JPS63946A - 画像記録システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は原稿あるいは風景等の被写体による光学像を記
録する画像記録システムにかかわり、特に上記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録また
は出力する画像記録システムに関する。

〔従来技術〕

画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録後液
式あるいは乾式のトナー（インク）により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をＣＯＤ　（チャージカップリングデバイス）等を用い
たデジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信
号に変換して出力する方式等多種ある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。

一方後者のＣＣＤ等のデジタル光電変換素子で画像を読
み取る場合、これが一次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読み取るために、相応
に素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招
《。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有して
いなければならないなど難点があった。

一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ（たとえばビデオテー
ブ等）が必要である。したがって、撓帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。

さらに一方銀塩写真は高密度記録が可能であり、またフ
イルムでの画像の保存が効《ため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フイルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。

本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提供すること等を目的としている。

〔実施例〕

第１図および第２図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第１図は上側透視図、第２図
は正面透視図である。

本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフイルム状の画像蓄積体４、該画像蓄積体４
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部１、蓄積体４に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体４を電子ビームで走査する
画像読出部２および該読出部２を駆動するための外部電
源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続す
る入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子か
ら成るコネクタ部３等から成る。

さらに詳述すると、記録部１内には光学系ｌ１、絞りシ
ャツタ等を含む露出部材ＥＭが内蔵されており、光学系
１ｌによる光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構
成されている。

１０２は保持容器であって画像蓄積体４が巻取り軸４１
．４２に巻付けられた状態で張設されている。

この巻取り軸４１．４２の一端にはローターマグネット
５０１，５０２が固設されており、上記軸４１．４２は
ステージ１０１の不図示の軸受けによりマグネット５０
１，５０２と共に回転可能に取り付けられている。

また、第１図ではステージ１０１は省略されているが、
このステージ１０１上にビーム走査部２ｌが固定されて
いる。このビーム走査部は電界または磁界を形成し、し
かもこれを変化させることにより電子銃２３から射出さ
れる電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子
ビームで走査する。

２３は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム
走査部２１により集束偏向された後メッシュ電極２００
を介して蓄積体４に照射され、この蓄積体から放出され
る２次電子をメッシュ電極２００で検出するよう構成さ
れている。メッシュ電極２００からは不図示のリード線
が保持容器１０２内の壁面を伝わりコネクタ３の出力端
子に接続されているものである。

また、このメッシュ篭極には上記リード線を介して所定
の正のバイアス電圧を印加することが好ましい。

以上の巻取り軸４１，　４２、マグネット５０１，　５
０２、ステージ１０１，ビーム走査部２１、電子銃２３
等は保持容器１０２内に収容されており、容器１０２内
は真空に保たれている。

電子銃２３、ビーム走査部２１の電源端子、信号入力端
子、出力端子はコネクタ３に設けられており、このコネ
クタ３はカメラ１００外に露出可能になっており、通常
は蓋２０１により覆われている。２０２は記録再生装置
２０４からケーブル２０３を介してカメラ１００に対し
て電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に、カメラ１
００から出力される画像信号を入力する為のコネクタで
、このコネクタ２０２とコネクタ２０３は蓋２０１を開
いた状態で接続可能となる。２０７は外部電源入力端子
でコネクタ３に設けられており、このコネクタ３にコネ
クタ２０２を接続したとき記録再生装置２０４からの電
源がこの端子２０７にも供給されるよう構成されている
。

この端子はスイッチ２０５の一端に接続されている。

スイッチ２０５のもう一端にはバッテリーバツク５から
の内部電源が接続されており、この２種類の電源は選択
的にコイル５０３及び５０４やその他の電気回路をドラ
イブする為のドライブ回路２０８に供給される。また、
２０６はシステムコントローラであり、シャツタスイッ
チ１３、蓋２０１の開閉信号等が入力されており、蓋２
０１が開くとスイッチ２０５を端子２０７側に接続する
。また、蓋２０１が閉じているとバッテリーバック５側
に接続するよう切換える。

尚、２１０，　　２１１は発光ダイオード（ＬＥＤ）で
蓄積体４に対し後述する如く光を照射する為のものであ
る。１４はファインダである。

このように構成されているのでカメラ１００による画像
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路２０８に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体４
の間欠的移動が行なわれ１画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。

また、読み出し時にはカメラ１００のコネクタ３に記録
再生装置２０４のコネクタ２０２を接続すると、これに
先立つ蓋２０１の開成に伴って電源ラインがスイッチ２
０５により切換わり、記録再生装置２０４からの電源の
供給が可能となる。

従ってカメラ供帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。

また、コネクタ３とコネクタ２０２の接続動作に関連し
て内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体
から読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗するこ
とがない。

また、実施例では画像蓄積体４を真空室内に封入すると
共にこれを外部より移動可能としているので高解像度の
画像情報を多量に蓄積することができる。

しかも読み取りもワンタッチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。

また、蓄積体４を移動させる為の駆動軸を真空の保持容
器外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モータ
ーを保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易
い。

尚、本発明において画像蓄積体４に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。

上記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これにより上記潜像を電気信号に変換して
読出すことができる。

尚、蓄積体４をテープ状とせずガラスを基板とする回転
ディスクの上にこの蓄積体を設けても良い。

こうすれば蓄積体の平面性を安定に出すことができる。

尚、上記実施例ではメッシュ電極で２次電子を検出した
が後述の如《電子ビームの反射による戻りビームを検出
するようにしても良い。

以下、本発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。

先ず本実施例の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。

第３図は第１．２図実施例に用いる画像蓄積体４の縦断
面図であって、全体はフイルム形状をなしており、５６
の透明な基体フイルム上にバリア層５０、透明導電層５
１、Ｎ型光導電体層５２、透明絶縁層５３、半導電層５
５を積層したものである。以下各層について述べると、
基体５６は、十分な屈曲性と透光性があり、かつフイル
ムローデイング時の張力によって切断することない材質
からなる。

たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フイルムが好ましい。また、上記特性を満足させ
る為フイルムの厚みは、ポリエチレンテレフタレートの
場合１０〜５０μｍが望ましく、ポリイミドフイルムで
は５〜５０μｍが望ましい。透明導電層５１は、酸化ス
ズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化スズ
を含むものが？いられる。この層は公知のスパッタ等の
方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な導
電性が得られる厚みで数ｌＯ〜数１００ｎｍが望ましい
。

Ｎ型光導電体層５２は、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＯ等の
Ｎタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる程度の厚さに成膜されている。例えば１
００ｎｍ〜数μｍの範囲が望ましい。次に絶縁層５３は
、ＳｉＯ■，ＭｇＯ等の高絶縁性の薄膜で、スバツタ等
の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持
たせる為に、数百ｎｍ〜数１０μｍが望ましい。次に、
半導電性膜５５は、ビームから導電層を保護する為にガ
ラス等の膜あるいは、ＫＣｌ（塩化カリウム）等の多孔
質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高く十分な絶縁
性を示すのもであり、膜の厚さが記録画像の解像度幅に
比べ十分薄いものが良く、たとえば１０００本／　ｍ　
ｍの解像度の画像とする為に膜厚を数ｎｍ〜数百ｎｍに
することが望ましい。

また、光導電層５２と透明導電層５１の間に設けたバリ
ア層５０は暗減衰並びに暗部における負電荷の注入を防
止する為の層でありＣｄＳＯ３，ＣｄＳｅＯ３等をスパ
ツタにより成膜したものである。この膜厚は２〜数１０
ｎｍが望ましい。

次に上記画像蓄積体への光記録について第４図（ａ）〜
（Ｃ）を用いて述べる。

暗所において例えば導電性ブラシまたはロール５７．　
　５７’等を用いて透明導電層５１をアースまたは負と
して半導電層５５に正電荷を第４図（ａ）のように付与
する。この付与された正電荷はただちに半導電層５５を
通して注入される。次に第１図示の露出部材ＥＭが開き
画像露光が行なわれ、光Ｌの当った部分は光導電層５２
の抵抗が下がり透明導電層５１から負電荷がバリア層を
抜け光導電層５２へ注入され第４図（ｂ）の状態となる
。次に露出部材ＥＭが閉じた後透明導電層５１をアース
に落とし、このアースと短絡された導電性ブラシまたは
ロール５９．　　５９’にて半導電層５５を通して暗部
の正電荷と透明導電層５１の負電荷を短絡して消去する
とともに、明部の表面電位がＯになるように、第４図（
Ｃ）の如く電荷を半導電層５５と透明導電層５ｌへ分布
させる。次に透明導電層５１をアースとしておき、画像
蓄積体４を前述のＬＥＤ２１０，２１１で全面露光する
と、光電導層５２の電気抵抗が下がり、この層の両端の
正負電荷が消去され、絶縁層５３をはさむ電荷のみが第
４図（ｄ）の如く残ることとなり、表面を正電位とする
記録が行われる。

前記、画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパツター法を用いて一括作成する為、蓄積体を非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体（光導電
体）を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ１０倍以上引き上げられることになった。

第５図および第６図に上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部１の詳細を示しこの動作１例につい
て第１図、第２図を用いて述べる。

尚、図中ＳＩは容器１０２の内面にコーティングされた
遮光マスクで撮像画面を規定する開口ＥＦが形成されて
いると共に、この画面の近傍に基準開口ＥＦ’　が形成
されている。この基準開口は前記撮像画面ＥＦの有効画
面ＶＦを規定するためのものである。すなわち、有効画
面ＶＦは撮像画面より若干小さく、遮光マスクＳＩのエ
ッジ部近傍の回折等の影響を受けないように為されてい
る。

この有効画面が電子ビームによる水平、垂直走査期間の
範囲に相当する。

さて、被写体を決め、第２図におけるシャツタスイッチ
１３をハーフスイッチングの状態にすることにより第５
図、第６図における帯電ブラシローラ５７と接地ブラシ
５７′との間で電圧印加するとともに駆動コイル５０３
，５０４を作動しフイルムを図示矢印６０方向に送る。

これにより、まず画像蓄積体４上を一様に帯電する。次
にシャツタスイッチ１３をフルスイッチングの状態にす
ることにより露出部材ＥＭを作動し、光学系１ｌを通し
て画像蓄積体４を必要光量露光し、第４図（ｂ）の状態
で画像を記録する。次にシャッタスイッチ１３を解除す
ると、再度　駆動コイル５０３，５０４が作動し、フイ
ルムを矢示６０方向に１画面分移動するとともに接地ブ
ラシ５９．　５９’により全面除電を行ない第４図（Ｃ
）の状態で画像が保持蓄積状態となる，この後矢示６０
と反対方向にフイルムを１画面分戻すことにより、次画
面の画像記録の上記一様帯電のプロセスに都合の　良い
位置に保持する。

尚第１図、第５図において保持容器１０２はガラス等に
より形成するが該保持容器１０２は少なくとも画像記録
部１においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像先にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことが望ましい。

または上記保持容器１０２の光路部分を直接レンズとし
て加工することも可能である。

尚、第５図、第６図においてブラシローラ５７，５７’
　，　　５９．　　５９’は前記した電圧印加を行なう
とともに画像蓄積体４に対し軽いテンションをかけるよ
うに為されており、画像露光あるいは後述の電子ビーム
走査に対して常に一定角、好ましくは光路の軸に対して
直角に保つようにする。このようにすることで画像記録
、読出しに対しての解像度が良好に保てる。

尚、このように蓄積体４に対する帯電、除電の為のロー
ラまたはブラシを蓄積体４の記録部１の平面性を出す為
のテンションローラと兼用することにより、構成を簡略
化することができる。

また、第６図（ａ）のように帯電または除電の為のロー
ラまたはブラシの内の接地された一方のローラまたはブ
ラシを撮像画面ＥＦの外側、かつフイルム状蓄積体４の
巾方向の端部に設け、また、これに対応してフイルム状
の蓄積体４の層の構造を第６図（ｂ）の如《したので構
成がより簡略化される効果を有する。

尚、ここで前記画像蓄積体４での記録画像の保持は前記
第４図（Ｃ）のプロセス終了状態での保存が望ましい。

前記第４図（Ｃ）に示す様に画像蓄積体４の表面を外部
に電界が生じない（接地）電位にしてお《ことで、画像
蓄積体４をフイルムにして保存する為に巻取るとき、他
の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず、良好な画
像の保持がなされるからである。特に後述するように、
基体５６および導電層５１を合わせた導電基体を使用す
る場合にはこの良好な保持効果が大きい。

もちろん第４図（ｄ）に示す状態での保持も可能である
。

上記においては、画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。

また、以上述べて来た画像蓄積体４の記録方法において
、該蓄積体４の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用い
ていたが、別途手段として本発明の画像記録システムに
内蔵する電子銃２３を用いることもできる。この場合の
帯電方法を第３図を用いて述べる。

電子銃２３を用いた場合は、導電層５Ｉを背面電極とす
ることになり加速電圧により画像蓄積体４の半導電層５
５に付与される電荷の極性が変化する。

すなわち帯電時に画像蓄積体４付近にあらかじめコレク
タ電極を設けるか、または除帯電時のみコレクタ電極を
設け、この電極の電圧を十分高くすると共に、電子ビー
ムを低速電子ビームとすれば、初期に該半導電膜５５の
表面がＯ■とすると、ある電圧ＶＡ以下の加速電圧迄は
電子銃から半導電層５５に向う１次電子の量が、衝突に
よって発生する２次電子の量よりも多いため、半導電層
を負に帯電することとなる。また、加速電圧がＶＡの場
合、１次電子と２次電子の量がほぼ拮抗しており、該半
導電層の表面はＯｖの状態となる。さらに加速電圧を上
でＶＡより大きくなると、入力１次電子よりも２次電子
の方が多く放出するため、該半導電層の表面は正に帯電
することになる。このＶＡの値は材料によって異なるが
該半導電層の下部が絶縁層５３からなるため約２０〜５
０Ｖの値である。また、上記方法はあくまでもコレクタ
電圧が正で十分高いことにより２次電子がほとんど捕集
される為に可能な方法である。

また、画像蓄積体４への帯電が負である場合は、前述の
如く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィ
ラメントを別途に設置し、このフィラメントからの熱電
子放出を利用することも可能である。

上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、２次電子放出が１次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ｏｖとして、これ
を＋ＶＣボルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極にー（ＶＡ＋α）の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧＋ＶＣを印加しておく、さらに該
画像蓄積体の導電層５１をアースに落しておく。このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層５５に１次電子ビームが入射すると上記設定では２
次電子放出が１次電子入力よりも多く、かつ、放出した
２次電子がコレクター電極に全て取り込まれる為、半導
電層は徐々に正帯電されて行《。帯電が進み表面電位が
コレクター電位を越えると２次電子はコレクター電極へ
移動できな《なり、半導電層に戻り、一次電子の入力分
だけ電位が下がり一定の表面電位Ｖｃが保たれることと
なる。

次に、半導電層５５を負に帯電する場合について述べる
。この場合帯電電位をーＶｃボルトとすると、陰極電位
はー（ＶＡｆＶＣ＋α）ボルトに設定する。

但し、半導電層５５の表面電位は概略Ｏｖであるとする
。この場合、放出される２次電子は全て半導電層に戻る
為１次電子の入力分だけ半導電層は負に帯電していく。

そしてーＶＣボルトよりも低い電位になると、コレクタ
ー電極の電位が半導電層の表面電位に対し相対的に正に
なる為、２次電子が捕集され、正に半導電層が帯電され
ることとなる。よってーＶＣボルトに安定帯電される。

以上のように電子銃゛を用いて帯電を行なうと、ブラシ
、ロール等に比べより均一な帯電が可能になると共に、
帯電時間も短《、また帯電位の制御も容易になる。

次に除電方法につい述べる。上述したようにコレクター
電極の電位によって帯電が制御できることから、コレク
ター電位をＯｖに設定すれば除電は可能となる。また、
半導電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を
十分高くして放出２次電子が全て捕集されるようにし、
半導゜電層の帯電電位を＋Ｖｓとし、陰極の電位をＶＫ
とすると（Ｖｓ−ＶＫ）＜ＶＡとなる条件で電子ビーム
の照射を行ないＶＳを徐々にＯｖに近づけることにより
除電することも可能である。但しＶ３＜ＶＡの場合はＶ
Ｋ＝０として十分な除電が可能である。当然上記除電に
おいて導電層５１はアースに落されている。

このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる、他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果を有し、メカニカルな手
段を使わずに除帯電できるので構成が簡単となる。

除帯電時の電流が少なく低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。

尚、画像蓄積体４の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシまたはロールを半導電層５５に接触
させて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわ
れる。他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積
体の有する半導電層を除電用ブラシまたロールあるいは
電子ビームでｏｖとし透明導電層をＯｖとして光を全面
照射することで可能となる。

次に本発明記録装置における画像読出し部２について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭５４−２９９
１５号にその１例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。

第１図においてコネクタ３に外部より読み出し部駆動電
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル２０３が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の続出部駆動制御回路
は本実施例の如《記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ１００内に設ける様にしても良い。

読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体４に入射すると２次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々０、１μ
以内の深さの領域で発生したものである。ところが、そ
の外部に放出する２次電子は画像蓄積体の表面電位に影
響される。即ち、表面電位が正であれば前記２次電子は
それにより引きつけられるため放出され難く、また、電
位がマイナスであれば逆に反発され２次電子量は増加す
る。

従って、画像担持体に電子ビーム５を入射する時、前記
感光板近傍に２次電子集束用のメッシュ電極２００を設
ければ電極２００の出力は電子ビームの当っている個所
の表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画
像蓄積体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換
したものとなる。電子ビームを読み出し手段に使用する
ことは、ビームの走査が電子レンズにより純電気的に行
なわれること、ビーム径が数μ以下に容易に絞れること
から高分解能である事など多数の利点を有する。

また、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の
潜像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能で
ある。

第７図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第７図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃３０１から電子ビーム５が出
ると図示の集束用コイル３０２、集束電極３０３によっ
て集束され、偏向用コイル３０４により偏向され、画像
蓄積体４上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム５′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム５′は電
荷像に対応して強弱のコントラストをもっているため、
これをダイノード３０５で受けることによりここから発
生する二次電子を多段で増申した後、コレクタ３０６か
ら電気信号として取り出すことが出来る。

本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上、以上に留どめる
。

次に前記の第３図、第４図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部２の動作について第１図
〜第４図を用いて説明する。

前記記録部１の動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体４は、第４図（Ｃ）に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。

ここで記録再生装置２０４への接続がコネクタ３、２０
２によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を開
始する。

これにより上記の状態で保持されたフイルムの画像は、
長時間の保存により、第４図（ｄ）に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第４図（ｄ）に示すｆ替
像の状態になっていることもありうるが、本実施レ１［
では、画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出
す画像面をＬＥＤ２１０，２１１一定時間全面露光し、
より良好な表面電位パターン（第４図（ｄ））としての
静電潜像にする。

次に電子ヒーム走査をなすことにより、前述の二次電子
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。

したがって画像をＣＲＴで確認したり、またはプリンタ
で出力することが可能となる。

なお読み出し時において、画像蓄積体から放出される二
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はＰ型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第４図（ａ
）における表面全面帯電を負帯電としても良い。

第８図（ａ）は記録再生装置２０４の構成例を示す図で
、４００はＡＣコード、４０１はＡＣ／ＤＣコンバータ
、４０２は電源回路、４０３は集束，偏向回路、４０４
は同期信号発生回路、４０５はプロセス処理回路、４０
６は変調回路、４０７は記録再生切換スイッチ、４０８
は記録再生ヘッド、４０９はディスクモーター、４１０
は復調回路、４１１゛はエンコーダー、４１２は映像信
号出力端子、４１３はディスク状記録媒体、４１４は波
形整形回路、４１５はフリップフロツプ回路、４１６は
デイレイ回路である。

コ′−ド４００より供給されるＡＣ電源はＡＣ／ＤＣコ
ンバータで直流に変換された後さらに電源回路４０２で
適当な電圧に変換されて各回路に供給される。

また、ケーブル２０３を介してコネクタ２０２にも電源
を導いている。集束偏向回路４０３は同期信号発生装置
４０４からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用
の鋸波を形成し、これをやはりケーブル２０３を介して
コネクタ２０２に導く。

コネクタ２０２よりケーブルを介して得られた画像信号
はプロセス処理回路４０５でα補正、アバーチャ補正、
黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各種補正を加
えたのち変調回路４０６において記録に適した変調を加
えスイッチ４０７、ヘッド４０８を介して媒体４１３に
１トラックに１フィールド分記録される。再生時はヘッ
ド４０８から読み出された信号は復調回路で再び元の信
号に戻された後、エンコーダで標準テレビジョン信号（
例えばＮＴＳＣ信号）に変換した後出力端子４１２に導
かれる。

従ってこのＮＴＳＣ出力端子４１２にＴＶ受像機を接続
することにより画像を１フィールドずつモニターできる
。

勿論ディスク状媒体に２フィールドずつ記録しておけば
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。

尚、ここでエンコーダーはＰＡＬやＳ　Ｅ　Ｃ　Ａ　Ｍ
方式に対応したものであっても良いことは言うまでもな
い。

尚、コネクタ２０２、ケーブル２０３を介してプロセス
処理回路に入力されるビデオ信号Ｖ　ｏｕｔは第８図（
ｂ）の如く、水平走査期間の最初の部分に基準開口ＥＦ
’　　からの信号部分Ｖ　Ｅ　Ｆ’　　が存在している
。

波形整形回路４１４は信号Ｖｏｕｔを所定の閾値でクリ
ツブし信号ｖ１とする。フリツプフロツプ４１５はこの
信号Ｖ，の立上り毎に状態を反転し、第８図（ｂ）の如
《基準開口ＥＦ’　　に対応した同期用の信号ｖ２を形
成する。更にデイレイ回路４１６はこのｖ２を１水平期
間より若干短い期間Ｔ１だけ遅延し、パルス巾を適宜の
巾としたパルスＨ’　Ｄを形成する。

これにより同期信号発生回路４０４から出力される水平
同期パルスＨＤを位相ロックさせる。

このようにしているので蓄積体４から各画像情報を読み
出す際に、水平同期が自動的に調整され、モニター上の
画面が左右ずれたりすることがなく、手動でその為の調
整を行う必要もない。

尚、本実施例における基準開口は水平走査期間の最初の
部分に対して設けているが、水平走査期間の最後の部分
に設けてもよい。又、走査電子ビームの走査領域は基準
開口を検出する為に若干広げてお《ことが望ましい。そ
の分水平帰線期間の巾は狭くしてお《。

尚、本実施例は水平走査期間の始端又は終端側に基準開
口を設けたが、この開口の代りに予め蓄積体表面に例え
ば１画面毎にその画面の周辺部に金属膜等の枠を形成し
ておいてもよい。

又、垂直走査期間の始端又は終端に基準用の開口又は金
属膜等の枠を設けても良い。

第９図、第１０図は、本発明の実施例の構成変形例であ
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体４の同一側の面としたものである。図示する構
成は画像蓄積体４が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
１０２内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟
って大きな効果を出すものである。

第９図は、前記第５図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第３図における基体５６、導
電層５１を透明にする必要がなく、たとえば基体５６お
よび導電層５ｌを合わせて金属薄体等の導電基体で形成
することが出来るので摩擦帯電を防止できる。また、走
査読み取り部を横に持ってこれるのでカメラの光軸方向
の構成をコンパクトにすることができる。尚この場合前
記像露光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体
上にブラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望
ましい。また、図においてアースをとる為のブラシ、ロ
ーラー５９’　、５７’はどちらか一方でも良い。

第１０図は、第９図に示した構成の更なる変形例であり
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化することができる。

第９図（ｂ）は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた２次電子を検出する例として挙げ、２次電子を
検出するコレクターＣＥＤをメッシュ電極の代わりに設
けた例を示した。

また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極６００および接地電極５７′のー構成例を示
した。尚、７００は交換レンズである。

第１１図はフイルムローデイング手段の他の実施例を示
す。第１１図例では第２図に示したローデイング手段に
おけるマグネット５０１，５０２と駆動コイル５０３，
　５０４の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器１
０２内に駆動コイル６０１を容器１０２外の支持フレー
ム６０５にマグネット６０２を設けたものである。駆動
コイル６０１は第１１図に示す通電ブラシ６０３により
電流が供給される。第２図及び第１１図に示す構成は通
常のＤＣモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動す
ることが出来る。

ここで第１１図実施例に対してさらに以下の様にするこ
とで本発明画像記録システムに改良を与えることかでき
る。すなわち前記マグネット６０２を画像読取り時には
、容器１０２より離間し得る構成にするものである。こ
の様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグ
ネット６０２が磁気的に悪影響を与えない様にすること
ができる。

第１２図に上記マグネット６０２を離間させるための手
段の一例を示す。第１２図例では、マグネット６０２を
取りつけた支持フレーム６０５をコネクター３の蓋２０
１′と兼ねた構成にしたものである。画像担持体４への
画像記録終了後、読出し時においてコネクター３に外部
からのコネクター２０２を接地する為に前記蓋２０１′
を開けるがこのとき、第１２図に矢示するように支持フ
レーム６０５全体を装置外装に対して下にスライドする
ことにより、前記マグネット６０２も同時に容器１０２
より離間する様にするものである。

また、支持フレーム６０５はマグネットの離間時紛失し
ないように例えば紐などで本体につないでお《ことが望
ましい。

第２０図はフイルム巻き取りを手動にした１例を示す。

図示例においては巻き上げレバー７００によりマグネッ
ト７０１を回転させ、これにともない画像蓄積体４の巻
き取り軸７０２に固定したマグネット７０２を回転させ
る様にしたものである。

本例の様に手動巻き上げレバー７００を設けたことによ
り第１、第２図の例で示した記録部の動作のうち、たと
えば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻
き上げレバーに連動させて行えば良く、シャツタスイッ
チと分離することで誤動作等を少なくすることも出来る
。

尚、実施例では磁気シールド板７０４をマグネツ｝７０
３７０３と少なくともビーム走査部２１の間に設けてい
るのでビーム走査に障害を与えることがない。勿論容器
１０２外に設けても良い。

第２０図においては読取り時においては巻き上げレバー
全体を上に引き上げる様にすることでマグネット７０１
を前記と同様、容器１０２より離間することが出来る。

第２１図は本発明においてさらにカメラ１００と読取部
２０００とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の
接合部材１００１．　　１００２を用いて合体可能とし
たものである。ここでカメラ１００および読取部２００
０の合体は交換レンズ部１０１０を取り外して行なう。

このようにすることで記録部（カメラ）のもち運びはさ
らに便利になる。カメラ（記録部）１００には前述まで
の記録方法に示したような必要な帯電手段、フイルム駆
動手段、その他の手段を有する。また読取部２０００と
フイルム面との密着を行ない、かつ平面性を保つ為に押
え板ｌ００５を設けた。カメラ１００により画像記録後
、読取時にはレンズ部１０１０を取り外し、代わりに読
取部２０００と結合するが、このときフイルムと、読取
部２０００の多列ピン電極１０２０を有する接合プレー
ト１０２１と密着させる。弾性部材１０３０はこの密着
を確実とするために設けたものである。多列ピン電極１
０２０はそれぞれのピン同士が互いに横方向に接触せず
に、高密度に配列され、それぞれ独立して接合プレート
１０２１の表裏で電気的導通をとるもので、これにより
前記フイルム上の潜像を、前記電子ビームで読取ること
が出来る。

この実施例の如く、本発明は記録部と読取り部とが切り
離し可能なものも含む。このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。

すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラｌ
ＯＯから取り出して読取り部の容器１０２内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として
成り立ちに《いが、本発明によれば記録部における記録
動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立さ
せ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状態
を変えることなくそのまま（第１図示実施例のように初
めから容器内に入っているものも含む）蓄積体の記緑情
報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々即
時にできる。

次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。

第１３図は本発明に用いる画像蓄積体４の縦断面図であ
って、全体はフイルム形状をなしており、５６の透明な
基体フイルム上に透明導電層５１、Ｎ型光導電体層５２
、透明絶縁層５３、Ｐ型光導電体層５４、半導電層５５
を積層したものである。以下各層について述べると、基
体５６は十分な屈曲性と透光性があり、かつフイルムロ
ーデイング時の張力によって切断することない材質から
なる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド等の高分子フイルムが好ましい。また、上記特性を満
足させる為フイルムの厚みはポリエチレンテレフタレー
トの場合ｌＯ〜５０μｍが望ましく、ポリイミドフイル
ムでは５〜５０μｍが望ましい。透明導電層５ｌは酸化
スズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化ス
ズを含むものが用いられる。この層は公知のスバツタ等
の方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な
導電性が得られる厚みで数１０〜数１００ｎｍが望まし
い。

Ｎ型光導電体層５２は、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＯ等の
Ｎタイプの光導電体を蒸着あるいはスパツタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる厚さに成膜されている。例えば１００ｎ
ｍ〜数μｍの範囲が望ましい。次に絶縁層５３は３ｉＱ
２，ＭｇＯ等の高絶縁性の薄膜で、スパツタ等の方法に
より成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持たせる為
に、数μｍ〜数１００μｍが望ましい。次に、Ｐ型光導
電体層５４は無定形Ｓｅ，同ＳｅＴｅ無定［Ｓｉ等のＮ
タイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形成
したものであり、成膜条件等はＮ型光導電体５２のそれ
に準じる。

次に、半導電性膜５５は、ガラス等の膜あるいは、ＫＣ
ｊ７（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く
。たとえば１０００本／ｍｍの解像度の画像であれば膜
厚を数１００ｐｍ〜数１０　ｎｍにすることが望ましい
。

次に上記画像蓄積体への光記録について第１４図（ａ）
〜（ｃ）を用いて述べる。

暗所において透明導電層５ｌをアースまたは負として半
導電層５５に導電性ブラシまたはロール２５７を用いて
正電荷を第１４図（ａ）のように付与する。

この付与された正電荷はただちに半導電層５５を通して
注入され第１４図（ｂ）の様になる。次に第１図示装置
の露出部材ＥＭによる所定量の画像露光が行なわれ、光
Ｌの当った部分は光導電層５２．　　５４の抵抗が下が
り透明導電層５ｌから負電荷が光導電層５２へ注入され
、さらに正電荷が光導電層５４へ注入されて、第１４図
（Ｃ）の状態となる。次に露出部材ＥＭにより遮光をし
、さらに透明導電層５１をアースに落とし、これと短絡
された導電性ブラシまたはロール２５９にて半導電層５
５を通して暗部の半導電層５５の正電荷と透明導電層５
１の負電荷を消去すると共に、明部の表面電荷がＯにな
る様に第１４図（ｄ）の如く正負電荷を半導電層５５と
透明導電層５１へ注入する。次に透明導電層５ｌをアー
スとしておき、画像蓄積体４をＬＥＤ２１０，２１１で
全面露光すると、光導電層５２．　　５４の電気抵抗が
下がり、この層の両端の正負電荷が消去され、絶縁層５
３をはさむ電荷のみが第１４図（ｂ）の如く残ることと
なり、表面を正電位とする記録が行われる。

この記録方法によれば蓄積された電荷像が、第１４図（
ｅ）に示される様に、画像蓄積体内部に保持されるため
暗所で放置する限り、その保存性が向上される。

次に第１５図を用いて第１３図にて説明した画像蓄積体
４の変形例と記録方法について説明を加える。

第１５図に示す画像蓄積体４は第１３図示の画像蓄積体
４のうち、半導電層５５の代りにＰ型光導電体層５４に
接する面を導電層とした電極プレート５９に置き変えた
ものであり、他の構成は画像蓄積体３２と同じものであ
る。電極プレート５９はガラス等の基板に酸化スズ、酸
化インジウム、あるいはこれらの混合体をスパツタ等に
より成膜した導電層を持つものである。

この場合の記録法について第１５図（ａ）〜（ｄ）を用
いて説明する。

透明導電層５ｌを負、電極プレート５９を正としてパル
ス状の電圧を印加し同時に露出部材ＥＭによる画像露光
を行なうと、第１５図（ａ）のように、光Ｌの当った部
分は光導電体５２、５４の抵抗が下がり、透明導電層５
１から負電荷が光導電層５２へ注入され、さらに正電荷
が光導電層５４へ注入される。次いで露出部材ＥＭによ
る露光を停止してからパルス電圧を除去すると第１５図
（ｂ）に示すように画像蓄積体４の外部への電位がＯに
なるように露光部に当る各導電層に各々逆電荷が注入さ
れる。

次にこの画像蓄積体４に接触している電極プレート５９
を該蓄積体４から剥離され第１５図（Ｃ）のような状態
になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が可能
であるが、さらに該蓄積体４をＬＥＤ２１０，２１１で
全面露光し第１５図（ｄ）のように絶縁層の両端にのみ
電荷を保持する状態にして保存することも可能である。

この記録方法によれば帯電及び除電時にブラシ、ロール
等を用いる為フイルムのローデイング時のムダな動きが
な《、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。

前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。

第１６図は電荷発生層として圧電材料を用いた画像蓄積
体４である。記録体の層構成は、透明基体フイルム６７
上にこれも透明な導電層６１、次に透明絶縁膜６２、Ｐ
型光導電体６３、圧電体層６８、Ｎ型光導電体６４、透
明絶縁膜６５、半導電層６６の各層を積層したものであ
る。透明基体フイルム６７は前述の基体フイルム５６と
同じものであって、十分な透光性と強度・屈曲性を有し
ており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フイルム等が好ましい。透明導電層６１は厚さ数
１０〜数１００ｎｍの酸化インジウム、あるいはこれに
若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透光性を有
する。次に透明絶縁膜６２、６５はＳｉ○２．Ｍ　ｇ　
Ｏ等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリング等に
より薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚みは十
分な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調整され
る。望ましくは数１００〜数１０００人である。

次に、半導電性膜６６は、ガラス等の膜、あるいはＫＣ
ｌ（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえば１０００本／ｍｍの解像度の画像であれば膜厚
を数１００　ｐｍ〜数１０　ｎｍにすることが望ましい
。

次に圧電体層６８はＰｂ　（Ｚｒ，Ｔｉ）０３セラミッ
クスあるいはＢａＴｉ０３セラミックスの薄層であり、
それぞれ１０μｍ以下の厚みであれば十分な透光性を有
する。また、十分な圧電性を保障する為５０００人以上
の厚みがあれば良い。また、この圧電体層は成膜後電荷
発生方向を考慮して十分ポーリングされている。Ｐ型光
導電層６３は無定形ＳｅＴｅ合金、あるいは無定形Ｓｉ
等からなるポジタイプの光導電体でＮ型光導電層６４は
、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＯ等からなるネガタイプの光
導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。また、膜
厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれば良く
、望ましくは１０００人〜数μｍの範囲で適宜調整され
ている。

次に記録方法について以下に詳述する。簡単のため基体
フイルム６７を除いたもので第１７図（ａ）〜（ｄ）を
用いて説明する。まず第１７図（ａ）に示すように矢印
Ａの方向に記録体４全体に張力Ｆを加えるか、または記
録体４の積層方向に圧力Ｆを加える。この時、加えられ
る力Ｆによって圧電体層６８にあらかじめポーリングし
ておいた方向に正負の電荷が図のように発生する。次に
、暗所において透明導電層６１をアースまたは負とし、
半導電層６６は導電性ブラシまたはロール５７を用いて
導電層６１が負、半導電層６６が正になるようにバイア
ス電圧をかけた後に像露光５８を行う。この時、圧電体
層６８の両端の正負電荷は光の当った部分の光導電体の
抵抗が下がり、バイアス電圧により同図（ｂ）に示すご
と《、各々の光導電体層と絶縁層の界面迄移動する。次
にこの記録体にかかっている圧力を除去すると非露光部
の圧電体層にのこっている電荷がなくなり露光部には逆
電荷が発生し同図（ｃ）に示す状態となる。次に導電層
６ｌと６６を半導電層側は導電ブラシまたはロール５７
′　　を用いて短絡してアースに落とすことで前述の光
が当った部分のみ電荷が保持され記録材上に同図（ｄ）
に示す静電像が保存されしかも表面電位はゼロボルトと
することができる。

以上のように内部発生電荷により記録を行なう為蓄積体
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。さらに感光体が電極と触
れない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。

次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＴｅ等の光導電体は通常バインダーと混合して
、光導電体として用いることが多いが、スバツタ等の方
法により結晶性を高めて成膜し、ポーリングを行うかま
たは結晶性が悪い場合でも強電界により強《ポーリング
させてお《ことにより圧電性光半導体として用いること
が可能となる。

第１８図にこの圧電性光導電体を用いた画像蓄積体４の
縦断面図を示す。画像蓄積体４の構成は、透明基体フイ
ルム７５−ヒに透明導電層７４、Ｎ型の圧電性光導電層
７３、絶縁層７２、半導電層７１を積層したものである
。以下各層について述べると、基体７３は十分な屈曲性
と透光性があり、かつフイルムローデイング時の張力に
よって切断することない材質からなる。たとえばポリエ
チレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子フイルム
が好ましい。

また、上記特性を満足させるためフイルムの厚みはポリ
エチレンテレフタレートの場合１０〜５０μｍが望まし
く、ポリイミドフイルムでは５〜５０μｍが望ましい。

透明導電層７４は酸化スズあるいは酸化インジウムまた
はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。この
層は公知のスバツタ等の方法により成膜されたものであ
り、透光性および十分な導電性が得られる厚みで数１０
〜数１００ｎｍが望ましい。

圧電性Ｎ型光導電体層７３は、ＣｄＳ，　　ＣｄＳｅ，
ＺｎＯ等のＮタイプの光導電体をスバッタ等の例えばｕ
ＳＰ４，３６３，７１１に示される公知の方法によって
形成したものであって、Ｍ　Ｈ　ｚオーダーの周波数の
外場中で上記ＣｄＳ等の単分子層をＲＦスパツタによっ
て積層したものである。さらにこの成膜した感光層は成
膜後強い直流電場中において所望する向きに第１圧電性
を示す様にポーリングされる。また光の受容により十分
な電子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保さ
れ、光の内部拡散を無視できる程度の厚さに成膜されて
いる。

例えば１００〜数μｍの範囲が望ましい。次に絶縁層７
２は、Ｓｉ０２，　Ｍｇ○等の高絶縁性の薄膜で、スパ
ツタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な栖縁
性を有する為に、数μｍ〜数１０μｍが望ましい。次に
、半導電性膜７ｌは、ガラス等の膜あるいは、ＫＣｌ（
塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方
向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さ
が記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、例え
ば１０００本／ｍｍの解像度の画像であれば膜厚を数１
００．ｐｍ〜数１０ｎｍにすることが望ましい。

次に画像蓄積体３６への記録方法について第１９図（ａ
）〜（ｄ）を用いて述べる。記録に際しては第１９図（
Ｃ）に示す、ガラス基板７７上に、酸化スズ等の導電体
を蒸着した補助電極８０が用いられる。

記録はまず同図（ａ）に示すように画像蓄積体４を矢印
の方向に力Ｆで引っ張りながらＬＥＤ２１０，　２１１
で全面に光を与え、その後光を遮断し圧力をな《す。こ
れにより同図（ｂ）に示すようにあらかじめポーリング
された方向に圧電性の正負電荷が発生する。次に第１９
図（ｃ）に示すように補助電極８０を半導電層７１に導
電層７６が接するように接触させ、導電層７６と７４を
短絡しアースに落とし、第１図示装置の露出部材ＥＭに
より所定量の露出を行う。この露光により光の当った部
分の圧電性光導電層７３の抵抗が下がり、この部分の蓄
積電荷が消去される。光の当たらなかった部分は（Ｃ）
図に示すように、該蓄積体４の表面電位がＯになるよう
に各導電層７６、７４に正負電荷が注入される。そして
導電層７６に注入された正電荷は、ただちに半導電層７
１に注入される。この状態で導電層７４をアースとして
補助電極８０を除去し、次に該蓄積体を再びＬＥＤ２１
０，　２１１で全面露光すると同図（ｄ）に示す記録保
持状態となる。

この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。

〔効果〕

本発明においては上記の様に画像蓄積体を用い、画像記
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを太き《改善することができる。また、画像蓄
積体の各画面に基準マークを設けたので、ビームによる
走査を蓄積画面に対して正確に合わせることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の上側透視図、第２図は本
発明の第１実施例の正面透視図、第３図は蓄積体の構成
の第１実施例図、第４図（ａ）〜（ｄ）は第３図示蓄積
体への記録方法の説明図、 第５図は第３、第４図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の上部より見た図、 第６図（ａ）は第５図を正面側から見た図、第６図（ｂ
）は第６図（ａ）の側面から見た要部説明図、 第７図は本発明の第２実施例図、 第８図（ａ）は記録再生装置の構成例図、第８図（ｂ）
は記録再生装置の動作タイミングチャート、 第９図（ａ）は記録部の他の実施例図、第９図（ｂ）は
第９図（ａ）の実施例のさらに他の実施例図、 第１０図は記録部のさらに他の異なる実施例図、第１１
図は蓄積体の駆動構成例を示す図、第１２図は第１１図
示の構成の側面図、第１３図は蓄積体の第２の例を示す
図、第１４図（ａ）〜Ｃｅ）は第１３図示例の記録方法
を説明する図、 第１５図（ａ）〜（ｄ）は蓄積体の第３の実施例の記録
方法を示す図、 第１６図は蓄積体の第４実施例の構成例図、第１７図（
ａ）〜（ｄ）は第１６図示実施例の記録方法を示す図、 第１８図は蓄積体の第５実施例図、 第１９図は第５実施例の記録方法を説明する図、第２０
図は蓄積体の駆動構成の他の実施例を示す図、 第２１図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示
す図、 １００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カ
メラ、ｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・画像記録部、２・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・画像読取り部、３・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
コネクタ、４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・蓄積体。 第５図 第６図 第７図 １″｛０　　　−一−一−一一−１−−一一一一一一一
一第ｑ図（（１） 掲９図（ｂ） 第／０図 褐／／図 （ｂ） （Ｃ） （０′ジ Ｓ４ ？ＩＯ　　　　　　？／１ 弟昆図 第／＝７尺 ８／ｅ図 啓取・ノ軸ｌ？　　　　　　シ俊４稽体〆第２１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光学像を電気的画像情報に変換する光電変換部材
   を所定のベース部材に対して薄膜形状として設け、該光
   電変換部材の複数の異なる部分に所定の光学像を入射さ
   せることにより複数の画像を蓄積し得るよう構成すると
   共に、各画像の基準位置を示すマークを設けた画像記録
   システム。
2. （２）前記光電変換部材に対し電子ビームを照射するこ
   とにより走査する走査手段を有することを特徴とする特
   許請求の範囲第（１）項記載の画像記録システム。