JPS62241478A - 画像記録システム - Google Patents
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- JPS62241478A JPS62241478A JP61085505A JP8550586A JPS62241478A JP S62241478 A JPS62241478 A JP S62241478A JP 61085505 A JP61085505 A JP 61085505A JP 8550586 A JP8550586 A JP 8550586A JP S62241478 A JPS62241478 A JP S62241478A
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Landscapes
- Cameras In General (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野)
本発明は原稿あるいは風景等の被写体による光学像を記
録する画像記録システムにかかわり、特にE記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録又は
出力する画像記録システムに関する。
録する画像記録システムにかかわり、特にE記光学像を
軽量簡易に記録しさらにこれを電気信号として記録又は
出力する画像記録システムに関する。
〔従来技術)
画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録検液
式あるいは乾式のトナー(インク)により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をC0D(チャージカップリングデバイス)等を用いた
デジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信号
に変換して出力する方式等多種ある。
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録検液
式あるいは乾式のトナー(インク)により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をC0D(チャージカップリングデバイス)等を用いた
デジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信号
に変換して出力する方式等多種ある。
ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。
一方後者のCOD等のデジタル光電変換素子で画像を読
み取る場合、これが−次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読取るために、相応に
素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招く
、さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有してい
なければならないなど難点があった。
み取る場合、これが−次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読取るために、相応に
素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招く
、さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有してい
なければならないなど難点があった。
一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ(たとえばビデオテー
プ等)が必要である。したがって、携帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。
方式により画像を電気信号に変換する場合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ(たとえばビデオテー
プ等)が必要である。したがって、携帯用の記録装置を
構成する場合において上記メモリ手段あるいは真空管駆
動用電源によりある程度の大きさが必要となるため、携
帯用として最適とは言えない。
さらに一方銀塩写真は高密度記録が可能であり、またフ
ィルムでの画像の保存が効くため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フィルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。
ィルムでの画像の保存が効くため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フィルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。
本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提〔実施例) 第1図および第2図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第1図は上側透視図、第2図
は正面透視図である。
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得る画像記録システ
ムを提〔実施例) 第1図および第2図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第1図は上側透視図、第2図
は正面透視図である。
本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフィルム状の画像蓄積体4、該画像蓄積体4
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部l、蓄積体4に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体4を電子ビームで走査する
画像読出部2、および該読出部2を駆動するための外部
電源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続
する入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子
から成るコネクタ部3等から成る。
に蓄積するフィルム状の画像蓄積体4、該画像蓄積体4
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部l、蓄積体4に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体4を電子ビームで走査する
画像読出部2、および該読出部2を駆動するための外部
電源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続
する入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子
から成るコネクタ部3等から成る。
更に詳述すると、記録部l内には光学系11、絞りシャ
ッタ等を含む露出部材EMが内蔵されており、光学系1
1による光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構成
されている。
ッタ等を含む露出部材EMが内蔵されており、光学系1
1による光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構成
されている。
102は保持容器であって画像蓄積体4が巻取り41.
42に巻付けられた状態で張設されている。この巻取り
軸41.42の一端にはローターマグネット501,5
02が固設されており、上記軸41.42はステージ1
01の不図示の軸受けによりマグネット501゜502
と共に回転可能に取り付けられている。
42に巻付けられた状態で張設されている。この巻取り
軸41.42の一端にはローターマグネット501,5
02が固設されており、上記軸41.42はステージ1
01の不図示の軸受けによりマグネット501゜502
と共に回転可能に取り付けられている。
又、第1図ではステージ101は省略されているが、こ
のステージ101上にビーム走査部21が固定されてい
る。このビーム走査部は電界又は磁界を形成し、しかも
これを変化させることにより電子銃23から射出される
電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子ビー
ムで走査する。
のステージ101上にビーム走査部21が固定されてい
る。このビーム走査部は電界又は磁界を形成し、しかも
これを変化させることにより電子銃23から射出される
電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子ビー
ムで走査する。
23は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム
走査部21により集束偏向された後メツシュ電極200
を介してS植体4に照射され、この蓄積体から放出され
る2次電子をメツシュ電極200で検出するよう構成さ
れている。メツシュ電極20°0からは不図示のリード
線が保持容器102内の壁面を伝わりコネクタ3の出力
端子に接続されているものである。
走査部21により集束偏向された後メツシュ電極200
を介してS植体4に照射され、この蓄積体から放出され
る2次電子をメツシュ電極200で検出するよう構成さ
れている。メツシュ電極20°0からは不図示のリード
線が保持容器102内の壁面を伝わりコネクタ3の出力
端子に接続されているものである。
又、このメツシュ電極には上記リード線を介して所定の
正のバイアス電圧を印加することが好ましい。
正のバイアス電圧を印加することが好ましい。
以上の巻取り軸41,42、マグネット501.502
、ステージ101、ビーム走査部21.電子銃23、等
は保持容器102内に収容されており、容器102内は
真空に保たれている。
、ステージ101、ビーム走査部21.電子銃23、等
は保持容器102内に収容されており、容器102内は
真空に保たれている。
電子銃23、ビーム走査部21の電源端子。
信号入力端子、出力端子はコネクタ3に設けられており
、このコレクタ3はカメラlOO外に露出可能になって
おり、通常は蓋201により覆われている。202は記
録再生装置204からケーブル203を介してカメラ1
00に対して電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に
、カメラ100から出力される画像信号を入力する為の
コネクタで、このコネクタ202と=ネクタ203は蓋
201を開いた状態で接続可能となる。207は外部電
源入力端子でコネクタ3に設けられており、このコネク
タ3にコネクタ202を接続したとき記録再生装置20
4からの電源がこの端子207にも供給されるよう構成
されている。この端子はスイッチ205の一端に接続さ
れている。スイッチ205のもう一端にはバッテリーパ
ック5からの内部電源が接続されており、この2種類の
電源は選択的にコイル503及び504やその他の電気
回路をドライブする為のドライブ回路208に供給され
る。又、206はシステムコン)(ff−ラであり、シ
ャッタスイッチ13、蓋201の開閉信号等が入力され
ており、!1201が開くとスイッチ205を端子20
7偏に接続、する、又、蓋201が閉じているとバッテ
リーパック5側に接続するよう切換える。
、このコレクタ3はカメラlOO外に露出可能になって
おり、通常は蓋201により覆われている。202は記
録再生装置204からケーブル203を介してカメラ1
00に対して電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に
、カメラ100から出力される画像信号を入力する為の
コネクタで、このコネクタ202と=ネクタ203は蓋
201を開いた状態で接続可能となる。207は外部電
源入力端子でコネクタ3に設けられており、このコネク
タ3にコネクタ202を接続したとき記録再生装置20
4からの電源がこの端子207にも供給されるよう構成
されている。この端子はスイッチ205の一端に接続さ
れている。スイッチ205のもう一端にはバッテリーパ
ック5からの内部電源が接続されており、この2種類の
電源は選択的にコイル503及び504やその他の電気
回路をドライブする為のドライブ回路208に供給され
る。又、206はシステムコン)(ff−ラであり、シ
ャッタスイッチ13、蓋201の開閉信号等が入力され
ており、!1201が開くとスイッチ205を端子20
7偏に接続、する、又、蓋201が閉じているとバッテ
リーパック5側に接続するよう切換える。
尚、210,211は発光ダイオード(LED)で蓄積
体4に対し後述する如く光を照射する為のものである。
体4に対し後述する如く光を照射する為のものである。
14はファインダである。
このように構成されているのでカメラ100による画像
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路208に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体4
の間欠的移動が行なわれ1画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路208に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体4
の間欠的移動が行なわれ1画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。
又、読み出し時にはカメラ100のコネクタ3に記録再
生装置204のコネクタ202を接続すると、これに先
立つ蓋201の開成に伴って電源ラインがスイッチ20
5により切換わり、記録再生装置204からの電源の供
給が可能となる。
生装置204のコネクタ202を接続すると、これに先
立つ蓋201の開成に伴って電源ラインがスイッチ20
5により切換わり、記録再生装置204からの電源の供
給が可能となる。
従ってカメラ携帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。
ラを小型化できる。
又、コネクタ3とこねくた202の接続動作に関連して
内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体゛
から読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗するこ
とがない。
内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体゛
から読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗するこ
とがない。
又、実施例では画像蓄積体4を真空室内に封入すると共
にこれを外部より移動可能としているので高解像度の画
像情報を多量に蓄積することができる。
にこれを外部より移動可能としているので高解像度の画
像情報を多量に蓄積することができる。
しかも読み取りもワンタッチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。
型の読み出し装置を必要としない。
又、蓄積体4を移動させる為の駆動軸を真空の保持容器
外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モーター
を保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易い
。
外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モーター
を保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易い
。
尚、本発明において画像蓄積体4に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。
L記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これを検出したが後述の如く電子ビームの
反射による戻りビームを検出するようにしても良い。
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これを検出したが後述の如く電子ビームの
反射による戻りビームを検出するようにしても良い。
以下、未発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。
る。
先ず木実流側の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。
する。
第3図は第1.2図実施例に用いる画像蓄積体4の縦断
面図であって、全体はフィルム形状をなしており、56
の透明な基体フィルム上にバリア層50、透明導電層5
1.N型光導電体層52、透明絶縁層53、半導電層5
5を8層したものである。以下各層について述べると。
面図であって、全体はフィルム形状をなしており、56
の透明な基体フィルム上にバリア層50、透明導電層5
1.N型光導電体層52、透明絶縁層53、半導電層5
5を8層したものである。以下各層について述べると。
基体56は、十分な屈曲性と透光性があり、かつフィル
ムローディング時の張力によって切断することない材質
からなる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド等の高分子フィルムが好ましい、また、上記特性
を満足させる為フィルムの厚みは、ポリエチレンテレフ
タレートの場合lO〜50gmが望ましく、ポリイミド
フィルムでは5〜501LInが望ましい。
ムローディング時の張力によって切断することない材質
からなる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド等の高分子フィルムが好ましい、また、上記特性
を満足させる為フィルムの厚みは、ポリエチレンテレフ
タレートの場合lO〜50gmが望ましく、ポリイミド
フィルムでは5〜501LInが望ましい。
透明導電7551は、酸化スズあるいは酸化インジウム
又はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。こ
の層は公知のスパッタ等の方法により成膜されたもので
あり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数10
〜数1100nが望ましい。
又はこれに若干の酸化スズを含むものが用いられる。こ
の層は公知のスパッタ等の方法により成膜されたもので
あり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数10
〜数1100nが望ましい。
N型光導電体層52は、CdS、CdSe。
ZnO等のNタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタ
によって形成したものであって光の受容により十分な電
子壷正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、
光の内部拡散が無視できる程度の厚さに成膜されている
0例えば100 nm−数gmの範囲が望ましい0次に
絶縁層53は、5i02.MgO等の高絶縁性のFJ膜
で、スパッタ等の方法により成膜される。
によって形成したものであって光の受容により十分な電
子壷正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、
光の内部拡散が無視できる程度の厚さに成膜されている
0例えば100 nm−数gmの範囲が望ましい0次に
絶縁層53は、5i02.MgO等の高絶縁性のFJ膜
で、スパッタ等の方法により成膜される。
膜の厚みは十分な絶縁性を持たせる為に、数百化カリウ
ム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高
く十分な絶縁性を示すものであり、咬の厚さが記録画像
の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、たとえば100
0木/ m mの解像度の画像とする為に膜厚を数11
00p〜数百nmにすることが望ましい、また、光導電
層52と透明導電層51の間に設けたバリア層50は暗
減裏並びに暗部における負電荷の注入を防上する為の層
でありCdSO3,CdS e O3等をスパッタによ
り成膜したものである。この膜厚は2〜数10nmが望
ましい。
ム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高
く十分な絶縁性を示すものであり、咬の厚さが記録画像
の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、たとえば100
0木/ m mの解像度の画像とする為に膜厚を数11
00p〜数百nmにすることが望ましい、また、光導電
層52と透明導電層51の間に設けたバリア層50は暗
減裏並びに暗部における負電荷の注入を防上する為の層
でありCdSO3,CdS e O3等をスパッタによ
り成膜したものである。この膜厚は2〜数10nmが望
ましい。
次に上記画像蓄積体への光記録について第4図(a)〜
(C)を用いて述べる。
(C)を用いて述べる。
暗所において透明導電層51をアース又は負として半導
電層55に例えば導電性ブラシ又はロール57 、57
’等を用いて正電荷を第4図(a)のように付与する。
電層55に例えば導電性ブラシ又はロール57 、57
’等を用いて正電荷を第4図(a)のように付与する。
この付与された正電荷はただちに半導電層55を通して
注入される0次に第1図示の露出部材EMが開き画像露
光が行なわれ、光りの当った部分は光導電層52の抵抗
が下がり透明導電層51から負電荷がバリア層を抜は光
導電層52へ注入され第4図(b)の状態となる0次に
露出部材EMが閉じた後透明導電層51をアースに落と
し、このアースと短絡された導電性ブラシまたはロール
59 、59’にて半導電層55を通して暗部の正電荷
と透明導電層51の負電荷を短絡して消去するとともに
、明部の表面電位が0になるように第4図(C)の如く
正負電荷を、半導電層55と透明導電層51へ分布させ
る0次に透明導電層51をアースとしておき、画像蓄積
体4を前述のLED210.211で全面露光すると、
光電導層52の電気抵抗が下がり、この層の両端の正負
電荷が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第4図
(d)の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録
が行われる。
注入される0次に第1図示の露出部材EMが開き画像露
光が行なわれ、光りの当った部分は光導電層52の抵抗
が下がり透明導電層51から負電荷がバリア層を抜は光
導電層52へ注入され第4図(b)の状態となる0次に
露出部材EMが閉じた後透明導電層51をアースに落と
し、このアースと短絡された導電性ブラシまたはロール
59 、59’にて半導電層55を通して暗部の正電荷
と透明導電層51の負電荷を短絡して消去するとともに
、明部の表面電位が0になるように第4図(C)の如く
正負電荷を、半導電層55と透明導電層51へ分布させ
る0次に透明導電層51をアースとしておき、画像蓄積
体4を前述のLED210.211で全面露光すると、
光電導層52の電気抵抗が下がり、この層の両端の正負
電荷が消去され、絶縁層53をはさむ電荷のみが第4図
(d)の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録
が行われる。
前記1画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパッター法を用いて一括作成する為、蓄積体が非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体(光導電
体)を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ10倍以上引き上げられることになった。
スパッター法を用いて一括作成する為、蓄積体が非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体(光導電
体)を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ10倍以上引き上げられることになった。
第5図および第6図に上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部1の詳細を示しこの動作1例につい
て第1図5第2図を用いて述べる。
構成における記録部1の詳細を示しこの動作1例につい
て第1図5第2図を用いて述べる。
被写体を決め、第2図におけるシャッタスイッチ13を
ハーフスイッチングの状態にすることにより第5図、第
6図における帯電ブラシローラ57と接地ブラシ5γと
の間で電圧印加するとともに駆動コイル503.504
を作動しフィルムを図示矢印6o方向に送る。
ハーフスイッチングの状態にすることにより第5図、第
6図における帯電ブラシローラ57と接地ブラシ5γと
の間で電圧印加するとともに駆動コイル503.504
を作動しフィルムを図示矢印6o方向に送る。
これにより、まず画像蓄積体4上を一様に帯電する6次
にシャッタスイッチ13をフルスイッチングの状態にす
ることにより露出部材EMを作動し、光学系11を通し
て画像蓄積体4を必要光量露光し、第4図(b)の状態
で画像を記録する0次にシャッタスイッチ13を解除す
ると、再度駆動コイル503,504が作動し、フィル
ムを矢示60方向に1画面分移動するとともに接地ブラ
シ59.59’により全面除電を行ない第4図(C)の
状態で画像が保持蓄積状IEとなる。この後矢示60と
反対方向にフィルムを1画面分戻すことにより、次画面
の画像記録の上記一様帯電のプロセスに都合の良い位置
に保持する。
にシャッタスイッチ13をフルスイッチングの状態にす
ることにより露出部材EMを作動し、光学系11を通し
て画像蓄積体4を必要光量露光し、第4図(b)の状態
で画像を記録する0次にシャッタスイッチ13を解除す
ると、再度駆動コイル503,504が作動し、フィル
ムを矢示60方向に1画面分移動するとともに接地ブラ
シ59.59’により全面除電を行ない第4図(C)の
状態で画像が保持蓄積状IEとなる。この後矢示60と
反対方向にフィルムを1画面分戻すことにより、次画面
の画像記録の上記一様帯電のプロセスに都合の良い位置
に保持する。
尚第1図、第5図において保持容器102はガラス等に
より形成するが該保持容器102は少なくとも画像記録
部1においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像光にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことかりましい。
より形成するが該保持容器102は少なくとも画像記録
部1においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像光にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことかりましい。
または上記保持容器102の光路部分を直接レンズとし
て加工することも可能である。
て加工することも可能である。
尚、第5図、第6図においてブラシローラ57.57’
、59.59’は前記した電圧印加を行なうとともに画
像蓄積体4に対し軽いテンションをかけるように為され
ており画像露光、あるいは後述の電子ビーム走査に対し
て常に一定角、好ましくは光路の軸に対して直角に保つ
ようにする−このようにナスこJ−でili橡ジロー錦
出しに対しての解像度が良好に保てる。
、59.59’は前記した電圧印加を行なうとともに画
像蓄積体4に対し軽いテンションをかけるように為され
ており画像露光、あるいは後述の電子ビーム走査に対し
て常に一定角、好ましくは光路の軸に対して直角に保つ
ようにする−このようにナスこJ−でili橡ジロー錦
出しに対しての解像度が良好に保てる。
尚、このように蓄積体4に対する帯電、除電の為のロー
ラ又はブラシを蓄積体4の記録部lの平面性を出す為の
テンションローラと兼用することにより、構成を簡略化
することができる。
ラ又はブラシを蓄積体4の記録部lの平面性を出す為の
テンションローラと兼用することにより、構成を簡略化
することができる。
又、第6図(a)のように帯電又は除電の為のローラ又
はブラシの内の接地された一方のローラ又はブラシを有
効画面EF(電子ビームによる走査画面範囲)の外側、
かつフィルム状蓄積体4の巾方向の端部に設け、又、こ
れに対応してフィルム状の蓄積体4の層の構造を第6図
(b)の如くしたので構成がより簡略化される効果を有
する。
はブラシの内の接地された一方のローラ又はブラシを有
効画面EF(電子ビームによる走査画面範囲)の外側、
かつフィルム状蓄積体4の巾方向の端部に設け、又、こ
れに対応してフィルム状の蓄積体4の層の構造を第6図
(b)の如くしたので構成がより簡略化される効果を有
する。
尚、ここで前記画像蓄積体4での記録画像の保持は前記
第4図(C)のプロセス終了状態での保存が望ましい、
前記第4図(C)に示す様に画像蓄積体4の表面を外部
に電界が生じない(接地)電位にしておくことで、画像
蓄積体48−フィルムに1.で4霧すAS、に皇耐スと
A 楠の屯なりあった画像と互いに′#響を及ぼさず、
良好な画像の保持がなされるからである。特に後述する
ように、基体56および導電層51を合わせた導電基体
を使用する場合にはこの良好な保持効果が大きい。
第4図(C)のプロセス終了状態での保存が望ましい、
前記第4図(C)に示す様に画像蓄積体4の表面を外部
に電界が生じない(接地)電位にしておくことで、画像
蓄積体48−フィルムに1.で4霧すAS、に皇耐スと
A 楠の屯なりあった画像と互いに′#響を及ぼさず、
良好な画像の保持がなされるからである。特に後述する
ように、基体56および導電層51を合わせた導電基体
を使用する場合にはこの良好な保持効果が大きい。
もちろん第4図(d)に示す状態での保持も可能である
。
。
を記においては1画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。
又1以上述べて来た画像蓄積体4の記録方法において、
該蓄積体4の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用いて
いたが、別途手段として本発明の画像記録システムに内
蔵する電子銃23を用いることもできる。この場合の帯
電方法を第3図を用いて述べる。
該蓄積体4の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用いて
いたが、別途手段として本発明の画像記録システムに内
蔵する電子銃23を用いることもできる。この場合の帯
電方法を第3図を用いて述べる。
電子#c23を用いた場合は、導電層51を背面電極と
することになり加速電圧により画像蓄積体4の半導電層
55に付与される電荷の極性が変化する。すなわち帯電
時に画像蓄積体4付近にあらかじめコレクタ電極を設け
るか、又は除帯電時のみコレクタ電極を設け、この電極
の電圧を十分高くすると共に、電子ビームを低速電子ビ
ームとすれば、初期に該半導電膜55の表面がOvとす
ると、ある電圧vA以下の加速電圧迄は電子銃から半導
電層55に向う1次電子の量が、衝突によって発生する
2次電子の量よりも多いため、半導電層を負に帯電する
こととなる。又、加速電圧がvAの場合、1次電子と2
次電子の量がほぼ拮抗しており、該半導電層の表面はO
vの状態となる。さらに加速電圧を上でvAより大きく
なると、入力1次電子よりも2次電子の方が多く放出す
る為、該半導電層の表面は正に帯電することになる。こ
のvAの値は材料によって異なるが該半導電層の下部が
絶縁層53からなる為約20〜50Vの値である。また
、上記方法はあくまでもコレクタ電圧が正で十分高いこ
とにより2次電子がほとんど捕集される為に可能な方法
である。
することになり加速電圧により画像蓄積体4の半導電層
55に付与される電荷の極性が変化する。すなわち帯電
時に画像蓄積体4付近にあらかじめコレクタ電極を設け
るか、又は除帯電時のみコレクタ電極を設け、この電極
の電圧を十分高くすると共に、電子ビームを低速電子ビ
ームとすれば、初期に該半導電膜55の表面がOvとす
ると、ある電圧vA以下の加速電圧迄は電子銃から半導
電層55に向う1次電子の量が、衝突によって発生する
2次電子の量よりも多いため、半導電層を負に帯電する
こととなる。又、加速電圧がvAの場合、1次電子と2
次電子の量がほぼ拮抗しており、該半導電層の表面はO
vの状態となる。さらに加速電圧を上でvAより大きく
なると、入力1次電子よりも2次電子の方が多く放出す
る為、該半導電層の表面は正に帯電することになる。こ
のvAの値は材料によって異なるが該半導電層の下部が
絶縁層53からなる為約20〜50Vの値である。また
、上記方法はあくまでもコレクタ電圧が正で十分高いこ
とにより2次電子がほとんど捕集される為に可能な方法
である。
又、画像蓄積体4への帯電が負である場合は、前述の如
く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィラ
メントを別途に設置し。
く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィラ
メントを別途に設置し。
このフィラメントからの熱電子放出を利用することもO
v能である。
v能である。
上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、2次電子放出が1次電子注入を1まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ovとして、これ
を+Vcポルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極に−(Va+α)の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧+Vcを印加しておく、さらに該
画像蓄積体の導電層51をアースに落しておく。このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層55に1次電子ビームが入射するとと記設定では2
次電子放出が1次電子入力よりも多く、かつ、放出した
2次電子がコレクタ電極に全てff+1Ll:t−kk
1+)−り二m410E!+4&>&+ヂ’;Tj”F
、61−一−1r4p+て行く、帯電が進み表面電位が
コレクター電位を越えると2次電子はコレクタ電極へ移
動できなくなり、半導電層に戻り、−次電子の入力分だ
け電位が下がり一定の表面電位Vcが保たれることとな
る。
は、2次電子放出が1次電子注入を1まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ovとして、これ
を+Vcポルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極に−(Va+α)の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧+Vcを印加しておく、さらに該
画像蓄積体の導電層51をアースに落しておく。このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層55に1次電子ビームが入射するとと記設定では2
次電子放出が1次電子入力よりも多く、かつ、放出した
2次電子がコレクタ電極に全てff+1Ll:t−kk
1+)−り二m410E!+4&>&+ヂ’;Tj”F
、61−一−1r4p+て行く、帯電が進み表面電位が
コレクター電位を越えると2次電子はコレクタ電極へ移
動できなくなり、半導電層に戻り、−次電子の入力分だ
け電位が下がり一定の表面電位Vcが保たれることとな
る。
次に、半導電層55を負に帯電する場合について述べる
。この場合帯電電位を−Vcポルトとすると、鍮極電位
は−(VA+VC+α)ボルトに設定する。但し半導電
層55の表面電位は概略Ovであるとする。この場合、
放出される2次電子は全て半導電層に戻る為1次電子の
入力分だけ半導電層は負に帯電していく、そして−Vc
ポルトよりも低い電位になると、コレクター電極の電位
が半導電層の表面電位に対し相対的に正になる為、2次
電子が捕集され、正に半導電層が帯電されることとなる
。よって−Vcポルトに安定帯電される。
。この場合帯電電位を−Vcポルトとすると、鍮極電位
は−(VA+VC+α)ボルトに設定する。但し半導電
層55の表面電位は概略Ovであるとする。この場合、
放出される2次電子は全て半導電層に戻る為1次電子の
入力分だけ半導電層は負に帯電していく、そして−Vc
ポルトよりも低い電位になると、コレクター電極の電位
が半導電層の表面電位に対し相対的に正になる為、2次
電子が捕集され、正に半導電層が帯電されることとなる
。よって−Vcポルトに安定帯電される。
以上のように電子銃を用いて帯電を行なうと、ブラシ、
ロール等に比べより均一な帯電が′errt1t!ニす
ると#ニ、 tr雷蒔間も糟く、マ帯雷位の制御も容易
になる。
ロール等に比べより均一な帯電が′errt1t!ニす
ると#ニ、 tr雷蒔間も糟く、マ帯雷位の制御も容易
になる。
次に除′屯方法について述べる。上述したようにコレク
ター電極の電位によって帯電が制御できることから、コ
レクター電位をOvに設定すれば除電は可能となる。又
、半導電層が正に帯7「している場合のみコレクター電
位を十分高くして放出2次電子が全て捕集されるように
し、半導電層の帯電電位を+Vsとし、陰極の電位をv
Kとす6と(Vs−VK)<VA、!:A’る条件で電
子ビームの照射を行いvSを徐々にOvに近づけること
により除電することも可能である。但しVS<VAの場
合はVK=Oとして十分な除電が可能である。当然上記
除電において導電層51はアースに落されている。
ター電極の電位によって帯電が制御できることから、コ
レクター電位をOvに設定すれば除電は可能となる。又
、半導電層が正に帯7「している場合のみコレクター電
位を十分高くして放出2次電子が全て捕集されるように
し、半導電層の帯電電位を+Vsとし、陰極の電位をv
Kとす6と(Vs−VK)<VA、!:A’る条件で電
子ビームの照射を行いvSを徐々にOvに近づけること
により除電することも可能である。但しVS<VAの場
合はVK=Oとして十分な除電が可能である。当然上記
除電において導電層51はアースに落されている。
このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる。他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果のメカニカルな手段を使
わずに除帯電できるので構成が簡単となる。
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる。他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果のメカニカルな手段を使
わずに除帯電できるので構成が簡単となる。
除帯電時の電流が少なく低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。
源が小型になるなどの効果も有る。
尚1画像蓄積体4の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシ又はロールを半導電層55に接触さ
せて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわれ
る。
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシ又はロールを半導電層55に接触さ
せて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわれ
る。
他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積体の有
する半導電層を除電用ブラシ又ロールあるいは電子ビー
ムでOvとし透明導電層をOVとして光を全面照射する
ことで可能となる。
する半導電層を除電用ブラシ又ロールあるいは電子ビー
ムでOvとし透明導電層をOVとして光を全面照射する
ことで可能となる。
次に本発明記録装置における画像読出し部2について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭54−299
15号にその1例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭54−299
15号にその1例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。
第1図においてコネクタ3に外部より読み出し部駆動電
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル203が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の続出部属動制御回路
は本実施例の如く記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ100内に設ける様にしても良い。
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル203が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の続出部属動制御回路
は本実施例の如く記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ100内に設ける様にしても良い。
読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体4に入射すると2次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々0.lI
L以内の領域で発生したものである。ところが、その外
部に放出する2次電子は画像蓄積体の表面電位に影響さ
れる。即ち1表面型位が正であれば前記2次電子はそれ
により引きつけられるため放出され難く、又、電位がマ
イナスであれば逆に反発され2次電子量は増加する。従
って、画像担持体に電子ビーム5を入射する時、前記感
光板近傍に2次電子集束用のメツシュ電極200を設け
れば電極200の出力は電子ビームの当っている個所の
表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画像
M植体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換し
たものとなる。電子ムの走査が電子レンズにより純電気
的に行なわれること、ビーム径が数μ以下に容易に絞れ
ることから高分解能である事など多数の利点を有する。
像蓄積体4に入射すると2次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々0.lI
L以内の領域で発生したものである。ところが、その外
部に放出する2次電子は画像蓄積体の表面電位に影響さ
れる。即ち1表面型位が正であれば前記2次電子はそれ
により引きつけられるため放出され難く、又、電位がマ
イナスであれば逆に反発され2次電子量は増加する。従
って、画像担持体に電子ビーム5を入射する時、前記感
光板近傍に2次電子集束用のメツシュ電極200を設け
れば電極200の出力は電子ビームの当っている個所の
表面電位に対応したものとなる。即ち、この出力は画像
M植体に記録された画像情報を時系列電気信号に変換し
たものとなる。電子ムの走査が電子レンズにより純電気
的に行なわれること、ビーム径が数μ以下に容易に絞れ
ることから高分解能である事など多数の利点を有する。
又、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の潜
像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能であ
る。
像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能であ
る。
第7図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第7図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃301から電子ビーム5が出
ると図示の集束用コイル302、集束電極303によっ
て集束され、偏向用コイル304により偏向され、画像
蓄積体4上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム5′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム5′は電
るため、これをダイノード305で受けることによりこ
こから発生する二次電子を多段で増巾した後、コレクタ
306から電気信号として取り出すことが出来る。
例である。第7図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃301から電子ビーム5が出
ると図示の集束用コイル302、集束電極303によっ
て集束され、偏向用コイル304により偏向され、画像
蓄積体4上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム5′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム5′は電
るため、これをダイノード305で受けることによりこ
こから発生する二次電子を多段で増巾した後、コレクタ
306から電気信号として取り出すことが出来る。
本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上1以上に留どめる
。
はその他にも考え得るが説明の便宜上1以上に留どめる
。
次に前記の第3図、第4図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部2の動作について第1図
〜第4図を用いて説明する。
発明に適用した場合の読取り部2の動作について第1図
〜第4図を用いて説明する。
前記記録部1の動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体4は、第4図(C)に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。
積体4は、第4図(C)に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。
ここで記録再生装51204への接続がコネクタ3,2
02によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を
開始する。
02によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を
開始する。
これにより上記の状態で保持されたフィルムの画像は、
長時間の保存により、第4図(d)に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第4図(ci)に示す潜
像の状態になっていることもありうるが、本実施例では
、画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出す画
像面をLED210,211一定時間全面露光し、より
良好な表面電位パターン(第4図(d))としての静電
潜像にする。
長時間の保存により、第4図(d)に示す全面露光がな
くとも、感光層の暗減衰により第4図(ci)に示す潜
像の状態になっていることもありうるが、本実施例では
、画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出す画
像面をLED210,211一定時間全面露光し、より
良好な表面電位パターン(第4図(d))としての静電
潜像にする。
次に電子ビーム走査をなすことにより、前述の二次電子
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。
したがって画像をCRTで確認したり、またはプリンタ
で出力することが可能となる。
で出力することが可能となる。
なお読み出し時において、画像蓄積体から、放出される
二次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す
場合、前記で示した像形成方法において、光導電層はP
型あるいは両極性のものを用いても良く、また第4図(
a)における表面全面帯電を負帯電としても良い。
二次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す
場合、前記で示した像形成方法において、光導電層はP
型あるいは両極性のものを用いても良く、また第4図(
a)における表面全面帯電を負帯電としても良い。
第8図は記録再生装置204の構成例を示す図で、40
0はACコード、401はAC/DCコンバータ、40
2は電源回路、403は集束、偏向回路404は同期信
号発生回路、405はプロセス処理回路、406は変調
回路407は記録再生切換スイッチ、408は記録再生
ヘッド、409はディスクモーター、410は復調回路
、411はマトリクス回路、412はエンコーダー、4
13はディスク状記録媒体である。
0はACコード、401はAC/DCコンバータ、40
2は電源回路、403は集束、偏向回路404は同期信
号発生回路、405はプロセス処理回路、406は変調
回路407は記録再生切換スイッチ、408は記録再生
ヘッド、409はディスクモーター、410は復調回路
、411はマトリクス回路、412はエンコーダー、4
13はディスク状記録媒体である。
コード400より供給されるAC電源はAC/DCコン
バータで直流に変換された後頁に電源回路402で適当
な電圧に変換されて各回路に供給される。
バータで直流に変換された後頁に電源回路402で適当
な電圧に変換されて各回路に供給される。
又、ケーブル203を介してコネクタ202にも電源を
導いている。集束偏向回路403は同期信号発生装置4
04からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用の
調波を形成し、これをやはりケーブル203を介してコ
ネクタ202に導く。
導いている。集束偏向回路403は同期信号発生装置4
04からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用の
調波を形成し、これをやはりケーブル203を介してコ
ネクタ202に導く。
た画像信号はプロセス処理回路405でα補正、アパー
チャ補正、黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各
種補正を加えたのち変調回路406において記録に適し
た変調を加えスイッチ407、ヘッド408を介して媒
体413に1トラツクに1フイ一ルド分記録される。再
生時はヘッド408から読み出された信号は復調回路で
再び元の信号に戻された後、エンコーダで標準テレビジ
ョン信号(例えばNTSC信号)の変換した後出力端子
412に導かれる。
チャ補正、黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各
種補正を加えたのち変調回路406において記録に適し
た変調を加えスイッチ407、ヘッド408を介して媒
体413に1トラツクに1フイ一ルド分記録される。再
生時はヘッド408から読み出された信号は復調回路で
再び元の信号に戻された後、エンコーダで標準テレビジ
ョン信号(例えばNTSC信号)の変換した後出力端子
412に導かれる。
従ってこのNTSC出力端子412にTV受像機を接続
することにより画像を1フイールドずつモニターできる
。
することにより画像を1フイールドずつモニターできる
。
勿論ディスク状媒体に2フイールドずつ記録しておけば
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。
これをフレーム画像として読み出しモニターすることも
できる。
尚、ここでエンコーダーはPALやSECAM方式に対
応したものであっても良いことは言うまでもない。
応したものであっても良いことは言うまでもない。
包l QIVI 値 +1’1rls’ll斗
÷Xλ旧^中を−心4 小 違 −ケ変形例であり
、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画像
記録体4の同一側の面としたものである。図示する構成
は画像蓄積体4が潜像パターンを記憶出来、かつ容器1
02内に複数画像性の蓄積部を有していることと相俟っ
て大きな効果を出すものである。
÷Xλ旧^中を−心4 小 違 −ケ変形例であり
、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画像
記録体4の同一側の面としたものである。図示する構成
は画像蓄積体4が潜像パターンを記憶出来、かつ容器1
02内に複数画像性の蓄積部を有していることと相俟っ
て大きな効果を出すものである。
第9図は、前記第5図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を1111記の電子
ビーム走査面と同一としたために第3図における基体5
6、導電層51を透明にする必要がなく、たとえば基体
56および導電層に持ってこれるのでカメラの光軸方向
の構成をコンパクトにすることができる。尚この場合前
記像露光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体
上にブラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望
ましい、又、図においてアースをとる為のブラシ、ロー
ラー59’ 、 57’はどちらか一方でも良い。
もので、画像記録のための像露光面を1111記の電子
ビーム走査面と同一としたために第3図における基体5
6、導電層51を透明にする必要がなく、たとえば基体
56および導電層に持ってこれるのでカメラの光軸方向
の構成をコンパクトにすることができる。尚この場合前
記像露光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体
上にブラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望
ましい、又、図においてアースをとる為のブラシ、ロー
ラー59’ 、 57’はどちらか一方でも良い。
第10図は、第9図に示した構成の更なる変形例であり
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化するこができる。
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化するこができる。
第9図(b)は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた2次電子を検出する例として挙げ、2次電子を
検出するコレクタCHDをメツシュ電極の代わりに設け
た例を示した。
に応じた2次電子を検出する例として挙げ、2次電子を
検出するコレクタCHDをメツシュ電極の代わりに設け
た例を示した。
また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極600および接地電極57′の一構成例を示
した。尚700は交換レンズである。
に透明電極600および接地電極57′の一構成例を示
した。尚700は交換レンズである。
第11図はフィルムローディング手段の他の実施例を示
す、第11図例では第2図に示したローディング手段に
おけるマグネット501゜502と駆動コイル503,
504の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器10
2内に駆動コイル601を容器102外の支持フレーム
605にマグネット602を設けたものである駆動コイ
ル601は第ti図に示す通電ブラシ603により電流
が供給される。第2図及び第11図に示す構成は通常の
DCモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動するこ
とが出来る。
す、第11図例では第2図に示したローディング手段に
おけるマグネット501゜502と駆動コイル503,
504の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器10
2内に駆動コイル601を容器102外の支持フレーム
605にマグネット602を設けたものである駆動コイ
ル601は第ti図に示す通電ブラシ603により電流
が供給される。第2図及び第11図に示す構成は通常の
DCモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動するこ
とが出来る。
ここで第11図実施例に対して更に以下の様にすること
で本発明画像記録システムに改良を与えることができる
。すなわち前記マグネット602を画像読取り時には、
容器102より離間しうる構成にするものである。この
様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグネ
ット602が磁気的に悪影響を与えない様にすることが
できる。
で本発明画像記録システムに改良を与えることができる
。すなわち前記マグネット602を画像読取り時には、
容器102より離間しうる構成にするものである。この
様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグネ
ット602が磁気的に悪影響を与えない様にすることが
できる。
第12図に上記マグネット602を離間させるための手
段の一例を示す、第12図例では、マグネツ)602を
取りつけた支持フレーム605をコネクタ3のM2O1
’と兼ねた構成にしたものである0画像担持体4への画
像記録終了後、読出し時においてコネクタ3に外部から
のコネクタ202を接続する為に前記蓋201’に支持
フレーム605全体を装置外装に対して下にスライドす
ることにより、前記マグネット602も同時に容器10
2より離間する様にするものである。
段の一例を示す、第12図例では、マグネツ)602を
取りつけた支持フレーム605をコネクタ3のM2O1
’と兼ねた構成にしたものである0画像担持体4への画
像記録終了後、読出し時においてコネクタ3に外部から
のコネクタ202を接続する為に前記蓋201’に支持
フレーム605全体を装置外装に対して下にスライドす
ることにより、前記マグネット602も同時に容器10
2より離間する様にするものである。
又、支持フレーム605はマグネットの離間時紛失しな
いように例えば紐などで本体につないでおくことが望ま
しい。
いように例えば紐などで本体につないでおくことが望ま
しい。
第20図はフィルム巻き取りを手動にした1例を示す0
図示例においては巻き上げレバー700によりマグネッ
ト701を回転させ、これにともない画像蓄積体4の巻
き取り軸702に固定したマグネット702を回転させ
る様にしたものである。
図示例においては巻き上げレバー700によりマグネッ
ト701を回転させ、これにともない画像蓄積体4の巻
き取り軸702に固定したマグネット702を回転させ
る様にしたものである。
本例の様に手動巻上げレバー700を設けたことにより
第1、第2図の例で示した記録部の動作のうち、たとえ
ば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻き
上げレバーに運動させて行えば良く、シャッタスイッチ
と分離することで誤動作等を少なくすることも出来る。
第1、第2図の例で示した記録部の動作のうち、たとえ
ば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻き
上げレバーに運動させて行えば良く、シャッタスイッチ
と分離することで誤動作等を少なくすることも出来る。
+’!4 宣*IM11’に’llh架’i −II
/ VEt 7 (I A G?グネット701,70
3と少なくともビーム走査部21の間に設けているので
ビーム走査に障害を!j−えることがない、勿論容器1
02外に設けても良い。
/ VEt 7 (I A G?グネット701,70
3と少なくともビーム走査部21の間に設けているので
ビーム走査に障害を!j−えることがない、勿論容器1
02外に設けても良い。
第20図においては読取り時においては巻き上げレバー
全体を上に引き上げる様にすることでマグネツ)701
を前記と同様、容器102より離間することが出来る。
全体を上に引き上げる様にすることでマグネツ)701
を前記と同様、容器102より離間することが出来る。
第21図は本発明において更にカメラ100と読取部2
000とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の接
合部材1001.1002を用いて合体可能としたもの
である。ここでカメラ100および読取部2000の合
体は交換レンズ部1010を取り外して行なう。
000とを取り外し可能としたもので、両者を夫々の接
合部材1001.1002を用いて合体可能としたもの
である。ここでカメラ100および読取部2000の合
体は交換レンズ部1010を取り外して行なう。
このようにすることで記録部(カメラ)のもち運びは更
に便利になる。カメラ(記録部)lOOには前述までの
記録方法に示したような必要な帯電平野、フィルム駆動
手段、その他のけた。カメラ100により画像記録後、
読取時にはレンズ部1010を取り外し、代わりに読取
部2000と結合するが、このときフィルムと、読取部
2000の多列ピン電極1020を有する接合プレー)
1021と密着させる。弾性部材1030はこの密着を
確実とするために設けたものである多列ピン電極102
0はそれぞれのビン同士が互いに横方向に接触せずに、
高密度に配列されそれぞれ独立して接合プレート102
1の表裏で電気的導通をとるもので、これにより前記フ
ィルム上の潜像を、前記電子ビームで読取ることが出来
る。
に便利になる。カメラ(記録部)lOOには前述までの
記録方法に示したような必要な帯電平野、フィルム駆動
手段、その他のけた。カメラ100により画像記録後、
読取時にはレンズ部1010を取り外し、代わりに読取
部2000と結合するが、このときフィルムと、読取部
2000の多列ピン電極1020を有する接合プレー)
1021と密着させる。弾性部材1030はこの密着を
確実とするために設けたものである多列ピン電極102
0はそれぞれのビン同士が互いに横方向に接触せずに、
高密度に配列されそれぞれ独立して接合プレート102
1の表裏で電気的導通をとるもので、これにより前記フ
ィルム上の潜像を、前記電子ビームで読取ることが出来
る。
この実施例の如く、本発明は記録部と読取り部とが切り
離し可能なものも含む、このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。
離し可能なものも含む、このように本発明の実施例では
記録部と読取り部とは互いにそれぞれの状態を変化させ
ることなく独立に駆動可能とした点に最大の特徴を有し
ている。
すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラ1
00から取り出して読取り部の容器102内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録14生が極めて複雑化し商品とし
て成り立ちにくいが1本発明によれば記録部における記
録動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立
させ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状
態を変えることなくそのまま(第1図示実施例のように
初めから容器内に入っているものも含む)蓄積体の記録
情報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々
即時にできる。
00から取り出して読取り部の容器102内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録14生が極めて複雑化し商品とし
て成り立ちにくいが1本発明によれば記録部における記
録動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立
させ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状
態を変えることなくそのまま(第1図示実施例のように
初めから容器内に入っているものも含む)蓄積体の記録
情報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々
即時にできる。
次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。
例について詳述する。
第13図は本発明に用いる画像蓄積体4の縦断面図であ
って、全体はフィルム形状をなしており、56の透明な
基体フィルム上に透明導電!j51.N型光導電体層5
2透明絶縁性53、P型光導体層54.半導電層55を
積層したものである。以下各層について述べると、基体
56は十分な屈曲性と・透光性あり、かつフィルない材
質からなる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポ
リイミド等の高分子フィルムが好ましい、また、上記特
性を満足させる為フィルムの厚みはポリエチレンテレフ
タレートの場合10〜50pmが望ましく、ポリイミド
フィルムでは5〜50#Lmが望ましい、透明導電層5
1は酸化スズあるいは酸化インジウム又はこれに若干の
酸化スズを含むものが用いられる。
って、全体はフィルム形状をなしており、56の透明な
基体フィルム上に透明導電!j51.N型光導電体層5
2透明絶縁性53、P型光導体層54.半導電層55を
積層したものである。以下各層について述べると、基体
56は十分な屈曲性と・透光性あり、かつフィルない材
質からなる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポ
リイミド等の高分子フィルムが好ましい、また、上記特
性を満足させる為フィルムの厚みはポリエチレンテレフ
タレートの場合10〜50pmが望ましく、ポリイミド
フィルムでは5〜50#Lmが望ましい、透明導電層5
1は酸化スズあるいは酸化インジウム又はこれに若干の
酸化スズを含むものが用いられる。
この層は公知のスパッタ等の方法により成膜されたもの
であり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数1
0〜数1100nが望ましい。
であり、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数1
0〜数1100nが望ましい。
N型光導電体層52は、CdS、CdSe 。
ZnO等のNタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタ
によって形成したものであって光の受容により十分な電
子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、
光の内部拡散が゛無視できる厚さに成膜されている0例
えば1100n〜数pmの範囲がψましい0次に絶縁層
53はS i O2、M g O等の高絶縁性の薄膜で
、7パ・ソ々笛の1妹じ1番1濤睡六にスー贈の匣みは
十分な絶縁性を持たせる為に、数gm〜数11001L
が望ましい0次に、P型光導電体層54は無定形Se、
同5eTe無定形Si等のNタイプの光導電体を蒸着あ
るいはスパッタによって形成したものであり、成膜条件
等はN型先導電体52のそれに準じる。
によって形成したものであって光の受容により十分な電
子・正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、
光の内部拡散が゛無視できる厚さに成膜されている0例
えば1100n〜数pmの範囲がψましい0次に絶縁層
53はS i O2、M g O等の高絶縁性の薄膜で
、7パ・ソ々笛の1妹じ1番1濤睡六にスー贈の匣みは
十分な絶縁性を持たせる為に、数gm〜数11001L
が望ましい0次に、P型光導電体層54は無定形Se、
同5eTe無定形Si等のNタイプの光導電体を蒸着あ
るいはスパッタによって形成したものであり、成膜条件
等はN型先導電体52のそれに準じる。
次に、半導電性膜55は、ガラス等の膜あるいは、KC
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえばtooo木/ m mの解像度の画像であれば
膜厚をaf OOp m〜数10nmにすることが望ま
しい。
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえばtooo木/ m mの解像度の画像であれば
膜厚をaf OOp m〜数10nmにすることが望ま
しい。
次に上記画像蓄積体への光記録について第14図(a)
〜(c)を用いて述べる。
〜(c)を用いて述べる。
暗所において透明導電層51をアース又は負として半導
電層55に導電性ブラシ又はロール257を用いて正電
荷を第14図(a)のように付与する。この付与された
正電荷はただちに半導電層55を通して注入され第14
図(b)の様になる。次に第1図示装置の露出部材EM
による所定量の画像露光が行なわれ、光りの当った部分
は光導電層52.54の抵抗が下がり透明導電層51か
ら負電荷が光導電層52へ注入され、さらに正電荷が光
導電層54へ注入されて、第14図(C)の状態となる
0次に露出部材EMにより遮光をし、更に透明導電層5
1をアースに落とし、これと短絡された導電性ブラシ又
はロール259にて半導電層55を通して暗部の半導電
層55の正電荷と透明導電層51の負電荷を消去すると
共に、明部の表面電位がOになる様に第14図(d)の
如く正負電荷を半導電層55と透明導電層51へ注入す
る0次に透明導電層51をアースとしておき、画像蓄積
体4をLED210,211で全面露光すると、光電導
層52,54の電気抵抗が下がり、この暦の両端の正負
電荷が消去され、絶縁M53をはさむ電荷のみが第14
図(b)の如く残ることとなり、表面を正電位とする記
録が行われる。
電層55に導電性ブラシ又はロール257を用いて正電
荷を第14図(a)のように付与する。この付与された
正電荷はただちに半導電層55を通して注入され第14
図(b)の様になる。次に第1図示装置の露出部材EM
による所定量の画像露光が行なわれ、光りの当った部分
は光導電層52.54の抵抗が下がり透明導電層51か
ら負電荷が光導電層52へ注入され、さらに正電荷が光
導電層54へ注入されて、第14図(C)の状態となる
0次に露出部材EMにより遮光をし、更に透明導電層5
1をアースに落とし、これと短絡された導電性ブラシ又
はロール259にて半導電層55を通して暗部の半導電
層55の正電荷と透明導電層51の負電荷を消去すると
共に、明部の表面電位がOになる様に第14図(d)の
如く正負電荷を半導電層55と透明導電層51へ注入す
る0次に透明導電層51をアースとしておき、画像蓄積
体4をLED210,211で全面露光すると、光電導
層52,54の電気抵抗が下がり、この暦の両端の正負
電荷が消去され、絶縁M53をはさむ電荷のみが第14
図(b)の如く残ることとなり、表面を正電位とする記
録が行われる。
この記録方法によれば蓄積された電荷像が。
第14図(e)に示される様に、画像蓄積体内部に保持
されるため暗所で放置する限り、その保存性が向上され
る。
されるため暗所で放置する限り、その保存性が向上され
る。
次に第15図を用いて第13図にて説明した画像蓄積体
4の変形例と記録方法について説明を加える。第15図
に示す画像蓄積体4は第13図示の画像蓄積体4のうち
、半導電層55の代りにP型光導電体層54に接する面
を導電層とした電極プレート59に置き変えたものであ
り、他の構成は画像蓄積体32と同じものである。電極
プレート59はガラス等の基板に酸化スズ、酸化インジ
ウム、あるいはこれらの混合体をスパッタ等により成膜
した導電層を持つものである。
4の変形例と記録方法について説明を加える。第15図
に示す画像蓄積体4は第13図示の画像蓄積体4のうち
、半導電層55の代りにP型光導電体層54に接する面
を導電層とした電極プレート59に置き変えたものであ
り、他の構成は画像蓄積体32と同じものである。電極
プレート59はガラス等の基板に酸化スズ、酸化インジ
ウム、あるいはこれらの混合体をスパッタ等により成膜
した導電層を持つものである。
この場合の記録法について第15図(a)〜(d)を用
いて説明する。
いて説明する。
透明導電層51を負、電極プレート59を正としてパル
ス状の電圧を印加し同時に露出部材EMによる画像露光
を行なうと、15図(a)のように、光りの当った部分
は光導電体52.54の抵抗が下がり、透明導電層51
から負電荷が光導電層52へ注入され、さらに正電荷が
光導電層54へ注入される0次いで露出部材EMによる
露光を停止してからパルス電圧を除去すると第15図(
b)に示すように画像蓄積体4の外部への電位が0にな
るように露光部に当る各導電層に各々逆電荷が注入され
る0次にこの画像蓄積体4に接触している電極プレート
59を該蓄積体4から剥離され第15図(C)のような
状態になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が
可能であるが、さらに該蓄積体4をLED210.21
1で全面露光し第15図(d)のように絶縁層の両端に
のみ電荷を保持する状態にして保存することも可能であ
る。
ス状の電圧を印加し同時に露出部材EMによる画像露光
を行なうと、15図(a)のように、光りの当った部分
は光導電体52.54の抵抗が下がり、透明導電層51
から負電荷が光導電層52へ注入され、さらに正電荷が
光導電層54へ注入される0次いで露出部材EMによる
露光を停止してからパルス電圧を除去すると第15図(
b)に示すように画像蓄積体4の外部への電位が0にな
るように露光部に当る各導電層に各々逆電荷が注入され
る0次にこの画像蓄積体4に接触している電極プレート
59を該蓄積体4から剥離され第15図(C)のような
状態になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が
可能であるが、さらに該蓄積体4をLED210.21
1で全面露光し第15図(d)のように絶縁層の両端に
のみ電荷を保持する状態にして保存することも可能であ
る。
この記録方法によれば帯電及び除電時にブラシ、ロール
等を用いる為フィルムのローディング時のムダな動きが
なく、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。
等を用いる為フィルムのローディング時のムダな動きが
なく、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。
前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。
第16図は電荷発生層として圧電材料を用いた画像蓄積
体4である。記録体の層構成は、透明基体フィルム67
上にこれも透明な導電層61、次に透明絶縁膜62.P
型光導電体63、圧電体層68、N型光導電体64.透
明絶縁膜65、半導電層66の各層を積層したものであ
る。透明基体フィルム67は前述の基体フィルム56と
同じものであって、十分な透光性と強度争屈曲性を有し
ており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フィルム等が好ましい、透明導電層61は厚さ数
lO〜数1100nの酸化インジウム、あるいはこれに
若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透光性を有
する0次に透明絶縁膜62.65は5i02.MgO等
の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリング等により
薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚みは十分な
透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調整される。
体4である。記録体の層構成は、透明基体フィルム67
上にこれも透明な導電層61、次に透明絶縁膜62.P
型光導電体63、圧電体層68、N型光導電体64.透
明絶縁膜65、半導電層66の各層を積層したものであ
る。透明基体フィルム67は前述の基体フィルム56と
同じものであって、十分な透光性と強度争屈曲性を有し
ており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フィルム等が好ましい、透明導電層61は厚さ数
lO〜数1100nの酸化インジウム、あるいはこれに
若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透光性を有
する0次に透明絶縁膜62.65は5i02.MgO等
の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリング等により
薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚みは十分な
透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調整される。
望ましくは数100〜数tooo人である。
次に、半導電性膜66は、ガラス等の膜、あるいはKC
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえば1000木/ m mの解像度の画像であれば
膜厚を数1100p〜数10nmにすることが望ましい
。
l(塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜
厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の
厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、
たとえば1000木/ m mの解像度の画像であれば
膜厚を数1100p〜数10nmにすることが望ましい
。
次に圧電体層68はPb (Zr、Ti)03セラミツ
クスあるいはBaTiO3セラミックスの薄層であり、
それぞれ10gm以下の厚みであれば十分な透光性を有
する。又、十分な圧電性を保障する為5000Å以上の
厚みがあれば良い。又、この圧電体層は成膜後電荷発生
方向を考慮して十分ポーリングされている。P型光導電
層63は無定形5eTe合金、あるいは無定形Si等か
らなるポジタイプの光導電体でN 5光導’it Fa
64 ハ、CdS、CdSe、ZnO等からなるネガタ
イプの光導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。
クスあるいはBaTiO3セラミックスの薄層であり、
それぞれ10gm以下の厚みであれば十分な透光性を有
する。又、十分な圧電性を保障する為5000Å以上の
厚みがあれば良い。又、この圧電体層は成膜後電荷発生
方向を考慮して十分ポーリングされている。P型光導電
層63は無定形5eTe合金、あるいは無定形Si等か
らなるポジタイプの光導電体でN 5光導’it Fa
64 ハ、CdS、CdSe、ZnO等からなるネガタ
イプの光導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。
又、膜厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれ
ば良く、望ましくは1000人〜数p、mの範囲で適宜
調整されている0次に記録方法について以下に詳述する
。簡単のため基体フィルム67を除いたもので第17図
(a)〜(d)を用いて説明する。まず第17図(a)
に示すように矢印Aの方向に記録体4全体に張力Fを加
えるか、又は記録体4の積層方向に圧力Fを加える。こ
の時、加えられる力Fによって圧電体M68にあらかじ
めポーリングしておいた方向に正負の電荷が図のように
発生する0次に、暗所゛において透明導電層61をアー
ス又は負とし、半導電層66は導電性ブラシ又はロール
57を用いて導電W!61が負、半導電層66が正にな
るようにバイアス電圧をかけた後に像露光58を行う。
ば良く、望ましくは1000人〜数p、mの範囲で適宜
調整されている0次に記録方法について以下に詳述する
。簡単のため基体フィルム67を除いたもので第17図
(a)〜(d)を用いて説明する。まず第17図(a)
に示すように矢印Aの方向に記録体4全体に張力Fを加
えるか、又は記録体4の積層方向に圧力Fを加える。こ
の時、加えられる力Fによって圧電体M68にあらかじ
めポーリングしておいた方向に正負の電荷が図のように
発生する0次に、暗所゛において透明導電層61をアー
ス又は負とし、半導電層66は導電性ブラシ又はロール
57を用いて導電W!61が負、半導電層66が正にな
るようにバイアス電圧をかけた後に像露光58を行う。
この時、圧電体層68の両端の正負電荷は光の当った部
分の光導電体の抵抗が下がり、バイアス電圧により同図
(b)に示すごとく、おのおのの光導電体層と絶縁層の
界面迄移動する0次にこの記録体にかかっている圧力を
除去すると非露光部の圧電体層にのこっている電荷がな
くなり露光部には逆電荷が発生し同図(C)に示す状態
となる0次に導電層61と66を半導電層側は導電ブラ
シ又はロール5γを用いて短絡してアースに落とすこと
で前述の光が当った部分のみ電荷が保持され記録材上に
同図(d)に示す静電像が保存されしかも表面電位はゼ
ロボルトとすることができる。
分の光導電体の抵抗が下がり、バイアス電圧により同図
(b)に示すごとく、おのおのの光導電体層と絶縁層の
界面迄移動する0次にこの記録体にかかっている圧力を
除去すると非露光部の圧電体層にのこっている電荷がな
くなり露光部には逆電荷が発生し同図(C)に示す状態
となる0次に導電層61と66を半導電層側は導電ブラ
シ又はロール5γを用いて短絡してアースに落とすこと
で前述の光が当った部分のみ電荷が保持され記録材上に
同図(d)に示す静電像が保存されしかも表面電位はゼ
ロボルトとすることができる。
以上のように内部発生電荷により記録を行なう為蓄積体
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。更に感光体が電極と触れ
ない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。
の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他のタイプ
に比べ表面電位が高くとれる。更に感光体が電極と触れ
ない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともできる。
次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。
合の他の例について詳述する。
CdS、CdSe 、ZnO,ZnTe等の光導電体は
通常バインダーと混合して、光導電体として用いること
が多いが、スパッタ等の方法により結晶性を高めて成膜
し、ポーリングを行うか又は結晶性が悪い場合でも強電
界により強くポーリングさせておくことにより圧電性光
半導体として用いることが可能となる。第18図にこの
圧電性光導電体を用いた画像蓄積体4の縦断面図を示す
0画像蓄積体4の構成は、透明基体フィルム75上に透
明導電層74、N型の圧7L性先光導電73、絶縁層7
2、半導電層71を積層したものである。以下各層につ
いて述べると、基体73は十分な屈曲性と透光性があり
、かつフィルムローディング時の張力によって切断する
ことない材質からなる。たとえばポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド等の高分子フィルムが好ましい、ま
た、上記特性を満足させる為フィルムの厚みはポリエチ
レンテレフタレートの場合10〜50ILmが望ましく
、ポリイミドフィルムでは5〜50ILmが望ましい、
透明導電層74は酸化スズあるいは酸化インジウム又は
これに若干の酸化スズを含むものが用いられる。この層
は公知のスパッタ等の方法により成膜されたものであり
、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数10〜数
1100nが望ましい。
通常バインダーと混合して、光導電体として用いること
が多いが、スパッタ等の方法により結晶性を高めて成膜
し、ポーリングを行うか又は結晶性が悪い場合でも強電
界により強くポーリングさせておくことにより圧電性光
半導体として用いることが可能となる。第18図にこの
圧電性光導電体を用いた画像蓄積体4の縦断面図を示す
0画像蓄積体4の構成は、透明基体フィルム75上に透
明導電層74、N型の圧7L性先光導電73、絶縁層7
2、半導電層71を積層したものである。以下各層につ
いて述べると、基体73は十分な屈曲性と透光性があり
、かつフィルムローディング時の張力によって切断する
ことない材質からなる。たとえばポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド等の高分子フィルムが好ましい、ま
た、上記特性を満足させる為フィルムの厚みはポリエチ
レンテレフタレートの場合10〜50ILmが望ましく
、ポリイミドフィルムでは5〜50ILmが望ましい、
透明導電層74は酸化スズあるいは酸化インジウム又は
これに若干の酸化スズを含むものが用いられる。この層
は公知のスパッタ等の方法により成膜されたものであり
、透光性及び十分な導電性が得られる厚みで数10〜数
1100nが望ましい。
圧電性N型光導電体層73は、CdS、CdSe、Zn
O等のNタイプの光導電体をスパッタ等の例えばusP
4,363,711に示される公知の方法によって形成
したものであって、MHzオーダーの周波数の外場中で
上記CdS等の単分子層をRFスパッタによって積層し
たものである。さらにこの成膜した感光層は成膜後強い
直渣電場中において所望する向きに第1圧電性を示す様
にポーリングされる。また光の受容により十分な電子中
正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性力9確保され、光
の内部拡散を無視できる程度の厚さに成膜されている。
O等のNタイプの光導電体をスパッタ等の例えばusP
4,363,711に示される公知の方法によって形成
したものであって、MHzオーダーの周波数の外場中で
上記CdS等の単分子層をRFスパッタによって積層し
たものである。さらにこの成膜した感光層は成膜後強い
直渣電場中において所望する向きに第1圧電性を示す様
にポーリングされる。また光の受容により十分な電子中
正孔ペアを発生し、かつ暗部の絶縁性力9確保され、光
の内部拡散を無視できる程度の厚さに成膜されている。
例えば100−数μmの範囲が望ましい0次に絶縁層7
2は、5i02.MgO等の高絶縁性の薄膜で、スパッ
タ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性
を有する為に、数gm−数10gmが望ましい0次に、
半導電性膜71は、ガラス等の膜あるいは、KCl (
塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方
向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さ
が記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、例え
ば1000本/ m mの解像度の画像であれば膜厚を
数1100p〜数10nmにすることが望ましい。
2は、5i02.MgO等の高絶縁性の薄膜で、スパッ
タ等の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性
を有する為に、数gm−数10gmが望ましい0次に、
半導電性膜71は、ガラス等の膜あるいは、KCl (
塩化カリウム)等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方
向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜の厚さ
が記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良く、例え
ば1000本/ m mの解像度の画像であれば膜厚を
数1100p〜数10nmにすることが望ましい。
次に画像蓄積体36への記録方法について第19図(a
)〜(d)を用いて述べる。記録に際しては第19図(
C)に示す、ガラス基板771:に、酸化スズ等の導電
体を蒸着した補助電極80が用いられる。記録はまず同
図(a)に示すように画像蓄積体4を矢印の方向に力F
で引っ張りながらLED210.211で全面に光を与
えその後光を遮断し圧力をなくす。
)〜(d)を用いて述べる。記録に際しては第19図(
C)に示す、ガラス基板771:に、酸化スズ等の導電
体を蒸着した補助電極80が用いられる。記録はまず同
図(a)に示すように画像蓄積体4を矢印の方向に力F
で引っ張りながらLED210.211で全面に光を与
えその後光を遮断し圧力をなくす。
これにより同図(b)に示すようにあらかじめポーリン
グされた方向に圧電性の正負電荷が発生する0次に第1
9図(e)に示すように補助電極80を半導電層71に
導電R76が接するように接触させ、導電層76と74
を短絡しアースに落とし、第1図示装置の露出部材EM
により所定量の露出を行なう、この露光により光の当っ
た部分の圧電性光導電層73の抵抗が下がり、この部分
の蓄積電荷が消去される。
グされた方向に圧電性の正負電荷が発生する0次に第1
9図(e)に示すように補助電極80を半導電層71に
導電R76が接するように接触させ、導電層76と74
を短絡しアースに落とし、第1図示装置の露出部材EM
により所定量の露出を行なう、この露光により光の当っ
た部分の圧電性光導電層73の抵抗が下がり、この部分
の蓄積電荷が消去される。
光の当たらなかった部分は(C)図に示すように、該蓄
積体4の表面電位が0になるように各導電層76.74
に正負電荷が注入される。そして導電層76に注入され
た正電荷は、ただちに半導電層71に注入される。この
状態で導電層74をアースとして補助電極80を除去し
、次に該M植体を再びLED210.211で全面露光
すると同図(d)に示す記録保持状態となる。
積体4の表面電位が0になるように各導電層76.74
に正負電荷が注入される。そして導電層76に注入され
た正電荷は、ただちに半導電層71に注入される。この
状態で導電層74をアースとして補助電極80を除去し
、次に該M植体を再びLED210.211で全面露光
すると同図(d)に示す記録保持状態となる。
この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。
本発明においては上記の様に画像蓄積体を用い1画像記
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを大きく改善することができた。
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを大きく改善することができた。
第1図は未発IE+の第1実施例のL測道親図、第2図
は本発明の第1実施例の正面透視図、第3図は蓄積体の
構成の第1実施例図、第4図(a)〜(d)は第3図示
蓄積体への記録部U:の説明図、 第5図は第3.第4図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例のと部より見た図。 第6図(a)は第5図を正面側から見た図、第6図(b
)は第6図(a)の側面から見た要部説明図、 第7図は本発明の第2実施例図。 第8図は記録再生装置の構成偶因。 第9図(a)は記録部の他の実施例図、第9図(b)は
第9図(a)の実施例の更に他の実施例図、 第10図は記録部の更に他の異なる実施例図、第11図
は蓄積体の駆動構成例を示す図、第12図は第11図示
の構成の側面図、:jSls図は蓄積体の第2の例を示
す図、第14図(a)〜(e)は第13図示例の記録方
法を説明する図、 第15図C&)〜(d)は蓄積体の第3の実施例の記録
方法を示す図、 第16図は蓄積体の第4実施例の構成偶因。 第17図(a)〜(d)は第3図示蓄積例の記録方法を
示す図。 第18図は蓄積体の第5実施例図、 第19図は第5実施例の記録方法を説明する図。 第20図はJ7積体の駆動構成の他の実施例を示す図。 第21図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示
す図である。 100−一カメラ。 1−−−−−一画像記録部、 2−−−−−一画像読取り部。 3−−−−−−コネクタ。 4−−−−−一蓄植体。 ・依空 第5図 第6図 第7図 第9図((1) 繻q図(b) 第10図 第1/図 (a) ダ (b’) (C) (d) ?IO?/1 貸蝉6図 第1り5司
は本発明の第1実施例の正面透視図、第3図は蓄積体の
構成の第1実施例図、第4図(a)〜(d)は第3図示
蓄積体への記録部U:の説明図、 第5図は第3.第4図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例のと部より見た図。 第6図(a)は第5図を正面側から見た図、第6図(b
)は第6図(a)の側面から見た要部説明図、 第7図は本発明の第2実施例図。 第8図は記録再生装置の構成偶因。 第9図(a)は記録部の他の実施例図、第9図(b)は
第9図(a)の実施例の更に他の実施例図、 第10図は記録部の更に他の異なる実施例図、第11図
は蓄積体の駆動構成例を示す図、第12図は第11図示
の構成の側面図、:jSls図は蓄積体の第2の例を示
す図、第14図(a)〜(e)は第13図示例の記録方
法を説明する図、 第15図C&)〜(d)は蓄積体の第3の実施例の記録
方法を示す図、 第16図は蓄積体の第4実施例の構成偶因。 第17図(a)〜(d)は第3図示蓄積例の記録方法を
示す図。 第18図は蓄積体の第5実施例図、 第19図は第5実施例の記録方法を説明する図。 第20図はJ7積体の駆動構成の他の実施例を示す図。 第21図は本発明の画像記録システムの他の構成例を示
す図である。 100−一カメラ。 1−−−−−一画像記録部、 2−−−−−一画像読取り部。 3−−−−−−コネクタ。 4−−−−−一蓄植体。 ・依空 第5図 第6図 第7図 第9図((1) 繻q図(b) 第10図 第1/図 (a) ダ (b’) (C) (d) ?IO?/1 貸蝉6図 第1り5司
Claims (4)
- (1)(a)光学像を電気的画像情報に変換して蓄積す
する光電変換手段、 (b)該光電変換手段をビームにより走査する為の走査
手段、 (c)前記光電変換手段を前記走査手段に対して変位さ
せる変位手段、 (d)前記光電変換手段、走査手段、変位手段を内蔵す
る真空容器、 (e)該真空容器外から電磁力を加えることにより前記
変位手段を駆動する駆動手段を有 する画像記録システム。 - (2)前記駆動手段は選択的に真空容器に対して着脱し
得るものであることを特徴とする特許請求の範囲第(1
)項記載の画像記録システム。 - (3)前記駆動手段と真空容器の間に電磁シールド手段
を有することを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載の画像記録システム。 - (4)感光体と、該感光体を移動させる駆動手段と、該
感光体をビームにより走査する走査手段とを設け、前記
感光体に対し前記真空容器外から光学情報を導く光学系
を有する画像記録システム。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61085505A JPS62241478A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 画像記録システム |
DE19873712473 DE3712473A1 (de) | 1986-04-14 | 1987-04-13 | Bildaufzeichnungs- und/oder bildwiedergabeeinrichtung |
US07/038,337 US4786971A (en) | 1986-04-14 | 1987-04-14 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8708901A GB2189965B (en) | 1986-04-14 | 1987-04-14 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927602A GB2226148B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927604A GB2226211B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927600A GB2226154B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927603A GB2226210B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927605A GB2226155B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927601A GB2226209B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927606A GB2226212B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
GB8927607A GB2226213B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61085505A JPS62241478A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 画像記録システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62241478A true JPS62241478A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13860789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61085505A Pending JPS62241478A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 画像記録システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62241478A (ja) |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085505A patent/JPS62241478A/ja active Pending
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