JPS64355U - - Google Patents
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- JPS64355U JPS64355U JP9451087U JP9451087U JPS64355U JP S64355 U JPS64355 U JP S64355U JP 9451087 U JP9451087 U JP 9451087U JP 9451087 U JP9451087 U JP 9451087U JP S64355 U JPS64355 U JP S64355U
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser device
- beam semiconductor
- electrode
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- Optical Head (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例である３ビーム半導
体レーザ装置の電極構造を示す平面図、第２図イ
，ロ，ハ，ニは本考案の実施例の製作工程を示す
図、第３図は本考案の一実施例である４ビーム半
導体レーザ装置の電極構造を示す平面図、第４図
イ，ロは従来の３ビーム半導体レーザ装置の電極
構造を示す平面図、第５図は従来構造により生じ
たワイヤーボンド時の電極間シヨートを示す側面
図である。 １……基板、２……素子分離溝、３，４，５…
…半導体レーザ素子、６，７，８……電極、９，
１０……絶縁膜、１１，１２，１３，１４……電
極。
体レーザ装置の電極構造を示す平面図、第２図イ
，ロ，ハ，ニは本考案の実施例の製作工程を示す
図、第３図は本考案の一実施例である４ビーム半
導体レーザ装置の電極構造を示す平面図、第４図
イ，ロは従来の３ビーム半導体レーザ装置の電極
構造を示す平面図、第５図は従来構造により生じ
たワイヤーボンド時の電極間シヨートを示す側面
図である。 １……基板、２……素子分離溝、３，４，５…
…半導体レーザ素子、６，７，８……電極、９，
１０……絶縁膜、１１，１２，１３，１４……電
極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 複数の半導体レーザ素子が隣接して配列された
マルチビーム半導体レーザ装置において、 各素子単位に電気的に分離された電極の一部が
絶縁膜を介して隣接する素子の電極上に存在する
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987094510U JP2523110Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987094510U JP2523110Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS64355U true JPS64355U (ja) | 1989-01-05 |
| JP2523110Y2 JP2523110Y2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=30958055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987094510U Expired - Lifetime JP2523110Y2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523110Y2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237185A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JPH0639721U (ja) * | 1990-11-13 | 1994-05-27 | 能臣 山田 | ストロー入容器 |
| JP2008227058A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2010040752A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP1987094510U patent/JP2523110Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPLIED PHYSICS LETTERS\\\9700623=1983 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237185A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JPH0639721U (ja) * | 1990-11-13 | 1994-05-27 | 能臣 山田 | ストロー入容器 |
| JP2008227058A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2010040752A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523110Y2 (ja) | 1997-01-22 |