JPS64459B2 - - Google Patents
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- JPS64459B2 JPS64459B2 JP23295586A JP23295586A JPS64459B2 JP S64459 B2 JPS64459 B2 JP S64459B2 JP 23295586 A JP23295586 A JP 23295586A JP 23295586 A JP23295586 A JP 23295586A JP S64459 B2 JPS64459 B2 JP S64459B2
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- annealing
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- lead
- temperature
- tension leveler
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- Expired
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Landscapes
- Straightening Metal Sheet-Like Bodies (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体用銅系リード材の製造法に関
し、特に成型加工性の優れたリード材を提供する
ものである。 〔従来の技術〕 一般に半導体用リード材には銅合金が用いら
れ、従来は熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍を繰返す
仕上げ調質圧延により所望の板厚に仕上げてい
る。近年電子機器の小型化、高集積度化から半導
体用リード材においても薄肉化が進み、更に高強
度で歪の少ないフラツトな材料が要求されるよう
になつた。また最近は２方向リードを持つ実装方
式から４方向リードを持つ実装方式に進展し、リ
ード材にはより優れた成型加工性と等方性が要求
されるようになつた。一方板厚が薄くなり、加工
率が高くなるにつれて、仕上げ調質圧延のみで形
状の優れたリード材を製造することが非常に困難
となつてきた。そこで仕上げ調質圧延後に、形状
を修正するためテンシヨンレベラーをかけてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 仕上げ調質圧延やこれにテンシヨンレベラーを
加えて形状修正を行なつた材料は、成型加工性が
劣る欠点がある。即ち方向によつて曲げ成型時に
スプリングパツクの異方性が生じ、PLCC等のリ
ードフレームのように４方向にリードが出ている
のものでは、曲げた時に角度が異なり、基板に実
装する際に位置がずれたり、基板につかない部分
が生じる等、半導体の信頼性を著しく低下する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、形状が優
れ、かつ曲げ加工時の異方性の少ない半導体用銅
系リード材の製造法を開発したものである。 即ち本発明製造法の一つは、リード用銅合金素
材を仕上げ調質圧延した後、伸び率0.2％以上で
テンシヨンレベラーをかけ、150〜600℃の温度で
５〜300分の低温焼鈍を行なうか、又は300〜800
℃の温度で10秒〜５分の連続焼鈍を行なうことを
特徴とするものである。 また本発明製造法の他の一つは、リード用銅合
金素材を仕上げ調質圧延した後、伸び率0.2％以
上でテンシヨンレベラーをかけ、150〜600℃の温
度で５分〜300分の低温焼鈍を行なうか、又は300
〜800℃の温度で10秒〜５分の連続焼鈍を行ない、
しかる後伸び率0.3％未満のテンシヨンレベラー
をかけるか、又はローラーレベラーをかけること
を特徴とするものである。 〔作用〕 本発明はリード用銅合金素材を仕上げ調質圧延
した後、最初のテンシヨンレベラーで板の形状を
修正し、次の低温焼鈍又は連続焼鈍で粒界に蓄積
された歪を解放し、異方性を改善するものであ
る。更に低温焼鈍又は連続焼鈍後に、あまり歪を
かけずにテンシヨンレベラーをかけることによ
り、コイルの巻きぐせをとるものである。２回目
のテンシヨンレベラーの代りに板に張力を加えな
い通常のローラーレベラーを用いても同様の効力
を示す。また２回目のレベラーは製造工程の途中
の幅広い条材又は使用される板幅にスリツトした
後の何れかの工程において行なつてもよい。 しかして最初のテンシヨンレベラーで伸び率を
0.2％以上としたのは、0.2％未満では形状が修正
されないためである。また低温焼鈍又は連続焼鈍
後のテンシヨンレベラーで伸び率0.3％未満とし
てたのは、0.3％を越えると曲げ加工時に異方性
が生じるようになるためである。 最初のテンシヨンレベラー後に、150〜600℃の
温度で５分〜300分の低温焼鈍を行なうのは、150
℃未満の温度では300分を越える焼鈍を行なつて
も粒界に累積された歪が解放されず、異方性が大
きく、600℃より高い温度では材料の強度が低下
してしまう。また焼鈍時間が５分未満では材料全
体に十分歪とりが行なわれず、300分以上では効
果が飽和してしまい、コストが大きくなつて工業
的でないためである。上記低温焼鈍に代えて300
〜800℃の温度で10秒〜５分の連続焼鈍を行なう
のは、300℃未満の温度では歪とりが不十分で異
方性が大きく、800℃より高い温度では強度が低
下してしまう。また焼鈍時間が10秒未満では歪が
解放されず、５分以上では生産性が著しく低下
し、工業的でなくなるためである。 尚焼鈍後にテンシヨンレベラー又はローラーレ
ベラーをかけない場合は、後述のようにカールが
発生するが、カールは半導体用リード材として本
質的欠点ではない。条材においてカールを除去す
ることは、後の部品製造コストを低減することが
できる利点がある。 〔実施例〕 Sn0.1wt％、Cr0.15wt％、残部Cuからなる合金
を常法に従つて溶解・鋳造し、鋳塊を面削してか
ら熱間圧延を加え、これに冷間圧延と焼鈍を繰返
す仕上げ調質圧延により板厚0.2mmの銅合金系を
製造した。この銅合金条に第１表に示すテンシヨ
ンレベラーや焼鈍等を加え、これ等について急峻
度、カール、曲げ加工性、引張り強さを調べた。
その結果を第２表に示す。 急峻度は板のうねりの高さを、そのピツチで除
した百分率で示した。またカールは長さ１mmの材
料を壁につり下げ、その下端と壁までの距離で示
した。曲げ加工性は圧延方向と平行及び直角方向
にサンプルを採取し、JIS Z2248に準じたＶブロ
ツク法により90゜に曲げた後、サンプルの角度を
測定し、両角度の差の絶対値（deg）を示した。
し、特に成型加工性の優れたリード材を提供する
ものである。 〔従来の技術〕 一般に半導体用リード材には銅合金が用いら
れ、従来は熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍を繰返す
仕上げ調質圧延により所望の板厚に仕上げてい
る。近年電子機器の小型化、高集積度化から半導
体用リード材においても薄肉化が進み、更に高強
度で歪の少ないフラツトな材料が要求されるよう
になつた。また最近は２方向リードを持つ実装方
式から４方向リードを持つ実装方式に進展し、リ
ード材にはより優れた成型加工性と等方性が要求
されるようになつた。一方板厚が薄くなり、加工
率が高くなるにつれて、仕上げ調質圧延のみで形
状の優れたリード材を製造することが非常に困難
となつてきた。そこで仕上げ調質圧延後に、形状
を修正するためテンシヨンレベラーをかけてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 仕上げ調質圧延やこれにテンシヨンレベラーを
加えて形状修正を行なつた材料は、成型加工性が
劣る欠点がある。即ち方向によつて曲げ成型時に
スプリングパツクの異方性が生じ、PLCC等のリ
ードフレームのように４方向にリードが出ている
のものでは、曲げた時に角度が異なり、基板に実
装する際に位置がずれたり、基板につかない部分
が生じる等、半導体の信頼性を著しく低下する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、形状が優
れ、かつ曲げ加工時の異方性の少ない半導体用銅
系リード材の製造法を開発したものである。 即ち本発明製造法の一つは、リード用銅合金素
材を仕上げ調質圧延した後、伸び率0.2％以上で
テンシヨンレベラーをかけ、150〜600℃の温度で
５〜300分の低温焼鈍を行なうか、又は300〜800
℃の温度で10秒〜５分の連続焼鈍を行なうことを
特徴とするものである。 また本発明製造法の他の一つは、リード用銅合
金素材を仕上げ調質圧延した後、伸び率0.2％以
上でテンシヨンレベラーをかけ、150〜600℃の温
度で５分〜300分の低温焼鈍を行なうか、又は300
〜800℃の温度で10秒〜５分の連続焼鈍を行ない、
しかる後伸び率0.3％未満のテンシヨンレベラー
をかけるか、又はローラーレベラーをかけること
を特徴とするものである。 〔作用〕 本発明はリード用銅合金素材を仕上げ調質圧延
した後、最初のテンシヨンレベラーで板の形状を
修正し、次の低温焼鈍又は連続焼鈍で粒界に蓄積
された歪を解放し、異方性を改善するものであ
る。更に低温焼鈍又は連続焼鈍後に、あまり歪を
かけずにテンシヨンレベラーをかけることによ
り、コイルの巻きぐせをとるものである。２回目
のテンシヨンレベラーの代りに板に張力を加えな
い通常のローラーレベラーを用いても同様の効力
を示す。また２回目のレベラーは製造工程の途中
の幅広い条材又は使用される板幅にスリツトした
後の何れかの工程において行なつてもよい。 しかして最初のテンシヨンレベラーで伸び率を
0.2％以上としたのは、0.2％未満では形状が修正
されないためである。また低温焼鈍又は連続焼鈍
後のテンシヨンレベラーで伸び率0.3％未満とし
てたのは、0.3％を越えると曲げ加工時に異方性
が生じるようになるためである。 最初のテンシヨンレベラー後に、150〜600℃の
温度で５分〜300分の低温焼鈍を行なうのは、150
℃未満の温度では300分を越える焼鈍を行なつて
も粒界に累積された歪が解放されず、異方性が大
きく、600℃より高い温度では材料の強度が低下
してしまう。また焼鈍時間が５分未満では材料全
体に十分歪とりが行なわれず、300分以上では効
果が飽和してしまい、コストが大きくなつて工業
的でないためである。上記低温焼鈍に代えて300
〜800℃の温度で10秒〜５分の連続焼鈍を行なう
のは、300℃未満の温度では歪とりが不十分で異
方性が大きく、800℃より高い温度では強度が低
下してしまう。また焼鈍時間が10秒未満では歪が
解放されず、５分以上では生産性が著しく低下
し、工業的でなくなるためである。 尚焼鈍後にテンシヨンレベラー又はローラーレ
ベラーをかけない場合は、後述のようにカールが
発生するが、カールは半導体用リード材として本
質的欠点ではない。条材においてカールを除去す
ることは、後の部品製造コストを低減することが
できる利点がある。 〔実施例〕 Sn0.1wt％、Cr0.15wt％、残部Cuからなる合金
を常法に従つて溶解・鋳造し、鋳塊を面削してか
ら熱間圧延を加え、これに冷間圧延と焼鈍を繰返
す仕上げ調質圧延により板厚0.2mmの銅合金系を
製造した。この銅合金条に第１表に示すテンシヨ
ンレベラーや焼鈍等を加え、これ等について急峻
度、カール、曲げ加工性、引張り強さを調べた。
その結果を第２表に示す。 急峻度は板のうねりの高さを、そのピツチで除
した百分率で示した。またカールは長さ１mmの材
料を壁につり下げ、その下端と壁までの距離で示
した。曲げ加工性は圧延方向と平行及び直角方向
にサンプルを採取し、JIS Z2248に準じたＶブロ
ツク法により90゜に曲げた後、サンプルの角度を
測定し、両角度の差の絶対値（deg）を示した。
【表】
【表】
【表】
このように本発明によれば形状、曲げ加工性に
優れており、半導体用リード材に使用してその薄
肉化、小型化を可能にする等工業上顕著な効果を
奏するものである。
優れており、半導体用リード材に使用してその薄
肉化、小型化を可能にする等工業上顕著な効果を
奏するものである。
１ Ti−8Al−1Mo−1V合金を、β変態点から
５〜19℃低い温度において溶体化後、冷却し、次
いで時効処理を行なうことを特徴とするTi−8Al
−1Mo−1V合金の熱処理方法。
５〜19℃低い温度において溶体化後、冷却し、次
いで時効処理を行なうことを特徴とするTi−8Al
−1Mo−1V合金の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23295586A JPS6386851A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体用銅系リ−ド材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23295586A JPS6386851A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体用銅系リ−ド材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386851A JPS6386851A (ja) | 1988-04-18 |
| JPS64459B2 true JPS64459B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=16947482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23295586A Granted JPS6386851A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体用銅系リ−ド材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386851A (ja) |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23295586A patent/JPS6386851A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6386851A (ja) | 1988-04-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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