JPWO2003081606A1 - 導電性粒子および接着剤 - Google Patents

導電性粒子および接着剤 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2003081606A1
JPWO2003081606A1 JP2003579233A JP2003579233A JPWO2003081606A1 JP WO2003081606 A1 JPWO2003081606 A1 JP WO2003081606A1 JP 2003579233 A JP2003579233 A JP 2003579233A JP 2003579233 A JP2003579233 A JP 2003579233A JP WO2003081606 A1 JPWO2003081606 A1 JP WO2003081606A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
film
conductive
thin film
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003579233A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4190424B2 (ja
Inventor
山田 幸男
幸男 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Chemicals Corp filed Critical Sony Chemicals Corp
Publication of JPWO2003081606A1 publication Critical patent/JPWO2003081606A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4190424B2 publication Critical patent/JP4190424B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0221Insulating particles having an electrically conductive coating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0233Deformable particles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991Coated
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991Coated
    • Y10T428/2998Coated including synthetic resin or polymer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

多様な被着体の接続に用いることができる導電性粒子30を提供するものであり、導電性粒子30は、樹脂粒子31と、樹脂粒子31の周囲に配置された第1の導電性粒子と、その周囲に配置され、樹脂粒子31よりも柔らかい第1の樹脂被膜25と、その周囲に配置された第2の導電性薄膜36とを有しており、接続する被着体の例えば電極13の表面部分が硬い場合は、押圧によって第1の樹脂被膜35と第2の導電性薄膜36とが破壊され、第2の導電性薄膜36が電極13と金属配線17に接触する。電極13の表面部分が柔らかい場合は、表面側の第2の導電性薄膜が電極13に接触することによって、被着休の表面状態に係わりなく、すなわち多様な被着体の接続に用いることができるようにした。

Description

技術分野
本発明は、導電性粒子および接着剤特に導電性粒子を含有する接着剤に関する。
背景技術
被着体相互の接続、例えば半導体チップを基板上に接続するとか、テープキャリアパッケージ(Tape Carrier Package、以下TCPと略記する)と液晶表示装置(Liquid Crystal Display:以下LCDと略記する)とを接続することによって各種電気装置を製造する場合等において、その接続を、導電性粒子が含有された接着剤によって行うことが、しばしば行われるいる。
図9は、LCD111と、TCP115とが、導電性粒子130を含有する接着剤125によって貼り合されることによって構成された電気装置101の要部の概略断面図を示す。
TCP115は、ベースフィルム116と、このベースフィルム116の表面に被着形成された金属配線117とを有して成る。
LCD111は、ガラス基板からなる基板112と、この基板112の表面に、TCP115の金属配線117と対向するよう配置された電極113とを有している。
電極113と金属配線117との間には、接着剤125中の導電性粒子130が挟み込まれ、これら導電性粒子130によって、互いに対応する電極113と金属配線117とが電気的に接続され、同時に接着剤125によってLCD111とTCP115との機械的接合がなされる。
このようにして、LCD111とTCP115とが、電気的および機械的に接続される。
ところで、LCD111の電極113がアルミニウムやクロムのような酸化しやすい金属からなる場合、これら金属の自然酸化によって電極113表面には酸化薄膜が形成される。この場合、電極113表面に酸化被膜が形成された場合、導電性粒子130を、電極113と金属配線117とで挟み込んだだけでは、電気的導通の信頼性が低い。しかし、導電性粒子130として、金属粒子等の硬い粒子を用いれば、これら導電性粒子130が、加熱押圧の工程で電極113表面の酸化被膜を突き破り、導電性粒子130と電極113とが直接接触するので、電気装置101の導通部の信頼性が高くなる。
ところが、被着体であるLCD111の電極113が柔らかい場合や、電極113のパターンが微細である場合、上述したような硬い導電性粒子130を用いると、加熱押圧の工程で、基板112や金属配線117が変形、破損する場合がある。
また、金属粒子は、接着剤のバインダーに比べて線膨張係数や弾性率が小さいので、加熱押圧終了後バインダーが反発(変形回復)する際に、導電性粒子130と金属配線117との接触が離れてしまう場合がある。
このような、被着体を相互に接続するためには、図10に概略断面図を示すように、樹脂粒子141の表面に導電性薄膜142が被着された構成による導電性粒子140が用いられている。
この樹脂粒子141は、金属粒子に比べて柔らかく、接着剤中のバインダーとほぼ等しい線膨張係数を有している。
したがって、このような導電性粒子140を用いると、柔らかい被着体が破損しないだけではなく、接着剤中のバインダーと共に樹脂粒子141も変形回復するので、導電性粒子140と金属配線との接触が維持される。
しかし、このような導電性粒子140は、金属粒子からなる導電性粒子に比べ柔らかいため、被着体が硬い場合には、樹脂粒子141が押圧によって過剰に変形し、導電性薄膜142に亀裂が生じ、接続部における導通抵抗が高くなる場合がある。
また、例えば電極表面に自然酸化等による酸化被膜が生成されている場合は、導電性粒子140が、この酸化被膜を突き破ることができない場合があり、電気装置101の導通信頼性が低くなる。
このように、被着体の種類によって導電性粒子の種類を変える必要があり、同一種類の導電性粒子を多様な被着体の接続に用いることは困難であった。
発明の開示
本発明は、上述した導通抵抗が高くなったり、導通信頼性の低下の問題を解決することができるようにした導電性粒子および接着剤を提供する。
すなわち、本発明による導電性粒子は、樹脂粒子と、この樹脂粒子の周囲に配置された第1の導電性薄膜と、この第1の導電性薄膜の周囲に配置された第1の樹脂被膜と、この第1の樹脂被膜の周囲に配置された第2の導電性薄膜とを有して成るものであり、その樹脂粒子を構成する樹脂が、第1の樹脂被膜を構成する樹脂よりも硬い樹脂によって構成する。
また、本発明による接着剤は、上述した本発明による導電性粒子と、熱硬化性樹脂を有するバインダーとによって構成する。
すなわち、この接着剤における導電性粒子は、上述したように、樹脂粒子と、この樹脂粒子の周囲に配置された第1の導電性薄膜と、この第1の導電性薄膜の周囲に配置された第1の樹脂被膜と、この第1の樹脂被膜の周囲に配置された第2の導電性薄膜とを有して成るものであり、その樹脂粒子を構成する樹脂が、第1の樹脂被膜を構成する樹脂よりも硬い樹脂によって構成する。
上述した本発明による導電性粒子によれば、この導電性粒子が、被着体間に介在されて押圧された状態で、被着体が、硬い場合でも、柔らかい場合でも、確実に被着体間の接合を良好に行うことができる。
すなわち、被着体が硬い場合は、押圧によって先ず第1の樹脂被膜が変形し、この樹脂被膜上の第2の導電性薄膜が破壊されるが、更に押圧されると、第1の樹脂被膜の破壊によって第1の導電性薄膜が露呈して、この第1の導電性薄膜によって、被着体間の電気的接続がなされる。このとき、樹脂粒子は硬いので、第1の導電性薄膜は良好に被着体と接触することができる。
また、被着体が柔らかい場合は、第1の樹脂被膜の変形が殆どなされないことから、第2の導電性薄膜が破壊されることなく、これによって、被着体間の電気的接続がなされる。
そして、このような本発明による導電性粒子が用いられた本発明による接着剤は、導電性粒子が、上述したように、被着体間に両者の電気的接続を良好に行うことができると共に、バインダーとの共働によって、より良好な電気的接続と機械的接合を強固に行うことができる。
発明を実施するための最良の形態
本発明による導電性粒子は、前述したように、その基本的構成は、樹脂粒子と、この樹脂粒子の周囲に配置された第1の導電性薄膜と、この第1の導電性薄膜の周囲に配置された第1の樹脂被膜と、この第1の樹脂被膜の周囲に配置された第2の導電性薄膜とを有して成るものであり、その樹脂粒子を構成する樹脂が、第1の樹脂被膜を構成する樹脂よりも硬い樹脂によって構成する。
第1の樹脂被膜の膜厚が、樹脂粒子の直径の1/20倍以上6倍以下であり、かつ、0.1μm以上の導電性粒子とすることが望ましい。
これは第1の樹脂被膜の膜厚が、樹脂粒子の直径の1/20未満では、被着体が例えば電極の表面に硬い高抵抗の酸化膜を持たない被着体に対する接続において、変形が不足し、接続の信頼性を低下するおそれが生じ、また、樹脂粒子の直径の6倍を越えるときは、上述した酸化膜等を持つ場合において、第1の樹脂被膜を突き破れず、第1の導電性膜と被着体との接触不良を発生するおそれが生じることによる。
また、第2の導電性薄膜の膜厚は、0.05μm以上0.3μm以下とし得る。
これは、この膜厚が、0.05μm未満では、第2の導電性薄膜の抵抗が高くなるおそれがあり、また、0.3μmを越えると凝集が生じ易くなり、第1の樹脂被膜における安定した動作を阻害するおそれが生じることによる。
また、第2の導電性薄膜の周囲には、更に第2の樹脂被膜が形成された構成とすることができる。
上述した第1および第2の導電性薄膜は、ニッケルまたは金のいずれか一方または両方によって構成することができる。
また、これら第1および第2の導電性薄膜は、ニッケル被膜と、その表面に形成された金被膜とによって構成することができる。
上述した導電性粒子において、第1および第2の導電性薄膜は、第1の導電性薄膜の重量と、第2の導電性薄膜の重量との合計が、導電性粒子全体の重畳の40%以上であり、かつ、第1の導電性薄膜の膜厚が、樹脂粒子の直径の1/100以上1/2以下とされ、第2の導電性薄膜の膜厚が、0.05μm以上0.3μm以下の構成とすることができる。
これは、第1および第2の導電性薄膜が、導電性粒子全体の重畳の40%未満では、上述した酸化膜が生成された電極に対しての電気的接続の信頼性が充分得られないこと、また第1の導電性薄膜の膜厚が、樹脂粒子の直径の1/100未満では、第1の導電性薄膜の抵抗が大きくなること、そして、1/2を越えるとこの第1の導電性薄膜を例えばメッキ等によって形成する場合に凝集が発生するおそれが生じてくることによる。
また、第1の導電性薄膜の、第1の樹脂被膜が形成された側の表面には、凸部が形成された構成とすることができる。
この凸部は、各導電性粒子に1個以上とすることによって、目的とする電気的接続に当たって導電性粒子が被着体の例えば電極に対して凸部を介在させて押圧されることから、確実に凸部の機能、例えば電極表面の硬い酸化物を突き破る効果をもって、電気的接続を行わしめることができる。
そして、この凸部は、平均個数が5個以上とすることが、より好ましいものである。
そして、この凸部の平均高さは、0.05μm以上の導電性粒子とし得る。
また、本発明による接着剤は、熱硬化性樹脂を有するバインダーと、上述した本発明による導電性粒子とが分散された構成とする。
本発明による導電性粒子の樹脂粒子を構成する樹脂の10%圧縮変形時のK値は、第1の樹脂被膜を構成する樹脂の10%圧縮変形時のK値よりも大きく、かつ、樹脂粒子を構成する樹脂の破壊強度は、第1の樹脂被膜を構成する樹脂の破壊強度よりも大きい。したがって、樹脂粒子は第1の樹脂被膜よりも硬い。
尚、K値とは、特公平7−95165号公報に記載されているように、測定目的物質(樹脂粒子の樹脂、または、第1の樹脂被膜の樹脂)の10%圧縮変形時における圧縮弾性率であり、下記式(1)によって表される。
K=(3/√2)・F・S−3/2・R−1/2(単位:kgf/mm
・・・(1)
この式(1)中のFは、測定目的物質の10%圧縮変形時における荷重値(kgf)を、Sは測定目的物質の10%圧縮変形時における圧縮変形(mm)を、Rは測定目的物質の半径(mm)をそれぞれ示している。
また、本発明で破壊強度とは、島津製作所(株)社製の微小圧縮試験機を用い、測定試料に設定荷重まで付加を与えたときに、測定試料が破裂(圧裂)したときの荷重(単位、gf)のことである。
そして、本発明による導電性粒子を、被着体間例えば電極間に配置し、被着体を押圧した場合、導電性粒子のうち、柔らかい第1の樹脂被膜が押圧によって変形する。電極の少なくとも表面部分が硬い場合には、押圧によって第1の樹脂被膜の変形が大きく、第1の樹脂被膜と、その表面に形成された第2の導電性薄膜とが破壊され、第1の導電性薄膜が各電極に接触する。
このとき、樹脂粒子は硬いので押圧による変形が小さく、樹脂粒子表面の第1の導電性薄膜は破壊されない。
また、電極表面に硬い酸化被膜が形成されている場合には、押圧によって酸化被膜が第1の導電性薄膜に突き破られ、電極と第1の導電性薄膜とが直接接触するので、得られる電気装置の導通抵抗が低くなる。
他方、少なくとも表面部分が柔らかい電極で導電性粒子を挟み込んだ場合、硬い電極の場合よりも小さい荷重で押圧を行うと、第1の樹脂被膜は変形するが、その変形の程度が少なく、第1の導電性薄膜は破壊されない。このとき、電極に掛かる荷重は、柔らかい第1の樹脂被膜によって緩和されるので、被着体や電極が変形、破壊されない。
このように、本発明の導電性粒子は多様な被着体(電極)の接続に用いることができる。
樹脂粒子のK値が100kgf/mm以上2000kgf/mm以下であり、かつ、その破壊強度が0.5gf以上10gf以下であれば、導電性樹脂粒子が電極に押圧されたときに、樹脂粒子が硬い酸化被膜を突き破ることができる。
また、第1の樹脂被膜のK値が、50kgf/mm以上500kgf/mm以下であり、かつ、その破壊強度が0.1gf以上3gf以下であれば、第1の樹脂被膜は硬い電極の場合に破壊されるが、柔らかい電極の場合に破壊されない。
尚、樹脂粒子や、第1の樹脂被膜は、加熱によって重合等の化学反応が起こらない樹脂で構成されているものであり、電極の間に導電性粒子を挟んで加熱押圧を行う場合に、樹脂粒子や第1の樹脂被膜の破壊強度やK値は変化しない。
また、第2の導電性薄膜の表面に、絶縁性の樹脂からなる第2の樹脂被膜を形成しておけば、導電性粒子が隣接する配線の両方に接触した場合でも該配線間がショートしないので、得られる電気装置の導通信頼性がより高くなる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明はこの実施の形態例に限定されるものではない。
先ず、図1の各工程における概略断面図を参照して、本発明による導電性粒子の例を、その製造方法と共に説明する。
図1Aに示すように、樹脂粒子31を作製する。
図1Bに示すように、樹脂粒子31の表面にメッキ法により第1の導電性薄膜32を被着する。この第1の導電性薄膜32の表面には複数の凸部37が点在形成されている。
図1Cに示すように、第1の導電性薄膜32の表面に、第1の樹脂被膜35を形成する。この第1の樹脂被膜35は、樹脂粒子31を構成する樹脂よりも柔らかい樹脂によって構成され、その膜厚は0.5μm以上5μm以下とされる。この第1の樹脂被膜35の膜厚は、凸部37の高さよりも大とされて、第1の導電性薄膜32の表面と、凸部37は全てこの第1の樹脂被膜35によって覆われている。
図1Dに示すように、第1の樹脂被膜35の表面にメッキ法により第2の導電性薄膜36を形成する。このようにして、本発明による導電性粒子30を構成する。
この構成を有する各導電性粒子30を、熱硬化性樹脂を主成分とするバインダー中に分散、混練して例えばペースト状の接着剤を作製する。
図2を参照して、この接着剤によって構成された接着フィルムを作製する場合の一例を説明する。
図2Aに示すように、剥離フィルム21を用意する。
図2Bに示すように、剥離フィルム21の表面にペースト状の接着剤を所定量塗布し、乾燥して、接着剤の塗布層25を形成する。このようにして、剥離フィルム21に接着剤の塗布層25が形成された接着フィルム20を構成する。
次に、図3および図4を参照して、接着フィルム20を用いてLCD11とTCP15とを接続する場合の一例を説明する。
LCD11は、図3Aに示すように、LCDが構成された基板12の表面に、TCPの金属配線と接続されるべき電極13が形成されて成る。これら電極13は、後述するTCPの金属配線に対応する位置に配置されている。
図3Bに示すように、このLCD11に、前述した接着フィルム20を、基板12の電極13が配列部分に差し渡って接着フィルム20の塗布層25を押しつける。
この状態で、図3Cに示すように、接着フィルム20の剥離フィルム21を剥離する。この剥離は、剥離フィルム21と接着剤の塗布層25との接着力が、接着剤の塗布層25の、基板12およびこの上の電極13に対する接着力に比し、十分小さいことから、接着剤の塗布層25が、電極13に密着された状態で、塗布層25を基板12上に残して、剥離することができる。
その後、図3Dに示すように、前述した接着剤の塗布層25を介してLCD11上にTCP15を載置する。
このTCP15は、ベースフィルム16上に金属配線17が形成されて成る。そして、このTCP15を、その金属配線17がこれに接続されるべき、LCD11の対応する電極13と、接着剤の塗布層25を介して対向するように重ね合せる。
この状態で、TCP15と、LCD11とを相互に押圧する。このような押圧を行いながら、加熱する。
このようにすると、図4に示すように、塗布層25が加熱軟化し、金属配線17が、この軟化塗布層25を押し退け、残留する塗布層25中の導電性粒子30が金属配線17と電極13によってこれらと接触して挟み込まれる。
このようにして、後述するように、導電性粒子30の第1の導電性薄膜32、または第2の導電性薄膜36によってTCP15の金属配線17と、LCD11の電極13とが接続され、電気装置1が構成される。そして、塗布層25中の熱硬化性樹脂が加熱によって重合され、塗布層25が硬化されることによって、LCD11とTCP15とは機械的にも接続される。
図5は、図4中、破線50で囲んで示した、導電性粒子30が金属配線17と電極13との間に挟み込まれた部分の拡大断面図である。
この状態では、導電性粒子30の第2の導電性薄膜36が、互いに対向する電極13と金属配線17の両方に接触して両者間の電気的接続がなされた状態を示している。
しかしながら、導電性粒子30による電極13と金属配線17との接続態様は、電極13の表面部分が硬い場合と、柔らかい場合とで相違する。
先ず、図6A〜図6Cを参照し、電極13の表面部分が硬い場合について説明する。
すなわち、図6においては、電極13が、硬い電極13aである場合、すなわち例えばアルミニウムより成り、表面が自然酸化されて、電極本体18aの表面に酸化被膜19aが形成された場合を示している。
この場合、酸化被膜19aは硬いので、この酸化被膜19aと金属配線17との間に挟まれた導電性粒子30の第1の樹脂被膜35は、上述した押圧によって変形し、図6Aに示すように、第1の樹脂被膜35の表面の第2の導電性薄膜36が破壊される。
更に押圧を続けると、押圧によって第1の樹脂被膜35が更に変形し、酸化被膜19a、金属配線17とそれぞれ接触する部分の膜厚が薄くなる。
第1の樹脂被膜35の薄くなった部分が、第1の導電性薄膜32によって、そして、この例におけるように凸部37が形成される場合は、より良好にに突き破られ、図6Bに示すように、第1の導電性薄膜32が、金属配線17と酸化被膜19aとの両方に接触することになる。
このとき、樹脂粒子31は硬いので、押圧による樹脂粒子31の変形の程度は小さく、樹脂粒子31とその表面の第1の導電性薄膜32とは破損せず、電極13aの酸化被膜19aが、第1の導電性薄膜32の例えば凸部37によって突き破られて図6Cに示すように、第1の導電性薄膜32が、電極本体18aと直接接触する。このようにして、金属配線17と電極本体18aとが第1の導電性薄膜32を介して電気的に接続される。
次に、図7を参照して電極13の表面部分が柔らかい電極13bである場合について説明する。この電極13bは、例えば、銅からなる電極本体18bと、電極本体18b表面に形成された金メッキ被膜19bとで構成される。
この場合、押圧によって第1の樹脂被膜35は変形するが、金メッキ被膜19bは酸化被膜19aに比べ柔らかいので、変形の程度が小さく、第1の樹脂被膜35表面の第2の導電性薄膜36も破壊されず、電極13bと金属配線17とは第2の導電性薄膜36によって電気的に接続される。
このとき、押圧によって電極13bに掛かる荷重は、第1の樹脂被膜35が変形することによって緩和されるので、電極13bが変形、破損することがない。
尚、上述した例では、導電性粒子30の表面に第2の導電性薄膜36が露出して形成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、図8で示すように、図1A〜図1Dの工程で作製した導電性粒子30の表面に、更に絶縁性の樹脂からなる第2の樹脂被膜39を被覆した導電性粒子40とすることもできる。
この導電性粒子40は、絶縁性の第2の樹脂被膜39で覆われているため、この導電性粒子40が、隣接する電極にそれぞれ接触した場合でも電極間が短絡しない。しかしながら、上述したTCP15と、LCD11との押圧による圧潰によって、金属配線17とこれに対向する電極13との間においては、この第2の樹脂被膜39が退かれて第2の導電性薄膜36が露出することによって図5におけると同様に、あるいは図6で示したと同様の動作によって第1の導電性薄膜32が、金属配線17と電極13とに接触して両者間の接続がなされる。
また、上述の例では、第1の導電性薄膜32の表面に凸部37が1個以上形成されている場合で、この場合、酸化被膜19aの破壊を効果的に行うことができるものであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、第1の導電性薄膜32の表面に、凸部が形成されない場合においても、図6で説明した動作に準じた動作を得ることができる。
また、上述した例では、剥離フィルム21上に、導電性粒子が含有された接着剤の塗布層25を形成した接着フィルム20を用いて、電気装置1を製造した場合であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、液状の接着剤を被着体表面に塗布して塗布層を形成し、この塗布層表面に他の被着体を貼り合わせても良い。
また、第1の導電性薄膜32の表面の凸部37は、メッキ法、固着法等によって構成することができる。
例えばメッキ法としては、無電解メッキ法により第1の導電性薄膜36を形成する際に、温度や液濃度などの諸条件を制御することで、第1の導電性薄膜32を形成すると同時に、その表面に凸部37を形成する方法である。
また、固着法は、第1の導電性薄膜36の表面に樹脂(例えばアクリル・スチレン樹脂)を付着させた後、Ni(ニッケル)粒子のような金属微粒子と共にハイブリダイゼーション装置で攪拌し、第1の導電性薄膜36の表面に樹脂を介して金属微粒子を付着させて凸部37とするものである。
しかしながら、凸部37の形成は、このような方法に限定されるものではない。
次に、本発明による導電性粒子の実施例を、比較例とともに詳細に説明する。
〔実施例1〕
この実施例においては、前述した導電性粒子30を作製した例である。
この場合、先ず、ジビニルベンゼンの重合体からなり、10%圧縮変形時のK値が600kgf/mm、破壊強度が3.2gfの樹脂を用いて直径2μmの樹脂粒子31を作製した。次いで、樹脂粒子31表面に、膜厚0.15μmのニッケル被膜をメッキ法により形成した後、このニッケル被膜表面に、膜厚0.02μmの金被膜をメッキ法により形成し、ニッケル被膜と金薄膜とからなる第1の導電性薄膜32を形成した。この第1の導電性薄膜32の表面には凸部は形成されていない。
次いで、10%圧縮変形時のK値が300kgf/mm、破壊強度が1.3gfのアクリル樹脂からなる粉体状の樹脂材料を用いて、この樹脂材料と、第1の導電性薄膜32が形成された状態の樹脂粒子31とを、ハイブリダイゼーション装置によって混合し、樹脂粒子31に形成された第1の導電性薄膜32の表面に更に樹脂材料を静電付着させた。その後、この樹脂材料が静電付着した状態の樹脂粒子31を攪拌し、樹脂材料を溶融させて一体化させ、第1の導電性薄膜32上に、膜厚2μmの第1の樹脂被膜35を形成した。
次いで、この第1の樹脂被膜35の表面に、第1の導電性薄膜32と同じ条件で第2の導電性薄膜36を形成して導電性粒子30を得た。
〔実施例2〕
この実施例においては、前述した導電性粒子40を作製した例である。
この場合、まず、実施例1同様の方法によって導電性粒子30を作製した。そして、この導電性粒子30の第2の導電性薄膜36表面に、アクリル・スチレン樹脂からなる膜厚0.1μmの第2の樹脂被膜39を形成して導電性粒子40を得た。
上述した実施例1および実施例2の導電性粒子30および40のそれぞれについて、第1、第2の導電性薄膜32、36の重量の合計を、各導電性粒子30および40における全体の重量で除したものに、それぞれ100を乗じ、実施例1、2の導電性粒子の30および40の各金属含有率(金属化率)を求めたところ、これらの金属化率は、それぞれ50%であった。
〔実施例3〕
この実施例においては、実施例1と同様の方法によって、導電性粒子30を作製したが、この実施例3においては、その第1の導電性薄膜32を、膜厚0.01μmのニッケル被膜と、膜厚0.01μmの金被膜とによる構成とした。
〔実施例4〕
この実施例においては、実施例3によって得た導電性粒子30を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子40を作製した。
〔実施例5〕
この実施例においては、実施例1と同様の方法によって、導電性粒子30を作製したが、この実施例5においては、樹脂粒子31の直径を0.5μmとし、第1の樹脂被膜35の膜厚を3μmとした。
〔実施例6〕
この実施例においては、実施例5によって得た導電性粒子30を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子40を作製した。
〔実施例7〕
この実施例においては、実施例1と同様の方法によって、導電性粒子30を作製したが、この実施例7においては、第1の導電性薄膜36を、メッキ法によって形成し、1個あたりの導電性粒子30に対して、12個の凸部37を、点在形成した場合である。
〔実施例8〕
この実施例においては、実施例7によって得た導電性粒子30を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子40を作製した。
〔実施例9〕
この実施例においては、実施例1と同様方法によって、導電性粒子30を作製したが、この実施例9においては、第1の樹脂被膜35の厚さを0.1μmとし、第1の樹脂被膜35の厚さを樹脂粒子31の直径の1/20とした場合である。
〔実施例10〕
この実施例においては、実施例1と同様の方法によって、導電性粒子30を作製したが、この実施例10においては、凸部37を2個とした場合である。
〔実施例11〕
この実施例においては、実施例1と同様の方法によって、導電性粒子30を作製したが、この実施例11においては、凸部37を5個とした場合である。
上述した実施例1〜11の導電性粒子30、40に対して次の「抵抗試験」を行った。
〔抵抗試験〕
熱酸化性樹脂であるエポキシ樹脂を含有する液状のバインダー(ここではソニーケミカル(株)社製の異方導電性接着剤(商品名「CP8000」)に用いられるバインダーを用いた)を用意し、このバインダー95容量部に対して、実施例1〜8の各導電性粒子をそれぞれ5容量部分散させ、8種類の液状接着剤を作製した。その後、これらの接着剤を、剥離フィルム21の表面に塗布し、乾燥し、図2Bで説明した接着フィルム20を8種類作製した。
一方、ガラス基板12上にアルミニウム薄膜からなる電極13が形成されたLCD11と、ベースフィルム16上に幅25μmの金属配線17が、25μmの間隔で配置(50μmピッチ)されたTCP15とを用意した。そしてこれらLCD11とTCP15とを上述した8種類の接着フィルムを用いて、それぞれ図3A〜D、図4の工程で8種類の電気装置1を作製した。尚、電極13の表面には硬い酸化被膜19aが形成されていた。
これら8種類の電気装置1について、四端子法による2本の金属配線17から定常電流(I)を導入し、他の2本の金属配線17間の電圧降下(V)を測定し、V=RIの式から抵抗R(単位:mΩ)を求めた。得られた測定値が20mΩ未満の場合を◎、20mΩ以上50mΩ未満の場合を○、50mΩ以上100mΩ未満の場合を△、100mΩ以上の場合を×として評価した。上記導通抵抗試験の評価結果を、各導電性粒子30、40の金属化率と共に下記表1の「抵抗試験」の「LCD」の欄に記載する。
〔ITOガラスに対する抵抗試験〕
LCD11に代えて、表面にITO(インジウム錫酸化物)薄膜からなる電極(ITO電極)が形成されたITOガラス基板を用いた以外は「導通抵抗試験」と同じ条件で抵抗Rの値を求め、得られた測定値について「導通抵抗試験」と同じ条件で評価した。尚、ITO薄膜は上述した酸化被膜19aよりも柔らかいため、ITO電極は、その表面部分がLCD11の電極13に比べて柔らかくなっている。
その結果を下記表1、「抵抗試験」の「ITO基板」の欄に記入する。
Figure 2003081606
表1における比較例1〜12は、次のものである。
〔比較例1〕
この比較例においては、実施例1と同様の方法によって、導電性粒子を作製したが、この比較例1においては、その第1の導電性薄膜32を、膜厚0.01μmのニッケル被膜と、膜厚0.005μmの金被膜とによる構成とした。
〔比較例2〕
この比較例においては、比較例1によって得た導電性粒子を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子を作製した。
〔比較例3〕
この比較例においては、実施例1と同様の方法によって導電性粒子を作製したが、この比較例3においては、樹脂粒子31を、第2の樹脂被膜39を構成したアクリル樹脂によって構成した。
〔比較例4〕
この比較例においては、比較例3によって得た導電性粒子を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子を作製した。
〔比較例5〕
この比較例においては、実施例1と同様の方法によって導電性粒子を作製したが、この比較例5においては、樹脂粒子31の直径を0.3μmとした。
〔比較例6〕
この比較例においては、比較例5によって得た導電性粒子を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子を作製した。
〔比較例7〕
この比較例においては、実施例1と同様の方法によって導電性粒子を作製したが、この比較例7においては、樹脂粒子31の直径を5μmとした。
〔比較例8〕
この比較例においては、比較例7によって得た導電性粒子を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子を作製した。
〔比較例9〕
この比較例においては、実施例1と同様の方法によって導電性粒子を作製したが、この実施例9においては、樹脂粒子31を、第1の樹脂被膜35に用いたアクリル樹脂によって構成した。
〔比較例10〕
この比較例においては、比較例9によって得た導電性粒子を用いて実施例2と同様の方法によって、導電性粒子を作製した。
〔比較例11〕
この比較例においては、実施例1と同様の方法によって導電性粒子を作製したが、この実施例9においては、樹脂粒子の直径を0.4μmとし、第1の樹脂被膜35の厚さを3μmとした場合で、第1の樹脂被膜の厚さが樹脂粒子の6倍を越える厚さとした。
〔比較例12〕
この比較例においては、比較例12で得た導電性粒子を用いて実施例2と同様の方法によって、第2の樹脂被膜を形成した。
上述した各比較例1〜12の導電性粒子を用いて、上述した実施例1による導電性粒子を用いて接着フィルムを作製したと同様の方法によって接着フィルムを作製し、同様の方法で電気装置を作製した。すなわち、12種類の接着フィルムを作製し、12種類の電気装置を作製した。
そして、これら電気装置を用いて前述したと同じ条件で「導通抵抗試験」をそれぞれ行った。
これらの試験結果を、比較例1〜12の導電性粒子の金属化率と共に上記表1に記載した。
上記表1から明らかなように、樹脂粒子のK値が第1の樹脂被膜のK値よりも大きく、かつ、樹脂粒子の破壊強度が第1の樹脂被膜の破壊強度より大きい実施例1〜8の導電性粒子30、40は、比較例1〜10に比べて、被着体の電極の種類にかかわらず抵抗試験の結果が優れていた。
このことから、本発明の導電性粒子を用いれば、被着体の電極が硬い場合であっても、柔らかい場合であっても、導通信頼性の高い電気装置1が得られることが確認された。
樹脂粒子が柔らかい比較例3、4、9、10や、第1の樹脂被膜の膜厚が樹脂粒子の直径よりも大きい比較例5、6のうち、特に、第2の樹脂被膜を形成した比較例4、6、10を用いた場合の導通抵抗値は著しく高かった。これは、熱圧着時に第2の樹脂被膜が破壊されず、電極と金属配線間の導通が充分にとれなかったためと推測される。
上述したように、本発明の導電性粒子は、樹脂粒子と、樹脂粒子表面に形成された第1の導電性薄膜と、第1の導電性薄膜表面に形成された第1の樹脂被膜と、第1の樹脂被膜が形成された第2の導電性薄膜を有する構成とし、更に、その樹脂粒子は、第1の樹脂被膜よりも硬い樹脂によって構成した。
この構成としたことから、導電性粒子と接触する表面部分が硬い被着体(電極)の接続を行う場合は、押圧によって第1の樹脂被膜と共に、第2の導電性薄膜が破壊されるが、樹脂粒子と、その表面の第1の導電性薄膜とは破壊されることがなく、第1の導電性薄膜によって相互に電気的に接続されるべき、被着体間の電気的接続を良好に行うことができた。
また、電極の硬い表面部分が酸化被膜からなる場合は、酸化被膜が第1の導電性薄膜によって突き破られるので、電気装置の導通抵抗を低めることができるものである。
特に、凸部37を5個以上設けるときは、より第1の導電性薄膜によって突き破る効果を高めることができ、電気装置の導通抵抗を低めることができるものである。
他方、表面部分が柔らかい電極を、弱い圧力で接続する場合には、第1の樹脂被膜は押圧によって圧縮変形するが破壊されず、被着体の第1の樹脂被膜表面の第2の導電性薄膜によって電気で接続が得られる。
このように、本発明の導電性粒子は、同一構成で、多様な被着体の電気的接続、および機械的接合を確実に行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
図1A〜図1Dは、本発明による導電性粒子の一例の製造工程における概略断面図である。
図2Aおよび図2Bは、本発明による接着剤を用いて接着フィルムを製造する一例の製造工程における概略断面図である。
図3A〜図3Dは、本発明による接着剤を用いてLCDとTCPとを接続する一例の製造工程の前半の概略断面図である。
図4は、本発明によるの接着剤を用いてLCDとTCPとを接続する一例の製造工程の後半の概略断面図である。
図5は、本発明による導電性粒子が、電極と金属配線との間に挟まれた状態を示す概略断面図である。
図6A〜図6Cは、電極の表面部分が硬い場合の導電性粒子の変形の態様を示す概略断面図である。
図7は、電極の表面部分が柔らかい場合の、本発明による導電性粒子の変形の態様を示す概略断面図である。
図8は、本発明による導電性粒子の他の例の概略断面図である。
図9は、従来の接着剤を用いて作製された電気装置を示す概略断面図である。
図10は、従来の接着剤に用いられる導電性粒子の一例の概略断面図である。
引用符号の説明引用符号 事項
1,101 ・・・・・・ 電気装置
11,111 ・・・・・・ LCD(液晶表示装置)
12,112 ・・・・・・ 基板
13,13a,13b,113 ・・・・・・ 電極
15,115 ・・・・・・ TCP(テープキャリアパッケージ)
16,116 ・・・・・・ ベースフィルム
17,117 ・・・・・・ 金属配線
19a ・・・・・・ 酸化被膜
19b ・・・・・・ メッキ被膜
20 ・・・・・・ 接着フィルム
21 ・・・・・・ 剥離フィルム
25,125 ・・・・・・ 接着剤の塗布層
30,40,130,140 ・・・・・・ 導電性粒子
31 ・・・・・・ 樹脂粒子
32 ・・・・・・ 第1の導電性薄膜
35 ・・・・・・ 第1の樹脂被膜
36 ・・・・・・ 第2の導電性薄膜
37 ・・・・・・ 凸部
39 ・・・・・・ 第2の樹脂被膜
142 ・・・・・・ 導電性薄膜

Claims (11)

  1. 樹脂粒子と、該樹脂粒子の周囲に配置された第1の導電性薄膜と、前記第1の導電性薄膜周囲に配置された第1の樹脂被膜と、前記第1の樹脂被膜の周囲に配置された第2の導電性薄膜とを有し、
    前記樹脂粒子は、前記第1の樹脂被膜より硬い樹脂より成ることを特徴とする導電性粒子。
  2. 前記第1の樹脂被膜の膜厚が、前記樹脂粒子の直径の1/20倍以上6倍以下であり、かつ、0.1μm以上であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の導電性粒子。
  3. 前記第2の導電性薄膜の膜厚が、0.05μm以上0.3μm以下とされたことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の導電性粒子。
  4. 前記第2の導電性薄膜の周囲に、第2の樹脂被膜が形成されたことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の導電性粒子。
  5. 前記第1、第2の導電性薄膜が、ニッケルまたは金のいずれか一方または両方を有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の導電性粒子。
  6. 前記第1、第2の導電性薄膜は、ニッケル被膜と、前記ニッケル被膜表面に形成された金被膜とからなることを特徴とする請求項5記載の導電性粒子。
  7. 前記第1の導電性薄膜の重量と、前記第2の導電性薄膜の重量との合計が、前記導電性粒子全体の重量の40%以上であり、かつ、前記第1の導電性薄膜の膜厚が、前記樹脂粒子の直径の1/100以上1/2以下、前記第2の導電性薄膜の膜厚が0.05μm以上0.3μm以下としたことを特徴とする請求の範囲の第1項に記載の導電性粒子。
  8. 前記第1の導電性薄膜の前記第1の樹脂被膜が配置された側の表面に少なくとも一個以上の凸部が形成されたことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の記載の導電性粒子。
  9. 前記第1の導電性薄膜表面に形成された前記凸部の平均個数が5個以上としたことを特徴とする請求の範囲第8項に記載の導電性粒子。
  10. 前記第1の導電性薄膜表面に形成された前記凸部の平均高さが0.05μm以上としたことを特徴とする請求の範囲第8項または第9項に記載の導電性粒子。
  11. 熱硬化性樹脂を有するバインダーと、請求の範囲第1項に記載の導電性粒子とを有することを特徴とする接着剤。
JP2003579233A 2002-03-25 2003-03-25 導電性粒子および接着剤 Expired - Lifetime JP4190424B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002082753 2002-03-25
JP2002082753 2002-03-25
PCT/JP2003/003635 WO2003081606A1 (en) 2002-03-25 2003-03-25 Conductive particle and adhesive agent

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2003081606A1 true JPWO2003081606A1 (ja) 2005-07-28
JP4190424B2 JP4190424B2 (ja) 2008-12-03

Family

ID=28449159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003579233A Expired - Lifetime JP4190424B2 (ja) 2002-03-25 2003-03-25 導電性粒子および接着剤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7413686B2 (ja)
JP (1) JP4190424B2 (ja)
KR (1) KR100694529B1 (ja)
CN (1) CN1308963C (ja)
HK (1) HK1078983A1 (ja)
TW (1) TWI228534B (ja)
WO (1) WO2003081606A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060280912A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Rong-Chang Liang Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
US8802214B2 (en) 2005-06-13 2014-08-12 Trillion Science, Inc. Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
US7923488B2 (en) * 2006-10-16 2011-04-12 Trillion Science, Inc. Epoxy compositions
JP5210236B2 (ja) * 2009-04-24 2013-06-12 積水化学工業株式会社 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体
KR101056435B1 (ko) * 2009-10-05 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 이방성 도전 필름 및 이를 포함하는 표시 장치
DE102010042602A1 (de) * 2010-10-19 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leitfähiges Verbindungsmittel und Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Verbindungsmittels
KR101309821B1 (ko) * 2010-12-31 2013-09-23 제일모직주식회사 이방 전도성 필름 조성물
JP5583611B2 (ja) * 2011-01-27 2014-09-03 株式会社日本触媒 導電性微粒子
US9102851B2 (en) 2011-09-15 2015-08-11 Trillion Science, Inc. Microcavity carrier belt and method of manufacture
US9475963B2 (en) 2011-09-15 2016-10-25 Trillion Science, Inc. Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes
JP6264731B2 (ja) * 2012-03-06 2018-01-24 東洋インキScホールディングス株式会社 導電性樹脂組成物、導電性シート、電磁波シールドシートおよびこれらの製造方法、並びに導電性微粒子の製造方法
US9352539B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Trillion Science, Inc. Microcavity carrier with image enhancement for laser ablation
JP6345536B2 (ja) * 2013-09-09 2018-06-20 積水化学工業株式会社 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6498505B2 (ja) * 2014-10-23 2019-04-10 株式会社日本触媒 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料
ITUB20155111A1 (it) * 2015-11-04 2017-05-04 St Microelectronics Srl Dispositivo a semiconduttore e relativo procedimento
JP2020095941A (ja) * 2018-10-03 2020-06-18 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続構造体、接続構造体の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750104A (ja) * 1993-08-05 1995-02-21 Hitachi Chem Co Ltd 導電性粒子及びこの導電性粒子を用いた接続部材
TW277152B (ja) * 1994-05-10 1996-06-01 Hitachi Chemical Co Ltd
JPH08249922A (ja) 1995-10-31 1996-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 被覆粒子
US6344272B1 (en) * 1997-03-12 2002-02-05 Wm. Marsh Rice University Metal nanoshells
US6488869B2 (en) * 1997-04-08 2002-12-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste, its manufacturing method, and printed wiring board using the same
JP3379456B2 (ja) * 1998-12-25 2003-02-24 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
JP2000306428A (ja) 1999-04-20 2000-11-02 Casio Comput Co Ltd 異方性導電接着剤及び導電接続構造
JP2001011503A (ja) * 1999-06-25 2001-01-16 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 新規な導電性微粒子、および該微粒子の用途
US20010055685A1 (en) * 2000-05-15 2001-12-27 Masami Kaneyoshi Conductive filler and making method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1653556A (zh) 2005-08-10
CN1308963C (zh) 2007-04-04
HK1078983A1 (en) 2006-03-24
KR20040111441A (ko) 2004-12-31
US20060054867A1 (en) 2006-03-16
US7413686B2 (en) 2008-08-19
WO2003081606A1 (en) 2003-10-02
KR100694529B1 (ko) 2007-03-13
TWI228534B (en) 2005-03-01
TW200307029A (en) 2003-12-01
JP4190424B2 (ja) 2008-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4190424B2 (ja) 導電性粒子および接着剤
JP3379456B2 (ja) 異方導電性接着フィルム
JP3296306B2 (ja) 異方導電性接着剤および接着用膜
JPH01206575A (ja) 接着性熱融着形コネクタ
JPH11510649A (ja) 接着剤接合した電子デバイス用の変形可能な基板アセンブリ
JP3656768B2 (ja) 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
JP4191567B2 (ja) 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法
JP2007224111A (ja) 異方導電性接着シート及びその製造方法
JP3622792B2 (ja) 接続部材及び該接続部材を用いた電極の接続構造・接続方法
JP3581618B2 (ja) 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
JP2010251336A (ja) 異方性導電フィルム及びこれを用いた接続構造体の製造方法
JP4661914B2 (ja) 電極の接続方法
KR20120022580A (ko) 실장체의 제조 방법, 접속 방법 및 이방성 도전막
KR100248582B1 (ko) 서로 마주보는 전극들을 상호 접속하기 위한 접속시트, 및 이 접속시트를 사용하는 전극접속구조 및 접속방법
JP2001155540A (ja) 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
JPH11339558A (ja) 異方性導電接着剤及び導電接続構造体
JPH1125760A (ja) 異方性導電フィルム
JP2008124029A (ja) 接続部材
JPH09147928A (ja) 接続部材
JP2004164910A (ja) 異方導電性接着剤
JP4669635B2 (ja) 微粒子配置導電接続フィルムの製造方法
JP2001337340A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法並びに異方性導電フィルムおよび外部回路実装方法
JP4155470B2 (ja) 接続部材を用いた電極の接続法
KR20060041090A (ko) 이방성 도전 접속용 도전입자 및 이방성 도전필름
JP4473661B2 (ja) 接続部材

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080520

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080722

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080826

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080916

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4190424

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term