JPS62241476A - 画像記録システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） 本発明は原稿あるいは風景等の被写体による光学像を記
録する画像記録システムにかかわり、特に上記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録又は
出力する画像記録システムに関する。

（従来技術） 画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録検液
式あるいは乾式のトナー（インク）により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をＣＣＤ（チャージカップリングデバイス）等を用いた
デジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信号
に変換して出力する方式等多種ある。

〔発明が解決しようとする問題点） ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が犬がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。

一方後者のＣＯＤ等のデジタル光電変換素子で画像を読
み取る場合、これが−次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読取るために、相応に
素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招く
。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有してい
なければならないなど難点があった。

一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ（たとえばビデオテー
プ等）が必要である。したがって、携帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。

ざらに−・方銀塩写真は高密度記録が可能であり、また
フィルムでの画像の保存が効くため、カメラ部および現
像を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため
非常に便利である反面フィルムを鰻り返し使用できない
ことや、現像において化学薬品を使用しなければならな
いために、この処理が煩雑になる欠点があった。

本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提〔実施例〕 第１図および第２図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第１図は上側透視図、第２図
は正面透視図である。

本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフィルム状の画像蓄積体４、該画像蓄積体４
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部１．蓄積体４に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体４を電子ビームで走査する
画像読出部？、および該読出部２を駆動するための外部
電源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続
する入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子
から成るコネクタ部３等から成る。

更に詳述すると、記録部ｌ内には光学系１１、絞りシャ
ッタ等を含む露出部材ＥＭが内蔵されており、光学系１
１による光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構成
されている。

１０２は保持容器であって画像蓄積体４が巻取り４１．
４２に巻付けられた状態で張設されている。この巻取り
軸４１．４２の一端にはローターマグネット５０１．５
０２が固設されており、上記軸４１．４２はステージ１
０１の不図示の軸受けによりマグネツ）５０１゜５０２
と共に回転可能に取り付けられている。

又、第１図ではステージｌｏｔは省略されているが、こ
のステージ１０１上にビーム走査部２１が固定されてい
る。このビーム走査部は電界又は磁界を形成し、しかも
これを変化させることにより電子銃２３から射出される
電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子ビー
ムで走査する。

２３は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム
走査部２１により集束偏向された後メツシュ電極２００
を介して蓄積体４に照射され、この蓄積体から放出され
る２次電子をメツシュ電極２００で検出するよう構成さ
れている。メツシュ電Ｊ１２００からは不図示のリード
線が保持容器１０２内の壁面を伝わりコネクタ３の出力
端子に接続されているものである。

又、このメツシュ電極には上記リード線を介して所定の
正のバイアス電圧を印加することが好ましい。

以上の巻取り軸４１，４２．マグネット５０１．５０２
、ステージ１０１、ビーム走査部２１、電子銃２３、等
は保持容器１０２内に収容されており、容器１０２内は
真空に保たれている。

電子銃２３．ビーム走査部２１の電源端子、信号入力端
子、出力端子はコネクタ３に設けられており、このコレ
クタ３はカメラ１００外に露出可能になっており、通常
は蓋２０１により覆われている。２０２は記録再生装置
２０４からケーブル２０３を介してカメラ１００に対し
て電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に、カメラ１
００から出力される画像信号を入力する為のコネクタで
、このコネクタ２０２とコネクタ２０３は蓋２０１を開
いた状態で接続可能となる。２０７は外部電源入力端子
でコネクタ３に設けられており、このコネクタ３にコネ
クタ２０２を接続したとき記録再生装置２０４からの電
源がこの端子２０７にも供給されるよう構成されている
。この端子はスイッチ２０５の一端に接続されている。

スイッチ２０５のもう一端にはバッテリーパック５から
の内部電源が接続されており、この２種類の電源は選択
的にコイル５０３及び５０４やその他の電気回路をドラ
イブする為のドライブ回路２０８に供給される。又、２
０６はシステムコントローラであり、シャッタスイッチ
１３．Ｍ２Ｏ１の開閉信号等が入力されており、蓋２０
１が開くとスイッチ２０５を端子２０７偏に接続する。

又、蓋２０１が閉じているとバッテリーパック５側に接
続するよう切換える。

尚、２１０．２１１は発光ダイオード（ＬＥＤ）で蓄積
体４に対し後述する如く光を照射する為のものである。

１４はファインダである。

このように構成されているのでカメラ１００による画像
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路２０８に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体４
の間欠的移動が行なわれ１画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。

又、読み出し時にはカメラ１００のコネクタ３に記録再
生装置２０４のコネクタ２０２を接続すると、これに先
立つ蓋２０１の開成に伴って電源ラインがスイッチ２０
５により切換わり、記録再生装置２０４からの電源の供
給が可能となる。

従ってカメラ携帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。

又、コーネ・フタ３とコネクタ２０２の接続動作に関連
して内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積
６体から読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗す
ることがない。

又、実施例では画像蓄積体４を真空室内に封入すると共
にこれを外部より移動可能としているので高解像度の画
像情報を多量に蓄積することができる。

しかも読み取りもワンタッチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。

又、蓄積体４を移動させる為の駆動軸を真空の保持容器
外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モーター
を保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易い
。

尚、本発明において画像蓄積体４に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。

Ｆ記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これを検出したが後述の如く電子ビームの
反射による戻りビームを検出するようにしても良い。

以下１本発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。

先ず本実施例の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。

第３図は第１．２図実施例に用いる画像蓄積体４の縦断
面図であって、全体はフィルム形状をなしており、５６
の透明な基体フィルム上にバリア層５０．透明導電層５
１．Ｎ型光導電体層５２、透明絶縁層５３、半導電層５
５を積層したものである。以下各層について述べると、
基体５６は、十分な屈曲性と透光性があり、かつフィル
ムローディング時の張力によって切断することない材質
からなる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド等の高分子フィルムが好ましい、また、Ｅ記特性
を満足させる為フィル春の厚みは、ポリエチレンテレフ
タレートの場合１０゛ん′５０゛鉢ｍがψ°ましく、ポ
リ′イミドフィルムでは５〜５０ｇ、ｍが望ましい。

透明導電Ｒ５１は、酸化スズあるいは酸化インジウム又
はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。この
層は公知のスパッタ等の方法により成膜されたものであ
り、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数１０〜
数１１００ｎが望ましい。

Ｎ型光導電体層５２は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ。

ＺｎＯ等のＮタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタ
によって形成したものであって光の受容により十分な電
子・正孔ベアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、
光の内部拡散が無視できる程度の厚さに成膜されている
０例えば１１００ｎ〜数ｐｍの範囲が望ましい０次に絶
縁層５３は、５ｉ０２．ＭｇＯ等の高絶縁性の薄膜で、
スパッタ等の方法により成膜される。

膜の厚みは十分な絶縁性を持たせる為に、数百化カリウ
ム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高
く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さが記録画像
の解像度幅に比べ十分薄いものが良く。たとえば１ｏｏ
ｏ本／　ｍ　ｍの解像度の画像とする為に膜厚を数１１
００ｐ〜数百ｎｍにすることが望ましい、また、光導電
層５２と透明導電層５１の間に設けたバリア層５０は暗
減衰並びに暗部における負電荷の注入を防止する為の層
でありＣｄＳＯ３，ＣｄＳｅＯ３等をスパッタにより成
膜したものである。この膜厚は２〜数１０ｎｍが望まし
い。

次に上記画像蓄積体への光記録について第４図（ａ）〜
（ｃ）を用いて述べる。

暗所において透明導電層５１をアース又は負として半導
電層５５に例えば導電性ブラシ又はロール５７　、５７
’等を用いて正電荷を第４図（ａ）のように付与する。

この付与された正電荷はただちに半導電Ｒ５５を通して
注入される０次に第１図示の露出部材ＥＭが開き画像露
光が行なわれ、光りの当った部分は光導電層５２の抵抗
が下がり透明導電層５１から負電荷がバリア層を抜は光
導電層５２へ注入され第４図（ｂ）の状態となる。次に
露出部材ＥＭが閉じた後透明導電暦５１をアースに落と
し、このアースと短絡された導電性ブラシまたはロール
５９．５９’にて半導電層５５を通して暗部の正電荷と
透明導電Ｎ５１の負電荷を短絡して消去するとともに、
明部の表面電位がＯになるように第４図（Ｃ）の如く正
負電荷を、半導電層５５と透明導電層５１へ分布させる
０次に透明導電層５１をアースとしておき、画像蓄積体
４を前述のＬＥＤ２１０，２１１で全面露光すると、光
電導層５２の電気抵抗が下がり、この暦の両端の正負電
荷が消去され、絶縁層５３をはさむ電荷のみが第４図（
ｄ）の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録が
行われる。

前記１画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパッター法を用いて一括作成する為、蓄積体が非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体（光導電
体）を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。ざらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ１０倍以上引き上げられることになった。

第５図および第６図に上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部１の詳細を示しこの動作１例につい
て第１図、第２図を用いて述べる。

被写体を決め、第２図におけるシャッタスイッチ１３を
ハーフスイッチングの状態にすることにより第５図、第
６図における帯電ブラシローラ５７と接地ブラシ５７′
との間で電圧印加するとともに駆動コイル５０３，５０
４を作動しフィルムを図示矢印６０方向に送る。

これにより、まず画像蓄積体４上を一様に帯電する０次
にシャッタスイッチ１３をフルスイッチングの状態にす
ることにより露出部材ＥＭを作動し、光学系１１を通し
て画像蓄積体４を必要光量露光し、第４図（ｂ）の状態
で画像を記録する０次にシャッタスイッチ１３を解除す
ると、再度駆動コイル５０３，５０４が作動し、フィル
ムを矢示６０方向に１画面分移動するとともに接地ブラ
シ５９．５９’により全面除電を行ない第４図（Ｃ）の
状態で画像が保持蓄積状態となる。この後矢示６０と反
対方向にフィルムを１画面分戻すことにより、次画面の
画像記録の上記一様帯電のプロセスに都合の良い位置に
保持する。

尚第１図、第５図において保持容器１０２はガラス等に
より形成するが該保持容器１０２は少なくとも画像記録
部１においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像光にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことが望ましい。

または上記保持容器１０２の光路部分を直接レンズとし
て加工することも可能である。

尚、第５図、第６図においてブラシローラ５７．５γ、
５９．５９’は前記した電圧印加を行なうとともに画像
蓄積体４に対し軽いテンションをかけるように為されて
おり画像露光、あるいは後述の電子ビーム走査に対して
常に一定角、好ましくは光路の軸に対して直角に保つよ
うにする。このようにすることで画像記録、読出しに対
しての解像度が良好に保てる。

尚、このように蓄積体４に対する帯電、除電の為のロー
ラ又はブラシを蓄積体４の記録部１の平面性を出す為の
テンションローラと兼用することにより、構成を簡略化
することができる。

又、第６図（ａ）のように帯電又は除電の為のローラ又
はブラシの内の接地された一方のローラ又はブラシを有
効画面ＥＦ（電子ビームによる走査画面範囲）の外側、
かつフィルム状蓄積体４の巾方向の端部に設け、又、こ
れに対応してフィルム状゛の蓄積体４の層の構造を第６
図（ｂ）の如くしたので構成がより簡略化される効果を
有する。

尚、ここで前記画像蓄積体４での記録画像の保持は前記
第４図（ｃ）のプロセス終了状態での保存が望ましい、
前記第４図（Ｃ）に示す様に画像蓄積体４の表面を外部
に電界が生じない（接地）電位にしておくことで、画像
蓄積体４の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず。

良好な画像の保持がなされるからである。特に後述する
ように、基体５６および導電層５１を合わせた導電基体
を使用する場合にはこの良好な保持効果が大きい。

もちろん第４図（ｄ）に示す状態での保持も可能である
。

上記においては１画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。

又１以上述べて来た画像蓄積体４の記録方法において、
該蓄積体４の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用いて
いたが、別途手段として本発明の画像記録システムに内
蔵する電子銃２３を用いることもできる。この場合の帯
電方法を第３図を用いて述べる。

電子銃２３を用いた場合は、導電層５１を背面電極とす
ることになり加速電圧により画像蓄積体４の半導電Ｍ５
５に付与される電荷の極性が変化する。すなわち帯電時
に画像蓄積体４付近にあらかじめコレクタ電極を設ける
か、又は除帯電時のみコレクタ電極を設け、この電極の
電圧を十分高くすると共に、電子ビームを低速電子ビー
ムとすれば、初期に該半導電［５５の表面がＯｖとする
と、ある電圧ｖＡ以下の加速電圧迄は電子銃から半導電
層５５に向う１次電子の量が、衝突によって発生する２
次電子の量よりも多いため、半導電層を負に帯電するこ
ととなる。又、加速電圧がｖＡの場合、１次電子と２次
電子の量がほぼ拮抗しており、該半導電層の表面はＯｖ
の状態となる。さらに加速電圧を上でｖＡより太きくな
ると、入力１次電子よりも２次電子の方が多く放出する
為、該半導電層の表面は正に帯電することになる。この
ＶＡの値は材料によって異なるが該半導電層の下部が絶
縁層５３からなる為約２０〜５０ｖの値である。また、
上記方法はあくまでもコレクタ電圧が正で十分高いこと
により２次電子がほとんど捕集される為に可能な方法で
ある。

又１画像蓄積体４への帯電が負である場合は、前述の如
く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィラ
メントを別途に設置し、このフィラメントからの熱電子
放出を利用することも１り能である。

上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、２次電子放出が１次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ｏｖとして、これ
を＋Ｖｃポルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極に−（Ｖａ＋α）の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧＋Ｖｃを印加しておく、さらに該
画像蓄積体の導電層５１をアースに蕩しておく、このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層５５に１次電子ビームが入射すると上記設定では２
次電子放出が１次電子入力よりも多く、かつ、放出した
２次電子がコレクタ電極に全て取り込まれる為、半導電
層は徐々に正帯電されて行く。帯電が進み表面電位がコ
レクター電位を越えると２次電子はコレクタ電極へ移動
できなくなり、半導電層に戻り、−次電子の入力分だけ
電位が下がり一定の表面電位Ｖｃが保たれることとなる
。

次に、半導電層５５を負に帯電する場合について述べる
。この場合帯電電位を−Ｖｃボルトとすると、陰極電位
は−（Ｖ　Ａ　＋　Ｖ　ｃ＋α）ボルトに設定する。但
し半導電層５５の表面電位は概略Ｏｖであるとする。こ
の場合、放出される２次電子は全て半導電層に戻る為１
次電子の入力分だけ半導電層は負に帯電していく、そし
て−Ｖｃポルトよりも低い電位になると、コレクター電
極の電位が半導電層の表面電位に対し相対的に正になる
為、２次電子が捕集され、正に半導電層が帯電されるこ
ととなる。よって−Ｖｃポルトに安定帯電される。

以上のように電子銃を用いて帯電を行なうと、ブラシ、
ロール等に比べより均一な帯電がの制御も容易になる。

次に除電方法について述べる。上述したようにコレクタ
ー電極の電位によって帯電が制御できることから、コレ
クター電位をＯｖに設定すれば除電は可能となる。又、
半導電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を
十分高くして放出２次電子が全て捕集されるようにし、
半導電層の帯電電位を＋Ｖｓとし、陰極の電位をＶＫと
すると（Ｖｓ−ＶＫ）＜ＶＡとなる８件で電子ビームの
照射を行いｖＳを徐々にＯｖに近づけることにより除電
することも可能である・但しＶ　ｓ　＜　Ｖ　Ａの場合
はＶＫ＝０として十分な除電が可能である。当然上記除
電において導電層５１はアースに落されている。

このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる。他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果のメカニカルな手段を使
わずに除帯電できるので構成が簡単となる。

除帯電時の電流がルなく低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。

尚、画像蓄積体４の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシ又はロールを半導電層５５に接触さ
せて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわれ
る。

他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積体の有
する半導電層を除電用ブラシ又ロールあるいは電子ビー
ムでＯｖとし透明導電層をＯｖとして光を全面照射する
ことで可能となる。

次に本発明記録装置における画像読出し部２について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭５４−２９９
１５号にその１例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。

第１図においてコネクタ３に外部より読み出し部駆動電
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル２０３が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の読出部駆動制御回路
は本実施例の如く記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ１００内に設ける様にしても良い。

読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体４に入射すると２次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々０．ｌＩ
Ｌ以内の領域で発生したものである。ところが、その外
部に放出する２次電子は画像蓄積体の表面電位に影響さ
れる。即ち、表面電位が正であれば前記２次電子はそれ
により引きつけられるため放出され難く、又、電位がマ
イナスであれば逆に反発され２次電子量は増加する。従
って、画像担持体に電子ビーム５を入射する時、前記感
光板近傍に２次電子集束用のメツシュ電極２００を設け
れば電極２００の出力は電子ビームの当っている個所の
表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画像
蓄積体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換し
たものとなる。電子ビームを読み出し手段に使用するこ
とは、ビームの走査が電子レンズにより純電気的に行な
われること、ビーム径が数ル以下に容易に絞れることか
ら高分解能である事など多数の利点を有する。

又、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の潜
像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能であ
る。

第７図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第７図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃３０１から電子ビーム５が出
ると図示の集束用コイル３０２、集束電極３０３によっ
て集束され、偏向用コイル３０４により偏向され、画像
蓄積体４上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム５′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム５′は電
荷像に対応して強弱のコントラストをもっているため、
これをダイノード３０５で受けることによりここから発
生する二次電子を多段で増巾した後、コレクタ３０６か
ら電気信号として取り出すことが出来る。

本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上１以上に留とめる
。

次に前記の第３図、第４図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部２の動作について第１図
〜第４図を用いて説明する。

前記記録部ｌの動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体４は、第４図（Ｃ）に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。

ここで記録再生装置２０４への接続がコネクタ３．２０
２によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を開
始する。

これにより上記の状態で保持されたフィルムの画像は、
長時間の保、存により、第４図（ｄ）に示す全面露光が
なくとも、感光層の暗減衰により第４図（ｃｌ）に示す
潜像の状態になっていることもありうるが、本実施例で
は、画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出す
画像面をＬＥＤ２１０，２１１一定時間全面露光し、よ
り良好な表面電位パターン（第４図（ｄ））としての静
電潜像にする。

次に電子ビーム走査をなすことにより、前述の二次電子
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。

したがって画像をＣＲＴで確認したり、またはプリンタ
で出力することが可能となる。

なお読み出し時において、画像蓄積体から放出される二
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はＰ型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第４図（Ｉ
Ｌ）における表面全面帯電を負帯電としても良い。

第８図は記録再生装置２０４の構成例を示す図で、４０
０はＡＣ）−ド、４０１はＡＣ／ＤＣコンバータ、４０
２は電源回路、４０３は集束、偏向回路４０４は同期信
号発生回路、４０５はプロセス処理回路、４０６は変調
回路４０７は記録再生切換スイッチ、４０８は記録再生
ヘッド、４０９はディスクモーター、４１０は復調回路
、４１１はマトリクス回路。

４１２はエンコーダー、４１３はディスク状記録媒体で
ある。

ニー１４００より供給されるＡＣ電源はＡＣ／ＤＣコン
バータで直流に変換された後頁に電源回路４０２で適当
な電圧に変換されて各回路に供給される。

又、ケーブル２０３を介してコネクタ２０２にも電源を
導いている。集束偏向回路４０３は同期信号発生装置４
０４からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用の
調波を形成し、これをやはりケーブル２０３を介してコ
ネクタ２０２に導く。

コネクタ２０２よりケーブルを介して得られた画像信号
はプロセス処理回路４０５でα補正、アパーチャ補正、
黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各種補正を加
えたのち変調回路４０６において記録に適した変調を加
えスイッチ４０７、ヘッド４０ｇを介して媒体４１３に
１トラツクに１フイ一ルド分記録される。再生時はヘッ
ド４０８から読み出された信号は復調回路で再び元の信
号に戻された後、エンコーダで標準テレビジョン信号（
例えばＮＴＳＣ信号）の変換した後出力端子４１２に導
かれる。

従ってこのＮＴＳＣ出力端子４１２にＴＶ受像機を接続
することにより画像を１フイールドずつモニターできる
。

勿論ディスク状媒体に２フイールドずつ記録しておけば
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。

尚、ここでエンコーダーはＰＡＬやＳＥＣＡＭ方式に対
応したものであっても良いことは言うまでもない。

伽１０　Ｍ　　　伽ｉ　！　＾　固　ｊ↓　　　→←ｚ
！ｔｍ　ｓ−噛才１紐カー　４〜　開瞼　＾変形例であ
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体４の同一側の面としたものである０図示する構
成は画像蓄積体４が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
１０２内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟
って大きな効果を出すものである。

第９図は、前記第５図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第３図における基体５６、導
電層５１を透明にする必要がなく、たとえば基体５６お
よび導電層に持ってこれるのでカメラの光軸方向の構成
をコンパクトにすることができる。尚この場合前記像露
光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体上にブ
ラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望ましい
、又、図においてアースをとる為のブラシ、ローラー５
９’　、　５７’１＋）−’甑へ−ｈ１−嘴ヤム白い− 第１０図は、第９図に示した構成の更なる変形例であり
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化するこができる。

第９図（ｂ）は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた２次電子を検出する例として挙げ、２次電子を
検出するコレクタＣＨＤをメツシュ電極の代わりに設け
た例を示した。

また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極６００および接地電極５７′の一構成例を示
した。尚７００は交換レンズである。

第１１図はフィルムローディング手段の他の実施例を示
す、第１１図例では第２図に示したローディング手段に
おけるマグネット５０１゜５０２と駆動コイル５０３．
５０４の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器１０
２内に駆動コイル６０１を容器１０２外の支持フレーム
６０５にマクネット６０２を設けたものである駆動コイ
ル６０１は第１１図に示す通電ブラシ６０３により電流
が供給される。第２図及び第１１図に示す構成は通常の
ＤＣモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動するこ
とが出来る。

ここで第１１図実施例に対して更に以下の様にすること
で本発明画像記録システムに改良を与えることができる
。すなわち前記マグネット６０２を画像読取り時には、
容器１０２より離間しうる構成にするものである。この
様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグネ
ット６０２が磁気的に悪影響を与えない様にすることが
できる。

第１２図に上記マグネット６０２を離間させるための手
段の一例を示す。第１２図例では、マクネット６０２を
取りつけた支持フレーム６０５をコネクタ３の蓋２０１
′と兼ねた構成にしたものである０画像担持体４への画
像記録終了後、読出し時においてコネクタ３に外部から
のコネクタ２０２を接続する為に前記蓋２０１’を開け
るがこのとき、第１２図に矢示するように支持フレーム
６０５全体を装置外装に対して下にスライドすることに
より、前記マグネット６０２も同時に容器１０２より離
間する様にするものである。

又、支持フレーム６０５はマグネットの離間時紛失しな
いように例えば紐などで本体につないでおくことが望ま
しい。

第２０図はフィルム巻き取りを手動にした１例を示す０
図示例においては巻き上げレバー７００によりマグネッ
ト７０１を回転させ、これにともない画像蓄積体４の巻
き取り軸７０２に固定したマグネット７０２を回転させ
る様にしたものである。

本例の様に手動巻上げレバー７００を設けたことにより
第１、第２図の例で示した記録部の動作のうち、たとえ
ば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻き
上げレバーに運動させて行えば良く、シャッタスイッチ
と分離することで誤動作等を少なくすることも出来る。

尚、実施例では磁気シールド板７０４をマグネット７０
１．７０３と少なくともビーム走査部２１の間に設けて
いるのでビーム走査に障害を与えることがない、勿論容
器１０２外に設けても良い。

第２０図においては読取り時においては巻き上げレバー
全体を上に引き上げる様にすることでマグネット７０１
を前記と同様、容器１０２より離間することが出来る。

第２１図は本発明において更にカメラ１００と読取部２
０００とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の接
合部材１００１．１００２を用いて合体可能としたもの
である。ここでカメラ１００および読取部２０００の合
体は交換レンズ部１０１Ｏを取り外して行なう。

このようにすることで記録部（カメラ）のもち運びは更
に便利になる。カメラ（記録部）１００には前述までの
記録方法に示したような必要な帯電手段、フィルム駆動
手段、その他のけた、カメラ１００により画像記録後、
読取時にはレンズ部１０１０を取り外し、代わりに読χ
取部２ｏｏｏと結合するが、このときフィルムと、読取
部２０００の多列ピン電極１０２０を有する接合プレー
ト１０２１と密着させる０弾性部材１０３０はこの密着
を確実とするために設けたものである多列ピン電極１０
２０はそれぞれのピン同士が互いに横方向に接触せずに
。

高密度に配列されそれぞれ独立して接合プレート１ｏｚ
ｔの表裏で電気的導通をとるもので、これにより前記フ
ィルム上の潜像を、前記電子ビームで読取ることが出来
る。

この実施例の如く、本発明は記録部と読取り部とが切り
離し可能なものも含む、このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。

すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラ１
００かち取り出して読取り部の容器１０２内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として
成り立ちにくいが１本発明によれば記録部における記録
動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立さ
せ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状態
を変えることなくそのまま（：５１図示実施例のように
初めから容器内に入っているものも含む）蓄積体の記録
情報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々
即時にできる。

次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。

第１３図は本発明に用いる画像蓄積体４の縦断面図であ
って、全体はフィルム形状をなしており、５６の透明な
基体フィルム上に透明導電層５１．Ｎ型光導電体層５２
透明絶縁性５３、Ｐ型光導体層５４、半導電ｆｉ５５を
積層したものである。以下各層について述べると、基体
５６は十分な屈曲性と透光性あり、かつフィルムローデ
ィング時の張力によって切断することない材質からなる
。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等
の高分子フィルムが好ましい。また、上記特性を満足さ
せる為フィルムの厚みはポリエチレンテレフタレートの
場合１０〜５０ＪＬｍが望ましく、ポリイミドフィルム
では５〜５０ＩＬｍが望ましい、透明導電層５１は酸化
スズあるいは酸化インジウム又はこれに若干の酸化スズ
を含むものが用いられる。

この層は公知のスパッタ等の方法により成膜されたもの
であり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数ｌ
θ〜数１１００ｎが望ましい。

Ｎ型光導電体層５２は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ。

ＺｎＯ等のＮタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタ
によって形成したものであって光の受容により十分な電
子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、
光の内部拡散が無視できる厚さに成膜されている０例え
ば１１００ｎ〜数７ｔｍの範囲が望ましい０次に絶縁層
５３はＳ　ｉ　Ｏ２、Ｍ　ｇ　Ｏ等の高絶縁性の薄膜で
、スパッタ算の１辻によ４１　＃Ｌ罐潔涯スー瞳の可み
は十分な絶縁性を持たせる為に、数ＩＬｍ〜数１００μ
ｍが望ましい０次に、Ｐ型光導電体層５４は無定形Ｓｅ
、同５ｅＴｅ無定形Ｓｔ等のＮタイプの光導電体を蒸着
あるいはスパッタによって形成したものであり、成膜条
件等はＮ型光導電体５２のそれに準じる。

次に、半導電性膜５５は、ガラス等の膜あるいは、ＭＣ
Ｉ　（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く
、たとえば１０００木／　ｍ　ｍの解像度の画像であれ
ば膜厚を数１１００ｐ〜数１０ｎｍにすることが望まし
い。

次に上記画像蓄積体への光記録について第１４図（ａ）
〜（ｅ）を用いて述べる。

暗所において透明導電層５１をアース又は負として半導
電層５５に導電性ブラシ又はロール２５７を用いて正電
荷を第１４図（ａ）のように付与する。この付与された
正電荷はただちに半導電層５５を通して注入され第１４
図（ｂ）の様になる。次に第１図示装置の露出部材ＥＭ
による所定量の画像露光が行なわれ、光りの当った部分
は光導電層５２．５４の抵抗が下がり透明導電層５１か
ら負電荷が光導電層５２へ注入され、さらに正電荷が光
導電層５４へ注入されて、第１４図（Ｃ）の状態となる
０次に露出部材ＥＭにより遮光をし、更に透明導電層５
１をアースに落とし、これと短絡された導電性ブラシ又
はロール２５９にて半導電層５５を通して暗部の半導電
層５５の正電荷と透明導電層５１の負電荷を消去すると
共に、明部の表面電位がＯになる様に第１４図（ｄ）の
如く正負電荷を半導電Ｍ５５と透明導電ｆｉ５１へ注入
する。次に透明導電層５１をアースとしておき。

画像蓄積体４をＬＥＤ２１０，２１１で全面露光すると
、光電導層５２．５４の電気抵抗が下がり、この層の両
端の正負電荷が消去され、絶縁層５３をはさむ電荷のみ
が第１４図（ｂ）の如く残ることとなり１表面を正電位
とする記録が行われる。

この記録方法によれば蓄積された電荷像が。

第１４図（ｅ）に示される様に１画像蓄積体内部に保持
されるため暗所で放置する限り、その保存性が向上され
る。

次に第１５図を用いて第１３図にて説明した画像蓄積体
４の変形例と記録方法について説明を加える。第１５図
に示す画像蓄積体４は第１３図示の画像Ｍ植体４のうち
、半導電層５５の代りにＰ型光導電体層５４に接する面
を導電層とした電極プレート５９に置き変えたものであ
り、他の構成は画像Ｍ植体３２と同じものである。電極
プレート５９はガラス等の基板に酸化スズ、酸化インジ
ウム、あるいはこれらの混合体をスパッタ等により成膜
した導電層を持つものである。

この場合の記録法について第１５図（ａ）〜（ｄ）を用
いて説明する。

透明導電層５１を負、電極プレート５９を正としてパル
ス状の電圧を印加し同時に露出部材ＥＭによる画像露光
を行なうと、１５図（ａ）のように、光りの当った部分
は光導電体５２．５４の抵抗が下がり、透明導電層５１
から負電荷が光導電層５２へ注入され、さらに正電荷が
光導電層５４へ注入される０次いで露出部材ＥＭによる
露光を停止してからパルス電圧を除去すると第１５図（
ｂ）に示すように画像蓄積体４の外部への電位がＯにな
るように露光部に当る各導電層に各々逆電荷が注入され
る０次にこの画像蓄積体４に接触している電極プレート
５９を該蓄積体４から剥離され第１５図（ｃ）のような
状態になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が
可能であるが、さらに該蓄積体４をＬＥＤ２１０，２１
１で全面露光し第１５図（ｄ）のように絶縁層の両端に
のみ電荷を保持する状態にして保存することも可能であ
る。

この記録方法によれば帯電及び除電時にブラシ、ロール
等を用いる為フィルムのローディング時のムグかＷｊｈ
まがかイ、ｍｍ的旙産がシンプルになるという効果が得
られる。

前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。

第１６図は電荷発生層として圧電゛材料を用いた画像蓄
積体４である。記録体の層構成は、透明基体フィルム６
７上にこれも透明な導電層８１、次に透明絶縁＄６２、
Ｐ型光導電体６３、圧電体層６８、Ｎ型光導電体６４．
透明絶縁膜６５、半導電層６６の各層を積層したもので
ある。透明基体フィルム６７は前述の基体フィルム５６
と同じものであって、十分な透光性と強度・屈曲性を有
しており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等
の高分子フィルム等が好ましい、透明導電層６１は厚さ
数１０〜ｌａ１００　ｎ　ｍの酸化インジウム、あるい
はこれに若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透
光性を有する０次に透明絶縁膜６２．６５はＳ　ｆ　Ｏ
２、ＭｇＯ等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリ
ング等により薄層に形成したものである。この絶縁膜の
厚みは十分な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜
調整される。

望ましくは数１００〜数１０００人である。

次に、半導電性膜６６は、ガラス等の膜、あるいはＭＣ
Ｉ　（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く
、たとえば１０００木／　ｍ　ｍの解像度の画像であれ
ば膜厚を数１１００ｐ〜数１０ｎｍにすることが望まし
い。

次に圧電体層６８はＰ　ｂ　（Ｚ　ｒ　、　Ｔ　ｉ　）
　０３セラミツクスあるいはＢ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３セラ
ミツクスの薄層であり、それぞれ１０４ｍ以下の厚みで
あれば十分な透光性を有する。又、十分な圧電性を保障
する為５０００Å以上の厚みがあれば良い、又、この圧
電体層は成膜後電荷発生方向を考慮して十分ポーリング
されている。Ｐ型光導電層６３は無定形５ｅＴｅ合金、
あるいは無定形Ｓｔ等からなるポジタイプの光導電体で
Ｎ型光導電層６４は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ等から
なるネガタイプの光導電体で、ともに蒸着法によって成
膜される。又、膜厚は十分な透光性と光電子が発生する
厚さであれば良く。

望ましくは１０００人〜数ｇｍの範囲で適宜調整されて
いる０次に記録方法について以下に詳述する。簡単のた
め基体フィルム６７を除いたもので第１７図（ａ）〜（
ｄ）を用いて説明する。まず第１７図（ａ）に示すよう
に矢印Ａの方向に記録体４全体に張力Ｆを加えるか、又
は記録体４のａＲ裏方向圧力Ｆを加える。この時、加え
られる力Ｆによって圧電体Ｍ６８にあらかじめポーリン
グしておいた方向に正負の電荷が図のように発生する０
次に、暗所において透明導電層６１をアース又は負とし
、半導電層６６は導電性ブラシ又はロール５７を用いて
導？ｌ！層６１が負、半導電層６６が正になるようにバ
イアス電圧をかけた後に像露光５８を行う。

この時、圧電体層６８の両端の正負電荷は光の当った部
分の光導電体の抵抗が下がり、バイアス電圧により同図
（ｂ）に示すごとく、おのおのの光導電体層と絶縁層の
界面迄移動する０次にこの記録体にかかっている圧力を
除去すると非露光部の圧電体層にのこっている電荷がな
くなり露光部゛には逆電荷が発生し同図（Ｃ）に示す状
態となる０次に導電層６１と６６を半導電層側は導電ブ
ラシ又はロール５７′を用いて短絡してアースに落とす
ことで前述の光が当った部分のみ電荷が保持され記録材
上に同図（ｄ）に示す静電像が保存されしかも表面電位
はゼロボルトとすることができる。

以上のように内部発生電荷により記録を行なう為蓄積体
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。更に感光体が電極と触れ
ない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。

次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。

ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ，ＺｎＴｅ等の光導電体を士
通常バイングーと浬今して、光導電体として用いること
が多いが、スパッタ等の方法により結晶性を高めて成膜
し、ポーリングを行うか又は結晶性が悪い場合でも強電
界により強くポーリングさせておくことにより圧電性光
半導体として用いることが可能となる。第１８図にこの
圧電性光導電体を用いた画像蓄積体４の縦断面図を示す
０画像蓄積体４の構成は、透明基体フィルム７５上に透
明導電Ｍ７４、Ｎ型の圧電性光導電層７３、絶縁層７２
、半導電層７１を積層したものである。以下各層につい
て述べると、基体７３は十分な屈曲性と透光性があり、
かつフィルムローディング時の張力によって切断するこ
とない材質からなる。たとえばポリエチレンテレフタレ
ート、ポリイミド等の高分子フィルムが好ましい、また
、上記特性を満足させる為フィルムの厚みはポリエチレ
ンテレフタレートの場合１０〜５０ｐｍが望ましく、ポ
リイミドフィルムでは５〜５０１Ｌｍが望ましい、透明
導電層７４は酸化スズあるいは酸化インジウム又はこれ
に若干の酸化スズを含むものが用いられる。この層は公
知のスパッタ等の方法により成膜されたものであり、透
光性及び十分な導電性が得られる厚みで数１０〜数１１
００ｎが望ましい。

圧電性Ｎ型光導電体層７３は、ＣｄＳ、ＣｃｌＳｅ、Ｚ
ｎＯ等のＮタイプの光導電体をスパッタ等の例えばｕｓ
Ｐ４，３６３，７１１に示される公知の方法によって形
成したものであって、ＭＨｚオーダーの周波数の外場中
で上記ＣｄＳ等の単分子層をＲＦスパッタによって積層
したものである。さらにこの成膜した感光層は成膜後強
い直流電場中において所望する向きに第１圧電性を示す
様にポーリングされる。また光の受容により十分な電子
・正孔ベアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光
の内部拡散を無視できる程度の厚さに成膜されている。

例えば１００〜数ＩＬｍの範囲が望ましい０次に絶縁層
７２は、５ｆ０２．ＭｇＯ等の高絶縁性の薄膜で、スパ
ッタ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁
性を有する為に、数ｐｍ−数１０ｇｍが望ましい。次に
、半導電性膜７１は、ガラス等の膜あるいは、ＫＣｆＬ
（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚
方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚
さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く１例
えば１０００木／　ｍ　ｍの解像度の画像であれば膜厚
を数１１００ｐ〜数１０ｎｍにすることが望ましい。

次に画像蓄積体３６への記録方法について第１９図（ａ
）〜（ｄ）を用いて述べる。記録に際しては第１９図（
Ｃ）に示す、ガラス基板７７上に、酸化スズ等の導電体
を蒸着した補助電極８０が用いられる。記録はまず同図
（ａ）に示すように画像蓄積体４を矢印の方向に力Ｆで
引っ張りながらＬＥＤ２１０．２１１で全面に光を与え
その後光を遮断し圧力をなくす。

これにより同図（ｂ）に示すようにあらかじめポーリン
グされた方向に圧電性の正負電荷が発生する０次に第１
９図（ｃ）に示すように補助電極８０を半導電層７１に
導電層７６が接するように接触させ、導電層７６と７４
を短絡しアースに落とし、第１図示装置の露出部材ＥＭ
により所定量の露出を行なう、この露光により光の当っ
た部分の圧電性光導電＠７３の抵抗が下がり、この部分
の蓄積電荷が消去される。

光の当たらなかった部分は（Ｃ）図に示すように、該蓄
積体４の表面電位が０になるように各導電層７６．７４
に正負電荷が注入される。そして導電層７６に注入され
た正電荷は、ただちに半導電Ｈ７１に注入される。この
状態で導電層７４をアースとして補助電極８０を除去し
、次に該蓄積体を再びＬＥＤ　２１０．２１１で全面露
光すると同図（ｄ）に示す記録保持状態となる。

この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。

〔効果〕

＋、χコに閤　コヂ　七ｔ−イ　１↓　Ｌわ小捏−曽ｔ
□−Ｇ−普１Ｆ−１／逼−九　ｍい１画像記録と画像読
取りを独立しかつ状態を変えることなく行なうことが出
来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置により記録
することが可能となり、これまでの画像記録システムを
大きく改善することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例のに測道親図。 第２図は本発明の第１実施例の正面透視図、第３図は蓄
積体の構成の第１実施例図、第４図（ａ）〜（ｄ）は第
３図示蓄積体への記録部υ：の説明図、 第５図は第３、第４図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の１部より見た図、 第６図（ａ）は第５図を正面側から見た図。 第６図（ｂ）は第６図（ａ）の側面から見た要部説明図
。 ：５７図は本発明の第２実施例図、 ：ｆＳ８図は記録再生装置の構成側図。 第９図（＆）は記録部の他の実施例図、第９図（ｂ）は
第９図（ａ）の実施例の更に他の実施例図。 第１０図は記録部の更に他の異なる実施例図、第１１図
は蓄積体の駆動構成例を示す図、第１２図は第１１図示
の構成の側面図、第１３図は蓄積体の第２の例を示す図
、第１４図（ａ）〜（ｅ）は第１３図示例の記録方法を
説明する図、 第１５図（ａ）〜（ｄ）は蓄積体の第３の実施例の記録
方法を示す図、 第１６図は蓄積体の第４実施例の構成側図、第１７図（
ａ）〜（ｄ）は第３図示蓄積例の記録方法を示す図。 第１８図は蓄積体の第５実施例図、 第１９図は第５実施例の記録方法を説明する図、 第２０図は蓄積体の駆動構成の他の実施例を示す図、 第２１図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示
す図である。 １００−カメラ、 ｉ　−−−−−一画像記録部、 ２−−−−−一画像読取り部、 ３−−−−−−コネクタ、 ４−−−−−一蓄植体。 第４０ ′轄パぐ・ 第５図 ＠６図 帛７図 第ｑ図（（１） 掲９図（ｂ） 第１Ｏ図 第１／図 （（１）　　　　　ダ （ｂ） （Ｃ） （ｄ） ；’１０　　　　　’Ｚ’ｌｌ 美Ｉ６図 第１りＥ司 （Ｃ）（ｄ） 第２１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）光学像を電気的画像情報に変換して蓄積す
   る光電変換手段、 （ｂ）該光電変換手段をビームにより走査する為の走査
   手段、 （ｃ）前記光電変換手段を前記走査手段に対して変位さ
   せると共に重ねて保持する変位手段、（ｄ）前記変位手
   段による保持に先立ち前記光電変換手段の表裏面の電位
   を同一電位にさせる制御手段を有する画像記録システム
   。
2. （２）前記感光体の一面は金属膜で覆われていることを
   特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の画像記録シ
   ステム。