JPS6430827U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6430827U JPS6430827U JP12581787U JP12581787U JPS6430827U JP S6430827 U JPS6430827 U JP S6430827U JP 12581787 U JP12581787 U JP 12581787U JP 12581787 U JP12581787 U JP 12581787U JP S6430827 U JPS6430827 U JP S6430827U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- base
- opposing surface
- annealing
- impurity ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
第1図は本考案のアニール用治具の1実施例の
平面図、第2図は同実施例の―断面図、第3
図は同実施例を使用してアニール処理を行なつて
いる状態の概略構成図である。 1……アニール用治具、2……半導体基板、4
……基部、4a……対向面、5……側壁。
平面図、第2図は同実施例の―断面図、第3
図は同実施例を使用してアニール処理を行なつて
いる状態の概略構成図である。 1……アニール用治具、2……半導体基板、4
……基部、4a……対向面、5……側壁。
Claims (1)
- 蒸気圧の異なる少なくとも二種類の元素を有す
る化合物半導体よりなる半導体基板への不純物イ
オンの注入後、この不純物イオンの注入された半
導体基板をアニールするためのアニール用治具に
おいて、前記半導体基板への対向面側に蒸気圧の
高い方の元素を含む基部と、該基部の前記対向面
に前記半導体基板のアニール面の側方に当接しか
つ該対向面とアニール面との間に実質的な密閉空
間を形成するための側壁とを備えてなるアニール
用治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12581787U JPS6430827U (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12581787U JPS6430827U (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6430827U true JPS6430827U (ja) | 1989-02-27 |
Family
ID=31376757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12581787U Pending JPS6430827U (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6430827U (ja) |
-
1987
- 1987-08-19 JP JP12581787U patent/JPS6430827U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6442161A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPS6430827U (ja) | ||
JPS62128633U (ja) | ||
JPS62142856U (ja) | ||
JPS6237932U (ja) | ||
JPS6419772A (en) | Manufacture of vertical mosfet | |
JPS62168235U (ja) | ||
JPS6380864U (ja) | ||
JPH0379425U (ja) | ||
JPS6333625U (ja) | ||
JPS62149855U (ja) | ||
JPS6380848U (ja) | ||
JPH02104652U (ja) | ||
JPS63131153U (ja) | ||
JPS6310060U (ja) | ||
KR960006022A (ko) | 반도체 메모리 제조 방법 | |
JPS62157148U (ja) | ||
JPS61203567U (ja) | ||
JPH0270462U (ja) | ||
JPH04739U (ja) | ||
JPS6442836A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH0284322U (ja) | ||
JPS63132456U (ja) | ||
JPH0383957U (ja) | ||
JPS6439656U (ja) |