JP2623735B2 - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JP2623735B2 JP2623735B2 JP19382188A JP19382188A JP2623735B2 JP 2623735 B2 JP2623735 B2 JP 2623735B2 JP 19382188 A JP19382188 A JP 19382188A JP 19382188 A JP19382188 A JP 19382188A JP 2623735 B2 JP2623735 B2 JP 2623735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- glass
- dielectric constant
- volume
- glass fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高速半導体素子等を実装するための回路基板
に関する。
に関する。
従来、IC、LSI等の半導体素子やコンデンサ、コイ
ル、抵抗等の受動部品の実装様基板としては、紙フェノ
ールやガラスエポキシ等のプリント回路基板またはアル
ミナセラミック基板が用いられている。
ル、抵抗等の受動部品の実装様基板としては、紙フェノ
ールやガラスエポキシ等のプリント回路基板またはアル
ミナセラミック基板が用いられている。
近年、大型高速コンピュータの高性能化に伴って半導
体素子を、その性能を損うことなく基板に実装すること
が重要となってきている。素子の性能として重要なこと
は信号パルスの遅延時間を可能な限り小さくすることで
ある。遅延時間は基板の誘電率の平方根に比例するた
め、誘電率を下げることが重要となる。通常、プリント
回路基板の誘電率は4.0以上であり、また、アルミナ系
セリミック基板は8.0以上と大きい。また、最近、一部
実用化されているポリイミド系セラミック基板において
は、誘電率3.8程度であるが、より一層の高速性の要求
に伴って誘電率3.5以下の低誘電率基板が求められてい
る。この要求を充足するためにフッ素樹脂およびポリス
チレン系樹脂基板等の開発検討が推進されているが、メ
タライズ性および高温における熱変形が大きい等の問題
があるため、高密度回路基板としては未だ実用化されて
いない。
体素子を、その性能を損うことなく基板に実装すること
が重要となってきている。素子の性能として重要なこと
は信号パルスの遅延時間を可能な限り小さくすることで
ある。遅延時間は基板の誘電率の平方根に比例するた
め、誘電率を下げることが重要となる。通常、プリント
回路基板の誘電率は4.0以上であり、また、アルミナ系
セリミック基板は8.0以上と大きい。また、最近、一部
実用化されているポリイミド系セラミック基板において
は、誘電率3.8程度であるが、より一層の高速性の要求
に伴って誘電率3.5以下の低誘電率基板が求められてい
る。この要求を充足するためにフッ素樹脂およびポリス
チレン系樹脂基板等の開発検討が推進されているが、メ
タライズ性および高温における熱変形が大きい等の問題
があるため、高密度回路基板としては未だ実用化されて
いない。
本発明の目的は、新規な複合材により高速半導体素子
等を実装するための極めて低誘電率化された回路基板を
提供することにある。
等を実装するための極めて低誘電率化された回路基板を
提供することにある。
本発明の回路基板は、SiO2を含み中空状の形状を有す
るガラス繊維とフッ素系樹脂により複合化した構造を有
している。
るガラス繊維とフッ素系樹脂により複合化した構造を有
している。
次に、本発明の実施例について説明する。
本発明の第１の実施例は、ガラス材料にホウケイ酸系
ガラスを用いており、その組成が、SiO2が60〜85重量
％,B2O3が35〜10重量％の範囲にあり、残部がアリカリ
およびアルカリ土類金属酸化物で全体で100重量％とな
るように構成し、このガラスを空隙率20容積％の中空形
状を有するガラス繊維に加工し、前記ガラス繊維を用い
た織布を形成した。該ガラス織布30容積％と、フッ素系
樹脂60容積％と、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂10容
積％とを用いて200℃,40kg/cm2の条件下で加圧成型し、
回路基板を形成した。
ガラスを用いており、その組成が、SiO2が60〜85重量
％,B2O3が35〜10重量％の範囲にあり、残部がアリカリ
およびアルカリ土類金属酸化物で全体で100重量％とな
るように構成し、このガラスを空隙率20容積％の中空形
状を有するガラス繊維に加工し、前記ガラス繊維を用い
た織布を形成した。該ガラス織布30容積％と、フッ素系
樹脂60容積％と、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂10容
積％とを用いて200℃,40kg/cm2の条件下で加圧成型し、
回路基板を形成した。
次に、前記回路基板を厚さ1.0mmの銅張基板に構成
後、電気特性をLCRメータにより測定した。1MHzの周波
数で誘電率2.6、誘電損失0.009及び絶縁抵抗1.3×1014
Ωの値を得た。また、３点曲げ試験による曲げ強度は30
00kg/cm2を得た。
後、電気特性をLCRメータにより測定した。1MHzの周波
数で誘電率2.6、誘電損失0.009及び絶縁抵抗1.3×1014
Ωの値を得た。また、３点曲げ試験による曲げ強度は30
00kg/cm2を得た。
第１表に組成が同一で空隙率１％以下の通常のガラス
繊維を用いた以外は同一複合材を用いた従来例と比較し
たガラス繊維20％,30％,40％の各資料に対する誘電率及
び曲げ強度の値を示す。
繊維を用いた以外は同一複合材を用いた従来例と比較し
たガラス繊維20％,30％,40％の各資料に対する誘電率及
び曲げ強度の値を示す。
本発明の第２の実施例は、ホウケイ酸鉛系ガラスを用
いた場合で、その組成はSiOが60〜70重量％,B2O3が５〜
10重量％,PdO15〜20重量％の範囲にあり、残部がアリカ
リおよびアルカリ土類金属酸化物で全体で100重量％と
なる構成を有し、このガラスを用いた中空ガラス繊維に
よるガラス織布を40容積％、フッ素系樹脂50容積％およ
びエポキシ樹脂10容積％を用いて220℃,30kg/cm2で加圧
成型し回路基板を形成した。
いた場合で、その組成はSiOが60〜70重量％,B2O3が５〜
10重量％,PdO15〜20重量％の範囲にあり、残部がアリカ
リおよびアルカリ土類金属酸化物で全体で100重量％と
なる構成を有し、このガラスを用いた中空ガラス繊維に
よるガラス織布を40容積％、フッ素系樹脂50容積％およ
びエポキシ樹脂10容積％を用いて220℃,30kg/cm2で加圧
成型し回路基板を形成した。
この場合の空隙率20％のときの誘電損失は0.008、絶
縁抵抗は8.5×1013Ωであり、第１の実施例と同様にし
て従来例と比較した誘電率及び曲げ強度を第２表に示
す。
縁抵抗は8.5×1013Ωであり、第１の実施例と同様にし
て従来例と比較した誘電率及び曲げ強度を第２表に示
す。
本発明の第３の実施例はSiO2を95％以上含むケイ酸ガ
ラスを用いた場合で、その組成の中空ガラス繊維を用い
て形成したガラス織布40容量％、フッ素系樹脂50容積％
およびエポキシ樹脂10容積％を用い、220℃,40kg/cm2の
条件で加圧成型し回路基板を形成した。
ラスを用いた場合で、その組成の中空ガラス繊維を用い
て形成したガラス織布40容量％、フッ素系樹脂50容積％
およびエポキシ樹脂10容積％を用い、220℃,40kg/cm2の
条件で加圧成型し回路基板を形成した。
この場合の空隙率20％のときの誘電損失は0.009、絶
縁抵抗は1.1×1014Ωであり、第１の実施例と同様にし
て従来例と比較した誘電率及び曲げ強度を第３表に示
す。
縁抵抗は1.1×1014Ωであり、第１の実施例と同様にし
て従来例と比較した誘電率及び曲げ強度を第３表に示
す。
このように本発明の回路基板は、中空形状を有するガ
ラス繊維が高温における熱変形を抑える効果をもち、熱
膨張係数に対してもフッ素系樹脂の本来の値より小さく
抑えることができる。更に内部が中空になっているた
め、極めて低い誘電率を実現することが可能となる。こ
こで用いるガラス繊維は、織布に加工して利用するが、
低誘電率化のため酸化珪素SiO2を含有したものが望まし
い。
ラス繊維が高温における熱変形を抑える効果をもち、熱
膨張係数に対してもフッ素系樹脂の本来の値より小さく
抑えることができる。更に内部が中空になっているた
め、極めて低い誘電率を実現することが可能となる。こ
こで用いるガラス繊維は、織布に加工して利用するが、
低誘電率化のため酸化珪素SiO2を含有したものが望まし
い。
一方、フッ素系樹脂は低誘電率の回路基板を構成でき
るが、高温での熱変形やメタライズのために本発明はガ
ラス繊維を用いた複合構造をとっている。
るが、高温での熱変形やメタライズのために本発明はガ
ラス繊維を用いた複合構造をとっている。
また、基板の曲げ強度は1500kg/cm2以上であることが
要求されるが、ガラス繊維で補強することにより必要な
曲げ強度を得ることが可能となった。
要求されるが、ガラス繊維で補強することにより必要な
曲げ強度を得ることが可能となった。
なお、本発明の回路基板にスルーホールを形成する場
合に、加工時にガラス繊維の中空部が露出することにな
り後工程時のめっき液の侵入の危険があるが、これに対
しては、スルーホール加工後にスルーホールの壁面をエ
ポキシ樹脂でコーティングし、次いで、めっき処理によ
り、スルーホールの壁面に導電層を形成することによ
り、スルーホールの壁面のガラス繊維がめっき液と接触
することを防止して、信頼性低下の要因を排除すること
ができる。
合に、加工時にガラス繊維の中空部が露出することにな
り後工程時のめっき液の侵入の危険があるが、これに対
しては、スルーホール加工後にスルーホールの壁面をエ
ポキシ樹脂でコーティングし、次いで、めっき処理によ
り、スルーホールの壁面に導電層を形成することによ
り、スルーホールの壁面のガラス繊維がめっき液と接触
することを防止して、信頼性低下の要因を排除すること
ができる。
以上説明したように本発明は、SiO2を含む中空形状を
有するガラス繊維をフッ素系樹脂との複合化により、誘
電率の極めて低い高速半導体素子実装に有利な回路基板
が得られるという効果を有する。また、他の電気特性に
おいても、絶縁性および誘電損失の良好な結果が得られ
た。また、回路基板として必要な機械的強度も、曲げ強
度で2500kg/cm2以上を得ることができた。
有するガラス繊維をフッ素系樹脂との複合化により、誘
電率の極めて低い高速半導体素子実装に有利な回路基板
が得られるという効果を有する。また、他の電気特性に
おいても、絶縁性および誘電損失の良好な結果が得られ
た。また、回路基板として必要な機械的強度も、曲げ強
度で2500kg/cm2以上を得ることができた。
Claims (1)
- 【請求項１】SiO2を含み中空形状を有するガラス繊維と
フッ素系樹脂により複合化した構造を有してなることを
特徴とする回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19382188A JP2623735B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19382188A JP2623735B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242786A JPH0242786A (ja) | 1990-02-13 |
| JP2623735B2 true JP2623735B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16314310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19382188A Expired - Lifetime JP2623735B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623735B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101223371B1 (ko) | 2004-12-09 | 2013-01-16 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 프린트 배선판용 적층체 |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP19382188A patent/JP2623735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0242786A (ja) | 1990-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4598167A (en) | Multilayered ceramic circuit board | |
| JPH0451078B2 (ja) | ||
| US5034850A (en) | Thin decoupling capacitor for mounting under integrated circuit package | |
| EP0997941A2 (en) | Conductive paste and ceramic printed circuit substrate using the same | |
| JP2623735B2 (ja) | 回路基板 | |
| US5122930A (en) | High heat-conductive, thick film multi-layered circuit board | |
| US5260119A (en) | Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package | |
| JP3457851B2 (ja) | 電子回路部品 | |
| JPH051994B2 (ja) | ||
| JP2872273B2 (ja) | セラミツク基板材料 | |
| JP3377898B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| US5352482A (en) | Process for making a high heat-conductive, thick film multi-layered circuit board | |
| JP3443436B2 (ja) | 容量内蔵型多層回路基板 | |
| JPS63271994A (ja) | セラミツク配線基板 | |
| JP2003040670A (ja) | 高熱膨張磁器組成物、高熱膨張磁器およびその製造方法、並びに多層配線基板およびその実装構造 | |
| JPH03245557A (ja) | 低誘電率回路基板 | |
| JPH06104575A (ja) | 抵抗体付きセラミックス回路基板 | |
| JP3048650B2 (ja) | 電子部品用封止材及びそれを用いた電子部品 | |
| JPH0738493B2 (ja) | 同時焼成セラミック回路基板 | |
| JPH11340634A (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| JP2750473B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2652229B2 (ja) | 積層回路セラミック基板 | |
| JP2917645B2 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| JP3103686B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JPH11233909A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080411 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 Year of fee payment: 12 |