターゲット、チタンターゲットを用いて、非加熱の反応性スパッタリング法により形成した。得られた物品の酸化チタン層は非常に高い光触媒活性を有していた。

ＰＥＴフィルム基板及び銀層は、耐熱性の低い要素を含むが、前記成膜工程では、加熱工程を一切使用しなかったので、これらの劣化は認められず、光学特性が良好な物品が得られた。
この光触媒基板は、電磁遮蔽機能を有する防汚フィルムとして用いることができる。

インライン型マグネトロンスパッタリング装置を用いて、縦１ｍ×横１ｍ、厚さ１ｍｍの薄板ソーダライムガラス基板上に、酸化珪素層１０ｎｍ／単斜晶系酸化ジルコニウム層１０ｎｍ／ニオブドープアナターゼ型酸化チタン層１０ｎｍを形成した。酸化珪素層及び単斜晶系酸化ジルコニウム層は、それぞれ珪素ターゲット、ジルコニウムターゲットを用いて、アルゴンと酸素の等量混合雰囲気（０．９３Ｐａ）中で、非加熱の反応性スパッタリング法にて形成した。また、Ｎｂドープアナターゼ型酸化チタン層は、チタン−ニオブ酸化物ターゲットを用いて、アルゴン雰囲気（０．９３Ｐａ）中で、非加熱のスパッタリング法にて形成した。得られた物品のニオブ酸化チタン層は良好な光触媒活性を有していた。

厚さ１ｍｍの薄板ソーダライムガラス基板は、高温に曝されると変形し易く、前記定義での耐熱温度は５００℃である。前記成膜では、加熱工程を経ることがないので、成膜前後で基板の変形は全く認められなかった。
この光触媒基板は、バイオケミカルチップとして用いることができる。

（比較例１）
酸化ジルコニウム層を形成しなかった以外は、実施例１と同じ条件にて各膜の成膜を行なった。得られた物品は、可視光透過率が７３％と高く優れていたが、一方で酸化チタン層の光触媒活性の評価は「×」となった。

（比較例２）
比較例１の物品を、大気中にて４００℃で３０分間加熱し、酸化チタン膜の熱処理を行なった。この熱処理後、光触媒活性の評価は「○」となったが、熱線反射膜の銀が凝集して可視光透過率が低下した（加熱前７３％から、加熱後５４％に低下）。

（比較例３）
酸化ジルコニウム層を形成しなかった以外は、実施例２と同じ条件にて各膜の成膜を行なった。得られた物品の酸化チタン層の光触媒活性を評価した結果、評価は「×」であった。

（比較例４）
比較例３の物品を、大気中にて３５０℃で３０分間加熱し、酸化チタン膜の熱処理を行なった。この熱処理後、光触媒活性の評価は「○」となったが、基板のアクリル樹脂が黄変して可視光透過率が低下した（加熱前９２％から、加熱後７５％に低下）。

（比較例５）
酸化ジルコニウム層を形成しなかった以外は、実施例４と同じ条件にて各膜の成膜を行なった。得られた物品の酸化チタン層の光触媒活性を評価した結果、評価は「×」となった。

（比較例６）
比較例５の物品を、大気中にて６００℃で３０分間加熱し、酸化チタン膜の熱処理を行なった。この熱処理後、光触媒活性の評価は「○」となったが、基板が大きく変形してしまい商品として使用できないことがわかった。

Claims (18)

1. 基材表面に下地層を介して光触媒層が形成され、前記下地層は結晶性ジルコニウム化合物を主成分とし、前記光触媒層は結晶相から構成され、且つ前記基材は耐熱性の低い要素を含むことを特徴とする光触媒部材。
2. 前記結晶性ジルコニウム化合物は単斜晶系酸化ジルコニウム結晶を含むことを特徴とする請求項１に記載の光触媒部材。
3. 前記基材は、耐熱性の低いガラスであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光触媒部材。
4. 前記基材は、樹脂基体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光触媒部材。
5. 前記基材は、樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光触媒部材。
6. 前記基材は、有機無機複合体基体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光触媒部材。
7. 前記基材は、耐熱性の低い金属であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光触媒部材。
8. 前記基材は非耐熱性薄膜を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光触媒部材。
9. 前記非耐熱性薄膜は、銀を使用した熱線反射膜であることを特徴とする請求項８に記載の光触媒部材。
10. 前記非耐熱性薄膜は、誘電体層／銀層／誘電体層の積層膜を使用した熱線反射膜であることを特徴とする請求項９に記載の光触媒部材。
11. 前記非耐熱性薄膜は、誘電体層／銀層／誘電体層／銀層／誘電体の積層膜を使用した熱線反射膜であることを特徴とする請求項９に記載の光触媒部材。
12. 前記基材は、耐熱温度が７００℃以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光触媒部材。
13. 前記基材は、耐熱温度が５００℃以下であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光触媒部材。
14. 前記光触媒層はチタン化合物を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光触媒部材。
15. 前記チタン化合物は正方晶系酸化チタンであることを特徴とする請求項１４に記載の光触媒部材。
16. 前記チタン化合物はアナターゼ型酸化チタンであることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の光触媒部材。
17. 前記非耐熱性薄膜と下地層と光触媒層とが気相法にて形成されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光触媒部材。
18. 前記気相法はスパッタリング法であることを特徴とする請求項１７に記載の光触媒部材。

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