JPS63946A - 画像記録システム - Google Patents
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Landscapes
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は原稿あるいは風景等の被写体による光学像を記
録する画像記録システムにかかわり、特に上記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録また
は出力する画像記録システムに関する。
録する画像記録システムにかかわり、特に上記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録また
は出力する画像記録システムに関する。
画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録後液
式あるいは乾式のトナー(インク)により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をCOD (チャージカップリングデバイス)等を用い
たデジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信
号に変換して出力する方式等多種ある。
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録後液
式あるいは乾式のトナー(インク)により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をCOD (チャージカップリングデバイス)等を用い
たデジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信
号に変換して出力する方式等多種ある。
ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。
一方後者のCCD等のデジタル光電変換素子で画像を読
み取る場合、これが一次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読み取るために、相応
に素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招
《。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有して
いなければならないなど難点があった。
み取る場合、これが一次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読み取るために、相応
に素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招
《。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有して
いなければならないなど難点があった。
一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ(たとえばビデオテー
ブ等)が必要である。したがって、撓帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ(たとえばビデオテー
ブ等)が必要である。したがって、撓帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。
さらに一方銀塩写真は高密度記録が可能であり、またフ
イルムでの画像の保存が効《ため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フイルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。
イルムでの画像の保存が効《ため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フイルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。
本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提供すること等を目的としている。
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提供すること等を目的としている。
第1図および第2図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第1図は上側透視図、第2図
は正面透視図である。
的構成例を示す図であり、第1図は上側透視図、第2図
は正面透視図である。
本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフイルム状の画像蓄積体4、該画像蓄積体4
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部1、蓄積体4に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体4を電子ビームで走査する
画像読出部2および該読出部2を駆動するための外部電
源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続す
る入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子か
ら成るコネクタ部3等から成る。
に蓄積するフイルム状の画像蓄積体4、該画像蓄積体4
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部1、蓄積体4に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体4を電子ビームで走査する
画像読出部2および該読出部2を駆動するための外部電
源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続す
る入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子か
ら成るコネクタ部3等から成る。
さらに詳述すると、記録部1内には光学系l1、絞りシ
ャツタ等を含む露出部材EMが内蔵されており、光学系
1lによる光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構
成されている。
ャツタ等を含む露出部材EMが内蔵されており、光学系
1lによる光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構
成されている。
102は保持容器であって画像蓄積体4が巻取り軸41
.42に巻付けられた状態で張設されている。
.42に巻付けられた状態で張設されている。
この巻取り軸41.42の一端にはローターマグネット
501,502が固設されており、上記軸41.42は
ステージ101の不図示の軸受けによりマグネット50
1,502と共に回転可能に取り付けられている。
501,502が固設されており、上記軸41.42は
ステージ101の不図示の軸受けによりマグネット50
1,502と共に回転可能に取り付けられている。
また、第1図ではステージ101は省略されているが、
このステージ101上にビーム走査部2lが固定されて
いる。このビーム走査部は電界または磁界を形成し、し
かもこれを変化させることにより電子銃23から射出さ
れる電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子
ビームで走査する。
このステージ101上にビーム走査部2lが固定されて
いる。このビーム走査部は電界または磁界を形成し、し
かもこれを変化させることにより電子銃23から射出さ
れる電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子
ビームで走査する。
23は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム
走査部21により集束偏向された後メッシュ電極200
を介して蓄積体4に照射され、この蓄積体から放出され
る2次電子をメッシュ電極200で検出するよう構成さ
れている。メッシュ電極200からは不図示のリード線
が保持容器102内の壁面を伝わりコネクタ3の出力端
子に接続されているものである。
走査部21により集束偏向された後メッシュ電極200
を介して蓄積体4に照射され、この蓄積体から放出され
る2次電子をメッシュ電極200で検出するよう構成さ
れている。メッシュ電極200からは不図示のリード線
が保持容器102内の壁面を伝わりコネクタ3の出力端
子に接続されているものである。
また、このメッシュ篭極には上記リード線を介して所定
の正のバイアス電圧を印加することが好ましい。
の正のバイアス電圧を印加することが好ましい。
以上の巻取り軸41, 42、マグネット501, 5
02、ステージ101,ビーム走査部21、電子銃23
等は保持容器102内に収容されており、容器102内
は真空に保たれている。
02、ステージ101,ビーム走査部21、電子銃23
等は保持容器102内に収容されており、容器102内
は真空に保たれている。
電子銃23、ビーム走査部21の電源端子、信号入力端
子、出力端子はコネクタ3に設けられており、このコネ
クタ3はカメラ100外に露出可能になっており、通常
は蓋201により覆われている。202は記録再生装置
204からケーブル203を介してカメラ100に対し
て電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に、カメラ1
00から出力される画像信号を入力する為のコネクタで
、このコネクタ202とコネクタ203は蓋201を開
いた状態で接続可能となる。207は外部電源入力端子
でコネクタ3に設けられており、このコネクタ3にコネ
クタ202を接続したとき記録再生装置204からの電
源がこの端子207にも供給されるよう構成されている
。
子、出力端子はコネクタ3に設けられており、このコネ
クタ3はカメラ100外に露出可能になっており、通常
は蓋201により覆われている。202は記録再生装置
204からケーブル203を介してカメラ100に対し
て電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に、カメラ1
00から出力される画像信号を入力する為のコネクタで
、このコネクタ202とコネクタ203は蓋201を開
いた状態で接続可能となる。207は外部電源入力端子
でコネクタ3に設けられており、このコネクタ3にコネ
クタ202を接続したとき記録再生装置204からの電
源がこの端子207にも供給されるよう構成されている
。
この端子はスイッチ205の一端に接続されている。
スイッチ205のもう一端にはバッテリーバツク5から
の内部電源が接続されており、この2種類の電源は選択
的にコイル503及び504やその他の電気回路をドラ
イブする為のドライブ回路208に供給される。また、
206はシステムコントローラであり、シャツタスイッ
チ13、蓋201の開閉信号等が入力されており、蓋2
01が開くとスイッチ205を端子207側に接続する
。また、蓋201が閉じているとバッテリーバック5側
に接続するよう切換える。
の内部電源が接続されており、この2種類の電源は選択
的にコイル503及び504やその他の電気回路をドラ
イブする為のドライブ回路208に供給される。また、
206はシステムコントローラであり、シャツタスイッ
チ13、蓋201の開閉信号等が入力されており、蓋2
01が開くとスイッチ205を端子207側に接続する
。また、蓋201が閉じているとバッテリーバック5側
に接続するよう切換える。
尚、210, 211は発光ダイオード(LED)で
蓄積体4に対し後述する如く光を照射する為のものであ
る。14はファインダである。
蓄積体4に対し後述する如く光を照射する為のものであ
る。14はファインダである。
このように構成されているのでカメラ100による画像
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路208に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体4
の間欠的移動が行なわれ1画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路208に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体4
の間欠的移動が行なわれ1画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。
また、読み出し時にはカメラ100のコネクタ3に記録
再生装置204のコネクタ202を接続すると、これに
先立つ蓋201の開成に伴って電源ラインがスイッチ2
05により切換わり、記録再生装置204からの電源の
供給が可能となる。
再生装置204のコネクタ202を接続すると、これに
先立つ蓋201の開成に伴って電源ラインがスイッチ2
05により切換わり、記録再生装置204からの電源の
供給が可能となる。
従ってカメラ供帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。
ラを小型化できる。
また、コネクタ3とコネクタ202の接続動作に関連し
て内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体
から読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗するこ
とがない。
て内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体
から読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗するこ
とがない。
また、実施例では画像蓄積体4を真空室内に封入すると
共にこれを外部より移動可能としているので高解像度の
画像情報を多量に蓄積することができる。
共にこれを外部より移動可能としているので高解像度の
画像情報を多量に蓄積することができる。
しかも読み取りもワンタッチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。
型の読み出し装置を必要としない。
また、蓄積体4を移動させる為の駆動軸を真空の保持容
器外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モータ
ーを保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易
い。
器外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モータ
ーを保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易
い。
尚、本発明において画像蓄積体4に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。
上記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これにより上記潜像を電気信号に変換して
読出すことができる。
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これにより上記潜像を電気信号に変換して
読出すことができる。
尚、蓄積体4をテープ状とせずガラスを基板とする回転
ディスクの上にこの蓄積体を設けても良い。
ディスクの上にこの蓄積体を設けても良い。
こうすれば蓄積体の平面性を安定に出すことができる。
尚、上記実施例ではメッシュ電極で2次電子を検出した
が後述の如《電子ビームの反射による戻りビームを検出
するようにしても良い。
が後述の如《電子ビームの反射による戻りビームを検出
するようにしても良い。
以下、本発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。
る。
先ず本実施例の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。
する。
第3図は第1.2図実施例に用いる画像蓄積体4の縦断
面図であって、全体はフイルム形状をなしており、56
の透明な基体フイルム上にバリア層50、透明導電層5
1、N型光導電体層52、透明絶縁層53、半導電層5
5を積層したものである。以下各層について述べると、
基体56は、十分な屈曲性と透光性があり、かつフイル
ムローデイング時の張力によって切断することない材質
からなる。
面図であって、全体はフイルム形状をなしており、56
の透明な基体フイルム上にバリア層50、透明導電層5
1、N型光導電体層52、透明絶縁層53、半導電層5
5を積層したものである。以下各層について述べると、
基体56は、十分な屈曲性と透光性があり、かつフイル
ムローデイング時の張力によって切断することない材質
からなる。
たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フイルムが好ましい。また、上記特性を満足させ
る為フイルムの厚みは、ポリエチレンテレフタレートの
場合10〜50μmが望ましく、ポリイミドフイルムで
は5〜50μmが望ましい。透明導電層51は、酸化ス
ズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化スズ
を含むものが?いられる。この層は公知のスパッタ等の
方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な導
電性が得られる厚みで数lO〜数100nmが望ましい
。
高分子フイルムが好ましい。また、上記特性を満足させ
る為フイルムの厚みは、ポリエチレンテレフタレートの
場合10〜50μmが望ましく、ポリイミドフイルムで
は5〜50μmが望ましい。透明導電層51は、酸化ス
ズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化スズ
を含むものが?いられる。この層は公知のスパッタ等の
方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な導
電性が得られる厚みで数lO〜数100nmが望ましい
。
N型光導電体層52は、CdS,CdSe,ZnO等の
Nタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる程度の厚さに成膜されている。例えば1
00nm〜数μmの範囲が望ましい。次に絶縁層53は
、SiO■,MgO等の高絶縁性の薄膜で、スバツタ等
の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持
たせる為に、数百nm〜数10μmが望ましい。次に、
半導電性膜55は、ビームから導電層を保護する為にガ
ラス等の膜あるいは、KCl(塩化カリウム)等の多孔
質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高く十分な絶縁
性を示すのもであり、膜の厚さが記録画像の解像度幅に
比べ十分薄いものが良く、たとえば1000本/ m
mの解像度の画像とする為に膜厚を数nm〜数百nmに
することが望ましい。
Nタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる程度の厚さに成膜されている。例えば1
00nm〜数μmの範囲が望ましい。次に絶縁層53は
、SiO■,MgO等の高絶縁性の薄膜で、スバツタ等
の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持
たせる為に、数百nm〜数10μmが望ましい。次に、
半導電性膜55は、ビームから導電層を保護する為にガ
ラス等の膜あるいは、KCl(塩化カリウム)等の多孔
質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高く十分な絶縁
性を示すのもであり、膜の厚さが記録画像の解像度幅に
比べ十分薄いものが良く、たとえば1000本/ m
mの解像度の画像とする為に膜厚を数nm〜数百nmに
することが望ましい。
また、光導電層52と透明導電層51の間に設けたバリ
ア層50は暗減衰並びに暗部における負電荷の注入を防
止する為の層でありCdSO3,CdSeO3等をスパ
ツタにより成膜したものである。この膜厚は2〜数10
nmが望ましい。
ア層50は暗減衰並びに暗部における負電荷の注入を防
止する為の層でありCdSO3,CdSeO3等をスパ
ツタにより成膜したものである。この膜厚は2〜数10
nmが望ましい。
次に上記画像蓄積体への光記録について第4図(a)〜
(C)を用いて述べる。
(C)を用いて述べる。
暗所において例えば導電性ブラシまたはロール57.
57’等を用いて透明導電層51をアースまたは負と
して半導電層55に正電荷を第4図(a)のように付与
する。この付与された正電荷はただちに半導電層55を
通して注入される。次に第1図示の露出部材EMが開き
画像露光が行なわれ、光Lの当った部分は光導電層52
の抵抗が下がり透明導電層51から負電荷がバリア層を
抜け光導電層52へ注入され第4図(b)の状態となる
。次に露出部材EMが閉じた後透明導電層51をアース
に落とし、このアースと短絡された導電性ブラシまたは
ロール59. 59’にて半導電層55を通して暗部
の正電荷と透明導電層51の負電荷を短絡して消去する
とともに、明部の表面電位がOになるように、第4図(
C)の如く電荷を半導電層55と透明導電層5lへ分布
させる。次に透明導電層51をアースとしておき、画像
蓄積体4を前述のLED210,211で全面露光する
と、光電導層52の電気抵抗が下がり、この層の両端の
正負電荷が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第
4図(d)の如く残ることとなり、表面を正電位とする
記録が行われる。
57’等を用いて透明導電層51をアースまたは負と
して半導電層55に正電荷を第4図(a)のように付与
する。この付与された正電荷はただちに半導電層55を
通して注入される。次に第1図示の露出部材EMが開き
画像露光が行なわれ、光Lの当った部分は光導電層52
の抵抗が下がり透明導電層51から負電荷がバリア層を
抜け光導電層52へ注入され第4図(b)の状態となる
。次に露出部材EMが閉じた後透明導電層51をアース
に落とし、このアースと短絡された導電性ブラシまたは
ロール59. 59’にて半導電層55を通して暗部
の正電荷と透明導電層51の負電荷を短絡して消去する
とともに、明部の表面電位がOになるように、第4図(
C)の如く電荷を半導電層55と透明導電層5lへ分布
させる。次に透明導電層51をアースとしておき、画像
蓄積体4を前述のLED210,211で全面露光する
と、光電導層52の電気抵抗が下がり、この層の両端の
正負電荷が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第
4図(d)の如く残ることとなり、表面を正電位とする
記録が行われる。
前記、画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパツター法を用いて一括作成する為、蓄積体を非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体(光導電
体)を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ10倍以上引き上げられることになった。
スパツター法を用いて一括作成する為、蓄積体を非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体(光導電
体)を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ10倍以上引き上げられることになった。
第5図および第6図に上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部1の詳細を示しこの動作1例につい
て第1図、第2図を用いて述べる。
構成における記録部1の詳細を示しこの動作1例につい
て第1図、第2図を用いて述べる。
尚、図中SIは容器102の内面にコーティングされた
遮光マスクで撮像画面を規定する開口EFが形成されて
いると共に、この画面の近傍に基準開口EF’ が形成
されている。この基準開口は前記撮像画面EFの有効画
面VFを規定するためのものである。すなわち、有効画
面VFは撮像画面より若干小さく、遮光マスクSIのエ
ッジ部近傍の回折等の影響を受けないように為されてい
る。
遮光マスクで撮像画面を規定する開口EFが形成されて
いると共に、この画面の近傍に基準開口EF’ が形成
されている。この基準開口は前記撮像画面EFの有効画
面VFを規定するためのものである。すなわち、有効画
面VFは撮像画面より若干小さく、遮光マスクSIのエ
ッジ部近傍の回折等の影響を受けないように為されてい
る。
この有効画面が電子ビームによる水平、垂直走査期間の
範囲に相当する。
範囲に相当する。
さて、被写体を決め、第2図におけるシャツタスイッチ
13をハーフスイッチングの状態にすることにより第5
図、第6図における帯電ブラシローラ57と接地ブラシ
57′との間で電圧印加するとともに駆動コイル503
,504を作動しフイルムを図示矢印60方向に送る。
13をハーフスイッチングの状態にすることにより第5
図、第6図における帯電ブラシローラ57と接地ブラシ
57′との間で電圧印加するとともに駆動コイル503
,504を作動しフイルムを図示矢印60方向に送る。
これにより、まず画像蓄積体4上を一様に帯電する。次
にシャツタスイッチ13をフルスイッチングの状態にす
ることにより露出部材EMを作動し、光学系1lを通し
て画像蓄積体4を必要光量露光し、第4図(b)の状態
で画像を記録する。次にシャッタスイッチ13を解除す
ると、再度 駆動コイル503,504が作動し、フイ
ルムを矢示60方向に1画面分移動するとともに接地ブ
ラシ59. 59’により全面除電を行ない第4図(C
)の状態で画像が保持蓄積状態となる,この後矢示60
と反対方向にフイルムを1画面分戻すことにより、次画
面の画像記録の上記一様帯電のプロセスに都合の 良い
位置に保持する。
にシャツタスイッチ13をフルスイッチングの状態にす
ることにより露出部材EMを作動し、光学系1lを通し
て画像蓄積体4を必要光量露光し、第4図(b)の状態
で画像を記録する。次にシャッタスイッチ13を解除す
ると、再度 駆動コイル503,504が作動し、フイ
ルムを矢示60方向に1画面分移動するとともに接地ブ
ラシ59. 59’により全面除電を行ない第4図(C
)の状態で画像が保持蓄積状態となる,この後矢示60
と反対方向にフイルムを1画面分戻すことにより、次画
面の画像記録の上記一様帯電のプロセスに都合の 良い
位置に保持する。
尚第1図、第5図において保持容器102はガラス等に
より形成するが該保持容器102は少なくとも画像記録
部1においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像先にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことが望ましい。
より形成するが該保持容器102は少なくとも画像記録
部1においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像先にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことが望ましい。
または上記保持容器102の光路部分を直接レンズとし
て加工することも可能である。
て加工することも可能である。
尚、第5図、第6図においてブラシローラ57,57’
, 59. 59’は前記した電圧印加を行なう
とともに画像蓄積体4に対し軽いテンションをかけるよ
うに為されており、画像露光あるいは後述の電子ビーム
走査に対して常に一定角、好ましくは光路の軸に対して
直角に保つようにする。このようにすることで画像記録
、読出しに対しての解像度が良好に保てる。
, 59. 59’は前記した電圧印加を行なう
とともに画像蓄積体4に対し軽いテンションをかけるよ
うに為されており、画像露光あるいは後述の電子ビーム
走査に対して常に一定角、好ましくは光路の軸に対して
直角に保つようにする。このようにすることで画像記録
、読出しに対しての解像度が良好に保てる。
尚、このように蓄積体4に対する帯電、除電の為のロー
ラまたはブラシを蓄積体4の記録部1の平面性を出す為
のテンションローラと兼用することにより、構成を簡略
化することができる。
ラまたはブラシを蓄積体4の記録部1の平面性を出す為
のテンションローラと兼用することにより、構成を簡略
化することができる。
また、第6図(a)のように帯電または除電の為のロー
ラまたはブラシの内の接地された一方のローラまたはブ
ラシを撮像画面EFの外側、かつフイルム状蓄積体4の
巾方向の端部に設け、また、これに対応してフイルム状
の蓄積体4の層の構造を第6図(b)の如《したので構
成がより簡略化される効果を有する。
ラまたはブラシの内の接地された一方のローラまたはブ
ラシを撮像画面EFの外側、かつフイルム状蓄積体4の
巾方向の端部に設け、また、これに対応してフイルム状
の蓄積体4の層の構造を第6図(b)の如《したので構
成がより簡略化される効果を有する。
尚、ここで前記画像蓄積体4での記録画像の保持は前記
第4図(C)のプロセス終了状態での保存が望ましい。
第4図(C)のプロセス終了状態での保存が望ましい。
前記第4図(C)に示す様に画像蓄積体4の表面を外部
に電界が生じない(接地)電位にしてお《ことで、画像
蓄積体4をフイルムにして保存する為に巻取るとき、他
の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず、良好な画
像の保持がなされるからである。特に後述するように、
基体56および導電層51を合わせた導電基体を使用す
る場合にはこの良好な保持効果が大きい。
に電界が生じない(接地)電位にしてお《ことで、画像
蓄積体4をフイルムにして保存する為に巻取るとき、他
の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず、良好な画
像の保持がなされるからである。特に後述するように、
基体56および導電層51を合わせた導電基体を使用す
る場合にはこの良好な保持効果が大きい。
もちろん第4図(d)に示す状態での保持も可能である
。
。
上記においては、画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。
また、以上述べて来た画像蓄積体4の記録方法において
、該蓄積体4の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用い
ていたが、別途手段として本発明の画像記録システムに
内蔵する電子銃23を用いることもできる。この場合の
帯電方法を第3図を用いて述べる。
、該蓄積体4の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用い
ていたが、別途手段として本発明の画像記録システムに
内蔵する電子銃23を用いることもできる。この場合の
帯電方法を第3図を用いて述べる。
電子銃23を用いた場合は、導電層5Iを背面電極とす
ることになり加速電圧により画像蓄積体4の半導電層5
5に付与される電荷の極性が変化する。
ることになり加速電圧により画像蓄積体4の半導電層5
5に付与される電荷の極性が変化する。
すなわち帯電時に画像蓄積体4付近にあらかじめコレク
タ電極を設けるか、または除帯電時のみコレクタ電極を
設け、この電極の電圧を十分高くすると共に、電子ビー
ムを低速電子ビームとすれば、初期に該半導電膜55の
表面がO■とすると、ある電圧VA以下の加速電圧迄は
電子銃から半導電層55に向う1次電子の量が、衝突に
よって発生する2次電子の量よりも多いため、半導電層
を負に帯電することとなる。また、加速電圧がVAの場
合、1次電子と2次電子の量がほぼ拮抗しており、該半
導電層の表面はOvの状態となる。さらに加速電圧を上
でVAより大きくなると、入力1次電子よりも2次電子
の方が多く放出するため、該半導電層の表面は正に帯電
することになる。このVAの値は材料によって異なるが
該半導電層の下部が絶縁層53からなるため約20〜5
0Vの値である。また、上記方法はあくまでもコレクタ
電圧が正で十分高いことにより2次電子がほとんど捕集
される為に可能な方法である。
タ電極を設けるか、または除帯電時のみコレクタ電極を
設け、この電極の電圧を十分高くすると共に、電子ビー
ムを低速電子ビームとすれば、初期に該半導電膜55の
表面がO■とすると、ある電圧VA以下の加速電圧迄は
電子銃から半導電層55に向う1次電子の量が、衝突に
よって発生する2次電子の量よりも多いため、半導電層
を負に帯電することとなる。また、加速電圧がVAの場
合、1次電子と2次電子の量がほぼ拮抗しており、該半
導電層の表面はOvの状態となる。さらに加速電圧を上
でVAより大きくなると、入力1次電子よりも2次電子
の方が多く放出するため、該半導電層の表面は正に帯電
することになる。このVAの値は材料によって異なるが
該半導電層の下部が絶縁層53からなるため約20〜5
0Vの値である。また、上記方法はあくまでもコレクタ
電圧が正で十分高いことにより2次電子がほとんど捕集
される為に可能な方法である。
また、画像蓄積体4への帯電が負である場合は、前述の
如く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィ
ラメントを別途に設置し、このフィラメントからの熱電
子放出を利用することも可能である。
如く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィ
ラメントを別途に設置し、このフィラメントからの熱電
子放出を利用することも可能である。
上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、2次電子放出が1次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ovとして、これ
を+VCボルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極にー(VA+α)の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧+VCを印加しておく、さらに該
画像蓄積体の導電層51をアースに落しておく。このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層55に1次電子ビームが入射すると上記設定では2
次電子放出が1次電子入力よりも多く、かつ、放出した
2次電子がコレクター電極に全て取り込まれる為、半導
電層は徐々に正帯電されて行《。帯電が進み表面電位が
コレクター電位を越えると2次電子はコレクター電極へ
移動できな《なり、半導電層に戻り、一次電子の入力分
だけ電位が下がり一定の表面電位Vcが保たれることと
なる。
は、2次電子放出が1次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ovとして、これ
を+VCボルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極にー(VA+α)の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧+VCを印加しておく、さらに該
画像蓄積体の導電層51をアースに落しておく。このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層55に1次電子ビームが入射すると上記設定では2
次電子放出が1次電子入力よりも多く、かつ、放出した
2次電子がコレクター電極に全て取り込まれる為、半導
電層は徐々に正帯電されて行《。帯電が進み表面電位が
コレクター電位を越えると2次電子はコレクター電極へ
移動できな《なり、半導電層に戻り、一次電子の入力分
だけ電位が下がり一定の表面電位Vcが保たれることと
なる。
次に、半導電層55を負に帯電する場合について述べる
。この場合帯電電位をーVcボルトとすると、陰極電位
はー(VAfVC+α)ボルトに設定する。
。この場合帯電電位をーVcボルトとすると、陰極電位
はー(VAfVC+α)ボルトに設定する。
但し、半導電層55の表面電位は概略Ovであるとする
。この場合、放出される2次電子は全て半導電層に戻る
為1次電子の入力分だけ半導電層は負に帯電していく。
。この場合、放出される2次電子は全て半導電層に戻る
為1次電子の入力分だけ半導電層は負に帯電していく。
そしてーVCボルトよりも低い電位になると、コレクタ
ー電極の電位が半導電層の表面電位に対し相対的に正に
なる為、2次電子が捕集され、正に半導電層が帯電され
ることとなる。よってーVCボルトに安定帯電される。
ー電極の電位が半導電層の表面電位に対し相対的に正に
なる為、2次電子が捕集され、正に半導電層が帯電され
ることとなる。よってーVCボルトに安定帯電される。
以上のように電子銃゛を用いて帯電を行なうと、ブラシ
、ロール等に比べより均一な帯電が可能になると共に、
帯電時間も短《、また帯電位の制御も容易になる。
、ロール等に比べより均一な帯電が可能になると共に、
帯電時間も短《、また帯電位の制御も容易になる。
次に除電方法につい述べる。上述したようにコレクター
電極の電位によって帯電が制御できることから、コレク
ター電位をOvに設定すれば除電は可能となる。また、
半導電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を
十分高くして放出2次電子が全て捕集されるようにし、
半導゜電層の帯電電位を+Vsとし、陰極の電位をVK
とすると(Vs−VK)<VAとなる条件で電子ビーム
の照射を行ないVSを徐々にOvに近づけることにより
除電することも可能である。但しV3<VAの場合はV
K=0として十分な除電が可能である。当然上記除電に
おいて導電層51はアースに落されている。
電極の電位によって帯電が制御できることから、コレク
ター電位をOvに設定すれば除電は可能となる。また、
半導電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を
十分高くして放出2次電子が全て捕集されるようにし、
半導゜電層の帯電電位を+Vsとし、陰極の電位をVK
とすると(Vs−VK)<VAとなる条件で電子ビーム
の照射を行ないVSを徐々にOvに近づけることにより
除電することも可能である。但しV3<VAの場合はV
K=0として十分な除電が可能である。当然上記除電に
おいて導電層51はアースに落されている。
このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる、他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果を有し、メカニカルな手
段を使わずに除帯電できるので構成が簡単となる。
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる、他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果を有し、メカニカルな手
段を使わずに除帯電できるので構成が簡単となる。
除帯電時の電流が少なく低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。
源が小型になるなどの効果も有る。
尚、画像蓄積体4の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシまたはロールを半導電層55に接触
させて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわ
れる。他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積
体の有する半導電層を除電用ブラシまたロールあるいは
電子ビームでovとし透明導電層をOvとして光を全面
照射することで可能となる。
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシまたはロールを半導電層55に接触
させて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわ
れる。他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積
体の有する半導電層を除電用ブラシまたロールあるいは
電子ビームでovとし透明導電層をOvとして光を全面
照射することで可能となる。
次に本発明記録装置における画像読出し部2について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭54−299
15号にその1例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭54−299
15号にその1例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。
第1図においてコネクタ3に外部より読み出し部駆動電
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル203が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の続出部駆動制御回路
は本実施例の如《記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ100内に設ける様にしても良い。
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル203が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の続出部駆動制御回路
は本実施例の如《記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ100内に設ける様にしても良い。
読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体4に入射すると2次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々0、1μ
以内の深さの領域で発生したものである。ところが、そ
の外部に放出する2次電子は画像蓄積体の表面電位に影
響される。即ち、表面電位が正であれば前記2次電子は
それにより引きつけられるため放出され難く、また、電
位がマイナスであれば逆に反発され2次電子量は増加す
る。
像蓄積体4に入射すると2次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々0、1μ
以内の深さの領域で発生したものである。ところが、そ
の外部に放出する2次電子は画像蓄積体の表面電位に影
響される。即ち、表面電位が正であれば前記2次電子は
それにより引きつけられるため放出され難く、また、電
位がマイナスであれば逆に反発され2次電子量は増加す
る。
従って、画像担持体に電子ビーム5を入射する時、前記
感光板近傍に2次電子集束用のメッシュ電極200を設
ければ電極200の出力は電子ビームの当っている個所
の表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画
像蓄積体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換
したものとなる。電子ビームを読み出し手段に使用する
ことは、ビームの走査が電子レンズにより純電気的に行
なわれること、ビーム径が数μ以下に容易に絞れること
から高分解能である事など多数の利点を有する。
感光板近傍に2次電子集束用のメッシュ電極200を設
ければ電極200の出力は電子ビームの当っている個所
の表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画
像蓄積体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換
したものとなる。電子ビームを読み出し手段に使用する
ことは、ビームの走査が電子レンズにより純電気的に行
なわれること、ビーム径が数μ以下に容易に絞れること
から高分解能である事など多数の利点を有する。
また、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の
潜像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能で
ある。
潜像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能で
ある。
第7図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第7図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃301から電子ビーム5が出
ると図示の集束用コイル302、集束電極303によっ
て集束され、偏向用コイル304により偏向され、画像
蓄積体4上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム5′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム5′は電
荷像に対応して強弱のコントラストをもっているため、
これをダイノード305で受けることによりここから発
生する二次電子を多段で増申した後、コレクタ306か
ら電気信号として取り出すことが出来る。
例である。第7図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃301から電子ビーム5が出
ると図示の集束用コイル302、集束電極303によっ
て集束され、偏向用コイル304により偏向され、画像
蓄積体4上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム5′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム5′は電
荷像に対応して強弱のコントラストをもっているため、
これをダイノード305で受けることによりここから発
生する二次電子を多段で増申した後、コレクタ306か
ら電気信号として取り出すことが出来る。
本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上、以上に留どめる
。
はその他にも考え得るが説明の便宜上、以上に留どめる
。
次に前記の第3図、第4図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部2の動作について第1図
〜第4図を用いて説明する。
発明に適用した場合の読取り部2の動作について第1図
〜第4図を用いて説明する。
前記記録部1の動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体4は、第4図(C)に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。
積体4は、第4図(C)に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。
ここで記録再生装置204への接続がコネクタ3、20
2によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を開
始する。
2によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を開
始する。
これにより上記の状態で保持されたフイルムの画像は、
長時間の保存により、第4図(d)に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第4図(d)に示すf替
像の状態になっていることもありうるが、本実施レ1[
では、画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出
す画像面をLED210,211一定時間全面露光し、
より良好な表面電位パターン(第4図(d))としての
静電潜像にする。
長時間の保存により、第4図(d)に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第4図(d)に示すf替
像の状態になっていることもありうるが、本実施レ1[
では、画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出
す画像面をLED210,211一定時間全面露光し、
より良好な表面電位パターン(第4図(d))としての
静電潜像にする。
次に電子ヒーム走査をなすことにより、前述の二次電子
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。
したがって画像をCRTで確認したり、またはプリンタ
で出力することが可能となる。
で出力することが可能となる。
なお読み出し時において、画像蓄積体から放出される二
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はP型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第4図(a
)における表面全面帯電を負帯電としても良い。
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はP型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第4図(a
)における表面全面帯電を負帯電としても良い。
第8図(a)は記録再生装置204の構成例を示す図で
、400はACコード、401はAC/DCコンバータ
、402は電源回路、403は集束,偏向回路、404
は同期信号発生回路、405はプロセス処理回路、40
6は変調回路、407は記録再生切換スイッチ、408
は記録再生ヘッド、409はディスクモーター、410
は復調回路、411゛はエンコーダー、412は映像信
号出力端子、413はディスク状記録媒体、414は波
形整形回路、415はフリップフロツプ回路、416は
デイレイ回路である。
、400はACコード、401はAC/DCコンバータ
、402は電源回路、403は集束,偏向回路、404
は同期信号発生回路、405はプロセス処理回路、40
6は変調回路、407は記録再生切換スイッチ、408
は記録再生ヘッド、409はディスクモーター、410
は復調回路、411゛はエンコーダー、412は映像信
号出力端子、413はディスク状記録媒体、414は波
形整形回路、415はフリップフロツプ回路、416は
デイレイ回路である。
コ′−ド400より供給されるAC電源はAC/DCコ
ンバータで直流に変換された後さらに電源回路402で
適当な電圧に変換されて各回路に供給される。
ンバータで直流に変換された後さらに電源回路402で
適当な電圧に変換されて各回路に供給される。
また、ケーブル203を介してコネクタ202にも電源
を導いている。集束偏向回路403は同期信号発生装置
404からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用
の鋸波を形成し、これをやはりケーブル203を介して
コネクタ202に導く。
を導いている。集束偏向回路403は同期信号発生装置
404からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用
の鋸波を形成し、これをやはりケーブル203を介して
コネクタ202に導く。
コネクタ202よりケーブルを介して得られた画像信号
はプロセス処理回路405でα補正、アバーチャ補正、
黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各種補正を加
えたのち変調回路406において記録に適した変調を加
えスイッチ407、ヘッド408を介して媒体413に
1トラックに1フィールド分記録される。再生時はヘッ
ド408から読み出された信号は復調回路で再び元の信
号に戻された後、エンコーダで標準テレビジョン信号(
例えばNTSC信号)に変換した後出力端子412に導
かれる。
はプロセス処理回路405でα補正、アバーチャ補正、
黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各種補正を加
えたのち変調回路406において記録に適した変調を加
えスイッチ407、ヘッド408を介して媒体413に
1トラックに1フィールド分記録される。再生時はヘッ
ド408から読み出された信号は復調回路で再び元の信
号に戻された後、エンコーダで標準テレビジョン信号(
例えばNTSC信号)に変換した後出力端子412に導
かれる。
従ってこのNTSC出力端子412にTV受像機を接続
することにより画像を1フィールドずつモニターできる
。
することにより画像を1フィールドずつモニターできる
。
勿論ディスク状媒体に2フィールドずつ記録しておけば
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。
尚、ここでエンコーダーはPALやS E C A M
方式に対応したものであっても良いことは言うまでもな
い。
方式に対応したものであっても良いことは言うまでもな
い。
尚、コネクタ202、ケーブル203を介してプロセス
処理回路に入力されるビデオ信号V outは第8図(
b)の如く、水平走査期間の最初の部分に基準開口EF
’ からの信号部分V E F’ が存在している
。
処理回路に入力されるビデオ信号V outは第8図(
b)の如く、水平走査期間の最初の部分に基準開口EF
’ からの信号部分V E F’ が存在している
。
波形整形回路414は信号Voutを所定の閾値でクリ
ツブし信号v1とする。フリツプフロツプ415はこの
信号V,の立上り毎に状態を反転し、第8図(b)の如
《基準開口EF’ に対応した同期用の信号v2を形
成する。更にデイレイ回路416はこのv2を1水平期
間より若干短い期間T1だけ遅延し、パルス巾を適宜の
巾としたパルスH’ Dを形成する。
ツブし信号v1とする。フリツプフロツプ415はこの
信号V,の立上り毎に状態を反転し、第8図(b)の如
《基準開口EF’ に対応した同期用の信号v2を形
成する。更にデイレイ回路416はこのv2を1水平期
間より若干短い期間T1だけ遅延し、パルス巾を適宜の
巾としたパルスH’ Dを形成する。
これにより同期信号発生回路404から出力される水平
同期パルスHDを位相ロックさせる。
同期パルスHDを位相ロックさせる。
このようにしているので蓄積体4から各画像情報を読み
出す際に、水平同期が自動的に調整され、モニター上の
画面が左右ずれたりすることがなく、手動でその為の調
整を行う必要もない。
出す際に、水平同期が自動的に調整され、モニター上の
画面が左右ずれたりすることがなく、手動でその為の調
整を行う必要もない。
尚、本実施例における基準開口は水平走査期間の最初の
部分に対して設けているが、水平走査期間の最後の部分
に設けてもよい。又、走査電子ビームの走査領域は基準
開口を検出する為に若干広げてお《ことが望ましい。そ
の分水平帰線期間の巾は狭くしてお《。
部分に対して設けているが、水平走査期間の最後の部分
に設けてもよい。又、走査電子ビームの走査領域は基準
開口を検出する為に若干広げてお《ことが望ましい。そ
の分水平帰線期間の巾は狭くしてお《。
尚、本実施例は水平走査期間の始端又は終端側に基準開
口を設けたが、この開口の代りに予め蓄積体表面に例え
ば1画面毎にその画面の周辺部に金属膜等の枠を形成し
ておいてもよい。
口を設けたが、この開口の代りに予め蓄積体表面に例え
ば1画面毎にその画面の周辺部に金属膜等の枠を形成し
ておいてもよい。
又、垂直走査期間の始端又は終端に基準用の開口又は金
属膜等の枠を設けても良い。
属膜等の枠を設けても良い。
第9図、第10図は、本発明の実施例の構成変形例であ
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体4の同一側の面としたものである。図示する構
成は画像蓄積体4が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
102内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟
って大きな効果を出すものである。
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体4の同一側の面としたものである。図示する構
成は画像蓄積体4が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
102内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟
って大きな効果を出すものである。
第9図は、前記第5図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第3図における基体56、導
電層51を透明にする必要がなく、たとえば基体56お
よび導電層5lを合わせて金属薄体等の導電基体で形成
することが出来るので摩擦帯電を防止できる。また、走
査読み取り部を横に持ってこれるのでカメラの光軸方向
の構成をコンパクトにすることができる。尚この場合前
記像露光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体
上にブラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望
ましい。また、図においてアースをとる為のブラシ、ロ
ーラー59’ 、57’はどちらか一方でも良い。
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第3図における基体56、導
電層51を透明にする必要がなく、たとえば基体56お
よび導電層5lを合わせて金属薄体等の導電基体で形成
することが出来るので摩擦帯電を防止できる。また、走
査読み取り部を横に持ってこれるのでカメラの光軸方向
の構成をコンパクトにすることができる。尚この場合前
記像露光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体
上にブラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望
ましい。また、図においてアースをとる為のブラシ、ロ
ーラー59’ 、57’はどちらか一方でも良い。
第10図は、第9図に示した構成の更なる変形例であり
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化することができる。
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化することができる。
第9図(b)は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた2次電子を検出する例として挙げ、2次電子を
検出するコレクターCEDをメッシュ電極の代わりに設
けた例を示した。
に応じた2次電子を検出する例として挙げ、2次電子を
検出するコレクターCEDをメッシュ電極の代わりに設
けた例を示した。
また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極600および接地電極57′のー構成例を示
した。尚、700は交換レンズである。
に透明電極600および接地電極57′のー構成例を示
した。尚、700は交換レンズである。
第11図はフイルムローデイング手段の他の実施例を示
す。第11図例では第2図に示したローデイング手段に
おけるマグネット501,502と駆動コイル503,
504の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器1
02内に駆動コイル601を容器102外の支持フレー
ム605にマグネット602を設けたものである。駆動
コイル601は第11図に示す通電ブラシ603により
電流が供給される。第2図及び第11図に示す構成は通
常のDCモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動す
ることが出来る。
す。第11図例では第2図に示したローデイング手段に
おけるマグネット501,502と駆動コイル503,
504の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器1
02内に駆動コイル601を容器102外の支持フレー
ム605にマグネット602を設けたものである。駆動
コイル601は第11図に示す通電ブラシ603により
電流が供給される。第2図及び第11図に示す構成は通
常のDCモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動す
ることが出来る。
ここで第11図実施例に対してさらに以下の様にするこ
とで本発明画像記録システムに改良を与えることかでき
る。すなわち前記マグネット602を画像読取り時には
、容器102より離間し得る構成にするものである。こ
の様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグ
ネット602が磁気的に悪影響を与えない様にすること
ができる。
とで本発明画像記録システムに改良を与えることかでき
る。すなわち前記マグネット602を画像読取り時には
、容器102より離間し得る構成にするものである。こ
の様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグ
ネット602が磁気的に悪影響を与えない様にすること
ができる。
第12図に上記マグネット602を離間させるための手
段の一例を示す。第12図例では、マグネット602を
取りつけた支持フレーム605をコネクター3の蓋20
1′と兼ねた構成にしたものである。画像担持体4への
画像記録終了後、読出し時においてコネクター3に外部
からのコネクター202を接地する為に前記蓋201′
を開けるがこのとき、第12図に矢示するように支持フ
レーム605全体を装置外装に対して下にスライドする
ことにより、前記マグネット602も同時に容器102
より離間する様にするものである。
段の一例を示す。第12図例では、マグネット602を
取りつけた支持フレーム605をコネクター3の蓋20
1′と兼ねた構成にしたものである。画像担持体4への
画像記録終了後、読出し時においてコネクター3に外部
からのコネクター202を接地する為に前記蓋201′
を開けるがこのとき、第12図に矢示するように支持フ
レーム605全体を装置外装に対して下にスライドする
ことにより、前記マグネット602も同時に容器102
より離間する様にするものである。
また、支持フレーム605はマグネットの離間時紛失し
ないように例えば紐などで本体につないでお《ことが望
ましい。
ないように例えば紐などで本体につないでお《ことが望
ましい。
第20図はフイルム巻き取りを手動にした1例を示す。
図示例においては巻き上げレバー700によりマグネッ
ト701を回転させ、これにともない画像蓄積体4の巻
き取り軸702に固定したマグネット702を回転させ
る様にしたものである。
ト701を回転させ、これにともない画像蓄積体4の巻
き取り軸702に固定したマグネット702を回転させ
る様にしたものである。
本例の様に手動巻き上げレバー700を設けたことによ
り第1、第2図の例で示した記録部の動作のうち、たと
えば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻
き上げレバーに連動させて行えば良く、シャツタスイッ
チと分離することで誤動作等を少なくすることも出来る
。
り第1、第2図の例で示した記録部の動作のうち、たと
えば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻
き上げレバーに連動させて行えば良く、シャツタスイッ
チと分離することで誤動作等を少なくすることも出来る
。
尚、実施例では磁気シールド板704をマグネツ}70
3703と少なくともビーム走査部21の間に設けてい
るのでビーム走査に障害を与えることがない。勿論容器
102外に設けても良い。
3703と少なくともビーム走査部21の間に設けてい
るのでビーム走査に障害を与えることがない。勿論容器
102外に設けても良い。
第20図においては読取り時においては巻き上げレバー
全体を上に引き上げる様にすることでマグネット701
を前記と同様、容器102より離間することが出来る。
全体を上に引き上げる様にすることでマグネット701
を前記と同様、容器102より離間することが出来る。
第21図は本発明においてさらにカメラ100と読取部
2000とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の
接合部材1001. 1002を用いて合体可能とし
たものである。ここでカメラ100および読取部200
0の合体は交換レンズ部1010を取り外して行なう。
2000とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の
接合部材1001. 1002を用いて合体可能とし
たものである。ここでカメラ100および読取部200
0の合体は交換レンズ部1010を取り外して行なう。
このようにすることで記録部(カメラ)のもち運びはさ
らに便利になる。カメラ(記録部)100には前述まで
の記録方法に示したような必要な帯電手段、フイルム駆
動手段、その他の手段を有する。また読取部2000と
フイルム面との密着を行ない、かつ平面性を保つ為に押
え板l005を設けた。カメラ100により画像記録後
、読取時にはレンズ部1010を取り外し、代わりに読
取部2000と結合するが、このときフイルムと、読取
部2000の多列ピン電極1020を有する接合プレー
ト1021と密着させる。弾性部材1030はこの密着
を確実とするために設けたものである。多列ピン電極1
020はそれぞれのピン同士が互いに横方向に接触せず
に、高密度に配列され、それぞれ独立して接合プレート
1021の表裏で電気的導通をとるもので、これにより
前記フイルム上の潜像を、前記電子ビームで読取ること
が出来る。
らに便利になる。カメラ(記録部)100には前述まで
の記録方法に示したような必要な帯電手段、フイルム駆
動手段、その他の手段を有する。また読取部2000と
フイルム面との密着を行ない、かつ平面性を保つ為に押
え板l005を設けた。カメラ100により画像記録後
、読取時にはレンズ部1010を取り外し、代わりに読
取部2000と結合するが、このときフイルムと、読取
部2000の多列ピン電極1020を有する接合プレー
ト1021と密着させる。弾性部材1030はこの密着
を確実とするために設けたものである。多列ピン電極1
020はそれぞれのピン同士が互いに横方向に接触せず
に、高密度に配列され、それぞれ独立して接合プレート
1021の表裏で電気的導通をとるもので、これにより
前記フイルム上の潜像を、前記電子ビームで読取ること
が出来る。
この実施例の如く、本発明は記録部と読取り部とが切り
離し可能なものも含む。このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。
離し可能なものも含む。このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。
すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラl
OOから取り出して読取り部の容器102内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として
成り立ちに《いが、本発明によれば記録部における記録
動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立さ
せ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状態
を変えることなくそのまま(第1図示実施例のように初
めから容器内に入っているものも含む)蓄積体の記緑情
報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々即
時にできる。
OOから取り出して読取り部の容器102内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として
成り立ちに《いが、本発明によれば記録部における記録
動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立さ
せ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状態
を変えることなくそのまま(第1図示実施例のように初
めから容器内に入っているものも含む)蓄積体の記緑情
報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々即
時にできる。
次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。
例について詳述する。
第13図は本発明に用いる画像蓄積体4の縦断面図であ
って、全体はフイルム形状をなしており、56の透明な
基体フイルム上に透明導電層51、N型光導電体層52
、透明絶縁層53、P型光導電体層54、半導電層55
を積層したものである。以下各層について述べると、基
体56は十分な屈曲性と透光性があり、かつフイルムロ
ーデイング時の張力によって切断することない材質から
なる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド等の高分子フイルムが好ましい。また、上記特性を満
足させる為フイルムの厚みはポリエチレンテレフタレー
トの場合lO〜50μmが望ましく、ポリイミドフイル
ムでは5〜50μmが望ましい。透明導電層5lは酸化
スズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化ス
ズを含むものが用いられる。この層は公知のスバツタ等
の方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な
導電性が得られる厚みで数10〜数100nmが望まし
い。
って、全体はフイルム形状をなしており、56の透明な
基体フイルム上に透明導電層51、N型光導電体層52
、透明絶縁層53、P型光導電体層54、半導電層55
を積層したものである。以下各層について述べると、基
体56は十分な屈曲性と透光性があり、かつフイルムロ
ーデイング時の張力によって切断することない材質から
なる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド等の高分子フイルムが好ましい。また、上記特性を満
足させる為フイルムの厚みはポリエチレンテレフタレー
トの場合lO〜50μmが望ましく、ポリイミドフイル
ムでは5〜50μmが望ましい。透明導電層5lは酸化
スズあるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化ス
ズを含むものが用いられる。この層は公知のスバツタ等
の方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な
導電性が得られる厚みで数10〜数100nmが望まし
い。
N型光導電体層52は、CdS,CdSe,ZnO等の
Nタイプの光導電体を蒸着あるいはスパツタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる厚さに成膜されている。例えば100n
m〜数μmの範囲が望ましい。次に絶縁層53は3iQ
2,MgO等の高絶縁性の薄膜で、スパツタ等の方法に
より成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持たせる為
に、数μm〜数100μmが望ましい。次に、P型光導
電体層54は無定形Se,同SeTe無定[Si等のN
タイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形成
したものであり、成膜条件等はN型光導電体52のそれ
に準じる。
Nタイプの光導電体を蒸着あるいはスパツタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる厚さに成膜されている。例えば100n
m〜数μmの範囲が望ましい。次に絶縁層53は3iQ
2,MgO等の高絶縁性の薄膜で、スパツタ等の方法に
より成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持たせる為
に、数μm〜数100μmが望ましい。次に、P型光導
電体層54は無定形Se,同SeTe無定[Si等のN
タイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形成
したものであり、成膜条件等はN型光導電体52のそれ
に準じる。
次に、半導電性膜55は、ガラス等の膜あるいは、KC
j7(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く
。たとえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜
厚を数100pm〜数10 nmにすることが望ましい
。
j7(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く
。たとえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜
厚を数100pm〜数10 nmにすることが望ましい
。
次に上記画像蓄積体への光記録について第14図(a)
〜(c)を用いて述べる。
〜(c)を用いて述べる。
暗所において透明導電層5lをアースまたは負として半
導電層55に導電性ブラシまたはロール257を用いて
正電荷を第14図(a)のように付与する。
導電層55に導電性ブラシまたはロール257を用いて
正電荷を第14図(a)のように付与する。
この付与された正電荷はただちに半導電層55を通して
注入され第14図(b)の様になる。次に第1図示装置
の露出部材EMによる所定量の画像露光が行なわれ、光
Lの当った部分は光導電層52. 54の抵抗が下が
り透明導電層5lから負電荷が光導電層52へ注入され
、さらに正電荷が光導電層54へ注入されて、第14図
(C)の状態となる。次に露出部材EMにより遮光をし
、さらに透明導電層51をアースに落とし、これと短絡
された導電性ブラシまたはロール259にて半導電層5
5を通して暗部の半導電層55の正電荷と透明導電層5
1の負電荷を消去すると共に、明部の表面電荷がOにな
る様に第14図(d)の如く正負電荷を半導電層55と
透明導電層51へ注入する。次に透明導電層5lをアー
スとしておき、画像蓄積体4をLED210,211で
全面露光すると、光導電層52. 54の電気抵抗が
下がり、この層の両端の正負電荷が消去され、絶縁層5
3をはさむ電荷のみが第14図(b)の如く残ることと
なり、表面を正電位とする記録が行われる。
注入され第14図(b)の様になる。次に第1図示装置
の露出部材EMによる所定量の画像露光が行なわれ、光
Lの当った部分は光導電層52. 54の抵抗が下が
り透明導電層5lから負電荷が光導電層52へ注入され
、さらに正電荷が光導電層54へ注入されて、第14図
(C)の状態となる。次に露出部材EMにより遮光をし
、さらに透明導電層51をアースに落とし、これと短絡
された導電性ブラシまたはロール259にて半導電層5
5を通して暗部の半導電層55の正電荷と透明導電層5
1の負電荷を消去すると共に、明部の表面電荷がOにな
る様に第14図(d)の如く正負電荷を半導電層55と
透明導電層51へ注入する。次に透明導電層5lをアー
スとしておき、画像蓄積体4をLED210,211で
全面露光すると、光導電層52. 54の電気抵抗が
下がり、この層の両端の正負電荷が消去され、絶縁層5
3をはさむ電荷のみが第14図(b)の如く残ることと
なり、表面を正電位とする記録が行われる。
この記録方法によれば蓄積された電荷像が、第14図(
e)に示される様に、画像蓄積体内部に保持されるため
暗所で放置する限り、その保存性が向上される。
e)に示される様に、画像蓄積体内部に保持されるため
暗所で放置する限り、その保存性が向上される。
次に第15図を用いて第13図にて説明した画像蓄積体
4の変形例と記録方法について説明を加える。
4の変形例と記録方法について説明を加える。
第15図に示す画像蓄積体4は第13図示の画像蓄積体
4のうち、半導電層55の代りにP型光導電体層54に
接する面を導電層とした電極プレート59に置き変えた
ものであり、他の構成は画像蓄積体32と同じものであ
る。電極プレート59はガラス等の基板に酸化スズ、酸
化インジウム、あるいはこれらの混合体をスパツタ等に
より成膜した導電層を持つものである。
4のうち、半導電層55の代りにP型光導電体層54に
接する面を導電層とした電極プレート59に置き変えた
ものであり、他の構成は画像蓄積体32と同じものであ
る。電極プレート59はガラス等の基板に酸化スズ、酸
化インジウム、あるいはこれらの混合体をスパツタ等に
より成膜した導電層を持つものである。
この場合の記録法について第15図(a)〜(d)を用
いて説明する。
いて説明する。
透明導電層5lを負、電極プレート59を正としてパル
ス状の電圧を印加し同時に露出部材EMによる画像露光
を行なうと、第15図(a)のように、光Lの当った部
分は光導電体52、54の抵抗が下がり、透明導電層5
1から負電荷が光導電層52へ注入され、さらに正電荷
が光導電層54へ注入される。次いで露出部材EMによ
る露光を停止してからパルス電圧を除去すると第15図
(b)に示すように画像蓄積体4の外部への電位がOに
なるように露光部に当る各導電層に各々逆電荷が注入さ
れる。
ス状の電圧を印加し同時に露出部材EMによる画像露光
を行なうと、第15図(a)のように、光Lの当った部
分は光導電体52、54の抵抗が下がり、透明導電層5
1から負電荷が光導電層52へ注入され、さらに正電荷
が光導電層54へ注入される。次いで露出部材EMによ
る露光を停止してからパルス電圧を除去すると第15図
(b)に示すように画像蓄積体4の外部への電位がOに
なるように露光部に当る各導電層に各々逆電荷が注入さ
れる。
次にこの画像蓄積体4に接触している電極プレート59
を該蓄積体4から剥離され第15図(C)のような状態
になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が可能
であるが、さらに該蓄積体4をLED210,211で
全面露光し第15図(d)のように絶縁層の両端にのみ
電荷を保持する状態にして保存することも可能である。
を該蓄積体4から剥離され第15図(C)のような状態
になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が可能
であるが、さらに該蓄積体4をLED210,211で
全面露光し第15図(d)のように絶縁層の両端にのみ
電荷を保持する状態にして保存することも可能である。
この記録方法によれば帯電及び除電時にブラシ、ロール
等を用いる為フイルムのローデイング時のムダな動きが
な《、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。
等を用いる為フイルムのローデイング時のムダな動きが
な《、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。
前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。
第16図は電荷発生層として圧電材料を用いた画像蓄積
体4である。記録体の層構成は、透明基体フイルム67
上にこれも透明な導電層61、次に透明絶縁膜62、P
型光導電体63、圧電体層68、N型光導電体64、透
明絶縁膜65、半導電層66の各層を積層したものであ
る。透明基体フイルム67は前述の基体フイルム56と
同じものであって、十分な透光性と強度・屈曲性を有し
ており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フイルム等が好ましい。透明導電層61は厚さ数
10〜数100nmの酸化インジウム、あるいはこれに
若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透光性を有
する。次に透明絶縁膜62、65はSi○2.M g
O等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリング等に
より薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚みは十
分な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調整され
る。望ましくは数100〜数1000人である。
体4である。記録体の層構成は、透明基体フイルム67
上にこれも透明な導電層61、次に透明絶縁膜62、P
型光導電体63、圧電体層68、N型光導電体64、透
明絶縁膜65、半導電層66の各層を積層したものであ
る。透明基体フイルム67は前述の基体フイルム56と
同じものであって、十分な透光性と強度・屈曲性を有し
ており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フイルム等が好ましい。透明導電層61は厚さ数
10〜数100nmの酸化インジウム、あるいはこれに
若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透光性を有
する。次に透明絶縁膜62、65はSi○2.M g
O等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリング等に
より薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚みは十
分な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調整され
る。望ましくは数100〜数1000人である。
次に、半導電性膜66は、ガラス等の膜、あるいはKC
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚
を数100 pm〜数10 nmにすることが望ましい
。
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚
を数100 pm〜数10 nmにすることが望ましい
。
次に圧電体層68はPb (Zr,Ti)03セラミッ
クスあるいはBaTi03セラミックスの薄層であり、
それぞれ10μm以下の厚みであれば十分な透光性を有
する。また、十分な圧電性を保障する為5000人以上
の厚みがあれば良い。また、この圧電体層は成膜後電荷
発生方向を考慮して十分ポーリングされている。P型光
導電層63は無定形SeTe合金、あるいは無定形Si
等からなるポジタイプの光導電体でN型光導電層64は
、CdS,CdSe,ZnO等からなるネガタイプの光
導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。また、膜
厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれば良く
、望ましくは1000人〜数μmの範囲で適宜調整され
ている。
クスあるいはBaTi03セラミックスの薄層であり、
それぞれ10μm以下の厚みであれば十分な透光性を有
する。また、十分な圧電性を保障する為5000人以上
の厚みがあれば良い。また、この圧電体層は成膜後電荷
発生方向を考慮して十分ポーリングされている。P型光
導電層63は無定形SeTe合金、あるいは無定形Si
等からなるポジタイプの光導電体でN型光導電層64は
、CdS,CdSe,ZnO等からなるネガタイプの光
導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。また、膜
厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれば良く
、望ましくは1000人〜数μmの範囲で適宜調整され
ている。
次に記録方法について以下に詳述する。簡単のため基体
フイルム67を除いたもので第17図(a)〜(d)を
用いて説明する。まず第17図(a)に示すように矢印
Aの方向に記録体4全体に張力Fを加えるか、または記
録体4の積層方向に圧力Fを加える。この時、加えられ
る力Fによって圧電体層68にあらかじめポーリングし
ておいた方向に正負の電荷が図のように発生する。次に
、暗所において透明導電層61をアースまたは負とし、
半導電層66は導電性ブラシまたはロール57を用いて
導電層61が負、半導電層66が正になるようにバイア
ス電圧をかけた後に像露光58を行う。この時、圧電体
層68の両端の正負電荷は光の当った部分の光導電体の
抵抗が下がり、バイアス電圧により同図(b)に示すご
と《、各々の光導電体層と絶縁層の界面迄移動する。次
にこの記録体にかかっている圧力を除去すると非露光部
の圧電体層にのこっている電荷がなくなり露光部には逆
電荷が発生し同図(c)に示す状態となる。次に導電層
6lと66を半導電層側は導電ブラシまたはロール57
′ を用いて短絡してアースに落とすことで前述の光
が当った部分のみ電荷が保持され記録材上に同図(d)
に示す静電像が保存されしかも表面電位はゼロボルトと
することができる。
フイルム67を除いたもので第17図(a)〜(d)を
用いて説明する。まず第17図(a)に示すように矢印
Aの方向に記録体4全体に張力Fを加えるか、または記
録体4の積層方向に圧力Fを加える。この時、加えられ
る力Fによって圧電体層68にあらかじめポーリングし
ておいた方向に正負の電荷が図のように発生する。次に
、暗所において透明導電層61をアースまたは負とし、
半導電層66は導電性ブラシまたはロール57を用いて
導電層61が負、半導電層66が正になるようにバイア
ス電圧をかけた後に像露光58を行う。この時、圧電体
層68の両端の正負電荷は光の当った部分の光導電体の
抵抗が下がり、バイアス電圧により同図(b)に示すご
と《、各々の光導電体層と絶縁層の界面迄移動する。次
にこの記録体にかかっている圧力を除去すると非露光部
の圧電体層にのこっている電荷がなくなり露光部には逆
電荷が発生し同図(c)に示す状態となる。次に導電層
6lと66を半導電層側は導電ブラシまたはロール57
′ を用いて短絡してアースに落とすことで前述の光
が当った部分のみ電荷が保持され記録材上に同図(d)
に示す静電像が保存されしかも表面電位はゼロボルトと
することができる。
以上のように内部発生電荷により記録を行なう為蓄積体
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。さらに感光体が電極と触
れない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。さらに感光体が電極と触
れない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。
次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。CdS,CdSe,Zn
O,ZnTe等の光導電体は通常バインダーと混合して
、光導電体として用いることが多いが、スバツタ等の方
法により結晶性を高めて成膜し、ポーリングを行うかま
たは結晶性が悪い場合でも強電界により強《ポーリング
させてお《ことにより圧電性光半導体として用いること
が可能となる。
合の他の例について詳述する。CdS,CdSe,Zn
O,ZnTe等の光導電体は通常バインダーと混合して
、光導電体として用いることが多いが、スバツタ等の方
法により結晶性を高めて成膜し、ポーリングを行うかま
たは結晶性が悪い場合でも強電界により強《ポーリング
させてお《ことにより圧電性光半導体として用いること
が可能となる。
第18図にこの圧電性光導電体を用いた画像蓄積体4の
縦断面図を示す。画像蓄積体4の構成は、透明基体フイ
ルム75−ヒに透明導電層74、N型の圧電性光導電層
73、絶縁層72、半導電層71を積層したものである
。以下各層について述べると、基体73は十分な屈曲性
と透光性があり、かつフイルムローデイング時の張力に
よって切断することない材質からなる。たとえばポリエ
チレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子フイルム
が好ましい。
縦断面図を示す。画像蓄積体4の構成は、透明基体フイ
ルム75−ヒに透明導電層74、N型の圧電性光導電層
73、絶縁層72、半導電層71を積層したものである
。以下各層について述べると、基体73は十分な屈曲性
と透光性があり、かつフイルムローデイング時の張力に
よって切断することない材質からなる。たとえばポリエ
チレンテレフタレート、ポリイミド等の高分子フイルム
が好ましい。
また、上記特性を満足させるためフイルムの厚みはポリ
エチレンテレフタレートの場合10〜50μmが望まし
く、ポリイミドフイルムでは5〜50μmが望ましい。
エチレンテレフタレートの場合10〜50μmが望まし
く、ポリイミドフイルムでは5〜50μmが望ましい。
透明導電層74は酸化スズあるいは酸化インジウムまた
はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。この
層は公知のスバツタ等の方法により成膜されたものであ
り、透光性および十分な導電性が得られる厚みで数10
〜数100nmが望ましい。
はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。この
層は公知のスバツタ等の方法により成膜されたものであ
り、透光性および十分な導電性が得られる厚みで数10
〜数100nmが望ましい。
圧電性N型光導電体層73は、CdS, CdSe,
ZnO等のNタイプの光導電体をスバッタ等の例えばu
SP4,363,711に示される公知の方法によって
形成したものであって、M H zオーダーの周波数の
外場中で上記CdS等の単分子層をRFスパツタによっ
て積層したものである。さらにこの成膜した感光層は成
膜後強い直流電場中において所望する向きに第1圧電性
を示す様にポーリングされる。また光の受容により十分
な電子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保さ
れ、光の内部拡散を無視できる程度の厚さに成膜されて
いる。
ZnO等のNタイプの光導電体をスバッタ等の例えばu
SP4,363,711に示される公知の方法によって
形成したものであって、M H zオーダーの周波数の
外場中で上記CdS等の単分子層をRFスパツタによっ
て積層したものである。さらにこの成膜した感光層は成
膜後強い直流電場中において所望する向きに第1圧電性
を示す様にポーリングされる。また光の受容により十分
な電子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保さ
れ、光の内部拡散を無視できる程度の厚さに成膜されて
いる。
例えば100〜数μmの範囲が望ましい。次に絶縁層7
2は、Si02, Mg○等の高絶縁性の薄膜で、スパ
ツタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な栖縁
性を有する為に、数μm〜数10μmが望ましい。次に
、半導電性膜7lは、ガラス等の膜あるいは、KCl(
塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方
向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さ
が記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、例え
ば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数1
00.pm〜数10nmにすることが望ましい。
2は、Si02, Mg○等の高絶縁性の薄膜で、スパ
ツタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な栖縁
性を有する為に、数μm〜数10μmが望ましい。次に
、半導電性膜7lは、ガラス等の膜あるいは、KCl(
塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方
向よりも高《十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さ
が記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、例え
ば1000本/mmの解像度の画像であれば膜厚を数1
00.pm〜数10nmにすることが望ましい。
次に画像蓄積体36への記録方法について第19図(a
)〜(d)を用いて述べる。記録に際しては第19図(
C)に示す、ガラス基板77上に、酸化スズ等の導電体
を蒸着した補助電極80が用いられる。
)〜(d)を用いて述べる。記録に際しては第19図(
C)に示す、ガラス基板77上に、酸化スズ等の導電体
を蒸着した補助電極80が用いられる。
記録はまず同図(a)に示すように画像蓄積体4を矢印
の方向に力Fで引っ張りながらLED210, 211
で全面に光を与え、その後光を遮断し圧力をな《す。こ
れにより同図(b)に示すようにあらかじめポーリング
された方向に圧電性の正負電荷が発生する。次に第19
図(c)に示すように補助電極80を半導電層71に導
電層76が接するように接触させ、導電層76と74を
短絡しアースに落とし、第1図示装置の露出部材EMに
より所定量の露出を行う。この露光により光の当った部
分の圧電性光導電層73の抵抗が下がり、この部分の蓄
積電荷が消去される。光の当たらなかった部分は(C)
図に示すように、該蓄積体4の表面電位がOになるよう
に各導電層76、74に正負電荷が注入される。そして
導電層76に注入された正電荷は、ただちに半導電層7
1に注入される。この状態で導電層74をアースとして
補助電極80を除去し、次に該蓄積体を再びLED21
0, 211で全面露光すると同図(d)に示す記録保
持状態となる。
の方向に力Fで引っ張りながらLED210, 211
で全面に光を与え、その後光を遮断し圧力をな《す。こ
れにより同図(b)に示すようにあらかじめポーリング
された方向に圧電性の正負電荷が発生する。次に第19
図(c)に示すように補助電極80を半導電層71に導
電層76が接するように接触させ、導電層76と74を
短絡しアースに落とし、第1図示装置の露出部材EMに
より所定量の露出を行う。この露光により光の当った部
分の圧電性光導電層73の抵抗が下がり、この部分の蓄
積電荷が消去される。光の当たらなかった部分は(C)
図に示すように、該蓄積体4の表面電位がOになるよう
に各導電層76、74に正負電荷が注入される。そして
導電層76に注入された正電荷は、ただちに半導電層7
1に注入される。この状態で導電層74をアースとして
補助電極80を除去し、次に該蓄積体を再びLED21
0, 211で全面露光すると同図(d)に示す記録保
持状態となる。
この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。
本発明においては上記の様に画像蓄積体を用い、画像記
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを太き《改善することができる。また、画像蓄
積体の各画面に基準マークを設けたので、ビームによる
走査を蓄積画面に対して正確に合わせることができる。
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを太き《改善することができる。また、画像蓄
積体の各画面に基準マークを設けたので、ビームによる
走査を蓄積画面に対して正確に合わせることができる。
第1図は本発明の第1実施例の上側透視図、第2図は本
発明の第1実施例の正面透視図、第3図は蓄積体の構成
の第1実施例図、第4図(a)〜(d)は第3図示蓄積
体への記録方法の説明図、 第5図は第3、第4図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の上部より見た図、 第6図(a)は第5図を正面側から見た図、第6図(b
)は第6図(a)の側面から見た要部説明図、 第7図は本発明の第2実施例図、 第8図(a)は記録再生装置の構成例図、第8図(b)
は記録再生装置の動作タイミングチャート、 第9図(a)は記録部の他の実施例図、第9図(b)は
第9図(a)の実施例のさらに他の実施例図、 第10図は記録部のさらに他の異なる実施例図、第11
図は蓄積体の駆動構成例を示す図、第12図は第11図
示の構成の側面図、第13図は蓄積体の第2の例を示す
図、第14図(a)〜Ce)は第13図示例の記録方法
を説明する図、 第15図(a)〜(d)は蓄積体の第3の実施例の記録
方法を示す図、 第16図は蓄積体の第4実施例の構成例図、第17図(
a)〜(d)は第16図示実施例の記録方法を示す図、 第18図は蓄積体の第5実施例図、 第19図は第5実施例の記録方法を説明する図、第20
図は蓄積体の駆動構成の他の実施例を示す図、 第21図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示
す図、 100・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カ
メラ、l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・画像記録部、2・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・画像読取り部、3・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
コネクタ、4・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・蓄積体。 第5図 第6図 第7図 1″{0 −一−一−一一−1−−一一一一一一一
一第q図((1) 掲9図(b) 第/0図 褐//図 (b) (C) (0′ジ S4 ?IO ?/1 弟昆図 第/=7尺 8/e図 啓取・ノ軸l? シ俊4稽体〆第21図
発明の第1実施例の正面透視図、第3図は蓄積体の構成
の第1実施例図、第4図(a)〜(d)は第3図示蓄積
体への記録方法の説明図、 第5図は第3、第4図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の上部より見た図、 第6図(a)は第5図を正面側から見た図、第6図(b
)は第6図(a)の側面から見た要部説明図、 第7図は本発明の第2実施例図、 第8図(a)は記録再生装置の構成例図、第8図(b)
は記録再生装置の動作タイミングチャート、 第9図(a)は記録部の他の実施例図、第9図(b)は
第9図(a)の実施例のさらに他の実施例図、 第10図は記録部のさらに他の異なる実施例図、第11
図は蓄積体の駆動構成例を示す図、第12図は第11図
示の構成の側面図、第13図は蓄積体の第2の例を示す
図、第14図(a)〜Ce)は第13図示例の記録方法
を説明する図、 第15図(a)〜(d)は蓄積体の第3の実施例の記録
方法を示す図、 第16図は蓄積体の第4実施例の構成例図、第17図(
a)〜(d)は第16図示実施例の記録方法を示す図、 第18図は蓄積体の第5実施例図、 第19図は第5実施例の記録方法を説明する図、第20
図は蓄積体の駆動構成の他の実施例を示す図、 第21図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示
す図、 100・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カ
メラ、l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・画像記録部、2・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・画像読取り部、3・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
コネクタ、4・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・蓄積体。 第5図 第6図 第7図 1″{0 −一−一−一一−1−−一一一一一一一
一第q図((1) 掲9図(b) 第/0図 褐//図 (b) (C) (0′ジ S4 ?IO ?/1 弟昆図 第/=7尺 8/e図 啓取・ノ軸l? シ俊4稽体〆第21図
Claims (2)
- (1)光学像を電気的画像情報に変換する光電変換部材
を所定のベース部材に対して薄膜形状として設け、該光
電変換部材の複数の異なる部分に所定の光学像を入射さ
せることにより複数の画像を蓄積し得るよう構成すると
共に、各画像の基準位置を示すマークを設けた画像記録
システム。 - (2)前記光電変換部材に対し電子ビームを照射するこ
とにより走査する走査手段を有することを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載の画像記録システム。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14387986A JPS63946A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 画像記録システム |
DE19873712473 DE3712473A1 (de) | 1986-04-14 | 1987-04-13 | Bildaufzeichnungs- und/oder bildwiedergabeeinrichtung |
US07/038,337 US4786971A (en) | 1986-04-14 | 1987-04-14 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8708901A GB2189965B (en) | 1986-04-14 | 1987-04-14 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927602A GB2226148B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927604A GB2226211B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927600A GB2226154B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927603A GB2226210B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927605A GB2226155B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927601A GB2226209B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927606A GB2226212B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927607A GB2226213B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14387986A JPS63946A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 画像記録システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63946A true JPS63946A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15349139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14387986A Pending JPS63946A (ja) | 1986-04-14 | 1986-06-19 | 画像記録システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63946A (ja) |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14387986A patent/JPS63946A/ja active Pending
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