JPS642257Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （技術分野） この考案は、高記録密度のフロツピデイスク用
として好適な、記録／再生ヘツドと消去ヘツドを
一体化した磁気ヘツドに関する。

（従来技術） 磁気ドラム、磁気デイスク、磁気テープ等の磁
気ヘツドとして、記録／再生ヘツドの両側部にそ
れぞれ消去ヘツドを一体的に配置したものが知ら
れている。この磁気ヘツドは、さらに具体的に
は、例えば特公昭44−17679号公報において周知
のように、第１図に示すような記録／再生ヘツド
１の記録／再生ギヤツプ２と、磁気ヘツドに対す
る記録媒体の移動方向（矢印Ａ）の下流側でトラ
ツクの両側部にそれぞれ配置された消去ヘツド
３，４の消去ギヤツプ５，６とが互いに平行なも
の（トンネル消去方式）、あるいは第２図に示す
ように記録／再生ギヤツプ２と消去ギヤツプ７，
８とが互いに直角をなすもの（ストラドル消去方
式）、あるいは第３図に示すように記録／再生ギ
ヤツプ１に対して消去ギヤツプ９，１０が０〜
90゜の範囲で傾斜しているもの等が知られている。

このような磁気ヘツドは、記録時に、記録／再
生ヘツド２により記録媒体上に記録トラツクを形
成する際に、同時に消去ヘツド３，４に消去電流
を流して、記録トラツクの両側部を消去し、記録
トラツクの側縁部を整えるもので、これによりト
ラツク密度を高め、ひいては記録媒体の高密度化
を図るものである。

しかしながら、このような磁気ヘツドは、再生
時に、第４図に示すように、記録トラツクＢに対
して記録／再生ヘツド１が正しく一致せず、記
録／再生ヘツド１が記録トラツクＢに対して機械
的にズレてしまうことが往々にしてある。このよ
うな場合には、消去ヘツド３の消去ギヤツプ５
は、再生しようとする記録トラツクＢの磁界を拾
つてしまい、また消去ヘツド４の消去ギヤツプ６
は隣接トツラクB₁の磁界を拾うこともある。こ
のように消去ギヤツプ５，６で拾われた磁界によ
る磁束は、記録／再生ヘツド１側へ雑音磁束とし
て分流し、記録／再生ヘツドのＳ／Ｎを低下して
しまう。

この現象は、フロツピデイスク用の磁気ヘツド
のように、記録／再生ギヤツプと消去ギヤツプ
が、従つて記録／再生ヘツドのコアと消去ヘツド
のコアが製造上の制約から極めて接近している場
合に著しく、また、第１図に示すトンネル消去方
式による磁気ヘツドにおいて、記録／再生ヘツド
の磁路と消去ヘツドの磁路が平行であるために、
著しい。さらにこの現象は、第５図および第６図
に示すように、消去ヘツド３，４にバツクポール
（またはバツクバー）１１を付加して、消去ヘツ
ド３，４を閉磁路構造とした時に、消去ギヤツプ
５，６の拾う雑音磁束は矢印で示すように記録／
再生ヘツド１側へ分流し、この現象が著しい。

そのため現在では、消去ヘツドのバツクポール
を設けずに消去ヘツドを開磁路構造とし、消去ギ
ヤツプが拾つた磁束が記録／再生ヘツドに分流す
ることに対する磁気抵抗を上げることにより、消
去ヘツド３，４と記録／再生ヘツドの結合を防止
し、消去ギヤツプが拾う雑音磁束による再生信号
のＳ／Ｎの悪化を防止する手段が講じられてい
る。

しかしながら、最近では高密度化のために、フ
ロツピデイスク等の記録媒体の保磁力Hcを上げ
ざるを得ず（現在ではHcは3000e程度であるが、
いずれ600〜7000e程度になるものと見られる。）、
従つて、記録媒体の保磁力Hcが上がると、上記
のようなバツクポールのない開磁路構造の消去ヘ
ツドでは消去効率が低下し、完全な消去が困難と
なる。さらに開磁路構造では消去ギヤツプ以外の
ところから外部雑音磁界を拾つてくることが多
い。

また、第３図に示すような消去ギヤツプ９，１
０を斜めにしたものでは、消去ギヤツプ９，１０
が読み出す隣接トラツクからのクロストークに対
してはアジマス損失により抑制することができる
が、その他の雑音に対してはあまり効果がない。

（考案の目的） この考案の目的は、記録／再生ヘツドと消去ヘ
ツドが極く接近しているような磁気ヘツドにおい
て、消去ヘツドと記録／再生ヘツドとの磁気的結
合を防止して、消去ヘツドが拾う雑音磁界により
再生信号のＳ／Ｎが悪化することを防止し、消去
ヘツドを閉磁路構造として消去効率を高くするこ
とにある。

（考案の構成） そこでこの考案は、消去ヘツドのコアを閉磁路
構造とするためのバツクポールを導電性磁性体で
構成し、消去ギヤツプが拾う高周波磁界による高
周波雑音を、バツクポールにおいてうず電流とし
て消費し、再生信号のＳ／Ｎの悪化を防止するこ
とを特徴とするものである。

（実施例） 以下、この考案の実施例を図面を参照して説明
する。

第７図において、１２は記録／再生ヘツド、１
３ａ，１３ｂ，１３ｃは記録／再生ヘツドコア、
１４は記録／再生ギヤツプ、１５は記録／再生ヘ
ツド用コイルである。消去ヘツド１６，１７は消
去ギヤツプ１８，１９を有し、消去ヘツドコア２
０ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂにバツクポール２
２，２３が付加されて閉磁路構造とされる。そし
て、このバツクポール２２，２３を十分厚い導電
性磁性体で構成し、導電体の厚さをしや断しよう
とする雑音磁束の表皮深さより十分厚くする。好
ましくは導電性磁性体としては銅などの導電体を
磁性体の表面にメツキする。

この導電性磁性体のバツクポール２２，２３に
より、消去ギヤツプ１８，１９が拾う高周波磁界
により消去ヘツド１６，１７の閉磁路を流れよう
とする高周波の雑音磁束のエネルギが、うず電流
の影響で、うず電流損失に基づく発熱および表皮
効果として消費され、消去ヘツド１６，１７の閉
磁路には高周波の雑音磁束が流れなくなる。すな
わち、消去ギヤツプ１８，１９が拾う高周波磁界
の影響は、記録／再生ヘツド１２側には及ばず、
再生信号のＳ／Ｎの悪化が防止される。特に導体
の厚さをしや断すべき雑音磁束の表皮深さより十
分厚くすることにより、所定の雑音磁束を著しく
低減することができる。また、フロツピデイスク
用磁気ヘツドの消去ヘツドなどは直流消去である
ので、バツクポールの高周波磁束に対する磁気抵
抗を高くしても、直流磁束に対しては磁気抵抗が
低いので、消去ヘツド１６，１７の消去動作に不
都合は生じない。

また、バツクポール２２，２３が付加されて、
消去ヘツド１６，１７が閉磁路構造であるため、
消去効率がよくなり、保磁力Hcの高い記録媒体
を使うことができ、高密度化が可能になる。さら
に、閉磁路構造であるため、外部雑音に対しても
強くなる。

また高周波雑音は、隣接トラツクからのクロス
トークだけではなく、全ての高周波雑音の低減効
果がある。

さらにこの考案は、特にフロツピデイスク用の
トンネル消去方式の磁気ヘツド（第７図）に適用
するのが好適であるが、ストラドル消去方式（第
８図）や消去ギヤツプを斜めに設ける方式（第３
図）の場合にも同様に雑音低減効果がある。

なお、第８図において、１２は記録／再生ヘツ
ド、１３ａ，１３ｂ，１３ｃは記録／再生ヘツド
コア、１４は記録／再生ギヤツプ、１５は記録／
再生ヘツド用コイル、２６は消去ヘツド、２７，
２８は消去ギヤツプ、２９ａ，２９ｂは消去ヘツ
ドコア、３０はバツクポール、３１は消去ヘツド
用コイルである。

（考案の効果） 以上説明したように、この考案によれば、バツ
クポールをしや断すべき雑音磁束の表皮深さより
十分厚い導電性磁性体で構成したことにより、消
去ヘツドが拾う高周波雑音磁界のエネルギがこの
バツクポールにうず電流を生じさせて消費され、
再生信号のＳ／Ｎの悪化を防止することができ
る。また、消去ヘツドを閉磁路構造であるので、
消去効率が良くなり、保磁力の高い記録媒体を使
用でき、記録媒体の高密度化を実現することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のトンネル消去方式の磁気ヘツド
のギヤツプ面を示す平面図、第２図は従来のスト
ラドル消去方式の磁気ヘツドのギヤツプ面を示す
平面図、第３図は従来の消去ギヤツプが傾斜して
いる方式の磁気ヘツドのギヤツプ面を示す平面
図、第４図は磁気ヘツドとトラツクの関係を示す
平面図、第５図は第１図に示す磁気ヘツドの正面
図、第６図は第１図および第５図に示す磁気ヘツ
ドの斜視図、第７図はこの考案による磁気ヘツド
の一実施例の斜視図、第８図はこの考案の磁気ヘ
ツドの他の実施例の斜視図である。 １２……記録／再生ヘツド、１４……記録／再
生ギヤツプ、１６，１７，２６……消去ヘツド、
１８，１９，２７，２８……消去ギヤツプ、２０
ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂ，２９ａ，２９ｂ…
…消去ヘツドコア、２２，２３，３０……バツク
ポール、Ｂ，B₁……トラツク。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 記録／再生ヘツドと、該記録／再生ヘツドによ
   り記録されるトラツクの両側に消去トラツクを形
   成する消去ヘツドとを一体化した磁気ヘツドにお
   いて、該消去ヘツドのコアがバツクポールを含ん
   で閉磁路構造を構成し、該バツクポールの少なく
   とも表面を、しや断すべき雑音磁束の表皮深さよ
   り十分厚い導電体を磁性体にメツキした導電性磁
   性体で構成したことを特徴とする磁気ヘツド。