JPS64436B2 - - Google Patents
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- JPS64436B2 JPS64436B2 JP60121200A JP12120085A JPS64436B2 JP S64436 B2 JPS64436 B2 JP S64436B2 JP 60121200 A JP60121200 A JP 60121200A JP 12120085 A JP12120085 A JP 12120085A JP S64436 B2 JPS64436 B2 JP S64436B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Description
〈産業上の利用分野〉
本発明は、プラスチツク製品やメモリーハード
デイスクを研磨する組成物に関する。 〈従来の技術とその課題〉 プラスチツク製品の研磨用組成物は、特公昭53
−3518号公報に開示されているように、水に酸化
アルミニウムの研磨剤を懸濁し、これに硝酸アル
ミニウムの研磨促進剤を添加したスラリーであ
る。 このプラスチツク用研磨スラリーは、プラスチ
ツクを高能率かつ高品質に研磨することができる
が、しかし、強酸性のスラリーであり、PH値が４
〜２位である。 従つて、このプラスチツク用研磨スラリーは、
酸性が強いので、研磨機や治具が錆び易く、作業
者の手が荒れ易い。 一方、コンピユータやワードプロセツサ等のメ
モリーハードデイスクは、アルミニウム基板の表
面を研磨し、アルミニウム基板の平滑にした表面
に記憶用の磁気媒体層を形成している。 また、アルミニウム基板の表面に、化学ニツケ
ルめつきとも言われる無電解ニツケルめつき、又
は、アルマイトの層を形成して下地処理を施し、
アルミニウム基板の下地処理面を研磨し、アルミ
ニウム基板の平滑にした下地処理面に記憶用の磁
気媒体層を形成したメモリーハードデイスクが発
明された。 そして、上記のいずれのメモリーハードデイス
クにおいても、アルミニウム基板の磁気媒体層形
成面の研磨には、水に酸化アルミニウムの研磨剤
を懸濁した一般用研磨スラリーが用いられた。 ところが、一般用研磨スラリーは、メモリーハ
ードデイスクの磁気媒体層形成面の研磨には適し
ていない。即ち、研磨量が少なくて研磨能率が低
く、また、オレンジピールのような表面欠陥が発
生して研磨品質が低い。 最近、メモリーハードデイスクの無電解ニツケ
ルめつき面を研磨する方法が発明された。 この研磨方法は、特開昭60−108489号公報に開
示されているように、メモリーハードデイスクの
無電解ニツケルめつき面と研磨パツドの表面を摺
動し、メモリーハードデイスクと研磨パツドの間
に、第１段階として、次亜塩素酸ナトリウムのよ
うな酸化剤を含む酸化アルミニウム粉末の水性ス
ラリーを供給して、メモリーハードデイスクの無
電解ニツケルめつき面を粗研磨する。次に、第２
段階として、メモリーハードデイスクと研磨パツ
ドの間に、上記の水性スラリーと、コロイド状の
酸化アルミニウムの水性スラリーとを供給し、メ
モリーハードデイスクの無電解ニツケルめつき面
を仕上研磨する。 ところが、この２段階研磨方法は、２段階で研
磨するので、多くの手間が掛かる上、研磨量が多
くなく、研磨能率が高いとは言い難い。 本発明の目的は、上記のような従来の課題を解
決することである。 〈課題を解決するための手段〉 本発明は、水と、酸化アルミニウムの研磨剤、
及び、硫酸ニツケルの研磨促進剤からなり、中性
ないし弱酸性である研磨用組成物である。 〈作用〉 本発明の研磨用組成物の研磨作用は、明確には
解明されていない。しかし、次のように推察され
る。 本発明の研磨用組成物を用いて、プラスチツク
の被研磨面、又は、メモリーハードデイスクの無
電解ニツケルめつき、アルマイト又はアルミニウ
ムの被研磨面を研磨すると、いわゆるメカノケミ
カル研磨が行われ、研磨促進剤と水が被研磨面を
化学的に溶解し、又は研磨され易く改質し、同時
に、研磨剤と水が被研磨面を機械的に研磨して、
被研磨面が機械的かつ化学的に研磨される。 機械的化学的研磨の際、本発明の研磨用組成物
においては、上記の被研磨面に対する機械的作用
力と化学的作用力が適合しており、被研磨面に対
する両作用力の適合によつて優れた研磨面が得ら
れる。 本発明の研磨用組成物は、研磨促進剤の硫酸ニ
ツケルが中性塩ないし弱酸性塩であるので、中性
ないし弱酸性になる。 従つて、他の物質を酸化する力が弱いので、研
磨機や治具の金属を錆びさせる力や作業者の手を
荒れさせる力が弱い。 〈実施例〉 本例の研磨用組成物は、純水にα型酸化アルミ
ニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、これに
硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O）の研磨促進剤を
添加した中性ないし弱酸性のスラリーである。 このスラリー中の研磨促進剤の重量割合は１〜
20％であり、PH値は７〜５である。 また、研磨剤の重量割合は２〜30％であり、研
磨剤の平均粒子径は0.7〜4.0μｍであり、研磨剤
の最大粒子径は20μｍ以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1.100〜1.200℃で２〜３時間仮焼し、その後、粉
砕して整粒したものである。 本例の研磨用組成物を用いてプラスチツク製品
や無電解ニツケルめつき層等を研磨する場合は、
従来の研磨用組成物を用いる場合と同様であり、
研磨用組成物をプラスチツク製品や無電解ニツケ
ルめつき層等の表面とその表面を摺動する研磨パ
ツトの表面の間に供給する。 次に、本発明の効果を確認する比較実験につい
て説明する。 (1) プラスチツク製品を研磨する実験 本発明の研磨用組成物には、純水にα型酸化ア
ルミニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、こ
れに硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O）の研磨促進
剤を重量割合で1.0，5.0，10.0又は20.0％添加し
たスラリーを用いる。このスラリーのPH値は、表
１に示す通りである。 従来の研磨用組成物には、純水にα型酸化アル
ミニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、硝酸
アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）の研磨促進
剤を重量割合で1.0，5.0，10.0又は20.0％添加し
たスラリーを用いる。このスラリーのPH値は、表
１に示す通りである。 本発明と従来の上記の研磨スラリーにおいて、
研磨剤の重量割合は20％であり、研磨剤の平均粒
子径は1.3μｍであり、研磨剤の最大粒子径は20μ
ｍ以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1.150℃で３時間仮焼し、その後、粉砕して整粒
したものである。 プラスチツク製品には、アリルジグリコールカ
ーボネート樹脂の65mm径の眼鏡用レンズを用い
る。 このレンズは、非球面レンズ研磨機に装填し、
レンズの表面に植毛布の研磨パツトを当接し、レ
ンズと研磨パツトを相対的に摺動して、10分間研
磨する。研磨の間、レンズと研磨パツドの間に本
発明の研磨スラリー又は従来の研磨スラリーを２
／minの割合で供給する。なお、研磨圧は270
ｇ／cm2である。 研磨の後、レンズの研磨表面を検査して、オレ
ンジピールやスクラツチのような表面欠陥の有無
を調べる。次に、レンズの重量を計測し、研磨に
よる重量損失を算出して、研磨量を求める。 この実験結果は、第１表に示す通りである。
デイスクを研磨する組成物に関する。 〈従来の技術とその課題〉 プラスチツク製品の研磨用組成物は、特公昭53
−3518号公報に開示されているように、水に酸化
アルミニウムの研磨剤を懸濁し、これに硝酸アル
ミニウムの研磨促進剤を添加したスラリーであ
る。 このプラスチツク用研磨スラリーは、プラスチ
ツクを高能率かつ高品質に研磨することができる
が、しかし、強酸性のスラリーであり、PH値が４
〜２位である。 従つて、このプラスチツク用研磨スラリーは、
酸性が強いので、研磨機や治具が錆び易く、作業
者の手が荒れ易い。 一方、コンピユータやワードプロセツサ等のメ
モリーハードデイスクは、アルミニウム基板の表
面を研磨し、アルミニウム基板の平滑にした表面
に記憶用の磁気媒体層を形成している。 また、アルミニウム基板の表面に、化学ニツケ
ルめつきとも言われる無電解ニツケルめつき、又
は、アルマイトの層を形成して下地処理を施し、
アルミニウム基板の下地処理面を研磨し、アルミ
ニウム基板の平滑にした下地処理面に記憶用の磁
気媒体層を形成したメモリーハードデイスクが発
明された。 そして、上記のいずれのメモリーハードデイス
クにおいても、アルミニウム基板の磁気媒体層形
成面の研磨には、水に酸化アルミニウムの研磨剤
を懸濁した一般用研磨スラリーが用いられた。 ところが、一般用研磨スラリーは、メモリーハ
ードデイスクの磁気媒体層形成面の研磨には適し
ていない。即ち、研磨量が少なくて研磨能率が低
く、また、オレンジピールのような表面欠陥が発
生して研磨品質が低い。 最近、メモリーハードデイスクの無電解ニツケ
ルめつき面を研磨する方法が発明された。 この研磨方法は、特開昭60−108489号公報に開
示されているように、メモリーハードデイスクの
無電解ニツケルめつき面と研磨パツドの表面を摺
動し、メモリーハードデイスクと研磨パツドの間
に、第１段階として、次亜塩素酸ナトリウムのよ
うな酸化剤を含む酸化アルミニウム粉末の水性ス
ラリーを供給して、メモリーハードデイスクの無
電解ニツケルめつき面を粗研磨する。次に、第２
段階として、メモリーハードデイスクと研磨パツ
ドの間に、上記の水性スラリーと、コロイド状の
酸化アルミニウムの水性スラリーとを供給し、メ
モリーハードデイスクの無電解ニツケルめつき面
を仕上研磨する。 ところが、この２段階研磨方法は、２段階で研
磨するので、多くの手間が掛かる上、研磨量が多
くなく、研磨能率が高いとは言い難い。 本発明の目的は、上記のような従来の課題を解
決することである。 〈課題を解決するための手段〉 本発明は、水と、酸化アルミニウムの研磨剤、
及び、硫酸ニツケルの研磨促進剤からなり、中性
ないし弱酸性である研磨用組成物である。 〈作用〉 本発明の研磨用組成物の研磨作用は、明確には
解明されていない。しかし、次のように推察され
る。 本発明の研磨用組成物を用いて、プラスチツク
の被研磨面、又は、メモリーハードデイスクの無
電解ニツケルめつき、アルマイト又はアルミニウ
ムの被研磨面を研磨すると、いわゆるメカノケミ
カル研磨が行われ、研磨促進剤と水が被研磨面を
化学的に溶解し、又は研磨され易く改質し、同時
に、研磨剤と水が被研磨面を機械的に研磨して、
被研磨面が機械的かつ化学的に研磨される。 機械的化学的研磨の際、本発明の研磨用組成物
においては、上記の被研磨面に対する機械的作用
力と化学的作用力が適合しており、被研磨面に対
する両作用力の適合によつて優れた研磨面が得ら
れる。 本発明の研磨用組成物は、研磨促進剤の硫酸ニ
ツケルが中性塩ないし弱酸性塩であるので、中性
ないし弱酸性になる。 従つて、他の物質を酸化する力が弱いので、研
磨機や治具の金属を錆びさせる力や作業者の手を
荒れさせる力が弱い。 〈実施例〉 本例の研磨用組成物は、純水にα型酸化アルミ
ニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、これに
硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O）の研磨促進剤を
添加した中性ないし弱酸性のスラリーである。 このスラリー中の研磨促進剤の重量割合は１〜
20％であり、PH値は７〜５である。 また、研磨剤の重量割合は２〜30％であり、研
磨剤の平均粒子径は0.7〜4.0μｍであり、研磨剤
の最大粒子径は20μｍ以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1.100〜1.200℃で２〜３時間仮焼し、その後、粉
砕して整粒したものである。 本例の研磨用組成物を用いてプラスチツク製品
や無電解ニツケルめつき層等を研磨する場合は、
従来の研磨用組成物を用いる場合と同様であり、
研磨用組成物をプラスチツク製品や無電解ニツケ
ルめつき層等の表面とその表面を摺動する研磨パ
ツトの表面の間に供給する。 次に、本発明の効果を確認する比較実験につい
て説明する。 (1) プラスチツク製品を研磨する実験 本発明の研磨用組成物には、純水にα型酸化ア
ルミニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、こ
れに硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O）の研磨促進
剤を重量割合で1.0，5.0，10.0又は20.0％添加し
たスラリーを用いる。このスラリーのPH値は、表
１に示す通りである。 従来の研磨用組成物には、純水にα型酸化アル
ミニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、硝酸
アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）の研磨促進
剤を重量割合で1.0，5.0，10.0又は20.0％添加し
たスラリーを用いる。このスラリーのPH値は、表
１に示す通りである。 本発明と従来の上記の研磨スラリーにおいて、
研磨剤の重量割合は20％であり、研磨剤の平均粒
子径は1.3μｍであり、研磨剤の最大粒子径は20μ
ｍ以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1.150℃で３時間仮焼し、その後、粉砕して整粒
したものである。 プラスチツク製品には、アリルジグリコールカ
ーボネート樹脂の65mm径の眼鏡用レンズを用い
る。 このレンズは、非球面レンズ研磨機に装填し、
レンズの表面に植毛布の研磨パツトを当接し、レ
ンズと研磨パツトを相対的に摺動して、10分間研
磨する。研磨の間、レンズと研磨パツドの間に本
発明の研磨スラリー又は従来の研磨スラリーを２
／minの割合で供給する。なお、研磨圧は270
ｇ／cm2である。 研磨の後、レンズの研磨表面を検査して、オレ
ンジピールやスクラツチのような表面欠陥の有無
を調べる。次に、レンズの重量を計測し、研磨に
よる重量損失を算出して、研磨量を求める。 この実験結果は、第１表に示す通りである。
【表】
この第１表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、PH値が6.6〜5.6であつて中性ないし
弱酸性であり、これに対し、従来の研磨スラリー
は、PH値が4.0〜2.5であつて強酸性である。とこ
ろが、本発明の研磨スラリーを用いると、従来の
それを用いた場合と同様に、研磨量が多くて研磨
能率が高く、また、表面欠陥が認められず、研磨
表面の品質が高い。 錆の実験 本発明と従来の研磨スラリーに、それぞれ、一
般構造用鋼材（SS41）の試験片を一週間浸漬す
る。 その後、研磨スラリー中で錆びた試験片は、錆
を落して、試験片の重量を計測し、錆による重量
損失を算出し、その重量損失を試験片の最初の重
量で割つて重量減少率を求める。 本発明の研磨スラリーの場合は、研磨促進剤が
硫酸ニツケルであつて、PH値が6.0であり、試験
片の重量減少率が0.02％である。 従来の研磨スラリーの場合は、研磨促進剤が硝
酸アルミニウムであつてPH値が3.5であり、試験
片の重量減少率が0.79％である。 この実験結果から明らかなように、本発明の研
磨スラリーは、従来のそれに比し、研磨機や治具
が非常に錆び難い。また、作業者の手が荒れ難い
ものと推認される。 (2) メモリーデイスクの無電解ニツケルめつき層
等を研磨する実験 ａ 無電解ニツケル・りんめつき 本発明の研磨用組成物には、上記のプラスチツ
ク製品の研磨実験におけるのと同じスラリーを用
いる。 従来の研磨用組成物には、本発明の研磨用組成
物において、研磨促進剤を添加していない一般用
研磨スラリーを用いる。 メモリーデイスクには、アルミニウムの130mm
外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、30μｍ
厚さの無電解ニツケル・りん（Ni−Ｐ）めつき
層を形成したものを用いる。めつき層の化学組成
は、ニツケルが90〜92％であり、りんが８〜10％
である。 このデイスクは、両面同時研磨機に装填し、デ
イスクの両面のめつき層にそれぞれスウエードク
ロスの研磨パツトを当接し、デイスクと両研磨パ
ツトを相対的に摺動して、10分間研磨する。研磨
の間、デイスクと両研磨パツトの間に本発明の研
磨スラリー又は従来の一般用研磨スラリーを0.1
／minの割合で供給する。なお、研磨圧は50
ｇ／cm2である。 研磨の後、デイスク両面のめつき層の研磨表面
を検査して表面欠陥の有無を調べる。次にデイス
クの厚さを計測し、研磨による両面のめつき層の
厚さ減少量を算出して、研磨量を求める。 この実験結果は、第２表に示す通りである。
スラリーは、PH値が6.6〜5.6であつて中性ないし
弱酸性であり、これに対し、従来の研磨スラリー
は、PH値が4.0〜2.5であつて強酸性である。とこ
ろが、本発明の研磨スラリーを用いると、従来の
それを用いた場合と同様に、研磨量が多くて研磨
能率が高く、また、表面欠陥が認められず、研磨
表面の品質が高い。 錆の実験 本発明と従来の研磨スラリーに、それぞれ、一
般構造用鋼材（SS41）の試験片を一週間浸漬す
る。 その後、研磨スラリー中で錆びた試験片は、錆
を落して、試験片の重量を計測し、錆による重量
損失を算出し、その重量損失を試験片の最初の重
量で割つて重量減少率を求める。 本発明の研磨スラリーの場合は、研磨促進剤が
硫酸ニツケルであつて、PH値が6.0であり、試験
片の重量減少率が0.02％である。 従来の研磨スラリーの場合は、研磨促進剤が硝
酸アルミニウムであつてPH値が3.5であり、試験
片の重量減少率が0.79％である。 この実験結果から明らかなように、本発明の研
磨スラリーは、従来のそれに比し、研磨機や治具
が非常に錆び難い。また、作業者の手が荒れ難い
ものと推認される。 (2) メモリーデイスクの無電解ニツケルめつき層
等を研磨する実験 ａ 無電解ニツケル・りんめつき 本発明の研磨用組成物には、上記のプラスチツ
ク製品の研磨実験におけるのと同じスラリーを用
いる。 従来の研磨用組成物には、本発明の研磨用組成
物において、研磨促進剤を添加していない一般用
研磨スラリーを用いる。 メモリーデイスクには、アルミニウムの130mm
外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、30μｍ
厚さの無電解ニツケル・りん（Ni−Ｐ）めつき
層を形成したものを用いる。めつき層の化学組成
は、ニツケルが90〜92％であり、りんが８〜10％
である。 このデイスクは、両面同時研磨機に装填し、デ
イスクの両面のめつき層にそれぞれスウエードク
ロスの研磨パツトを当接し、デイスクと両研磨パ
ツトを相対的に摺動して、10分間研磨する。研磨
の間、デイスクと両研磨パツトの間に本発明の研
磨スラリー又は従来の一般用研磨スラリーを0.1
／minの割合で供給する。なお、研磨圧は50
ｇ／cm2である。 研磨の後、デイスク両面のめつき層の研磨表面
を検査して表面欠陥の有無を調べる。次にデイス
クの厚さを計測し、研磨による両面のめつき層の
厚さ減少量を算出して、研磨量を求める。 この実験結果は、第２表に示す通りである。
【表】
この第２表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、研磨量が多くて
研磨能率が高く、また、表面欠陥が認められず、
研磨表面の品質が高い。 また、従来の２段階研磨方法によつて、上記の
場合と同様なメモリーデイスクの無電解ニツケ
ル・りんめつき層を研磨する。 第１段階の粗研削に用いる粗研削スラリーは、
純水に、上記の場合と同様に、α型酸化アルミニ
ウムの研磨剤を懸濁し、これに次亜塩素酸ナトリ
ウムを添加したスラリーである。この粗研削スラ
リー中の次亜塩素酸ナトリウムの重量割合は、
0.12％である。 第２段階の仕上研削で上記の粗研削スラリーに
混合する追加スラリーは、純水にコロイド状酸化
アルミニウムとしてアルミナコーテイツドシリカ
ゾルを懸濁したスラリーである。この追加スラリ
ー中のアルミナコーテイツドシリカゾルは、重量
割合が10％であり、平均粒子径が20ｍμである。 メモリーデイスクは、上記の場合と同様に、研
磨機に装填し、デイスクと研磨パツドを摺動し、
デイスクと研磨パツドの間に、第１段階として上
記の粗研削スラリーを供給し、デイスクのめつき
面を粗研磨する。 次に、第２段階として上記の粗研磨スラリーと
上記の追加スラリーを同流量供給し、デイスクの
めつき面を仕上研磨する。 この実験結果は、次の通りである。 粗研削が８分間で仕上研削が２分間の場合、研
磨量は4.5μｍ／10minであり、表面欠陥は認めら
れない。 粗研削が５分間で仕上研削が５分間の場合、研
磨量は2.6μｍ／10minであり、表面欠陥は認めら
れない。 この結果と第２表から明らかなように、本発明
の研磨スラリーを用いると、従来の２段階研磨方
法に比し、無電解ニツケル・りんめつき層の研磨
量が多くて研磨能率が高い。 ｂ 無電解ニツケル・ほう素めつき メモリーデイスクには、アルミニウムの130mm
外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、30μｍ
厚さの無電解ニツケル・ほう素（Ni−Ｂ）めつ
き層を形成したものを用いる。めつき層の化学組
成は、ニツケルが99.0〜99.5％であり、ほう素が
0.5〜1.0％である。 このデイスクは、上記の無電解ニツケル・りん
めつき層の研磨実験におけるのと同様に研磨す
る。 この実験結果は、第３表に示す通りである。
スラリーは、従来のそれに比し、研磨量が多くて
研磨能率が高く、また、表面欠陥が認められず、
研磨表面の品質が高い。 また、従来の２段階研磨方法によつて、上記の
場合と同様なメモリーデイスクの無電解ニツケ
ル・りんめつき層を研磨する。 第１段階の粗研削に用いる粗研削スラリーは、
純水に、上記の場合と同様に、α型酸化アルミニ
ウムの研磨剤を懸濁し、これに次亜塩素酸ナトリ
ウムを添加したスラリーである。この粗研削スラ
リー中の次亜塩素酸ナトリウムの重量割合は、
0.12％である。 第２段階の仕上研削で上記の粗研削スラリーに
混合する追加スラリーは、純水にコロイド状酸化
アルミニウムとしてアルミナコーテイツドシリカ
ゾルを懸濁したスラリーである。この追加スラリ
ー中のアルミナコーテイツドシリカゾルは、重量
割合が10％であり、平均粒子径が20ｍμである。 メモリーデイスクは、上記の場合と同様に、研
磨機に装填し、デイスクと研磨パツドを摺動し、
デイスクと研磨パツドの間に、第１段階として上
記の粗研削スラリーを供給し、デイスクのめつき
面を粗研磨する。 次に、第２段階として上記の粗研磨スラリーと
上記の追加スラリーを同流量供給し、デイスクの
めつき面を仕上研磨する。 この実験結果は、次の通りである。 粗研削が８分間で仕上研削が２分間の場合、研
磨量は4.5μｍ／10minであり、表面欠陥は認めら
れない。 粗研削が５分間で仕上研削が５分間の場合、研
磨量は2.6μｍ／10minであり、表面欠陥は認めら
れない。 この結果と第２表から明らかなように、本発明
の研磨スラリーを用いると、従来の２段階研磨方
法に比し、無電解ニツケル・りんめつき層の研磨
量が多くて研磨能率が高い。 ｂ 無電解ニツケル・ほう素めつき メモリーデイスクには、アルミニウムの130mm
外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、30μｍ
厚さの無電解ニツケル・ほう素（Ni−Ｂ）めつ
き層を形成したものを用いる。めつき層の化学組
成は、ニツケルが99.0〜99.5％であり、ほう素が
0.5〜1.0％である。 このデイスクは、上記の無電解ニツケル・りん
めつき層の研磨実験におけるのと同様に研磨す
る。 この実験結果は、第３表に示す通りである。
【表】
この第３表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、研磨量が多くて
研磨能率が高く、また、表面欠陥が認められず、
研磨表面の品質が高い。 ｃ アルマイト メモリーデイスクには、無電解ニツケルめつき
層に代えてアルマイト層を形成したものを用い
る。 このデイスクは、無電解ニツケルめつき層の研
磨実験におけるのと同様に研磨する。その結果
は、第４表に示す通りである。
スラリーは、従来のそれに比し、研磨量が多くて
研磨能率が高く、また、表面欠陥が認められず、
研磨表面の品質が高い。 ｃ アルマイト メモリーデイスクには、無電解ニツケルめつき
層に代えてアルマイト層を形成したものを用い
る。 このデイスクは、無電解ニツケルめつき層の研
磨実験におけるのと同様に研磨する。その結果
は、第４表に示す通りである。
【表】
この第４表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、研磨能率が高
く、また、研磨表面の品質が高い。 ｄ アルミニウム メモリーデイスクには、無電解ニツケルめつき
層やアルマイト層を形成していないアルミニウム
の基板そのものを用いる。 このデイスクは、同様に研磨し、その結果は、
第２表に示す。
スラリーは、従来のそれに比し、研磨能率が高
く、また、研磨表面の品質が高い。 ｄ アルミニウム メモリーデイスクには、無電解ニツケルめつき
層やアルマイト層を形成していないアルミニウム
の基板そのものを用いる。 このデイスクは、同様に研磨し、その結果は、
第２表に示す。
【表】
この第５表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれの比し、優れている。 〈発明の効果〉 本発明の研磨用組成物は、プラスチツクを、従
来のプラスチツク用研磨スラリーと同様に、高能
率かつ高品質に研磨することができる上に、従来
のプラスチツク用研磨スラリーとは異なり、中性
ないし弱酸性であるので、研磨機や治具が錆び難
く、作業者の手が荒れ難い。 また、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクの無電解ニツケルめつき、アルマイト
又はアルミニウムを、従来の一般用研磨スラリー
に比し、高能率かつ高品質に研磨することができ
る。 更に、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクの無電解ニツケルめつきを、従来の２
段階研磨方法に比し、高能率に研磨することがで
きる。
スラリーは、従来のそれの比し、優れている。 〈発明の効果〉 本発明の研磨用組成物は、プラスチツクを、従
来のプラスチツク用研磨スラリーと同様に、高能
率かつ高品質に研磨することができる上に、従来
のプラスチツク用研磨スラリーとは異なり、中性
ないし弱酸性であるので、研磨機や治具が錆び難
く、作業者の手が荒れ難い。 また、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクの無電解ニツケルめつき、アルマイト
又はアルミニウムを、従来の一般用研磨スラリー
に比し、高能率かつ高品質に研磨することができ
る。 更に、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクの無電解ニツケルめつきを、従来の２
段階研磨方法に比し、高能率に研磨することがで
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水と、酸化アルミニウムの研磨剤及び硫酸ニ
ツケルの研磨促進剤からなり、中性ないし弱酸性
である研磨用組成物。 ２ 研磨促進剤の重量割合が１〜20％であり、PH
値が７〜５である特許請求の範囲第１項記載の研
磨用組成物。 ３ 研磨剤の重量割合が２〜30％であり、研磨剤
の平均粒子径が0.7〜4.0μｍであり、研磨剤の最
大粒子径が20μｍ以下である特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の研磨用組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121200A JPS61278587A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 研磨用組成物 |
| US06/827,195 US4696697A (en) | 1985-06-04 | 1986-02-07 | Polishing composition |
| KR1019860001446A KR940000662B1 (ko) | 1985-06-04 | 1986-02-28 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| EP86302874A EP0204408B1 (en) | 1985-06-04 | 1986-04-17 | Polishing composition |
| DE8686302874T DE3681504D1 (de) | 1985-06-04 | 1986-04-17 | Polierzusammensetzung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121200A JPS61278587A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 研磨用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278587A JPS61278587A (ja) | 1986-12-09 |
| JPS64436B2 true JPS64436B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=14805342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60121200A Granted JPS61278587A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 研磨用組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4696697A (ja) |
| EP (1) | EP0204408B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61278587A (ja) |
| KR (1) | KR940000662B1 (ja) |
| DE (1) | DE3681504D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197560A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
| JP2632889B2 (ja) * | 1988-01-19 | 1997-07-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2632898B2 (ja) * | 1988-02-09 | 1997-07-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| DE68927116T2 (de) * | 1988-01-19 | 1997-02-06 | Fujimi Inc | Poliermasse |
| JPH01257563A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
| JPH0214280A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Showa Denko Kk | プラスチック研磨用組成物 |
| JPH0284485A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
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| JPH0781133B2 (ja) * | 1992-05-06 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | メモリーハードディスクの研磨用組成物 |
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- 1985-06-04 JP JP60121200A patent/JPS61278587A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-07 US US06/827,195 patent/US4696697A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-28 KR KR1019860001446A patent/KR940000662B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-04-17 EP EP86302874A patent/EP0204408B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-17 DE DE8686302874T patent/DE3681504D1/de not_active Expired - Fee Related
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| EP0204408A3 (en) | 1988-04-27 |
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