JPS6394622A - 書き込みレーザー光線の位置決めをし同期化するための装置及び方法 - Google Patents
書き込みレーザー光線の位置決めをし同期化するための装置及び方法Info
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- JPS6394622A JPS6394622A JP62236373A JP23637387A JPS6394622A JP S6394622 A JPS6394622 A JP S6394622A JP 62236373 A JP62236373 A JP 62236373A JP 23637387 A JP23637387 A JP 23637387A JP S6394622 A JPS6394622 A JP S6394622A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- G06K7/01—Details
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チップの縁部領域に走査レーザー光線用の認
識パターンが設けられ、それらのパターンはチップの表
面の他の部分に対して走査レーザー光線を異なった強さ
で反射する、レーザー−パターン−発生器を用いたレー
ザー書き込み方法でチップに対して書き込みレーザー光
線を位置決めし同期化させる装置及び方法に関する。
識パターンが設けられ、それらのパターンはチップの表
面の他の部分に対して走査レーザー光線を異なった強さ
で反射する、レーザー−パターン−発生器を用いたレー
ザー書き込み方法でチップに対して書き込みレーザー光
線を位置決めし同期化させる装置及び方法に関する。
ヨーロッパ特許公開第0088045号公報にはモノリ
スな集積半導体装置における導電領域の製造方法並びに
その方法により製造された記録密度の高い半導体装置が
含まれている。単独の集積回路を製造する場合P−及び
N−構造体乃至はN−及びP−構造体を有する普通のシ
リコン板が使用され、その上にそれぞれ各使用目的に応
じてこれらの構造体を接続するため固aの接触面が作ら
れる。前照て作るチップの上には導電層と前照て作る凹
部とがあり、これらはプログラムに従って書き込みレー
ザー光線を用いて線形の転写によって結合され、従って
凹部は島のような領域の結合点、終了点および/または
コーナ一点を形成する。島のような領域はそれ相応の接
触面及び構造体と導電的に結合されている。
スな集積半導体装置における導電領域の製造方法並びに
その方法により製造された記録密度の高い半導体装置が
含まれている。単独の集積回路を製造する場合P−及び
N−構造体乃至はN−及びP−構造体を有する普通のシ
リコン板が使用され、その上にそれぞれ各使用目的に応
じてこれらの構造体を接続するため固aの接触面が作ら
れる。前照て作るチップの上には導電層と前照て作る凹
部とがあり、これらはプログラムに従って書き込みレー
ザー光線を用いて線形の転写によって結合され、従って
凹部は島のような領域の結合点、終了点および/または
コーナ一点を形成する。島のような領域はそれ相応の接
触面及び構造体と導電的に結合されている。
ヨーロッパ特許公開第0168351号公報にはレーザ
ー−パターン−発生器及びそれを駆動するための方法が
記載され、図示されている。このレーザー−パターン−
発生器は書き込みレーザー光線を発生するためのレーザ
ー装置と走査レーザー光線を製造するためのレーザー装
置とを含んでいる。走査レーザー光線でもってこの刊行
物に詳細に記載された電子技術を介してチップの表面が
走査され、そして種々の強さの反射に関しては少なくと
も1つの検出器で評価がなされ、次に論理装置を用いて
書き込みレーザー光線及びチップの相互運動が制御され
る。この方法及びそれに対応するレーザー−パターン−
発生器は後で第5a図及び第5b図を用いて詳細に説明
される。
ー−パターン−発生器及びそれを駆動するための方法が
記載され、図示されている。このレーザー−パターン−
発生器は書き込みレーザー光線を発生するためのレーザ
ー装置と走査レーザー光線を製造するためのレーザー装
置とを含んでいる。走査レーザー光線でもってこの刊行
物に詳細に記載された電子技術を介してチップの表面が
走査され、そして種々の強さの反射に関しては少なくと
も1つの検出器で評価がなされ、次に論理装置を用いて
書き込みレーザー光線及びチップの相互運動が制御され
る。この方法及びそれに対応するレーザー−パターン−
発生器は後で第5a図及び第5b図を用いて詳細に説明
される。
本発明の課題は、位置決め及び同期化が更に正確な要求
を満足しうるものであり且つ加工速度が更に上昇されう
る様な初めに述べた種の装置及び方法を形成することに
ある。
を満足しうるものであり且つ加工速度が更に上昇されう
る様な初めに述べた種の装置及び方法を形成することに
ある。
この上記の課題は初めに述べた種の装置にあっては、チ
ップの少なくとも2つの縁部に沿ってその表面上に同期
化構造体及びステップ認識構造体を有する第1の入力コ
ードが延びているようにして解決される。第1の入力コ
ードのこの列内には従って同期化構造体とそれに続くス
テップ認識構造体が含まれており、その際これら2つの
構造体は反射された走査レーザー光線を評価するための
適当な情報を与えている。
ップの少なくとも2つの縁部に沿ってその表面上に同期
化構造体及びステップ認識構造体を有する第1の入力コ
ードが延びているようにして解決される。第1の入力コ
ードのこの列内には従って同期化構造体とそれに続くス
テップ認識構造体が含まれており、その際これら2つの
構造体は反射された走査レーザー光線を評価するための
適当な情報を与えている。
目的に叶った発展形態によれば第1の入力コードの長子
方向に対して直角なチップの表面上には論理回路を有す
るフレームのコーナーの方向に通しコードが延びている
。この通しコードは、吉き込みレーザー光線の通路が論
理回路の適当なコーナーで始まることを確保している。
方向に対して直角なチップの表面上には論理回路を有す
るフレームのコーナーの方向に通しコードが延びている
。この通しコードは、吉き込みレーザー光線の通路が論
理回路の適当なコーナーで始まることを確保している。
論理回路を取り囲むフレームにはそれぞれ1つの第2の
入力コードが設けられると有利である。この第2の入力
コードは論理回路の構造体に対して書き込みレーザー光
線の精密で同心的な調整に役立つ。
入力コードが設けられると有利である。この第2の入力
コードは論理回路の構造体に対して書き込みレーザー光
線の精密で同心的な調整に役立つ。
それぞれ適当な第1の入力コードと平行にフレームの外
側の縁部領域上には第2の入力コードが延びているのが
より目的に叶っている。この第2の入力コードは核構造
体(いわゆる格子フィールド)の近くにあり、従って同
期化の最適な微細な修正を許すものである。
側の縁部領域上には第2の入力コードが延びているのが
より目的に叶っている。この第2の入力コードは核構造
体(いわゆる格子フィールド)の近くにあり、従って同
期化の最適な微細な修正を許すものである。
書き込み及びチップの相互の位置決め及び同期化に対す
る方法はより目的に叶うように次の点にその本質がある
。即ち各1つの走査レーザー光線で第1の入力コード及
び/又は通しコード及び/又は第2の入力コードが走査
され、次にチップの表面によって影響され反射された走
査レーザー光線が少なくとも1つの検出器で受信され、
その後評価され、そしてその評価に基づいてデツプ及び
書き込みレーザー光線の相互運動が予め決めたパターン
により制御され、場合によっては修正される。従ってそ
れが必ずしも必要でないにも拘わらず、これらあらゆる
3種のコードを利用するのが有利であることは明瞭であ
る。この方法でもってチップの”内側”のパターンに対
して”外側”の予め決めたパターンを結合することによ
る関連状態が確保されることになる。
る方法はより目的に叶うように次の点にその本質がある
。即ち各1つの走査レーザー光線で第1の入力コード及
び/又は通しコード及び/又は第2の入力コードが走査
され、次にチップの表面によって影響され反射された走
査レーザー光線が少なくとも1つの検出器で受信され、
その後評価され、そしてその評価に基づいてデツプ及び
書き込みレーザー光線の相互運動が予め決めたパターン
により制御され、場合によっては修正される。従ってそ
れが必ずしも必要でないにも拘わらず、これらあらゆる
3種のコードを利用するのが有利であることは明瞭であ
る。この方法でもってチップの”内側”のパターンに対
して”外側”の予め決めたパターンを結合することによ
る関連状態が確保されることになる。
光学系の利用に関して走査レーザー光線がチップ表面の
範囲において書き込みレーザー光線と同心に導かれる時
、より目的に叶っている。
範囲において書き込みレーザー光線と同心に導かれる時
、より目的に叶っている。
チップ表面の範囲にある走査レーザー光線が書き込みレ
ーザー光線の前に導かれていることも勿論可能である。
ーザー光線の前に導かれていることも勿論可能である。
この方法の場合勿論より速く情報が届くことになる、従
って書き込みレーザー光線及びチップの相対運動の場合
による修正を実現することにかなりの時間を要すること
になる。
って書き込みレーザー光線及びチップの相対運動の場合
による修正を実現することにかなりの時間を要すること
になる。
次に実施例に基づいて本発明の詳細な説明することにす
る。
る。
全ての図面において同一部分には同一の参照番号を付し
である。
である。
第1図はチップlを示し、その表面には1つの調整構造
体2及び複数の調整部材3がある。
体2及び複数の調整部材3がある。
チップl上に示された部材は走査レーザー光線23′
(第5a図、第5b図参照)を種々の強さで反射する。
(第5a図、第5b図参照)を種々の強さで反射する。
デツプlの縁部に沿って第1の入力コード4が延びてい
る。上方縁部には他の第1の入力コード4′の一部が示
されており、これはデツプlの他の縁部と平行に延びて
いる。
る。上方縁部には他の第1の入力コード4′の一部が示
されており、これはデツプlの他の縁部と平行に延びて
いる。
第1の入力コード4は2つの平行に延びる構造体、即ち
同期化構造体5とステップ認識構造体6とから出来てい
る。この構造体の課題は既にその名称によって示されて
いる。第1の入力コード4の長手方向に対して直角に論
理回路12を有するフレーム11.11’ のコーナー
14の方向に通しコード7が延びている。だの通しコー
ド7′は他の第1の入力コード4′の長手方向に直角に
延びている。同様に第1の入力コード4に直角に文字記
入フィールド8が延びており、そのフィールドは概ねブ
ロック網目文字で製造されており、顧客名称、場合によ
っては型式を含むことも良い。第1図の下方部分には接
続回路−PAD−9かあり、それは上方右側のコーナー
において他の接続回路9′に対応している。これらの接
続回路9,9′とそれに対応する入力構造体及び出力構
造体10.10’とが結合されており、それらは勿論フ
レーム1i、ii’ に接続されている。このフレーム
11.11′−ヒには第2のコード13があり、これは
第1の入力コード4と平行に延びており、そして他の第
2の入力コード13’ は他の第1の入力コード4′
と平行に位置している。
同期化構造体5とステップ認識構造体6とから出来てい
る。この構造体の課題は既にその名称によって示されて
いる。第1の入力コード4の長手方向に対して直角に論
理回路12を有するフレーム11.11’ のコーナー
14の方向に通しコード7が延びている。だの通しコー
ド7′は他の第1の入力コード4′の長手方向に直角に
延びている。同様に第1の入力コード4に直角に文字記
入フィールド8が延びており、そのフィールドは概ねブ
ロック網目文字で製造されており、顧客名称、場合によ
っては型式を含むことも良い。第1図の下方部分には接
続回路−PAD−9かあり、それは上方右側のコーナー
において他の接続回路9′に対応している。これらの接
続回路9,9′とそれに対応する入力構造体及び出力構
造体10.10’とが結合されており、それらは勿論フ
レーム1i、ii’ に接続されている。このフレーム
11.11′−ヒには第2のコード13があり、これは
第1の入力コード4と平行に延びており、そして他の第
2の入力コード13’ は他の第1の入力コード4′
と平行に位置している。
第2図には第1図の詳細部■が示されている。
この拡大された詳細部は同期化構造体5とステップ認識
構造体6を有する第1の入力コード4の上方部分を含み
、そして通しコード7への平面図を含んでいる。第1の
入力コード4は加工情報を与え、そして通しコード7は
通しコード7は走査レーザー光線及び書き込みレーザー
光線21.23’を正確な方向で加工すべき論理回路1
2の始めの方へ導くものである。
構造体6を有する第1の入力コード4の上方部分を含み
、そして通しコード7への平面図を含んでいる。第1の
入力コード4は加工情報を与え、そして通しコード7は
通しコード7は走査レーザー光線及び書き込みレーザー
光線21.23’を正確な方向で加工すべき論理回路1
2の始めの方へ導くものである。
第3図は同期化構造体5とステップ認識構造体6の別の
2つの部分を示すものである。このために、文字記入フ
ィールド8の位置部が略図的に示され、その課題は既に
述べたとおりである。
2つの部分を示すものである。このために、文字記入フ
ィールド8の位置部が略図的に示され、その課題は既に
述べたとおりである。
第4図に従う拡大された詳細部は再び周辺構造体(PA
D−フィールド)と、同時にその格子フィールド(論理
回路)を有する構造体を示すものである。そこには接続
回路9とそれに従属する入力及び出力構造体lOの略図
が明示されている。この入力及び出力構造体lOはフレ
ーム11に接続されており、更にフレーム11内にある
論理回路12と電気的に結合されている。フレーム11
の縁部には第2の入力コード13がある。
D−フィールド)と、同時にその格子フィールド(論理
回路)を有する構造体を示すものである。そこには接続
回路9とそれに従属する入力及び出力構造体lOの略図
が明示されている。この入力及び出力構造体lOはフレ
ーム11に接続されており、更にフレーム11内にある
論理回路12と電気的に結合されている。フレーム11
の縁部には第2の入力コード13がある。
第5a図及び第5b図はヨーロッパ特許公開i 016
8351号公報によるそれ自体公知のレーザー−パター
ン−発生器の略図を示している。
8351号公報によるそれ自体公知のレーザー−パター
ン−発生器の略図を示している。
この発生器では先に説明した方法が非常に有利なものと
して実現でき、そして先に説明したチップを加工するこ
とが出来る。第5a図によれば書き込みレーザー光線源
A及び走査レーザー光線源Bが光学軸と平行して水平状
態に配設されている。書き込みレーザー光線源Aは書き
込みレーザー装置15を含み、その後ろに装置が開いた
場合書き込みレーザー光線21を遮断するためにレーザ
ー光線スイッチ16がある。絞り孔16’ は書き込み
レーザー装置15の拡大器18の中に設けられている。
して実現でき、そして先に説明したチップを加工するこ
とが出来る。第5a図によれば書き込みレーザー光線源
A及び走査レーザー光線源Bが光学軸と平行して水平状
態に配設されている。書き込みレーザー光線源Aは書き
込みレーザー装置15を含み、その後ろに装置が開いた
場合書き込みレーザー光線21を遮断するためにレーザ
ー光線スイッチ16がある。絞り孔16’ は書き込み
レーザー装置15の拡大器18の中に設けられている。
これらの構成部材の間で光軸には変調器17がある。拡
大器18のレンズは番号18′で示され、全体の書き込
みレーザー光線源Δはケーシング19の中に支承されて
いる。変調器17と拡大器18とは調節可能な固定部材
20でもって前記ケーシング19の中に保持されている
。全体のケーシング19は同様に調節可能な固定部材2
0を有し、それらはこの書き込みレーザー光線源Aの光
軸を正しく配向することを可能にしている。書き込みレ
ーザー光線は参照番号21で示されている。走査レーザ
ー光線源Bはケーシング22の中に支承されている。こ
の光線源Bは走査レーザー装置23を含み、その装置か
ら走査レーザー光線23′が走査レーザー光線Bの拡大
器24の中に誘導されている。この拡大器24も既に述
べ1こレンズ18′に対して付加的に絞り孔25を含ん
でいる。走査レーザー光線源Bは、書き込みレーザー光
線源へを説明した時に既に述べたのと同じまた別の部材
を含んでいる。
大器18のレンズは番号18′で示され、全体の書き込
みレーザー光線源Δはケーシング19の中に支承されて
いる。変調器17と拡大器18とは調節可能な固定部材
20でもって前記ケーシング19の中に保持されている
。全体のケーシング19は同様に調節可能な固定部材2
0を有し、それらはこの書き込みレーザー光線源Aの光
軸を正しく配向することを可能にしている。書き込みレ
ーザー光線は参照番号21で示されている。走査レーザ
ー光線源Bはケーシング22の中に支承されている。こ
の光線源Bは走査レーザー装置23を含み、その装置か
ら走査レーザー光線23′が走査レーザー光線Bの拡大
器24の中に誘導されている。この拡大器24も既に述
べ1こレンズ18′に対して付加的に絞り孔25を含ん
でいる。走査レーザー光線源Bは、書き込みレーザー光
線源へを説明した時に既に述べたのと同じまた別の部材
を含んでいる。
走査レーザー装置23から走査レーザー光線23′が拡
大器24の中に導かれる。走査レーザー光線源の構成部
材はケーシング22の中に支承され、ごのケーシングは
調節可能な固定部材20を有するケーシング19と同様
型しい位置に育すことか出来る。書き込みレーザー光線
21と走査レーザー光線23′の光軸の方向にレーザー
光線集光″?:、Cがある。この集光器はケーシング2
6の中に書き込みレーザー光線分光器27と走査レーザ
ー光線鏡28とを含んでおり、それらは第5a図中平面
図で示されている。
大器24の中に導かれる。走査レーザー光線源の構成部
材はケーシング22の中に支承され、ごのケーシングは
調節可能な固定部材20を有するケーシング19と同様
型しい位置に育すことか出来る。書き込みレーザー光線
21と走査レーザー光線23′の光軸の方向にレーザー
光線集光″?:、Cがある。この集光器はケーシング2
6の中に書き込みレーザー光線分光器27と走査レーザ
ー光線鏡28とを含んでおり、それらは第5a図中平面
図で示されている。
これらの部材は上記ケーシング26の中で5.1節部材
30を用いて調節可能に支承されている。
30を用いて調節可能に支承されている。
書き込みレーザー光線分光器27の左に書き込みレーザ
ー光線検出器29があり、これは書き込みレーザー光線
21の正しい出力位置をコントロールする。反射された
書き込みレーザー光線21及び反射された走査レーザー
光線23′は同一軸線31上で結合するが、その軸線は
次に直接第5b図に通じている。この第5b図は垂直な
光軸を備えている。共通の光線路3Iがまず走査レーザ
ー光線分光器32に集まる。ここから光線の’J要な部
分が対物レンズヘッドDの対物レンズ33へ進み、更に
材料ウェファ−Gへと進む。同一軸線上に導かれた書き
込みレーザー光線3!の方向で走査レーザー光線分光器
32の後ろに検出器32′がある。この検出器32′の
課題は、正しい光線路31を監視することである。対物
レンズ33は調節部材34を備え、それには圧電的駆動
装置35が設けられている。対物レンズヘッドDの真上
にはレボルバ−型ヘッドEが回転可能に配設されており
、その際この対物ヘッドDとレボルバ−型ヘッドEとは
一つの機能ユニット、光学モジュールFを形成している
。対物レンズヘッドEは本質的に1つのレボルバ−保持
体35を有しており、その−ヒにこの例では回転可能に
走査レーザー光線検出器37、ひずみ干渉計接眼レンズ
38(シェリングーインターフェロメーター)及び線条
交差部を有する顕微鏡接眼レンズ39がある。
ー光線検出器29があり、これは書き込みレーザー光線
21の正しい出力位置をコントロールする。反射された
書き込みレーザー光線21及び反射された走査レーザー
光線23′は同一軸線31上で結合するが、その軸線は
次に直接第5b図に通じている。この第5b図は垂直な
光軸を備えている。共通の光線路3Iがまず走査レーザ
ー光線分光器32に集まる。ここから光線の’J要な部
分が対物レンズヘッドDの対物レンズ33へ進み、更に
材料ウェファ−Gへと進む。同一軸線上に導かれた書き
込みレーザー光線3!の方向で走査レーザー光線分光器
32の後ろに検出器32′がある。この検出器32′の
課題は、正しい光線路31を監視することである。対物
レンズ33は調節部材34を備え、それには圧電的駆動
装置35が設けられている。対物レンズヘッドDの真上
にはレボルバ−型ヘッドEが回転可能に配設されており
、その際この対物ヘッドDとレボルバ−型ヘッドEとは
一つの機能ユニット、光学モジュールFを形成している
。対物レンズヘッドEは本質的に1つのレボルバ−保持
体35を有しており、その−ヒにこの例では回転可能に
走査レーザー光線検出器37、ひずみ干渉計接眼レンズ
38(シェリングーインターフェロメーター)及び線条
交差部を有する顕微鏡接眼レンズ39がある。
この顕微鏡接眼レンズ39には安全性の理由から書き込
みレーザー阻止フィルターが設けられている。
みレーザー阻止フィルターが設けられている。
第5図には図面を見易くするという理由からレボルバ−
型ヘッドEが展開した、従って直線形に図示されている
。
型ヘッドEが展開した、従って直線形に図示されている
。
この実施例において4作き込みレーザー装置15として
当然空気冷却式ヘリウム−カドミウムレーザーシステム
(マーク リコニックス、サニーベイル、 CA 94
086. tJsA)が使用された。
当然空気冷却式ヘリウム−カドミウムレーザーシステム
(マーク リコニックス、サニーベイル、 CA 94
086. tJsA)が使用された。
このレーザー装置は、冷間及び暖気スタートで、時間プ
ログラム及び点火制御装置付きの電流制御の高圧給電装
置 リコニックス、モデル420o ps、と、並びに
レーザー装置 モデル4110Bとから出来ている。書
き込みレーザー装置15の主な特徴は次の如くである。
ログラム及び点火制御装置付きの電流制御の高圧給電装
置 リコニックス、モデル420o ps、と、並びに
レーザー装置 モデル4110Bとから出来ている。書
き込みレーザー装置15の主な特徴は次の如くである。
光の波長442nm、光出力toI11e(連続光)、
強度は通常光線直径に渡って配分されており、偏光方向
は水平方向に±5%、光線直径1.1mmである。
強度は通常光線直径に渡って配分されており、偏光方向
は水平方向に±5%、光線直径1.1mmである。
走査レーザー装置23は勿論空冷式メレスグリオット、
(I L E EAG、スイスーシュリーセン)ヘリウ
ム−ネオン−レーザーシステムで、これはレーザー装置
、モデル05− L )(I) −111とモデル05
− L P N−340給電装置(1800V、6.5
mA )とから成っている。光の波長は633nm、
光出力は1 ml!であり、冷間スタートによる光軸
のずれは200μRad未満であり、15分駆動後は3
0μRadである。光線分散は1.3 mRad、光出
力の制御ずれは±5%未満である。
(I L E EAG、スイスーシュリーセン)ヘリウ
ム−ネオン−レーザーシステムで、これはレーザー装置
、モデル05− L )(I) −111とモデル05
− L P N−340給電装置(1800V、6.5
mA )とから成っている。光の波長は633nm、
光出力は1 ml!であり、冷間スタートによる光軸
のずれは200μRad未満であり、15分駆動後は3
0μRadである。光線分散は1.3 mRad、光出
力の制御ずれは±5%未満である。
変調器17は勿論空冷式電気制御のコヒレントの青色レ
ーザー光線遮断器システム(コヒレント アソシエイツ
、ダンバリー、コネチカッ1−06810 USΔ)で
あり、それは制御装置モデル31と変調器モデル 30
1Oから出来ている。変調器−管は壊れ易く同じ屈折率
を有する液体の中に埋め込まれRつ2つの制御電極及び
出力に組み付けられたフォトグイオード光度計を有する
カリウムジヒドロゲン燐酸塩−結晶を含んでいる。この
結晶は偏光フィルターとして作用し、その方向角度は約
600vの電圧で90度以−に回転されうる。
ーザー光線遮断器システム(コヒレント アソシエイツ
、ダンバリー、コネチカッ1−06810 USΔ)で
あり、それは制御装置モデル31と変調器モデル 30
1Oから出来ている。変調器−管は壊れ易く同じ屈折率
を有する液体の中に埋め込まれRつ2つの制御電極及び
出力に組み付けられたフォトグイオード光度計を有する
カリウムジヒドロゲン燐酸塩−結晶を含んでいる。この
結晶は偏光フィルターとして作用し、その方向角度は約
600vの電圧で90度以−に回転されうる。
拡大器18は2つの集光レンズと、”ピンホール”とも
称される1つの絞り孔とからなり、それは10μmの直
径を肴fし、集光レンズの共通の焦点に位置している。
称される1つの絞り孔とからなり、それは10μmの直
径を肴fし、集光レンズの共通の焦点に位置している。
この拡大器は直径を拡大し、拡大比でレーザー光線の拡
散を小さくする。この比は焦点間距離の比であり、そそ
で出力光線における絞り孔の中の光点の像を転写し、即
ち例えば埃のために生ずる到着するレーザー光線の暗い
点のために距離か離れ、そして出力光線の方向を入力光
線の方向に関係ないものとする。
散を小さくする。この比は焦点間距離の比であり、そそ
で出力光線における絞り孔の中の光点の像を転写し、即
ち例えば埃のために生ずる到着するレーザー光線の暗い
点のために距離か離れ、そして出力光線の方向を入力光
線の方向に関係ないものとする。
分光器27として二色性の分光器が使われ、これは−側
で蒸着された誘電性の金属層を有する・[面平行のガラ
スプレートから出来ている。
で蒸着された誘電性の金属層を有する・[面平行のガラ
スプレートから出来ている。
これは、rr通力方向当たる所定の波長の、即ち一色の
光を同じ方向に貫通させ、その際光線用[1点をガラス
の厚さに関係した所定の波長のためのガラスの屈折率に
関連してずらす。
光を同じ方向に貫通させ、その際光線用[1点をガラス
の厚さに関係した所定の波長のためのガラスの屈折率に
関連してずらす。
それ自体公知の圧電的駆動装置35はこの例では、バー
レイ、モデルi’Z70.l 000V給電装置と、バ
ーレイ、モデルPZ40圧電変換器とからできている。
レイ、モデルi’Z70.l 000V給電装置と、バ
ーレイ、モデルPZ40圧電変換器とからできている。
圧電結晶積層体は印加された電圧とほぼ比例して膨張し
、それによって水平軸内で対物レンズ33をずらす。
、それによって水平軸内で対物レンズ33をずらす。
顕微鏡は対物レンズ33と顕微鏡接眼レンズ39とから
出来ている。対物レンズ33は作業側でスタンダードの
被覆ガラスが有ったり無かったりで集光レンズシステム
を備え、同心的で平行に入ってくる計と赤のレーザー光
線を作業間距離で出来るだけ小さな焦点斑点に焦点合わ
せをし、焦点斑点に同心的に位置する緑に照明された画
像フィールドの拡大された空気像を誘導し、その空気像
は顕微鏡接眼レンズ39で観察することができる。それ
は圧電的駆動装置35による機械的ずれを画像および焦
点斑点の中心点をずらすように変換する。従って方向Z
への必要な調整はΔZだけ、そしてY方向にはΔYだけ
調整が行われる。ΔZだけのずれ範囲が矢印によってマ
ーキングされている。ΔYのずれ範囲はそれに体して直
交している。
出来ている。対物レンズ33は作業側でスタンダードの
被覆ガラスが有ったり無かったりで集光レンズシステム
を備え、同心的で平行に入ってくる計と赤のレーザー光
線を作業間距離で出来るだけ小さな焦点斑点に焦点合わ
せをし、焦点斑点に同心的に位置する緑に照明された画
像フィールドの拡大された空気像を誘導し、その空気像
は顕微鏡接眼レンズ39で観察することができる。それ
は圧電的駆動装置35による機械的ずれを画像および焦
点斑点の中心点をずらすように変換する。従って方向Z
への必要な調整はΔZだけ、そしてY方向にはΔYだけ
調整が行われる。ΔZだけのずれ範囲が矢印によってマ
ーキングされている。ΔYのずれ範囲はそれに体して直
交している。
顕微鏡接眼レンズ39はルーペの機能を有する集光レン
ズシステムとして形成されており、対物レンズ33の空
気像から拡大された可視像を誘導する。
ズシステムとして形成されており、対物レンズ33の空
気像から拡大された可視像を誘導する。
ひずみ干渉計は光線路内にずらし込みうる鏡と、平面平
行のガラスプレートと、接眼レンズ38とからなり、対
物レンズ33の焦点平面から反射するアルミニウム面の
距離のずれを測定するためにひずみ干渉計を形成する。
行のガラスプレートと、接眼レンズ38とからなり、対
物レンズ33の焦点平面から反射するアルミニウム面の
距離のずれを測定するためにひずみ干渉計を形成する。
検出器29.32’ 及び37は合目的的にはそれぞれ
1つのシリコン−フォトダイオードの中央の内側の鈍感
な装置と外側の敏感な装置とからできている。これらの
フォトダイオードは材料によって反射された又は他の方
法で得られたレーザー光線に、該当するレーザー光線が
正しい位置にあるか又はこの位置から所定の方向に離れ
ているかどうかということの確認を誘導するものである
。
1つのシリコン−フォトダイオードの中央の内側の鈍感
な装置と外側の敏感な装置とからできている。これらの
フォトダイオードは材料によって反射された又は他の方
法で得られたレーザー光線に、該当するレーザー光線が
正しい位置にあるか又はこの位置から所定の方向に離れ
ているかどうかということの確認を誘導するものである
。
金属被覆された網目は本発明に従う装置では関連構造体
として役立つ。2つの網目ストリップの間隔は例えば7
μmであり、その幅は5μmである。書き込みレーザー
装置15は最後に述べた例では例えば458nm波長で
1から5mW のアルゴンイオンレーザ−(例えばス
ペクトラ フィジイクス、マウンテン ビュー、カルフ
ォルニア、モデル 162A、07 、 アメリカン
レーザーCorp、 、ソルト レイク シティ−、ウ
タ、モデル 60C) 、又は442nmで7から40
mW出力の1ie−Cd−レーザー、又は325 nm
でlから10mmのレーザー(例えばリコニックス、サ
ニーベイル、カルフォルニア、モデル4200 N又は
4200 NB )。
として役立つ。2つの網目ストリップの間隔は例えば7
μmであり、その幅は5μmである。書き込みレーザー
装置15は最後に述べた例では例えば458nm波長で
1から5mW のアルゴンイオンレーザ−(例えばス
ペクトラ フィジイクス、マウンテン ビュー、カルフ
ォルニア、モデル 162A、07 、 アメリカン
レーザーCorp、 、ソルト レイク シティ−、ウ
タ、モデル 60C) 、又は442nmで7から40
mW出力の1ie−Cd−レーザー、又は325 nm
でlから10mmのレーザー(例えばリコニックス、サ
ニーベイル、カルフォルニア、モデル4200 N又は
4200 NB )。
連続的にレーザー出力を切り換えることはまた電子光学
的変調器で一光線スイッチ17−(例えばコヒレント
Inc、、パロ アルド、カルフォルニア、変調器部門
モデル 3010)又は音響光学的変調器−光線スイ
ッチ−(例えばコヒレント 変A器部門 モデル 30
4D)により行われる。必要な切換え時間は、1Fき込
み速度及び場所的な解明から生じ、それは例えば2μ秒
である。次に続く光線拡大418は光線直径を例えば1
0倍に高める。水平の11Fき込み光線は 1畢直の方
向に偏向鏡でもって偏向される。対物レンズ33はこの
例では18mmの焦点を有し、10mmの直径を有して
いる。結果として生ずる斑点の大きさは約2μmであり
、そして焦点深度は約13μmである。偏向鏡はより制
御可能に又は調整可能に設けろと良い。
的変調器で一光線スイッチ17−(例えばコヒレント
Inc、、パロ アルド、カルフォルニア、変調器部門
モデル 3010)又は音響光学的変調器−光線スイ
ッチ−(例えばコヒレント 変A器部門 モデル 30
4D)により行われる。必要な切換え時間は、1Fき込
み速度及び場所的な解明から生じ、それは例えば2μ秒
である。次に続く光線拡大418は光線直径を例えば1
0倍に高める。水平の11Fき込み光線は 1畢直の方
向に偏向鏡でもって偏向される。対物レンズ33はこの
例では18mmの焦点を有し、10mmの直径を有して
いる。結果として生ずる斑点の大きさは約2μmであり
、そして焦点深度は約13μmである。偏向鏡はより制
御可能に又は調整可能に設けろと良い。
走査レーザー装置23はこの例では0.65 mm光線
直径でI mWの!Ie−Neレーザーである。これ
は拡大器24で4倍に拡大され、そして調整可能な偏向
鏡で書き込みレーザー光線に重ねられる。
直径でI mWの!Ie−Neレーザーである。これ
は拡大器24で4倍に拡大され、そして調整可能な偏向
鏡で書き込みレーザー光線に重ねられる。
発明対象の機能の仕方は部分的に既に而の部分に記載さ
れている。
れている。
本発明の対象は勿論説明されたものに限定されるもので
はない。1つのレーザー装置又は複数のレーザー装置は
図示したものと違っていても良いし、走査レーザー光線
及びjIき込みレーザー光線の光学的案内は別のように
実施することもできる。
はない。1つのレーザー装置又は複数のレーザー装置は
図示したものと違っていても良いし、走査レーザー光線
及びjIき込みレーザー光線の光学的案内は別のように
実施することもできる。
第1図は、特徴的な周辺構造体と示唆された核構造体と
を’Ifする本発明に従うチップのコーナーへの略図を
示すものであり、第2図から第4図までは第1図の拡大
した詳細部■から■を示すものであり、第5a図及び第
5b図は本発明に従う方法をより目的に叶って実現しう
るヨー【1ツバ特許公開第0168351号公報からそ
れ自体公知のレーザー−パターン−発生器の略図をそれ
ぞれ示すものである。 図中参照番号 1・・・・チップ 2・・・・調整溝造 3・・・・調整部材 4.4′ ・・・第1の入力コード 5・・・・同期化構造体 6・・・・ステップ認識構造体 7.7′ ・・・通しコード 8・・・・文字記入フィールド 9.9′ ・・・接続回路(PAD) 10.10’ ・・・入力及び出力構造体11.11
’ ・・・フレーム 12・・・論理回路 13.13’ ・・・第2の入力コード14・・・フ
レーム11.11’のコーナー15・・・書き込みレー
ザー装置 16・・・書き込みレーザー装置のレーザー光線スイッ
チ 16′ ・・・拡大器18の絞り孔 17・・・変調器 18・・・占き込みレーザー装置15の拡大器19・・
・占き込みレーザー光線源へのケーシング 20・・・調節可能な固定部材 21・・・占き込みレーザー装置 22・・・走査レーザー光線源Bのケーシング23・・
・走査レーザー装置 23′ ・・・走査レーザー光線 24・・・走査レーザー光線源Bの拡大器25・・・絞
り孔 26・・・レーザー光線集光器Cのケーシング27・・
・占き込みレーザー光線分光器28・・・走査レーザー
光線源 29・・・書き込みレーザー光線検出器30・・・レー
ザー光線集光器Cの調節部材3I・・・同一軸上に導か
れた書き込み及び走査レーザー光線21.23’ 32・・・走査レーザー光線分光器 32′ ・・走査レーザー光線分光器32の検出器 33・・・対物レンズヘッドDの対物レンズ34・・・
対物レンズ33の調整部材 35・・・圧電的駆動装置 36・・・レボルバ−型保持体 37・・・走査レーザー光線検出器 38・・・ひずみ干渉計接眼レンズ 39・・・線条交差を有する顕微鏡接眼レンズ39′
・・・とき込みレーザー阻止フィルターA・・・・占き
込みレーザー光線源 B・・・・走査レーザー光線源 C・・・・レーザー光線集光2に ■)・・・・対物レンズヘッド E・・・・レボルバ−型ヘッド F・・・・光学モジュール G・・・・材料−ウニバー
を’Ifする本発明に従うチップのコーナーへの略図を
示すものであり、第2図から第4図までは第1図の拡大
した詳細部■から■を示すものであり、第5a図及び第
5b図は本発明に従う方法をより目的に叶って実現しう
るヨー【1ツバ特許公開第0168351号公報からそ
れ自体公知のレーザー−パターン−発生器の略図をそれ
ぞれ示すものである。 図中参照番号 1・・・・チップ 2・・・・調整溝造 3・・・・調整部材 4.4′ ・・・第1の入力コード 5・・・・同期化構造体 6・・・・ステップ認識構造体 7.7′ ・・・通しコード 8・・・・文字記入フィールド 9.9′ ・・・接続回路(PAD) 10.10’ ・・・入力及び出力構造体11.11
’ ・・・フレーム 12・・・論理回路 13.13’ ・・・第2の入力コード14・・・フ
レーム11.11’のコーナー15・・・書き込みレー
ザー装置 16・・・書き込みレーザー装置のレーザー光線スイッ
チ 16′ ・・・拡大器18の絞り孔 17・・・変調器 18・・・占き込みレーザー装置15の拡大器19・・
・占き込みレーザー光線源へのケーシング 20・・・調節可能な固定部材 21・・・占き込みレーザー装置 22・・・走査レーザー光線源Bのケーシング23・・
・走査レーザー装置 23′ ・・・走査レーザー光線 24・・・走査レーザー光線源Bの拡大器25・・・絞
り孔 26・・・レーザー光線集光器Cのケーシング27・・
・占き込みレーザー光線分光器28・・・走査レーザー
光線源 29・・・書き込みレーザー光線検出器30・・・レー
ザー光線集光器Cの調節部材3I・・・同一軸上に導か
れた書き込み及び走査レーザー光線21.23’ 32・・・走査レーザー光線分光器 32′ ・・走査レーザー光線分光器32の検出器 33・・・対物レンズヘッドDの対物レンズ34・・・
対物レンズ33の調整部材 35・・・圧電的駆動装置 36・・・レボルバ−型保持体 37・・・走査レーザー光線検出器 38・・・ひずみ干渉計接眼レンズ 39・・・線条交差を有する顕微鏡接眼レンズ39′
・・・とき込みレーザー阻止フィルターA・・・・占き
込みレーザー光線源 B・・・・走査レーザー光線源 C・・・・レーザー光線集光2に ■)・・・・対物レンズヘッド E・・・・レボルバ−型ヘッド F・・・・光学モジュール G・・・・材料−ウニバー
Claims (7)
- (1)チップ(1)の縁部領域に走査レーザー光線用の
認識パターンが設けられ、それらパターンがチップの表
面の他の部分に対して走査レーザー光線(23′)を異
なった強さで反射する様な、レーザー−パターン−発生
器を用いたレーザー書き込み方法でのチップ(1)に対
して書き込みレーザー光線(21)の位置決めをし同期
化するための装置において、表面上でチップ(1)の少
なくとも2つの縁部に沿って同期化構造体(5)とステ
ップ認識構造体(6)とを有する第1の入力コード(4
,4′)が延びていることを特徴とする装置。 - (2)第1の入力コード(4)の長手方向に対して直角
なチップの表面上に論理回路(12)を有するフレーム
(11,11′)のコーナー(14)の方向に通しコー
ド(7,7′)が延びていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の装置。 - (3)論理回路(12)を取り囲むフレーム(11,1
1′)にはそれぞれ1つの第2の入力コード(13,1
3′)が設けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第2項に記載の装置。 - (4)第2の入力コード(13,13′)はフレーム(
11,11′)の外側縁部領域上でそれぞれ適当な第1
の入力コード(4,4′)と平行に延びていることを特
徴とする特許請求の範囲第3項に記載の装置。 - (5)表面上でチップ(1)の少なくとも2つの縁部に
沿って同期化構造体(5)とステップ認識構造体(6)
とを有する第1の入力コード(4,4′)が延びている
、チップ(1)の縁部領域に走査レーザー光線用の認識
パターンが設けられ、それらパターンがチップの表面の
他の部分に対して走査レーザー光線(23′)を異なっ
た強さで反射する様な、レーザー−パターン−発生器を
用いたレーザー書き込み方法でチップ(1)および書き
込みレーザー光線(21)の位置決めをし同期化するた
めの方法において、走査レーザー光線(23′)でもっ
て第1の入力コード(4,4′)及び/又は通しコード
(7,7′)及び/又は第2の入力コード(13,13
′)が走査され、次にチップ(1)の表面によって影響
を受け反射された走査レーザー光線(23′)が少なく
とも1つの検出器(37)で受信され、その後評価され
、そしてその評価に基づいてチップ(1)及び書き込み
レーザー光線(21)の相互運動が予め決められたパタ
ーンによって制御されそして場合によっては修正される
ことを特徴とする方法。 - (6)走査レーザー光線(23′)がチップ−表面の範
囲で書き込みレーザー光線(21)と同軸的に導かれる
ことを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の方法。 - (7)走査レーザー光線(23′)がチップ−表面の範
囲で書き込みレーザー光線(21)の前に導かれること
を特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH3781/86-6 | 1986-09-22 | ||
CH3781/86A CH670592A5 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6394622A true JPS6394622A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=4263345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62236373A Pending JPS6394622A (ja) | 1986-09-22 | 1987-09-22 | 書き込みレーザー光線の位置決めをし同期化するための装置及び方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4809014A (ja) |
EP (1) | EP0262088B1 (ja) |
JP (1) | JPS6394622A (ja) |
KR (1) | KR880004559A (ja) |
AT (1) | ATE64238T1 (ja) |
CA (1) | CA1278392C (ja) |
CH (1) | CH670592A5 (ja) |
DE (1) | DE3770559D1 (ja) |
IL (1) | IL83969A (ja) |
ZA (1) | ZA876229B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4927226A (en) * | 1989-03-27 | 1990-05-22 | General Electric Company | Multiplexer for high power CW lasers |
JP2004200221A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Toray Eng Co Ltd | レーザマーキング方法及び装置 |
US20050087520A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-04-28 | Lixiao Wang | Method and apparatus for selective ablation of coatings from medical devices |
US7297972B2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-11-20 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for positioning a laser beam spot relative to a semiconductor integrated circuit using a processing target as a metrology target |
US7315038B2 (en) * | 2005-08-26 | 2008-01-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for positioning a laser beam spot relative to a semiconductor integrated circuit using a processing target as an alignment target |
MX2012009047A (es) * | 2010-02-04 | 2012-11-12 | Echelon Laser Systems Lp | Sistema y metodo de grabado por laser. |
US10943079B2 (en) * | 2017-07-27 | 2021-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Device for implementing a detection function and method for operating such a device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4134066A (en) * | 1977-03-24 | 1979-01-09 | International Business Machines Corporation | Wafer indexing system using a grid pattern and coding and orientation marks in each grid cell |
DE3123031A1 (de) * | 1981-06-10 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kennzeichnung von halbleiterchips und kennzeichenbarer halbleiterchip |
US4695698A (en) * | 1984-07-10 | 1987-09-22 | Larassay Holding Ag | Method of, and apparatus for, generating a predetermined pattern using laser radiation |
DE3427611A1 (de) * | 1984-07-26 | 1988-06-09 | Bille Josef | Laserstrahl-lithograph |
-
1986
- 1986-09-22 CH CH3781/86A patent/CH670592A5/de not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-08-21 ZA ZA876229A patent/ZA876229B/xx unknown
- 1987-09-01 EP EP87810500A patent/EP0262088B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-01 DE DE8787810500T patent/DE3770559D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-01 AT AT87810500T patent/ATE64238T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-09-10 KR KR870010044A patent/KR880004559A/ko not_active Application Discontinuation
- 1987-09-21 IL IL83969A patent/IL83969A/xx not_active IP Right Cessation
- 1987-09-21 CA CA000547447A patent/CA1278392C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-22 US US07/108,444 patent/US4809014A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-22 JP JP62236373A patent/JPS6394622A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0262088B1 (de) | 1991-06-05 |
US4809014A (en) | 1989-02-28 |
EP0262088A1 (de) | 1988-03-30 |
CA1278392C (en) | 1990-12-27 |
DE3770559D1 (de) | 1991-07-11 |
CH670592A5 (ja) | 1989-06-30 |
IL83969A0 (en) | 1988-02-29 |
ZA876229B (en) | 1988-03-01 |
ATE64238T1 (de) | 1991-06-15 |
IL83969A (en) | 1991-06-30 |
KR880004559A (ko) | 1988-06-04 |
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