JPS63287042A - 回路用基板 - Google Patents
回路用基板Info
- Publication number
- JPS63287042A JPS63287042A JP62121796A JP12179687A JPS63287042A JP S63287042 A JPS63287042 A JP S63287042A JP 62121796 A JP62121796 A JP 62121796A JP 12179687 A JP12179687 A JP 12179687A JP S63287042 A JPS63287042 A JP S63287042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- whisker
- thick film
- insulating layer
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 transition metal carboxylate Chemical class 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は回路用基板に関し、特に放熱を必要とする厚膜
の回路用基板に関するものである。
の回路用基板に関するものである。
半導体装置等の電気回路用の基板においては、半導体素
子等より発生した熱を効果的に放散させることが必要で
ある。このため、従来から熱伝導性のよい金属板または
べりリアのごときセラミ・ツク基板が用いられている。
子等より発生した熱を効果的に放散させることが必要で
ある。このため、従来から熱伝導性のよい金属板または
べりリアのごときセラミ・ツク基板が用いられている。
しかし、基板に全屈を使用すると熱膨張係数が素子より
も大きいため、その歪により特性が不安定になるという
欠点がある。一方、ベリリアのごときセラミックは極め
て高価である上、毒性が極めて強いので製造が簡単では
ない。
も大きいため、その歪により特性が不安定になるという
欠点がある。一方、ベリリアのごときセラミックは極め
て高価である上、毒性が極めて強いので製造が簡単では
ない。
また特開昭４７−４４１５号公報には黒鉛化された繊維
状カーボンシートに耐熱性絶縁層を被着した基板が開示
されている。しかし、この黒鉛化された繊維状のカーボ
ンシートはカーボンの種類やかさ密度等については具体
的に開示されていない。
状カーボンシートに耐熱性絶縁層を被着した基板が開示
されている。しかし、この黒鉛化された繊維状のカーボ
ンシートはカーボンの種類やかさ密度等については具体
的に開示されていない。
本発明の目的は、熱膨張係数が小さく、かつ放熱特性の
良好な回路用基板を提供することにある。
良好な回路用基板を提供することにある。
本発明者らは、回路用基板の素材として気相法によって
得られた炭素質ウィスカーを用いることによって、極め
て良好な放熱特性が得られることを見出し、本発明に到
達した。すなわち、本発明は、熱処理された炭素質ウィ
スカーを含むシートと絶縁層とで構成されることを特徴
とする。
得られた炭素質ウィスカーを用いることによって、極め
て良好な放熱特性が得られることを見出し、本発明に到
達した。すなわち、本発明は、熱処理された炭素質ウィ
スカーを含むシートと絶縁層とで構成されることを特徴
とする。
本発明に用いられる炭素質ウィスカーは、例えば特開昭
６０−２３１８２１号、特開昭６１−２２５３２７号等
に示される製法、例えば遷移金属カルボン酸塩と炭化水
素類を加熱帯域に導入し、５００〜３０００℃で加熱反
応させることによって製造される。その形態としては直
径０．０１〜１μｍ１好ま゛しくは０．０１〜０．５μ
ｍ、またその長さは数μｍ〜数龍であり、好ましくは十
数μｍ〜数百μｍである。この炭素質ウィスカーは常法
によりシート状に形成されるが、ウィスカーの直径が大
きすぎたり、長さが短すぎるとシート化しにくくなる。
６０−２３１８２１号、特開昭６１−２２５３２７号等
に示される製法、例えば遷移金属カルボン酸塩と炭化水
素類を加熱帯域に導入し、５００〜３０００℃で加熱反
応させることによって製造される。その形態としては直
径０．０１〜１μｍ１好ま゛しくは０．０１〜０．５μ
ｍ、またその長さは数μｍ〜数龍であり、好ましくは十
数μｍ〜数百μｍである。この炭素質ウィスカーは常法
によりシート状に形成されるが、ウィスカーの直径が大
きすぎたり、長さが短すぎるとシート化しにくくなる。
また、シートの均一性を上げるために、ウィスカーは必
要に応じて粉砕した後、シート化してもよい。
要に応じて粉砕した後、シート化してもよい。
本発明に用いられる炭素質ウィスカーの熱処理は１５０
０〜３５００℃、好ましくは２０００〜３０００℃、さ
らに好ましくは２４００〜３０００℃で行なわれる。通
常、この熱処理によって炭素平面間隔０００２ （０
０２平面の間隔）は徐々に小ざくなっていき、黒鉛に近
くなる。おおむね、０００２の値は２０００℃で３．４
５Å以下、２４００℃で３．４０Å以下の値を示す。
０〜３５００℃、好ましくは２０００〜３０００℃、さ
らに好ましくは２４００〜３０００℃で行なわれる。通
常、この熱処理によって炭素平面間隔０００２ （０
０２平面の間隔）は徐々に小ざくなっていき、黒鉛に近
くなる。おおむね、０００２の値は２０００℃で３．４
５Å以下、２４００℃で３．４０Å以下の値を示す。
前記の炭素質ウィスカーを含むシートは、見掛は密度が
０．０１〜１０ｇ／ｃＪに設定されるのが好ましい。さ
らに好ましくは０．１〜Ｉｇ／ｃＪに設定される。必要
に応じて、さらに密度を上げてもよいが、熱伝導性は飽
和する傾向にある。また、小さい密度では熱伝導性が極
めて悪くなる。
０．０１〜１０ｇ／ｃＪに設定されるのが好ましい。さ
らに好ましくは０．１〜Ｉｇ／ｃＪに設定される。必要
に応じて、さらに密度を上げてもよいが、熱伝導性は飽
和する傾向にある。また、小さい密度では熱伝導性が極
めて悪くなる。
シートには形態を保持するため、例えば見掛は密度の小
さいものについて、必要に応じて例えばエポキシ樹脂、
フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、ピッチ等を混合してもよい。これらの樹脂
は粉末状でも、繊維状でも何ら制限されるものではなく
、形態保持のため、固着、融着されているものでもよい
。
さいものについて、必要に応じて例えばエポキシ樹脂、
フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、ピッチ等を混合してもよい。これらの樹脂
は粉末状でも、繊維状でも何ら制限されるものではなく
、形態保持のため、固着、融着されているものでもよい
。
これらの樹脂は必要最小限の量で添加するのが好ましく
、７０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、さらに
好ましくは３０重量％である。
、７０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、さらに
好ましくは３０重量％である。
シートの厚みはおおむね０．２〜２．ＯＨ程度に設定さ
れ、見掛は密度、全体の配線回路基板の高さ等によって
選択される。
れ、見掛は密度、全体の配線回路基板の高さ等によって
選択される。
前記のシートの製造方法としては、例えば公知の抄造に
よる湿式シート化、気流中に分散した後に乾式シート化
等の方法が用いられる。このとき／または後に形態保持
のための樹脂成分を加え、湿式または乾式で熔解固着さ
せるのも好ましい方法である。
よる湿式シート化、気流中に分散した後に乾式シート化
等の方法が用いられる。このとき／または後に形態保持
のための樹脂成分を加え、湿式または乾式で熔解固着さ
せるのも好ましい方法である。
前記の樹脂成分には補助的に熱伝導性のフィラー、例え
ば銅、銀、ダンヤモンド等を入れてもよい。
ば銅、銀、ダンヤモンド等を入れてもよい。
本発明におけるシートは、その表面上に配線回路を形成
するため、絶縁層と組合わせる必要がある。該シート上
に絶縁層を形成する方法としては、ガラスペーストを印
刷法によって塗布し、不活性ガス雰囲気中で８００〜９
５０℃で焼成し、おおむね１０〜２０μｍはどのガラス
絶縁層を形成する方法、アルミナ層等を形成する方法な
どがあげられる。この絶縁層の厚みは薄くてよく、また
この層が熱伝導性であることは必ずしも必要ではないが
、良熱伝導性を有することが好ましい。また、この絶縁
層は少な（とも配線回路を形成する面に設けられていれ
ばよく、シートの片面または両面に形成することができ
、さらに必要に応じて側面に形成してもよい。
するため、絶縁層と組合わせる必要がある。該シート上
に絶縁層を形成する方法としては、ガラスペーストを印
刷法によって塗布し、不活性ガス雰囲気中で８００〜９
５０℃で焼成し、おおむね１０〜２０μｍはどのガラス
絶縁層を形成する方法、アルミナ層等を形成する方法な
どがあげられる。この絶縁層の厚みは薄くてよく、また
この層が熱伝導性であることは必ずしも必要ではないが
、良熱伝導性を有することが好ましい。また、この絶縁
層は少な（とも配線回路を形成する面に設けられていれ
ばよく、シートの片面または両面に形成することができ
、さらに必要に応じて側面に形成してもよい。
配線回路を構成するには、第１図に示すように、本発明
による基板１の絶縁層２上に導電性配線回路パターン３
を形成する。この回路パターン３の形成は、例えば銀ペ
ースト等を所定のパターンに印刷し、酸素雰囲気中で８
００〜９５０℃で焼成して行なわれる。さらにこの上に
抵抗となる厚膜素子４を形成する。この抵抗４は、例え
ばパラジウムおよび銀のペーストを所要のパターンに印
刷し、酸素雰囲気中で７００〜８５０℃に加熱して形成
する。このように形成された配線パターンまたは厚膜素
子の所定部には、例えば単体の半導体または半導体集積
回路等の回路素子５が取付けられ、その電極を例えばリ
ードワイヤ６によって配線パターンまたは厚膜素子の所
定部に接続する。
による基板１の絶縁層２上に導電性配線回路パターン３
を形成する。この回路パターン３の形成は、例えば銀ペ
ースト等を所定のパターンに印刷し、酸素雰囲気中で８
００〜９５０℃で焼成して行なわれる。さらにこの上に
抵抗となる厚膜素子４を形成する。この抵抗４は、例え
ばパラジウムおよび銀のペーストを所要のパターンに印
刷し、酸素雰囲気中で７００〜８５０℃に加熱して形成
する。このように形成された配線パターンまたは厚膜素
子の所定部には、例えば単体の半導体または半導体集積
回路等の回路素子５が取付けられ、その電極を例えばリ
ードワイヤ６によって配線パターンまたは厚膜素子の所
定部に接続する。
実施例１
気相法によって得られた炭素質ウィスカー（２４００℃
Ｘ１５ｍ１ｎ、アルゴン雰囲気で熱処理、直径０．０１
〜０．４μｍ、長さ２〜３００μｍ）をフェノール樹脂
と重量比で４／１になるように、アセトンを使用して湿
式抄造でシート化し、その後、加熱加圧することによっ
て、厚さ１．５鶴のシートとした。シートの見掛は密度
はＱ、５ｇ／ｃｎ！であった。
Ｘ１５ｍ１ｎ、アルゴン雰囲気で熱処理、直径０．０１
〜０．４μｍ、長さ２〜３００μｍ）をフェノール樹脂
と重量比で４／１になるように、アセトンを使用して湿
式抄造でシート化し、その後、加熱加圧することによっ
て、厚さ１．５鶴のシートとした。シートの見掛は密度
はＱ、５ｇ／ｃｎ！であった。
このシートの両面にガラスペーストを塗布し、アルゴン
ガス雰囲気下に８５０℃で焼成し、１８μｍの厚みｂガ
ラス薄膜を形成させた。
ガス雰囲気下に８５０℃で焼成し、１８μｍの厚みｂガ
ラス薄膜を形成させた。
この基板の熱伝導率を真空理工製ＴＣ−２０００型測定
器で測定したところ、９Ｘ１０−３ｃａＩ！／ ｓ ｅ
ｃ″Ｃｃｍを示した。
器で測定したところ、９Ｘ１０−３ｃａＩ！／ ｓ ｅ
ｃ″Ｃｃｍを示した。
比較例１
ピッチ炭素繊維（２０００℃熱処理、直径１５μｍ、長
さ３１ｍ）を用い、実施例１と同様の条件でシートを製
造した。シートの見掛は密度は０．０９ｇ／ｃｄ、厚さ
は１．８１１ｍであった。実施例１と同様にガラス藩校
を形成し、熱伝導率を測定したところ、４×１Ｏ−３ｃ
ａｌ／ｓｅｃ”ｃｃｆｌＩを示した。
さ３１ｍ）を用い、実施例１と同様の条件でシートを製
造した。シートの見掛は密度は０．０９ｇ／ｃｄ、厚さ
は１．８１１ｍであった。実施例１と同様にガラス藩校
を形成し、熱伝導率を測定したところ、４×１Ｏ−３ｃ
ａｌ／ｓｅｃ”ｃｃｆｌＩを示した。
以上より、本発明の回路用基板は熱伝導率が高く、放熱
特性に優れていることがわかる。
特性に優れていることがわかる。
本発明の回路基板によれば、金属を用いる場合に較べて
、その熱膨張係数が半導体、例えばシリコンの値に近く
なり、寸法安定性に優れるため半導体素子への熱歪を小
さくすることができる。また、熱伝導率が高いので、大
容量の回路素子より発せられた熱を効率よく逸散し得る
。さらに、ベリリア等に比較しても安価である。また、
通常の繊維径の大きな炭素繊維シートを用いるより、か
さ密度も小さくすることができ、そのサイズも小さくす
ることができるので、基板として極めて有利である。
、その熱膨張係数が半導体、例えばシリコンの値に近く
なり、寸法安定性に優れるため半導体素子への熱歪を小
さくすることができる。また、熱伝導率が高いので、大
容量の回路素子より発せられた熱を効率よく逸散し得る
。さらに、ベリリア等に比較しても安価である。また、
通常の繊維径の大きな炭素繊維シートを用いるより、か
さ密度も小さくすることができ、そのサイズも小さくす
ることができるので、基板として極めて有利である。
第１図は、本発明の回路用基板を用いて形成した半導体
装置の断面図である。 ｌ・・・基板（炭素質ウィスカーシート）、２・・・絶
縁層、３・・・配線パターン（導電性層）、４・・・厚
膜素子（例えば抵抗）、５・・・回路素子（例えば半導
体）、６・・・リードワイヤ。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第１図 １−ｍ−基板（炭素質ウィスカーシート）２−ｍ−絶縁
層 ３−ｍ−配線パターン（導電性層） ４−ｍ−厚膜素子（例えば抵抗） ５−ｍ−回路素子（例えば半導体） ６−一一リードワイヰ
装置の断面図である。 ｌ・・・基板（炭素質ウィスカーシート）、２・・・絶
縁層、３・・・配線パターン（導電性層）、４・・・厚
膜素子（例えば抵抗）、５・・・回路素子（例えば半導
体）、６・・・リードワイヤ。 代理人 弁理士 川 北 武 長 第１図 １−ｍ−基板（炭素質ウィスカーシート）２−ｍ−絶縁
層 ３−ｍ−配線パターン（導電性層） ４−ｍ−厚膜素子（例えば抵抗） ５−ｍ−回路素子（例えば半導体） ６−一一リードワイヰ
Claims (1)
- （１）熱処理された炭素質ウィスカーを含むシートと絶
縁層とで構成されることを特徴とする回路用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62121796A JPS63287042A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62121796A JPS63287042A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 回路用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287042A true JPS63287042A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14820128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62121796A Pending JPS63287042A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 回路用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63287042A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402003A (en) * | 1993-11-12 | 1995-03-28 | Trw Inc. | Low dielectric constant interconnect for multichip modules |
| WO2001019145A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62121796A patent/JPS63287042A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402003A (en) * | 1993-11-12 | 1995-03-28 | Trw Inc. | Low dielectric constant interconnect for multichip modules |
| WO2001019145A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
| US6479136B1 (en) | 1999-09-06 | 2002-11-12 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0345809B1 (en) | Ceramic laminated circuit substrate, method for making same and use of the substrate | |
| JPS60254697A (ja) | 多層セラミック回路基板および製法 | |
| JPS63287042A (ja) | 回路用基板 | |
| JPH0568877B2 (ja) | ||
| JPH09270584A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPS61287190A (ja) | 電子回路用基板 | |
| JP2506270B2 (ja) | 高熱伝導性回路基板及び高熱伝導性外囲器 | |
| JP3625046B2 (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ | |
| JP2002016176A (ja) | 配線基板およびその接続構造 | |
| JPS62183149A (ja) | ピン・グリツド・アレイパツケ−ジ | |
| JP3934811B2 (ja) | 高熱膨張ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造 | |
| JPS5952554B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3181019B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2577801B2 (ja) | 複合焼結体とその製造法および用途 | |
| JP2001118960A (ja) | 電気絶縁膜付炭素基金属複合材基板 | |
| JPS61222193A (ja) | 電子回路用基板 | |
| JPS62291153A (ja) | セラミツク配線基板 | |
| JPS6239091A (ja) | 表面に金属を有するセラミツクスの製造方法 | |
| JP2616060B2 (ja) | 放熱性のすぐれた半導体装置用基板素材 | |
| JPH0559071B2 (ja) | ||
| EP0426609A2 (en) | Ceramic insulating substrate and process for producing the same | |
| JPS6050985A (ja) | 放熱性絶縁回路基板 | |
| JP2001185665A (ja) | 炭化珪素・金属複合体からなる放熱板及びモジュール用基板 | |
| JPH09260838A (ja) | セラミック基板のスルーホールへの金属充填法 | |
| JPH10335764A (ja) | 配線基板 |