JPS6395696A - 低誘電率複合回路基板 - Google Patents
低誘電率複合回路基板Info
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- JPS6395696A JPS6395696A JP24163786A JP24163786A JPS6395696A JP S6395696 A JPS6395696 A JP S6395696A JP 24163786 A JP24163786 A JP 24163786A JP 24163786 A JP24163786 A JP 24163786A JP S6395696 A JPS6395696 A JP S6395696A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高速半導体素子等を実装するための低誘電率複
合回路基板に関する。
合回路基板に関する。
従来、半導体素子及びコンデンサ等の回路部品の実装用
基板としては、紙フェノール及びガラスエポキシ等のプ
リント回路基板及びアルミナセラミック基板が用いられ
ている。
基板としては、紙フェノール及びガラスエポキシ等のプ
リント回路基板及びアルミナセラミック基板が用いられ
ている。
しかしながら、大型高速コンピュータの高性能化に伴な
って素子の性能を損うことなく基板に実装することが重
要となってきている。性能で重要なことは信号パルスの
遅延時間を可能な限り少なくすることである。遅延時間
は基板の誘電率の平方根に比例するため、誘電率を下げ
ることが重要となる。通常、プリント回路基板の誘電率
は４．０以上であり、特にアルミナ系セラミック基板は
８．０以上と大きい。また、最近、一部実用化されたポ
リイミド系セラミック基板においては、誘電率３．８程
度であるが、一層の高速性の要求に伴なって誘電率３．
５以下の低誘電率基板が求められる。この要求を充足す
るためにフッ素樹脂及びポリスチレン系樹脂基板等の開
発検討が推進されているが、メタライズ性及び高温にお
ける熱変形が大きい等の問題があるため、高密度回路基
板としては未だ実用化されていない。また、高速半導体
素子の高密度実装基板には上述した低誘電率化を中心と
する電気特性の改善と共に、耐熱性、抗折強度（曲げ強
度）及び吸水性の改善が求められる。
って素子の性能を損うことなく基板に実装することが重
要となってきている。性能で重要なことは信号パルスの
遅延時間を可能な限り少なくすることである。遅延時間
は基板の誘電率の平方根に比例するため、誘電率を下げ
ることが重要となる。通常、プリント回路基板の誘電率
は４．０以上であり、特にアルミナ系セラミック基板は
８．０以上と大きい。また、最近、一部実用化されたポ
リイミド系セラミック基板においては、誘電率３．８程
度であるが、一層の高速性の要求に伴なって誘電率３．
５以下の低誘電率基板が求められる。この要求を充足す
るためにフッ素樹脂及びポリスチレン系樹脂基板等の開
発検討が推進されているが、メタライズ性及び高温にお
ける熱変形が大きい等の問題があるため、高密度回路基
板としては未だ実用化されていない。また、高速半導体
素子の高密度実装基板には上述した低誘電率化を中心と
する電気特性の改善と共に、耐熱性、抗折強度（曲げ強
度）及び吸水性の改善が求められる。
本発明の低誘電率複合回路基板は、３ＶＯｅ％から６ｏ
ｖｏｇ％の空隙と、８０ｗｔ％以上ノ５ｉ０２を含む１
０ ＶＯ１！％以上のガラスセラミック繊維と、８ｏｖ
ｏｅ％以下のフッ素樹脂と、残部を構成する熱硬化性樹
脂とから成る。
ｖｏｇ％の空隙と、８０ｗｔ％以上ノ５ｉ０２を含む１
０ ＶＯ１！％以上のガラスセラミック繊維と、８ｏｖ
ｏｅ％以下のフッ素樹脂と、残部を構成する熱硬化性樹
脂とから成る。
本発明の低誘電率複合回路基板において、フッ素樹脂は
低誘電率基板を構成するが、含有量が８０ｖＯｅ％を越
えると、高温下で大きな熱変形を招いたり、メタライズ
の信頼性を欠く。したがって、フッ素樹脂の含有量は８
０ＶＯ１！％以下が望ましい。また、基板中に設ける空
隙は誘電率を低下させるために有効であるが６０ＶＯｅ
％を越えると強度の低下をきたす。基板の抗折強度は２
０ｋｇ／關２以上であることが望ましい。また、空隙が
３ｖＯｅ％以下では低誘電率化の効果が小さい。ガラス
セラミック繊維は織布として複合回路基板の補強剤及び
熱変形温度を上げるために用いるが、低誘電率化のため
酸化硅素５ｉ０２含有率の高い繊維、つまりＳｉＯ□を
８０ｗｔ％以上含有することが望ましい。また、ガラス
セラミ・ツク繊維は補強剤として１０ＶＯｆｆ％以上必
要である。複合回路基板の残部を構成する熱硬化性樹脂
としては、エポキシ、ポリイミド、フェノール、ジアリ
ルフタレート、メラミン、ポリアミド、トリアジン及び
熱効果ポリエステル等が有効であるが、耐熱性の点から
エポキシ、ポリイミド、トリアジン及びジアリルフタレ
ートが特に望ましい。
低誘電率基板を構成するが、含有量が８０ｖＯｅ％を越
えると、高温下で大きな熱変形を招いたり、メタライズ
の信頼性を欠く。したがって、フッ素樹脂の含有量は８
０ＶＯ１！％以下が望ましい。また、基板中に設ける空
隙は誘電率を低下させるために有効であるが６０ＶＯｅ
％を越えると強度の低下をきたす。基板の抗折強度は２
０ｋｇ／關２以上であることが望ましい。また、空隙が
３ｖＯｅ％以下では低誘電率化の効果が小さい。ガラス
セラミック繊維は織布として複合回路基板の補強剤及び
熱変形温度を上げるために用いるが、低誘電率化のため
酸化硅素５ｉ０２含有率の高い繊維、つまりＳｉＯ□を
８０ｗｔ％以上含有することが望ましい。また、ガラス
セラミ・ツク繊維は補強剤として１０ＶＯｆｆ％以上必
要である。複合回路基板の残部を構成する熱硬化性樹脂
としては、エポキシ、ポリイミド、フェノール、ジアリ
ルフタレート、メラミン、ポリアミド、トリアジン及び
熱効果ポリエステル等が有効であるが、耐熱性の点から
エポキシ、ポリイミド、トリアジン及びジアリルフタレ
ートが特に望ましい。
次に、本発明の実施例について説明する。
本発明の第１の実施例の低誘電率複合回路基板は、フッ
素樹脂としてテフロン粉末４５ＶＯｌ％と５ｉ０２９０
％純度のガラス織布２０ＶＯｌ％と熱硬化性樹脂として
エポキシ樹脂２ＯＶＯ＆’％と空隙を形成するポリカプ
ロラフ）−ン１０ｖＯｅ％とを用いて、２００℃、 ４
０ｋｇ／ｃｍ２の条件下で加圧成型した。厚さ１．Ｏｉ
ｍの銅張基板に構成後、電気特性をＬＣＲメータにより
測定した結果、ＩＭＩｌｚの周波数で誘電率２．４．誘
電損失ｏ、ｏｏ８及び絶縁抵抗５Ｘ１０”Ωの値を得た
。また、抗折強度は４０ｋｇ／ｌｌｌ１１２であった。
素樹脂としてテフロン粉末４５ＶＯｌ％と５ｉ０２９０
％純度のガラス織布２０ＶＯｌ％と熱硬化性樹脂として
エポキシ樹脂２ＯＶＯ＆’％と空隙を形成するポリカプ
ロラフ）−ン１０ｖＯｅ％とを用いて、２００℃、 ４
０ｋｇ／ｃｍ２の条件下で加圧成型した。厚さ１．Ｏｉ
ｍの銅張基板に構成後、電気特性をＬＣＲメータにより
測定した結果、ＩＭＩｌｚの周波数で誘電率２．４．誘
電損失ｏ、ｏｏ８及び絶縁抵抗５Ｘ１０”Ωの値を得た
。また、抗折強度は４０ｋｇ／ｌｌｌ１１２であった。
第２の実施例の回路基板は、テフロン粉末１５ｖｏｇ％
と５ｉ１）２９５％純度のガラスミＲ布３０ＶＯｌ％と
エポキシ樹脂３０ＶＯｆ％とポリカプロラクトン１０Ｖ
Ｏ４？％トを用イテ、１８０℃、 ３０ ｋｇ／ｃｍ２
で加圧成型した。上記第１の実施例と同じ方法により測
定した結果、誘電率３．０及び誘電損失０．００１１を
得た。また、他の特性は第１の実施例とほぼ同じ値であ
った。
と５ｉ１）２９５％純度のガラスミＲ布３０ＶＯｌ％と
エポキシ樹脂３０ＶＯｆ％とポリカプロラクトン１０Ｖ
Ｏ４？％トを用イテ、１８０℃、 ３０ ｋｇ／ｃｍ２
で加圧成型した。上記第１の実施例と同じ方法により測
定した結果、誘電率３．０及び誘電損失０．００１１を
得た。また、他の特性は第１の実施例とほぼ同じ値であ
った。
次に、第３の実施例の回路基板は、テフロン粉末６５Ｖ
Ｏ４’％とＳｉＯ□純度９５％のガラス繊維によるガラ
ス織布１０ＶＯ１！％とジアリルフタレート２ｏｖｏｌ
！％とポリカプロチクトン５ＶＯｌ％とを用い、２００
℃、 ４０ ｋｇ／’ｃｍ２において加圧成型した。電
気特性を測定した結果、誘電率２．６及び誘電損失０．
００８を得た。抗折強度等の他の特性は第１の実施例と
ほぼ同じであった。
Ｏ４’％とＳｉＯ□純度９５％のガラス繊維によるガラ
ス織布１０ＶＯ１！％とジアリルフタレート２ｏｖｏｌ
！％とポリカプロチクトン５ＶＯｌ％とを用い、２００
℃、 ４０ ｋｇ／’ｃｍ２において加圧成型した。電
気特性を測定した結果、誘電率２．６及び誘電損失０．
００８を得た。抗折強度等の他の特性は第１の実施例と
ほぼ同じであった。
さらに、第４の実施例の回路基板は、テフロン粉末５０
ＶＩＨ’％と５ｉ０２純度９５％のシリカガラス繊布２
０ＶＯｅ％とポリイミド樹脂２５ＶＯｆｆ％とポリカプ
ロラクトン５ＶＯ４’％とを用い、２３０℃。
ＶＩＨ’％と５ｉ０２純度９５％のシリカガラス繊布２
０ＶＯｅ％とポリイミド樹脂２５ＶＯｆｆ％とポリカプ
ロラクトン５ＶＯ４’％とを用い、２３０℃。
５０ｋｇ／′ｃｍ２において加圧成型した。電気特性と
し５て誘電率２．５．誘電損失０，０１及び絶縁抵抗７
×１０′２Ωを得た。また、抗折強度は６０ ｋｇ ／
＋ａｍ ２であった。
し５て誘電率２．５．誘電損失０，０１及び絶縁抵抗７
×１０′２Ωを得た。また、抗折強度は６０ ｋｇ ／
＋ａｍ ２であった。
以上説明したように本発明によれば、フッ素樹脂とＳｉ
Ｏ□含量の高いガラス繊維と空隙とにより抗折強度が大
きくかつ誘電率が小さい組織にし、さらに熱硬化性樹脂
を用いて基板の性能、特に熱変形温度を上げることによ
り、誘電率３．５以下でかつ基板性能の優れた複合回路
基板が得られた。
Ｏ□含量の高いガラス繊維と空隙とにより抗折強度が大
きくかつ誘電率が小さい組織にし、さらに熱硬化性樹脂
を用いて基板の性能、特に熱変形温度を上げることによ
り、誘電率３．５以下でかつ基板性能の優れた複合回路
基板が得られた。
Claims (1)
- ３ＶＯｌ％から６０ＶＯｌ％の空隙と、８０ｗｔ％以
上のＳｉＯ＿２を含む１０ＶＯｌ％以上のガラスセラミ
ック繊維と、８０ＶＯｌ％以下のフッ素樹脂と、残部を
構成する熱硬化性樹脂とから成ることを特徴とする低誘
電率複合回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24163786A JPS6395696A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 低誘電率複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24163786A JPS6395696A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 低誘電率複合回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395696A true JPS6395696A (ja) | 1988-04-26 |
| JPH051994B2 JPH051994B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=17077275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24163786A Granted JPS6395696A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 低誘電率複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159188A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Toshiba Chem Corp | プリント回路用基板 |
| WO2022122607A1 (en) | 2020-12-08 | 2022-06-16 | Merck Patent Gmbh | An ink system and a method for inkjet printing |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP24163786A patent/JPS6395696A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159188A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Toshiba Chem Corp | プリント回路用基板 |
| WO2022122607A1 (en) | 2020-12-08 | 2022-06-16 | Merck Patent Gmbh | An ink system and a method for inkjet printing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051994B2 (ja) | 1993-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |