JPS643369B2

JPS643369B2 -

Info

Publication number: JPS643369B2
Application number: JP56085720A
Authority: JP
Inventors: Mitsutaka Hikita
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1981-06-05
Filing date: 1981-06-05
Publication date: 1989-01-20
Also published as: JPS57202114A; US4468642A

Description

【発明の詳細な説明】本発明はバンドパスフイルタ、更に詳しく言え
ば、圧電性材料あるいは非圧電性材料からなる音
響波を伝搬する基板の表面に導電性細線、スリツ
ト、溝を形成し、VHF，UHFの周波数範囲で動
作するバンドパスフイルタの構成に関するもので
ある。

VHFやUHFの周波数範囲で使用される回路と
して、従来の容量素子、抵抗素子やインダクタン
ス素子の集中回路素子を組合せた回路に代るもの
として、弾性表面波を利用した回路装置、特に共
振器やフイルタの回路装置が開発され、通信機装
置やテレビジヨン受像機にすでに使用されてい
る。これらの表面波回路装置は小型に出来るこ
と、動作特性が安定していること、特装のそろつ
た装置が安価に実現できる等の多くの利点を有す
るが、まだ解決すべき問題も残つている。特にフ
イルタで問題となるのはフイルタの通過帯域にお
ける損失をできるだけ少なくすることと周波数特
性を希望通りに実現できるようにすることであ
る。

特に、近年、各種の通信機、家電機器に使用す
るフイルタとして、通過帯域では低損失、通過帯
域外では減衰が大きく、しかも、通過帯域と非通
過帯域との境界で急峻な高上り特性、すなわち通
過帯域の周波数特性が方形に近い特性を持つフイ
ルタの実現が要求されている。

従来、これらの要求を満すため、種々の表面波
装置によるフイルタが提案されているが、上述の
全ての条件を満すものは未だ実現されていない。
本発明の構造に似て、通過帯域外では、バルク波
によつて発生するスプリアス成分を少くし、かつ
減衰が大きいフイルタとして次のような表面波バ
ンドパスフイルタが知られている（U.S.
P.4044321.SURFACE ACOUSTC WAVE
BAND PASS FILTERING）。

このバンドパスフイルタは、表面波に対して
は、同様の周波数特性（ω）で、バルク波に対
しては、異なる周波数特性を持つ２つの表面波フ
イルタを電気的に直列接続して構成したものであ
り、その総合された周波数特性は、通過帯域では
｛（ω）｝²となり、通過帯域外では｛（ω）｝²よ
り大きい減衰を示すことが知られている。

しかしながら、このバンドパスフイルタは、本
発明者らが調べた所によれば、通過帯域での損失
が大きく、周波数特性が平坦でない、すなわち周
波数特性にリツプルが存在するという欠点を持つ
ていることが分つた。

したがつて、本発明の目的は通過帯域（パスバ
ンド）における損失が少なく、かつ周波数特性が
平坦で、かつ非通過帯域での減衰が大きく、さら
に、通過帯域と非通過帯域の境界で急峻な立上り
特性を有するバンドパスフイルタを提供すること
にある。

本発明の構成は、表面波バンドパスフイルタ
（音響表面波装置）の一方が第１の音響・電気ト
ランスデユーサと、その両側に配置されかつ電気
信号源（入力信号）に共通に接続された第１の電
気・音響トランスデユーサ（入力トランスデユー
サ）とからなり、他方の表面波装置が上記第１の
音響・電気トランスデユーサに電気的に映像イン
ピーダンス接続された第２の電気・音響トランス
デユーサと、上記第２の電気・音響トランスデユ
ーサの両側に配置され、電気的に共通に出力端に
接続された第２の音響・電気トランスデユーサ
（出力トランスデユーサ）とからなるバンドパス
フイルタにおいて、上記第１の電気・音響トラン
スデユーサで変換された音響波の大部分を上記第
１の音響・電気トランスデユーサ側に伝播させる
手段を設け、第２の表面波装置の第２の音響・電
気トランスデユーサについても同様の手段を設け
たものである。

ここで、上記第１の音響・電気トランスデユー
サと第２の電気・音響トランスデユーサの電気的
接続を電気回路論では影像インピーダンス（イメ
ージインピーダンス）接続と言う。これは、接続
点から第１の音響・電気トランスデユーサ側を見
た電気インピーダンスと同様に接続点から第２の
電気・音響トランスデユーサ側を見た電気インピ
ーダンスがほぼ等しいことによる。一方、上記接
続点から第１の音響・電気トランスデユーサ側を
見た電気インピーダンスと、同様に接続点から第
２の電気・音響トランスデユーサ側を見た電気イ
ンピーダンスが複素共役となるように接続する場
合があるが、これを共役インピーダンス接続と言
う。本発明の構成は、後に、利点を述べるように
影像インピーダンス接続する。以下、上記第１の
音響・電気トランスデユーサと電気的に接続され
る第２の電気・音響トランスデユーサの対を影像
インピーダンス接続されたトランスデユーサと呼
ぶことにする。

上記構成において、影像インピーダンス接続さ
れたトランスデユーサの両側に配置されるトラン
スデユーサを単方向性化する手段としては、トラ
ンスデユーサの周囲にマルチストリツプカプラや
反射器を設け外側に伝播する音響表面波を内側
（第１の音響・電気トランスデユーサ又は第２の
電気・音響トランスデユーサ側）に伝播させるよ
うにすることが有効である。

上記２つの表面波装置は互にほぼ線対称のパタ
ーンで形成されるが、厳密に対称とする必要はな
い。更に、後述の実施例によつて説明されるよう
に、上記第１の音響・電気トランスデユーサ、お
よび第２の電気・音響トランスデユーサ、すなわ
ち影像インピーダンス接続されたトランスデユー
サはそれぞれ単一の構造にする必要はなく、音響
波の伝播方向に分割して、あるいは分割してさら
に第１の電気・音響トランスデユーサおよび第２
の音響・電気トランスデユーサの一部と交互に反
復して配置しても良い。

本発明のバンドパスフイルタによれば、従来の
バンドパスフイルタに比して、後述する如く、優
れた周波数特性を有し、さらに、装置を大型化す
ることなく、通過帯域（パスバンド）と非通過帯
域（ストツプバンド）との境界における急峻な立
上り特性を実現でき、また、表面波装置の利点で
ある小型化を生かし、かつ高性能なフイルタが実
現出来るという効果がある。

上記、及び他の本発明の目的、特徴あるいは利
点は以下の図面と関連する詳細な説明によつて明
らかとなると思う。

第１図は本発明によるバンドパスフイルタの一
実施例の構成を示す図である。同図に示す如く、
破線Ｃに対してほぼ対称に構成された２つの音響
表面波装置ＡおよびＢから構成されている。上記
装置ＡおよびＢは例えばリチウムニオベイト
（LiNbO₃）のような表面波を伝播できる基板
（図示せず）の上に金属蒸着技術等によつて図示
のような導電細線パターンが形成される。なお図
面は簡単のため線で示しているが、実際は一定の
幅を有する。

表面波装置Ａは、第１の音響・電気トランスデ
ユーサ４と、その両側に対称に配置された第１の
電気・音響トランスデユーサ５−１および５−２
と、上記第１の電気・音響トランスデユーサ５−
１，５−２の周辺に、このトランスデユーサ５−
１，５−２を単方向性化、すなわち、変換された
音響波をトランスデユーサ４側のみに伝播させる
マルチストリツプカプラ８−１および８−２とで
構成されている。トランスデユーサ５−１，５−
２を構成する一方の電極は共通に入力負荷３を介
して電気的に信号電源１に接続されている。

表面波装置ＢはＡの導体細線を破線Ｃに対して
折り返したような構成を成し、いわゆる影像イン
ピーダンス接続（接続点Ｄから見た上下方向のイ
ンピーダンスがほぼ等しくなるような接続法）が
なされる。

トランスデユーサ６は上記トランスデユーサ４
の出力である電気信号を音響信号に変える第２の
電気・音響トランスデユーサで、変換された音響
信号は第２の音響・電気トランスデユーサ７−１
および７−２によつて電気信号に変換され、バン
ドパスフイルタの出力信号として負荷回路２に加
えられる。

上記各トランスデユーサ、およびマルチストリ
ツプカプラ自体の構成は従来知られているので簡
単に説明する。トランスデユーサは一端が共通に
接続された並行細線からなるくしの歯状電極指導
体の２つを歯が互いに間挿されるように配置して
構成される。このくしの歯数の本数は周波数帯域
幅を決定し、並行細線の周期は通過帯域の中心周
波数を決定し、一般に中心周波数で励振される表
面波の波長となるように設定される。又マルチス
トリツプカプラは一般に細線の間隔が1/4波長以
下に設定される。

マルチストリツプカプラの細線の本数は、3dB
カプラとなるように設定し、さらに、図示のよう
にＵ字形に湾曲させ、その中に、中心を1/8波長
ずらしてトランスデユーサ５−１，５−２を設置
することにより、トランスデユーサ４の反対側に
伝播する表面波をトランスデユーサ４側に折り返
すことが出来、単方向化することが出来る。

以下、上記実施例の動作について説明する。

トランスデユーサ５−１および５−２は入力電
気信号を音響波a₁，a₂に変換して基板を伝播させ
る。マルチストリツプカプラ８−１，８−２の上
述の単方向化の作用によつて、音響表面波a₁，a₂
はほとんど全てトランスデユーサ４に向つて伝播
される。トランスデユーサ５−１およ５−２はト
ランスデユーサ４に対して対称な形状であるた
め、音響表面波（以下表面波と略す）a₁，a₂の振
幅および位相は等しされる。トランスデユーサ５
−１および５−２はトランスデユーサ４に対して
対称な形状であるため、音響表面波（以下表面波
と略す）a₁，a₂の振幅および位相は等しい。フイ
ルタの通過帯域（パスバンド：後で説明するよう
に、トランスデユーサ４および６はフイルタの周
波数特性を決定する重要な役割を果すが、接続点
Ｄからトランスデユーサ４および６を見た影像イ
ンピーダンスがトランスデユーサの周期電極形状
から定まる中心周波数の近傍で、純低抗となる周
波数帯域が存在する。この帯域がフイルタのパス
バンドに対応する。）では、表面波a₁，a₂は電気
信号に変換され、全て第２の電気・音響トランス
デユーサ６に入り、ここで再び表面波b₁，b₂に変
換されて、基板表面を左右に伝搬する。そして、
第２の音響・電気トランスデユーサ７−１および
７−２で再び電気信号に変換され、出力負荷にフ
イルタ出力として取り出される。マルチストリツ
プカプラ９−１，９−２は８−１，８−２と同様
単方向トランスデユーサを形成するためのもので
あり、マルチストリツプカプラにより表面波b₁，
b₂は外部へ漏れることなく、トランスデユーサ７
−１，７−２によつて電気信号に変換される。し
たがつて、上記通過帯域では、表面波a₁，a₂，
b₁，b₂の振幅を｜a₁p｜，｜a₂p｜，｜b₁p｜，｜b₂p
｜とすれば、｜a₁p｜＝｜a₂p｜｜b₁p｜＝｜b₂p｜となる。

一方、非通過帯域（ストツプバンド：後に説明
するように、トランスデユーサの周期電極形状か
ら定まる中心周波数の近傍外で影像インピーダン
スが純抵抗以外のリアクタンス成分を持つ周波数
帯域が存在する。この帯域がフイルタのストツプ
バンドに対応する。）では、表面波a₁，a₂のうち
大部分がトランスデユーサ４及び６のインピーダ
ンスによつて反射され（a₁r，a₂r）トランスデユ
ーサ５−１，５−２側に伝搬される。a₁r，a₂rは
トランスデユーサ５−１，５−２で再び電気信号
に変換され電源負荷に吸収される。したがつて、
トランスデユーサ６から放射される表面波b₁，b₂
の振幅は非常に小さくなり、フイルタのストツプ
バンドを形成する。

第２図は上記実施例のバンドパスフイルタの周
波数特性を示す図で、横軸は周波数、縦軸は減衰
量を表わす。第３図は本発明の効果を明らかにす
るため、第１図の構造のバンドパスフイルタから
マルチストリツプカプラ８−１，８−２，９−１
および９−２を除き他の部分の構成は中心周波数
が異なることの他は同一条件で構成したバンドパ
スフイルタの周波数特性を示す。第２図に特性図
から明らかなように、ストツプバンドでは大きな
減衰が得られ、パスバンドとストツプバンドの境
界部で急峻な立ち上り特性が認められる。マルチ
ストリツプカプラを用いない第３図の場合は、ス
トツパバンドでは大きな減衰が得られるが、パス
バンド（82〜85MHz）において５〜12dBの減衰
があり、特に、周波数特性が平坦でなく、ゆらい
でいるため、ほとんどフイルタとしての機能をな
さない。

しかし、第２図に示す本発明によるハンドバス
フイルタの場合は、パスバンド（84〜88MHz）で
の損失（減衰）が非常に小さく、かつ、リツプル
がなく平坦な周波数特性となつて、第３図の場合
に比べて特性が著しく改善されていることが分
る。これは、マルチストリツプカプラによつて、
トランスデユーサを単方向性化したため、外部へ
漏れるエネルギが少なく、リツプルが小さくなつ
たと解釈出来る。

上記実施例に示されるように、第１および第２
の表面波装置ＡおよびＢは形状的には破線Ｃに対
してほぼ対称に構成され、電気的にはトランスデ
ユーサ４および６の接続点Ｄからトランスデユー
サ４側をみたインピーダンスとトランスデユーサ
６側を見たインピーダンスはほぼ等しくなる（影
像インピーダンスとなる）。

影像インピーダンスが純抵抗となる周波数帯域
（すなわち、フイルタのパスバンド）ではトラン
スデユーサ４の出力電流は反射されることなくト
ランスデユーサ６に流れ込む。

しかしながら、影像インピーダンスにリアクタ
ンス成分が存在する周波数帯域（すなわち、フイ
ルタのストツプバンド）では、トランスデユーサ
４のリアクタンス成分とトランスデユーサ６のリ
アクタンス成分の両方が接続点Ｄで接続されるこ
とになり、信号電源１から負荷回路２側をみる
と、両リアクタンス成分が足された形となる。従
つて、反射に対する影響も２倍となり、全体とし
て大きな反射が生じる。すなわち、トランスデユ
ーサ４からトランスデユーサ６へ流れ込む電流は
非常に小さくなる。以上のことより、影像インピ
ーダンス接続されるトランスデユーサは、フイル
タ所望のパスバンド周波数に対して、その影像イ
ンピーダンスが純抵抗となるようにトランスデユ
ーサの電極指を決定する必要がある。所望のパス
バンドの周波数に対し、影像インピーダンスを純
抵抗にするためには、次のような構成にすれば良
い。

一般に、トランスデユーサの電気端子から見た
インピーダンスは電極間の静電容量のため容量性
である。しかし、実験および理論計算の結果以下
のことが分かつた。トランスデユーサの周期電極
形状から定まる中心周波数の近傍では、電極間の
静電容量に弾性表面波が励振され、かつ、放射す
ることによる抵抗分が加わる。また、弾性表面波
が励振されると振動の反作用によつて等価的なリ
アクタンス分が生ずる。このリアクタンス分には
以下の性質がある。すなわち、トランスデユーサ
の電極対数をＮ、用いる圧電基板の電気機械結合
係数をk²（k²＝２（v_f−v_n）／v_f，v_f：自由表面を
伝搬する表面波の速度、v_n：金属薄膜でコート
した表面を伝搬する表面波の速度）とすると、Ｎ
1.5／k²なる対数のトランスデユーサは、トラ
ンスデユーサの電極の繰り返えし周期で定まる中
心周波数の近傍では振動による動リアクタクス
（振動に伴う反作用によつて生ずるリアクタンス）
が電極間の容量を打ち消しインピーダンスがほぼ
純抵抗となる。したがつて、影像インピーダンス
接続されたトランスデユーサ４，６としてＮ
1.5／k²の対数のものを用いることにより、フイ
ルタのパスバンド（すなわち、影像インピーダン
スが純抵抗の周波数帯域）では、上（トランスデ
ユーサ４）から下（トランスデユーサ６）へ反射
することなく電流が流れ込み、ストツプバンド
（影像インピーダンスが純抵抗以外のリアクタン
ス成分を持つ周波数帯域）では大きく反射される
ことになり高い帯域外減衰量が実現される。ま
た、実験および理論計算の結果、トランスデユー
サ４，６はリアクタンス成分を持つ周波数帯域
と、純抵抗の周波数帯域との間の周波数間隔は非
常に狭いことが分つた。前述のように、本構成で
は、影像インピーダンスが純抵抗のとき、その周
波数帯域がフイルタのパスバンド、リアクタンス
成分を持つとき、その周波数帯域がストツプバン
ドとなるため、フイルタのパスバンドからストツ
プバンドへの変化も非常に狭い周波数範囲で起
る。すなわち、非常に急峻な立ち上り特性が得ら
れる。

また、以上の説明と重複するが、一般に影像イ
ンピーダンスが純抵抗となる周波数帯域は、トラ
ンスデユーサの周期電極形状から定まる中心周波
数の近傍である。したがつて、フイルタの設計に
は、従来の設計法同様、フイルタの通過帯域の中
心と影像インピーダンス接続されたトランスデユ
ーサの周期電極形状で定まる中心周波数を一致さ
せることが必要である。

次に、電気機械結合係数k²の小さい圧電基板を
用いる場合、また比較的広帯域なフイルタなどを
目的とする場合に関して説明する。この場合、Ｎ
＜1.5／k²なる対数のトランスデユーサを用いる
ことがある。このとき、影像インピーダンス接続
されたトランスデユーサのインピーダンスには容
量性の成分が残る。このため、フイルタのパスバ
ンドでも上（トランスデユーサ４）から下（トラ
ンスデユーサ６）のトランスデユーサへ流れ込む
電流は大きく反射されることになる。この反射を
無くするためには、フイルタのパスバンドで影像
インピーダンスの容量分を打ち消すインダクタン
ス（コイル等）を影像インピーダンス接続点Ｄに
並列あるいは直列に挿入する。したがつて、Ｎ＜
1.5／k²なる対数のトランスデユーサでもインダ
クタンスを導入することによつて、高い帯域外減
衰量で急峻な立ち上り特性のフイルタが実現でき
る。

次に、電気機械結合係数k²の大きな圧電基板を
用いる場合、または比較的狭帯域なフイルタ等を
目的とする場合に関して説明する。この場合、Ｎ
＞1.5／k²なる対数のトランスデユーサを用いる
ことがある。このとき、影像インピーダンス接続
されたトランスデユーサのインピーダンスはフイ
ルタの中心周波数の近傍では振動の動リアクタン
スの影響を強く受け誘導性となる場合がある。こ
の場合は、キヤパシタンス（コンデンサ等）を導
入することにより前記インダクタンスを導入した
場合とまつたく同様の関係が成り立つ。また、以
上の説明では、Ｎ1.5／k²を境にＮ＞1.5／k²と
Ｎ＜1.5／k²に分けたが、これは、トランスデユ
ーサの電極指幅と電極指間隔がそれぞれ中心周波
数における波長の４分の１で出来ている通常のト
ランスデユーサの場合であり、４分１波長以外の
電極指幅のトランスデユーサを用いる場合は、こ
の条件から若干ずれる。

第４図は本発明によるバンドパスフイルタの他
の実施例の構成を示すもので、特に第１図におけ
るマルチストリツプカプラの代りに反射器１０−
１，１０−２，１１−１および１１−２を用いた
もので、他の部分は第１図のものと同じである。
反射器１０−１および１０−２は第１の音響・電
気トランスデユーサに対して対称に、かつ第１の
電気・音響トランスデユーサの外側に配置され、
又反射器１１−１および１１−２も第２の電気・
音響トランスデユーサに対して対象かつ、第２の
音響・電気トランスデユーサの外側に配置され、
トランスデユーサ４および６と反対方向に進行す
る音響波を内側に向けている。すなわち、第１の
電気・音響トランスデユーサおよび第２の音響・
電気トランスデユーサを単方向性化している。反
射器自体の構成は従来知られており反射する波の
波長の1/2の周期で配列された並行な金属ストラ
プ列、または、金属ストライプ列の両端を電気的
に共通に接続することによつて、または、溝（グ
ルーブ）列によつて実現できる。本実施例は第１
のマルチストリツプカプラを使用するものに比べ
製造が容易になる。すなわちパスバンドの周波数
が100MHz以上のものを作りたいとき、マルチス
トリツプカプラではその間隔が極めて狭いものと
なるので金属蒸着あるいはホトエツチング技術
上、不良品が出る可能性が強いが、反射器ではこ
のような製造上の問題が少ない。なお、第４図に
おいて、第１図のものと同一の番号を付す部分す
同一の構成、作用をするものであるので説明は省
略する。

第５図は本発明によるバンドパスフイルタの更
に他の実施例の構成を示す。この実施例は、第１
図の実施例の影像インピーダンス接続された第１
の音響・電気トランスデユーサ４および第２の電
気・音響トランスデユーサ６を音響波の伝播方向
に複数個１３−１〜１３−４に分割し、かつ分割
されたトランスデユーサのそれぞれが同様に分割
して構成されたトランスデユーサ１６−１〜１６
−４に影像インピーダンス接続されるように接
続、構成され、その分割されたトランスデユーサ
の両側に上記第１の電気・音響トランスデユー
サ、ならび第２の音響・電気トランスデユーサの
分割された部分１４−１〜１４−５および１７−
１〜１７−５が間挿されるように構成されている
（すなわち、影像インピーダンス接続されたトラ
ンスデユーサと第１の電気・音響トランスデユー
サおよび第２の音響・電気トランスデユーサの一
部を交互に反復して構成されている）。そして両
端のトランスデユーサの外側に第４図の実施例と
同様に反射器１０−１，１０−２および１１−
１，１１−２が形成されている。本実施例は特
に、周波数が高くなつた場合の損失を軽減する効
果を有す。なせならば、高周波では、金属電極
（アルミ等）の薄膜化に伴い、抵抗損失が増加す
るため、フイルタの損失も増加する（数dB）。抵
抗損失の増加の影響を緩和するには、アルミ電極
等の抵抗の影響が相対的に小さくなるようにフイ
ルタの入出力インピーダンスを充分高めることに
よつて原理的には可能である。しかし、一般の高
周波フイルタでは、入出力インピーダンスは共に
50Ωが要求される。

第５図の実施例では、１４−１〜１４−５の電
気・音響トランスデユーサが電気的に並列に接続
されているため、各トランスデユーサ当りのイン
ピーダンスは非常に高くなり、相対的に薄膜アル
ミ等の抵抗増加の影響は受けにくい。１７−１〜
１７−５の音響・電気トランスデユーサの場合も
同様である。

第５図の構成は、第１図、第４図の構成に比べ
て、パターンサイズが若干大きくなる欠点がある
が、高周波ではフイルタ自体が小さくなるため大
きな問題ではない。したがつて、第５図の構成は
高周波フイルタに向いている。

第６図は、第５図の実施例によるバンドパスフ
イルタを次のような具体的構成条件で構成した場
合の周波数特性図である。

このフイルタの各部の構成定数を示すと以下の
通りである。

中心周波数 830MHz 比帯域幅 3.5％圧電性基板材質 36゜回転ＹカツトＸ伝搬LiTaO₃ 寸法 1.5mm×1.3mm ストライプ材質アルミニウム入出力トランスデユーサの構造ストライプの本数 10対×６４対×４間隔 5.2μm周期影像インピーダンス接続トランスデユーサの構造ストライプの本数 26対×８間隔 5.4μm周期新位相重み付け関数ハミング関数反射機の構成ストライプの本数 20本×４間隔 2.6μm周期第６図から明らかなように、ストツプバンドで
は60dB以上の減衰を得、さらにパスバンドでは
損失、リツプルの少ない特性を実現している。

以上本発明を実施例によつて説明したが本発明
は上記実施例に限定されるものではないことは明
らかである。例えばトランスデユーサに特定の周
波数特性を持たせるため、細線の長さを変えて重
み付けを行なうアポタイズ型に構成すること、マ
ルチストリツプカプラや反射器にかわつて他の手
段によつて外側のトランスデユーサを単方向性化
すること等（例えば両側にカツト端面を設ける）、
本発明の実施の態様の中に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第４図および第５図はいずれも本発明
によるバンドパスフイルタの実施例の構成を示す
図、第２図は第１図の実施例の周波数特性図、第
３図は第１図の実施例において、マルチストリツ
プカプラ８，９を除いた場合の周波数特性図、第
６図は上記第５図の実施例によるバンドパスフイ
ルタの周波数特性図である。１……信号源、２……出力負荷、３……電源負
荷、４，６，１３，１６……影像インピーダンス
接続トランスデユーサ、５，１４……入力トラン
スデユーサ、７，１７……出力トランスデユー
サ、８，９……マルチストリツプカプラ、１０，
１１……反射器。

Claims

【特許請求の範囲】１表面波を伝搬する基板に形成された第１およ
び第２の音響表面波装置から構成され、上記第１
の音響表面波装置は音響波を電気信号に変換する
第１の音響・電気トランスデユーサと、上記第１
の音響・電気トランスデユーサの両側に配置さ
れ、かつ電気信号源に共通に接続され音響波の大
部分を上記第１の音響・電気トランスデユーサ側
のみに伝搬する第１の単方向性電気・音響トラン
スデユーサとからなり、上記第２の音響表面波装
置は上記第１の音響・電気トランスデユーサに電
気的に影像インピーダンス接続された第２の電
気・音響トランスデユーサと、上記第２の電気・
音響トランスデユーサの両側に配置され出力端に
共通に接続され上記第２の電気・音響トランスデ
ユーサからの音響波の大部分を入力とする第２の
単方向性音響・電気トランスデユーサとを有して
なり、上記第１の音響・電気トランスデユーサと
上記第２の電気・音響トランスデユーサの周期電
極形状から定まる中心周波数の近傍にフイルタの
通過帯域が形成されることを特徴とするバンドパ
スフイルタ。２特許請求の範囲第１項記載のバンドパスフイ
ルタにおいて、前記第１の単方向性電気・音響ト
ランスデユーサ又は前記第２の単方向性音響・電
気トランスデユーサの少なくとも一方が両方向性
トランスデユーサとマルチストリツプカプラとの
組合せから成ることを特徴とするバンドパスフイ
ルタ。３特許請求の範囲第１項記載のバンドパスフイ
ルタにおいて、前記第１の単方向性電気・音響ト
ランスデユーサ又は前記第２の単方向性音響・電
気トランスデユーサの少なくとも一方が両方向性
トランスデユーサと反射器との組合せから成るこ
とを特徴とするバンドパスフイルタ。４特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項記
載のバンドパスフイルタにおいて、前記第１の音
響・電気トランスデユーサおよび前記第２の電
気・音響トランスデユーサが音響波の伝搬方向に
分割され、第１の電気・音響トランスデユーサお
よび第２の音響・電気トランスデユーサの一部と
交互に反復されていることを特徴とするバンドパ
スフイルタ。５特許請求の範囲第１項、第２項、第３項又は
第４項記載のバンドパスフイルタにおいて、前記
基板の電気機械結合係数をk²、前記第１の音響・
電気トランスデユーサ及び第２の電気・音響トラ
ンスデユーサのそれぞれを形成する導電電極指の
対数をＮとし、Ｎが0.5／k²Ｎ2.5／k²であることを特徴とするバンドパスフイルタ。６特許請求の範囲第１項、第２項、第３項又は
第４項記載のバンドパスフイルタにおいて、前記
第１の音響・電気トランスデユーサと第２の電
気・音響トランスデユーサの接続点にインピーダ
ンス補正回路を設けたことを特徴とするバンドパ
スフイルタ。７特許請求の範囲第６項記載のバンドパスフイ
ルタにおいて、前記インピーダンス補正回路は前
記基板の電気機械結合係数をk²、前記第１の音
響・電気トランスデユーサ及び前記第２の電気・
音響トランスデユーサのそれぞれを形成する導電
電極指の対数をＮとし、Ｎ＜1.5／k²のとき、インダクタンス回路で構成することを特徴とするバンド
パスフイルタ。８特許請求の範囲第６項記載のバンドパスフイ
ルタにおいて、前記インピーダンス補正回路は前
記基板の電気機械結合係数をk²、前記第１の音
響・電気トランスデユーサ及び前記第２の電気・
音響トランスデユーサそれぞれを形成する導電電
極指の対数をＮとし、Ｎ＞1.5／k²のとき、キヤパシタンス回路で構成することを特徴とするバンドパ
スフイルタ。