JPS641927B2 - - Google Patents
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- JPS641927B2 JPS641927B2 JP8230679A JP8230679A JPS641927B2 JP S641927 B2 JPS641927 B2 JP S641927B2 JP 8230679 A JP8230679 A JP 8230679A JP 8230679 A JP8230679 A JP 8230679A JP S641927 B2 JPS641927 B2 JP S641927B2
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用転写マスクの製造方法、特
にＸ線を用いて微細パターンを転写する技術に用
いられるＸ線露光用転写マスクの製造方法に関す
るものである。
にＸ線を用いて微細パターンを転写する技術に用
いられるＸ線露光用転写マスクの製造方法に関す
るものである。
従来のＸ線露光用転写マスクの典型的な構造
は、第１図に示すようなものが提案されている。
すなわち同図において、軟Ｘ線の吸収の極めて強
い軟Ｘ線吸収層１と、この軟Ｘ線吸収層１を支持
するのに充分な範囲で薄膜化してＸ線の減衰率を
小さくする軟Ｘ線透過層２と、当マスクに要する
機械的強度を得るための支持体３とから主構成さ
れている。
は、第１図に示すようなものが提案されている。
すなわち同図において、軟Ｘ線の吸収の極めて強
い軟Ｘ線吸収層１と、この軟Ｘ線吸収層１を支持
するのに充分な範囲で薄膜化してＸ線の減衰率を
小さくする軟Ｘ線透過層２と、当マスクに要する
機械的強度を得るための支持体３とから主構成さ
れている。
このように構成されたＸ線露光用転写マスクに
おいて、軟Ｘ線吸収層１の形成方法としては、軟
Ｘ線透過層２の上面にレジストを塗布した後、、
所望のパターンと相補の関係にあるレジストパタ
ーンを形成し、しかる後金，白金などのＸ線の吸
収率の高い金属を被覆させ、リフト・オフ等によ
り所望のパターンを形成させている。あるいは金
属を被着させた後、所望のレジストパターンを形
成し、しかる後、イオンエツチング等により所望
のパターンを形成させている。次に軟Ｘ線透過層
２の裏面にエツチング用マスクパターンを形成さ
せ、シリコン基板を選択エツチング除去し、支持
体３を形成していた。
おいて、軟Ｘ線吸収層１の形成方法としては、軟
Ｘ線透過層２の上面にレジストを塗布した後、、
所望のパターンと相補の関係にあるレジストパタ
ーンを形成し、しかる後金，白金などのＸ線の吸
収率の高い金属を被覆させ、リフト・オフ等によ
り所望のパターンを形成させている。あるいは金
属を被着させた後、所望のレジストパターンを形
成し、しかる後、イオンエツチング等により所望
のパターンを形成させている。次に軟Ｘ線透過層
２の裏面にエツチング用マスクパターンを形成さ
せ、シリコン基板を選択エツチング除去し、支持
体３を形成していた。
しかしながら、上記構成によるＸ線露光用転写
マスクは、断面でみると、軟Ｘ線吸収層１が軟Ｘ
線透過層２上に露出して形成されており、ウエハ
などに転写した際には、損傷を受け易い欠点を有
していた。また、軟Ｘ線吸収層１の材質に通常金
が用いられるが、金は物理的接触に対して極めて
弱く、容易に損傷を受けてしまうという欠点を有
していた。さらに、軟Ｘ線透過層はエピタキシヤ
ル成長によつて形成されるのが一般的であるが、
エピタキシヤル層内では引張応力が働いているた
め、機械的強度の点でもろさがある。
マスクは、断面でみると、軟Ｘ線吸収層１が軟Ｘ
線透過層２上に露出して形成されており、ウエハ
などに転写した際には、損傷を受け易い欠点を有
していた。また、軟Ｘ線吸収層１の材質に通常金
が用いられるが、金は物理的接触に対して極めて
弱く、容易に損傷を受けてしまうという欠点を有
していた。さらに、軟Ｘ線透過層はエピタキシヤ
ル成長によつて形成されるのが一般的であるが、
エピタキシヤル層内では引張応力が働いているた
め、機械的強度の点でもろさがある。
したがつて本発明は、上記従来の欠点に鑑みて
なされたものであり、エピタキシヤル層から成る
軟Ｘ線透過層上にレジストによるパターンを形成
した後イオン注入を行い、ついで、軟Ｘ線透過層
を食刻後、該食刻部に軟Ｘ線吸収層を形成した軟
Ｘ線露光用転写マスクの製造方法を提供すること
を目的としている。以下図面を用いて本発明の実
施例を詳細に説明する。
なされたものであり、エピタキシヤル層から成る
軟Ｘ線透過層上にレジストによるパターンを形成
した後イオン注入を行い、ついで、軟Ｘ線透過層
を食刻後、該食刻部に軟Ｘ線吸収層を形成した軟
Ｘ線露光用転写マスクの製造方法を提供すること
を目的としている。以下図面を用いて本発明の実
施例を詳細に説明する。
第２図ａ〜ｅは本発明によるＸ線露光用転写マ
スクの製造方法の一例を説明するための要部断面
工程図である。これらの図において、まず、同図
ａに示すように面方位（100）のシリコン基板４
の上面に７×1019atom／cm3以上のポロン濃度を
有する厚さ４〜6μｍのエピタキシヤル層を成長
させて軟Ｘ線透過層２を形成させるとともに、こ
のシリコン基板４の裏面側に熱酸化膜を約3000Å
の厚さに成長させ支持体３を形成するためのエツ
チングマスクパターン５を形成する。次に、同図
ｂに示すように軟Ｘ線透過層２上に例えば
PMMAなどのレジストを0.3〜0.8μｍの厚さに塗
布して所望のパターンを相補の関係にあるレジス
トパターン６を形成した後、ボロンなどのイオン
を矢印方向に注入し、レジストを硬化させ、軟Ｘ
線透過層２の一部、すなわち軟Ｘ線吸収層パター
ンを形成する領域をプラズマエツチする。この場
合、プラズマエツチは、反応ガスとしてCF4を用
い、0.5Torr圧力で100〜200Wの出力でエツチす
れば、極めて精度が高く、オーバエツチの少ない
エツチングが可能となる。またこの場合のエツチ
ングの深さは１〜2μｍ程度で良い。次に、同図
ｃに示すように上記エツチング面、硬化されたレ
ジストパターン６′上をアニール処理し、結晶性
を回復させた後、軟Ｘ線吸収金属７として金を蒸
着法により0.5〜1μｍ程度の厚さに被着させる。
次に、同図ｄに示すように上記硬化されたレジス
トパターン６′を除去することにより軟Ｘ線透過
層２のエツチング部に軟Ｘ線吸収層１がパターン
として形成される。この場合、パターン精度は、
エツチング法がプラズマエツチであることから、
精度が良く、エツジの切れも良い。また、エツチ
ングの深さも浅いのでパターン精度上、問題とな
らない。次いで、上記シリコン基板４上のエツチ
ングマスクパターン５を使用してシリコン基板４
を選択エツチングすると、同図ｅに示すように軟
Ｘ線透過層２が形成されると同時に支持体３が形
成される。
スクの製造方法の一例を説明するための要部断面
工程図である。これらの図において、まず、同図
ａに示すように面方位（100）のシリコン基板４
の上面に７×1019atom／cm3以上のポロン濃度を
有する厚さ４〜6μｍのエピタキシヤル層を成長
させて軟Ｘ線透過層２を形成させるとともに、こ
のシリコン基板４の裏面側に熱酸化膜を約3000Å
の厚さに成長させ支持体３を形成するためのエツ
チングマスクパターン５を形成する。次に、同図
ｂに示すように軟Ｘ線透過層２上に例えば
PMMAなどのレジストを0.3〜0.8μｍの厚さに塗
布して所望のパターンを相補の関係にあるレジス
トパターン６を形成した後、ボロンなどのイオン
を矢印方向に注入し、レジストを硬化させ、軟Ｘ
線透過層２の一部、すなわち軟Ｘ線吸収層パター
ンを形成する領域をプラズマエツチする。この場
合、プラズマエツチは、反応ガスとしてCF4を用
い、0.5Torr圧力で100〜200Wの出力でエツチす
れば、極めて精度が高く、オーバエツチの少ない
エツチングが可能となる。またこの場合のエツチ
ングの深さは１〜2μｍ程度で良い。次に、同図
ｃに示すように上記エツチング面、硬化されたレ
ジストパターン６′上をアニール処理し、結晶性
を回復させた後、軟Ｘ線吸収金属７として金を蒸
着法により0.5〜1μｍ程度の厚さに被着させる。
次に、同図ｄに示すように上記硬化されたレジス
トパターン６′を除去することにより軟Ｘ線透過
層２のエツチング部に軟Ｘ線吸収層１がパターン
として形成される。この場合、パターン精度は、
エツチング法がプラズマエツチであることから、
精度が良く、エツジの切れも良い。また、エツチ
ングの深さも浅いのでパターン精度上、問題とな
らない。次いで、上記シリコン基板４上のエツチ
ングマスクパターン５を使用してシリコン基板４
を選択エツチングすると、同図ｅに示すように軟
Ｘ線透過層２が形成されると同時に支持体３が形
成される。
なお、エツチング法としてプラズマエツチング
法を用いた場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、他の物理的エツチ
ング法を用いても上記同様の効果が得られること
は勿論である。
法を用いた場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、他の物理的エツチ
ング法を用いても上記同様の効果が得られること
は勿論である。
以上説明したように本発明によるＸ線露光用転
写マスクの製造方法によれば、軟Ｘ線吸収層を軟
Ｘ線透過層内に容易に且つ高精度に形成すること
ができるため、物理的接触によつては軟Ｘ線吸収
層がほとんど損傷をうけない優れたＸ線露光用転
写マスクを安価に提供することができる。また、
本発明によれば、軟Ｘ線吸収層が形成される食刻
パターンをレジストパターンを用いて軟Ｘ線透過
層上に形成する際に、レジストパターンをイオン
注入により硬化するので、精度の高いパターニン
グを行なうことができる。しかも、レジストパタ
ーンにイオン注入を行うときに、同時にエピタキ
シヤル層からなる軟Ｘ線透過層に対してもイオン
注入が行われるため、軟Ｘ線透過層内の内部応力
が緩和され、軟Ｘ線透過層の機械的強度が増すと
いう優れた利点を合せ持つている。
写マスクの製造方法によれば、軟Ｘ線吸収層を軟
Ｘ線透過層内に容易に且つ高精度に形成すること
ができるため、物理的接触によつては軟Ｘ線吸収
層がほとんど損傷をうけない優れたＸ線露光用転
写マスクを安価に提供することができる。また、
本発明によれば、軟Ｘ線吸収層が形成される食刻
パターンをレジストパターンを用いて軟Ｘ線透過
層上に形成する際に、レジストパターンをイオン
注入により硬化するので、精度の高いパターニン
グを行なうことができる。しかも、レジストパタ
ーンにイオン注入を行うときに、同時にエピタキ
シヤル層からなる軟Ｘ線透過層に対してもイオン
注入が行われるため、軟Ｘ線透過層内の内部応力
が緩和され、軟Ｘ線透過層の機械的強度が増すと
いう優れた利点を合せ持つている。
第１図は従来のＸ線露光用転写マスクの断面
図、第２図ａ〜ｅは本発明によるＸ線露光用転写
マスクの製造方法の一例を示す断面工程図であ
る。 １……軟Ｘ線吸収層、２……軟Ｘ線透過層、３
……支持体、４……シリコン基板、５……マスク
パターン、６……レジストパターン、６′……硬
化したレジストパターン、７……軟Ｘ線吸収金
属。
図、第２図ａ〜ｅは本発明によるＸ線露光用転写
マスクの製造方法の一例を示す断面工程図であ
る。 １……軟Ｘ線吸収層、２……軟Ｘ線透過層、３
……支持体、４……シリコン基板、５……マスク
パターン、６……レジストパターン、６′……硬
化したレジストパターン、７……軟Ｘ線吸収金
属。
Claims (1)
- １ 軟Ｘ線透過層と軟Ｘ線吸収層とから構成され
たＸ線露光用転写マスクの製造方法において、前
記軟Ｘ線透過層をエピタキシヤル成長法により形
成するとともに、該軟Ｘ線透過層上にレジストを
塗布して所望のパターンと相補の関係にあるレジ
ストパターンを形成する工程と、前記レジストパ
ターンおよび前記軟Ｘ線透過層にイオン注入して
該レジストパターンを硬化させるとともに該軟Ｘ
線透過層の内部応力を緩和させる工程と、前記レ
ジストパターンの軟Ｘ線吸収層パターンを形成す
る領域をエツチングして前記軟Ｘ線透過層を食刻
する工程と、前記軟Ｘ線透過層食刻部に軟Ｘ線吸
収金属である金を被着形成する工程と、前記軟Ｘ
線透過層上のレジストパターンを除去する工程と
から形成されることを特徴としたＸ線露光用転写
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230679A JPS565545A (en) | 1979-06-27 | 1979-06-27 | Transfer mask for x-ray exposure and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230679A JPS565545A (en) | 1979-06-27 | 1979-06-27 | Transfer mask for x-ray exposure and its production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS565545A JPS565545A (en) | 1981-01-21 |
| JPS641927B2 true JPS641927B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=13770862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8230679A Granted JPS565545A (en) | 1979-06-27 | 1979-06-27 | Transfer mask for x-ray exposure and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS565545A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
-
1979
- 1979-06-27 JP JP8230679A patent/JPS565545A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS565545A (en) | 1981-01-21 |
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