JPS6393180A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPS6393180A JPS6393180A JP23849286A JP23849286A JPS6393180A JP S6393180 A JPS6393180 A JP S6393180A JP 23849286 A JP23849286 A JP 23849286A JP 23849286 A JP23849286 A JP 23849286A JP S6393180 A JPS6393180 A JP S6393180A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ、特にＡＱＧａＡｓ系半導体レー
ザに関わる。
ザに関わる。
本発明はｐ型の半導体基体上にｐ型の第１のクランド層
と、発振領域を構成する部分に対向する部分に欠除部を
有する電流狭窄兼光吸収層とｐ型のＭｌ ｘ Ｇａｔ−
ｘ Ａｓよりなり、Ｘが０．１４＜ ｘ ＜ ０．４７
で厚さｄ力（０〈ｄ≦０．３．ｃｒ ｍのガイド層と、
／ｖ２ ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓよりなり、ｙが０．１４
≦ｙ≦０．１５の活性層と、ｎ型の第２のクラッド層等
が順次エピタキシャル成長され、第１及び第２のクラッ
ド層がＭｌ ｚ Ｇａ１−２ Ａｓより成り、２が０．
４≦ｚ≦０．４７に選定した構成とし、その発振が縦多
モード、横基本モードであって非点収差が小さく、また
しきい値電流ｒｔｈの低い半導体レーザを構成しようと
するものである。
と、発振領域を構成する部分に対向する部分に欠除部を
有する電流狭窄兼光吸収層とｐ型のＭｌ ｘ Ｇａｔ−
ｘ Ａｓよりなり、Ｘが０．１４＜ ｘ ＜ ０．４７
で厚さｄ力（０〈ｄ≦０．３．ｃｒ ｍのガイド層と、
／ｖ２ ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓよりなり、ｙが０．１４
≦ｙ≦０．１５の活性層と、ｎ型の第２のクラッド層等
が順次エピタキシャル成長され、第１及び第２のクラッ
ド層がＭｌ ｚ Ｇａ１−２ Ａｓより成り、２が０．
４≦ｚ≦０．４７に選定した構成とし、その発振が縦多
モード、横基本モードであって非点収差が小さく、また
しきい値電流ｒｔｈの低い半導体レーザを構成しようと
するものである。
コンパクトディスク（ＣＤ）、 ビデオディスク（Ｖ
Ｄ）等の光源としての半導体レーザとしては、＾ｅ Ｇ
ａＡｓ系化合物半導体レーザが広く用いられている。こ
の種のＣＤあるいはＶＤ用の半導体レーザにおいては、
発振モードホップによる雑音をおさえるために縦多モー
ドで横基本モードの発振が得られる半導体レーザが必要
とされ、さらに非点収差が小さくしきい値電流１ｔｈが
低いことが望まれる。
Ｄ）等の光源としての半導体レーザとしては、＾ｅ Ｇ
ａＡｓ系化合物半導体レーザが広く用いられている。こ
の種のＣＤあるいはＶＤ用の半導体レーザにおいては、
発振モードホップによる雑音をおさえるために縦多モー
ドで横基本モードの発振が得られる半導体レーザが必要
とされ、さらに非点収差が小さくしきい値電流１ｔｈが
低いことが望まれる。
半導体レーザの構成としては、その導波機構として大別
すると利得ガイド型と屈折率ガイド型とがとられる。利
得ガイド型レーザにおいては、その発振モードが縦多モ
ードで横基本モードが得られやすいが、反面非点収差が
比較的大であり、また１ｔｈが比較的大きいという問題
点がある。一方、屈折率ガイド型半導体レーザは非点収
差が小さく１ｔｈが小さいという利点を有するものの、
縦多モードが得にくいという問題点がある。
すると利得ガイド型と屈折率ガイド型とがとられる。利
得ガイド型レーザにおいては、その発振モードが縦多モ
ードで横基本モードが得られやすいが、反面非点収差が
比較的大であり、また１ｔｈが比較的大きいという問題
点がある。一方、屈折率ガイド型半導体レーザは非点収
差が小さく１ｔｈが小さいという利点を有するものの、
縦多モードが得にくいという問題点がある。
通常、化合物半導体例えば八ｌ ＧａＡｓ系化合物半導
体においては、単結晶ＧａＡｓ基板上に／１ＪＧａＡｓ
系半導体層をエピタキシャル成長させて目的とする半導
体レーザを構成するものであるが、この半導体レーザの
使用態様、回路設計の都合上、その半導体基体（いわゆ
るサブストレイト）側がアノード側すなわちｐ型基板で
あることが望まれる場合がある。このようにｐ型ＧａＡ
ｓ基体上に半導体レーザを構成する場合において利得ガ
イド型構成をとるべくその発振領域にｎ型クラッド層側
で電流集中を行わしめるための電流狭窄層として、少数
キャリアの電子に対する遮蔽効果を有する半導体層を設
ける場合、電子の拡散距離はホールのそれより大である
ことからその遮蔽層は十分大なる厚さに形成する必要が
ある。又、半導体層を特に分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｉ！法）、あるいは有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法
）等によってｐ型層側に電流狭窄部を持ったダブルへテ
ロ構造を作成する場合、段差のある基体上の厚みの分布
が液相成長法と異なるなどの制約からこの種のｎ型基体
の利得ガイド型レーザの製造にやや難点があり、ｎ型基
体による半導体レーザと同等の機能のｐ型の半導体基体
による半導体レーザが構成しにくいなどの問題点がある
。
体においては、単結晶ＧａＡｓ基板上に／１ＪＧａＡｓ
系半導体層をエピタキシャル成長させて目的とする半導
体レーザを構成するものであるが、この半導体レーザの
使用態様、回路設計の都合上、その半導体基体（いわゆ
るサブストレイト）側がアノード側すなわちｐ型基板で
あることが望まれる場合がある。このようにｐ型ＧａＡ
ｓ基体上に半導体レーザを構成する場合において利得ガ
イド型構成をとるべくその発振領域にｎ型クラッド層側
で電流集中を行わしめるための電流狭窄層として、少数
キャリアの電子に対する遮蔽効果を有する半導体層を設
ける場合、電子の拡散距離はホールのそれより大である
ことからその遮蔽層は十分大なる厚さに形成する必要が
ある。又、半導体層を特に分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｉ！法）、あるいは有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法
）等によってｐ型層側に電流狭窄部を持ったダブルへテ
ロ構造を作成する場合、段差のある基体上の厚みの分布
が液相成長法と異なるなどの制約からこの種のｎ型基体
の利得ガイド型レーザの製造にやや難点があり、ｎ型基
体による半導体レーザと同等の機能のｐ型の半導体基体
による半導体レーザが構成しにくいなどの問題点がある
。
因みに、第２図に示すｎ型基体による＾ｅ ＧａＡｓ系
半導体レーザが提案されている（エクステンデッド ア
ブストラクツ オン ザ １７ コンフッラン入 オ
ン ソリッド ステイト デバイスアンド マテリアル
ズ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆｔｈ
ｅ １７ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ） Ｔｏｋｙｏ １９８５ ｐｐ
６３−６６参照）。
半導体レーザが提案されている（エクステンデッド ア
ブストラクツ オン ザ １７ コンフッラン入 オ
ン ソリッド ステイト デバイスアンド マテリアル
ズ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆｔｈ
ｅ １７ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ） Ｔｏｋｙｏ １９８５ ｐｐ
６３−６６参照）。
これは第２図にその拡大断面図を示すように、ｐ型のＧ
ａＡｓ半導体基体、すなわちサブストレイト（１）上に
それぞれ例えば厚さ１ＩＩＩＩＩのｐ型のＧａＡｓバフ
ファＦｌりとｐ型のＭｌ Ｏ，＋ ３ Ｇ ａｏ、ｓ
を八Ｓのバッファ層（３）と、これとは異なる導電型の
電流ブロッキング層（４）とを順次成長させ、その電流
ブロッキング層（４）の中央の一部をエツチング除去し
て再びこの除去部を含んで電流ブロッキング層（４）上
にｐ型の厚さ１ｐｒａのＭｌｏ、＋３Ｇａｏ、５ｖ＾Ｓ
よりなるクラッド層（５）とｊソ、さ０．０８ｕ ｍの
アンドープのＡｃ１ ｏ、ｏ ｔ Ｇ ａＯ，９３＾Ｓ
よりなる活性層（６）と、厚さ １．３ｆｉのｎ型Ｎｌ
ｏ、＋３Ｇａｏ、ｓｔ Ａｓよりなるクラッドｒｆｉ（
７）と、同様にｎ型のＧａＡｓコンタクト層（８）とを
順次成長させてなり、コンタクト層１８１とサブストレ
イト（１）の他の裏面に対向電極（９）及び（１０）が
配置された構成を有する。
ａＡｓ半導体基体、すなわちサブストレイト（１）上に
それぞれ例えば厚さ１ＩＩＩＩＩのｐ型のＧａＡｓバフ
ファＦｌりとｐ型のＭｌ Ｏ，＋ ３ Ｇ ａｏ、ｓ
を八Ｓのバッファ層（３）と、これとは異なる導電型の
電流ブロッキング層（４）とを順次成長させ、その電流
ブロッキング層（４）の中央の一部をエツチング除去し
て再びこの除去部を含んで電流ブロッキング層（４）上
にｐ型の厚さ１ｐｒａのＭｌｏ、＋３Ｇａｏ、５ｖ＾Ｓ
よりなるクラッド層（５）とｊソ、さ０．０８ｕ ｍの
アンドープのＡｃ１ ｏ、ｏ ｔ Ｇ ａＯ，９３＾Ｓ
よりなる活性層（６）と、厚さ １．３ｆｉのｎ型Ｎｌ
ｏ、＋３Ｇａｏ、ｓｔ Ａｓよりなるクラッドｒｆｉ（
７）と、同様にｎ型のＧａＡｓコンタクト層（８）とを
順次成長させてなり、コンタクト層１８１とサブストレ
イト（１）の他の裏面に対向電極（９）及び（１０）が
配置された構成を有する。
この構成による半導体レーザは、ｐ型ＧａＡｓサブスト
レイト（１１すなわちｎ型基体による半導体構造を有す
るものであるが、この場合活性層（６）を挟んでそれぞ
れ充分な厚さを有し活性層（６）に比しかなり大きなバ
ンドギャップを有するクラッド層（５）及び（７）が配
置されていることによって活性層（６）に対する光の閉
じ込めが強力に行われていてほぼ純粋な屈折率ガイド型
機能を有しているために、非点収差及びＩｔｈの低下が
図られるものの、縦多モード発振が得られない。
レイト（１１すなわちｎ型基体による半導体構造を有す
るものであるが、この場合活性層（６）を挟んでそれぞ
れ充分な厚さを有し活性層（６）に比しかなり大きなバ
ンドギャップを有するクラッド層（５）及び（７）が配
置されていることによって活性層（６）に対する光の閉
じ込めが強力に行われていてほぼ純粋な屈折率ガイド型
機能を有しているために、非点収差及びＩｔｈの低下が
図られるものの、縦多モード発振が得られない。
本発明は上述した諸問題を解決し、 ＡｅＧａＡｓ系の
ｎ型基体（サブストレイト）による半導体レーザ構成を
有し、縦多モードで横基本モードの非点収差が小さくｔ
ｔｈが低い半導体レーザを得ようとするものである。
ｎ型基体（サブストレイト）による半導体レーザ構成を
有し、縦多モードで横基本モードの非点収差が小さくｔ
ｔｈが低い半導体レーザを得ようとするものである。
本発明は、第１図にその拡大断面図を示すように一、ｐ
型の半導体基体（１１）上に少くともｐ型の第１のクラ
ッド層（１２）と、電流狭窄兼光吸収層（１３）と、ｐ
型のＡｊ２ ｘ Ｇａｔ−ｘ ＡｓよりなりＸが０．１
４＜Ｘ ＜ ０．４７で厚さｄがＱ＜ｄ≦０．３μ−の
ガイド層（１４）と、Ａ１２ ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓよ
りなりｙが０．１４≦ｙ≦０．１５の活性層（１５）と
、ｎ型の第２のクラッド層（１６）とが順次エピタキシ
ャル成長された構成を有する。
型の半導体基体（１１）上に少くともｐ型の第１のクラ
ッド層（１２）と、電流狭窄兼光吸収層（１３）と、ｐ
型のＡｊ２ ｘ Ｇａｔ−ｘ ＡｓよりなりＸが０．１
４＜Ｘ ＜ ０．４７で厚さｄがＱ＜ｄ≦０．３μ−の
ガイド層（１４）と、Ａ１２ ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓよ
りなりｙが０．１４≦ｙ≦０．１５の活性層（１５）と
、ｎ型の第２のクラッド層（１６）とが順次エピタキシ
ャル成長された構成を有する。
そして、特に電流狭窄兼光吸収層（１３）には、活性層
（１５）の発振領域となる中央部に対応する部分に例え
ばストライプ状に欠除部（１３ａ）が、第１図において
紙面と直交する方向に延在して設けられて、少くともガ
イド層（１４）と活性層（１５）と第２のクラッド層（
１６）の各接合面が欠除部（１３ａ）の内面に沿って屈
曲して欠除部（１３ａ）の相対向する面すなわち段部に
対応して第１図の紙面と直交する方向に互いに平行に延
びる対の屈曲部（１５Ａ）及び（１５Ｂ）が活性層（１
５）に形成されるようになされる。
（１５）の発振領域となる中央部に対応する部分に例え
ばストライプ状に欠除部（１３ａ）が、第１図において
紙面と直交する方向に延在して設けられて、少くともガ
イド層（１４）と活性層（１５）と第２のクラッド層（
１６）の各接合面が欠除部（１３ａ）の内面に沿って屈
曲して欠除部（１３ａ）の相対向する面すなわち段部に
対応して第１図の紙面と直交する方向に互いに平行に延
びる対の屈曲部（１５Ａ）及び（１５Ｂ）が活性層（１
５）に形成されるようになされる。
またガイド層（１４）は、そのバンドギャップが活性層
（１５）に比しては、稍々大であるが、第１及び第２ク
ラツドＴ＠（１２）及び（１６）に比しては小に選定さ
れ、両クラッド層（１２）及び（１６）はこの関係を保
持するようにＭｌ ｚ Ｇａ１−１ Ａｓよりなり２が
０．４≦ｚ≦０．４７に選定されて、活性層（１５）に
比し、充分大なるバンドギャップを有する層とされる。
（１５）に比しては、稍々大であるが、第１及び第２ク
ラツドＴ＠（１２）及び（１６）に比しては小に選定さ
れ、両クラッド層（１２）及び（１６）はこの関係を保
持するようにＭｌ ｚ Ｇａ１−１ Ａｓよりなり２が
０．４≦ｚ≦０．４７に選定されて、活性層（１５）に
比し、充分大なるバンドギャップを有する層とされる。
また、電流狭窄兼光吸収層（１３）は、そのバンドギャ
ップが活性層（１５）及びガイドｊ’！！（１４）のそ
れより小さく屈折率が大きい例えばＧａＡ！Ｉよりなり
、その厚さＤａｂは例えば１μｍ以上に選定される。
ップが活性層（１５）及びガイドｊ’！！（１４）のそ
れより小さく屈折率が大きい例えばＧａＡ！Ｉよりなり
、その厚さＤａｂは例えば１μｍ以上に選定される。
（！７）は第２のクラッド層上に設けられたコンタクト
層すなわちｎ型のキャップ層で、（１８）はこれの上に
形成された５ｉ０２等の絶縁層で、その中央に穿設され
た電極窓（１８ａ）を通じて一方の電極（１９）がオー
ミックに被着される。また、（２０）は半導体基体（１
１）の裏面に設けられた他方の電極を示す。
層すなわちｎ型のキャップ層で、（１８）はこれの上に
形成された５ｉ０２等の絶縁層で、その中央に穿設され
た電極窓（１８ａ）を通じて一方の電極（１９）がオー
ミックに被着される。また、（２０）は半導体基体（１
１）の裏面に設けられた他方の電極を示す。
上述の構成においてその対向′Ｒ１極（１９）及び（２
０）間に順方向電圧を印加することによって活性層（１
５）の屈曲部（１５＾）及び（１５Ｂ）間に光発振領域
が形成される。この発振は、基本的には電流狭窄兼光吸
収層（１３）による電流遮断による電流通路の狭窄によ
って、活性層（１５）の中央部の屈曲部（１５Ａ ）及
び（１５Ｂ）間に、電流の集中、したがって注入キャリ
ア密度が大なる部分、つまり、利得が大なる部分を形成
した利青導波４＃ＩＩＷｌ！によるものであって、これ
がため縦多モード、横基本モードの発振がなされる。し
かしながら、同時に屈曲部（１５Ａ ）及び（１５Ｂ
＞の存在によって横方向に屈折率ガイド型の光の閉じ込
めがなされる。
０）間に順方向電圧を印加することによって活性層（１
５）の屈曲部（１５＾）及び（１５Ｂ）間に光発振領域
が形成される。この発振は、基本的には電流狭窄兼光吸
収層（１３）による電流遮断による電流通路の狭窄によ
って、活性層（１５）の中央部の屈曲部（１５Ａ ）及
び（１５Ｂ）間に、電流の集中、したがって注入キャリ
ア密度が大なる部分、つまり、利得が大なる部分を形成
した利青導波４＃ＩＩＷｌ！によるものであって、これ
がため縦多モード、横基本モードの発振がなされる。し
かしながら、同時に屈曲部（１５Ａ ）及び（１５Ｂ
＞の存在によって横方向に屈折率ガイド型の光の閉じ込
めがなされる。
また、この場合その両外側にはクラッド層（１２）に比
しては、バンドギャップが小さくて光及びキャリアの閉
じ込めか弱いガイド１！（１４）が存在していることに
よって完全な屈折率ガイド型機能とはならないものの、
この両側においては、活性層（１５）からの光が電流狭
窄兼光吸収層（１３）によって吸収されることによって
、この電流狭窄兼光吸収Ｔｆ！Ｉ（１３）と対向する部
分と対向しない部分とでは、実効的屈折率の差が生じ、
弱い屈折率型導波機能が生じる。したがって非点収差及
びｉｔｈの低減化の効果も生じることになる。
しては、バンドギャップが小さくて光及びキャリアの閉
じ込めか弱いガイド１！（１４）が存在していることに
よって完全な屈折率ガイド型機能とはならないものの、
この両側においては、活性層（１５）からの光が電流狭
窄兼光吸収層（１３）によって吸収されることによって
、この電流狭窄兼光吸収Ｔｆ！Ｉ（１３）と対向する部
分と対向しない部分とでは、実効的屈折率の差が生じ、
弱い屈折率型導波機能が生じる。したがって非点収差及
びｉｔｈの低減化の効果も生じることになる。
（実施例〕
さらにｓｉ図を参照して本発明による半導体レーザの一
例を詳細に説明する。この場合、まずｐ型のＧａＡｓ半
導体基体（１１）を用窓し、その−主面上にこれと同導
電型のｐ型のＧａＡｓの半導体層よりなるバッファ層（
２１）とこれの上にｐ型の前述したＡ１２ ｚ Ｇａ１
−１ Ａ３の例えば１μｍないしはそれ以上の厚さの第
１のクラッドｍ（１２）を設け、これの上に必要に応じ
て例えば厚さ０．５μ−程度以下のｐ型のＧａＡｓより
なる下地半導体層（２２）を介してこれの上に電流狭窄
兼光吸収Ｗ（１３）すなわち厚さＤａｂ≧１μ−のｎ型
あ高不純物濃度のＧａＡｓ半導体層を順次連続的にＭＯ
ＣＶＤ法あるいはＭＢ２法によってエピタキシーする第
１のエピタキシャル作業を行う。
例を詳細に説明する。この場合、まずｐ型のＧａＡｓ半
導体基体（１１）を用窓し、その−主面上にこれと同導
電型のｐ型のＧａＡｓの半導体層よりなるバッファ層（
２１）とこれの上にｐ型の前述したＡ１２ ｚ Ｇａ１
−１ Ａ３の例えば１μｍないしはそれ以上の厚さの第
１のクラッドｍ（１２）を設け、これの上に必要に応じ
て例えば厚さ０．５μ−程度以下のｐ型のＧａＡｓより
なる下地半導体層（２２）を介してこれの上に電流狭窄
兼光吸収Ｗ（１３）すなわち厚さＤａｂ≧１μ−のｎ型
あ高不純物濃度のＧａＡｓ半導体層を順次連続的にＭＯ
ＣＶＤ法あるいはＭＢ２法によってエピタキシーする第
１のエピタキシャル作業を行う。
次に、電流狭窄兼光吸収層（１３）から下地半導体層（
２２）の一部の厚さに至る深さに例えば＠２μ霞〜１０
ｕ ｖａのストライブ状の溝を形成して欠除部（１３ａ
）を第１図における紙面と直交する方向に延在させるよ
うに、フォトリソグラフィ技術による化学的エツチング
によって形成する。この場合、溝の深さは、下地層（２
２）の一部の厚さを残し置く深さに選定する。
２２）の一部の厚さに至る深さに例えば＠２μ霞〜１０
ｕ ｖａのストライブ状の溝を形成して欠除部（１３ａ
）を第１図における紙面と直交する方向に延在させるよ
うに、フォトリソグラフィ技術による化学的エツチング
によって形成する。この場合、溝の深さは、下地層（２
２）の一部の厚さを残し置く深さに選定する。
その後、第２のエピタキシャル成長作業を行うものであ
るが、その成長作業に先立って成長路中で欠除部（１３
ａ）を通じてその底面に残余させた下地半導体層（２２
）を例えばＡｓＣｊｈやＨＣｌを送り込んだ気相エツチ
ングで除去して半導体層（２２）に欠除部（１３ａ）に
連らなる窓を形成することによって凹部（２３）を形成
し、その後この凹部（２３）内すなわち欠除部（１３ａ
）とこれの下の下地半導体層（２２）の窓を通じて露呈
した第１のクラッド層（１２）上を含んで層（１３）上
に跨って全面的にガイド層（１，４）、活性層（１５）
、第２のクラッドＰｔ１（１Ｂ） 、キャップ層（１７
）を連続的ニＭＯＣＶＤ法あるいはｈＢＥ法の一連の第
２のエピタキシャル作業を行う、その後、キャップ層（
１７）上に絶縁層（１８）を形成し電極窓（１８ａ）の
穿設を行って電極（１９）を被着し半導体基体（１１）
の裏面に電極（２０）を形成する。
るが、その成長作業に先立って成長路中で欠除部（１３
ａ）を通じてその底面に残余させた下地半導体層（２２
）を例えばＡｓＣｊｈやＨＣｌを送り込んだ気相エツチ
ングで除去して半導体層（２２）に欠除部（１３ａ）に
連らなる窓を形成することによって凹部（２３）を形成
し、その後この凹部（２３）内すなわち欠除部（１３ａ
）とこれの下の下地半導体層（２２）の窓を通じて露呈
した第１のクラッド層（１２）上を含んで層（１３）上
に跨って全面的にガイド層（１，４）、活性層（１５）
、第２のクラッドＰｔ１（１Ｂ） 、キャップ層（１７
）を連続的ニＭＯＣＶＤ法あるいはｈＢＥ法の一連の第
２のエピタキシャル作業を行う、その後、キャップ層（
１７）上に絶縁層（１８）を形成し電極窓（１８ａ）の
穿設を行って電極（１９）を被着し半導体基体（１１）
の裏面に電極（２０）を形成する。
このようにすれば電流狭窄兼光吸収層（１３）の欠除部
（１３ａ）による凹部（２３）に沿って活性層（１５）
が屈曲し相対向する屈曲部（１５＾）及び（１５Ｂ）間
にストライブ状の発振領域が形成されたｐ型基板による
半導体レーザが構成される。
（１３ａ）による凹部（２３）に沿って活性層（１５）
が屈曲し相対向する屈曲部（１５＾）及び（１５Ｂ）間
にストライブ状の発振領域が形成されたｐ型基板による
半導体レーザが構成される。
この場合、凹部（２３）は、その断面をＶ字状ないしは
Ｕ字状、好ましくはＵ字状とする。
Ｕ字状、好ましくはＵ字状とする。
また、この凹部（２３）の形成工程の存在によって、第
１のエピタキシャル作業と８２のエピタキシャル作業の
２つに分割された作業を行うことになるが、上述したよ
うに下地半導体層（２２）を設け、凹部（２３）の形成
において、その一部の厚さを残しておいて第２のエピタ
キシャル作業においてこれをエツチング除去するように
するときは、第１及び第２の両エピタキシャル作業によ
る特に凹部（２３）内の第１のクラッド層（１２）上に
おいて自然酸化膜の介在等によるガイド層（１４）との
界面の結晶性の低下等の招来を回避できる。
１のエピタキシャル作業と８２のエピタキシャル作業の
２つに分割された作業を行うことになるが、上述したよ
うに下地半導体層（２２）を設け、凹部（２３）の形成
において、その一部の厚さを残しておいて第２のエピタ
キシャル作業においてこれをエツチング除去するように
するときは、第１及び第２の両エピタキシャル作業によ
る特に凹部（２３）内の第１のクラッド層（１２）上に
おいて自然酸化膜の介在等によるガイド層（１４）との
界面の結晶性の低下等の招来を回避できる。
（発明の効果）
上述の本発明構成によればｐ型基板を有する半導体レー
ザ構成をとるものであり、また、利得ガイド型機能を有
することからは縦多モード、横基本モードの発振が行わ
れ、また屈折率ガイド機能によって非点収差が小さくｒ
ｔｈの小さい目的とする半導体レーザが得られ、ＣＤあ
るいはＶＤ等の光源として用いて好適な半導体レーザを
得ることができるものである。
ザ構成をとるものであり、また、利得ガイド型機能を有
することからは縦多モード、横基本モードの発振が行わ
れ、また屈折率ガイド機能によって非点収差が小さくｒ
ｔｈの小さい目的とする半導体レーザが得られ、ＣＤあ
るいはＶＤ等の光源として用いて好適な半導体レーザを
得ることができるものである。
第１図は本発明の半導体レーザの一例の路線的拡大断面
図、第２図は従来の半導体レーザの路線的拡大断面図で
ある。 （１１）は半導体基体、（１２）は第１のクラッド層、
（１３）は電流狭窄兼光吸収層、（１４）はガイド層、
（１５）は活性層、（１６）は第２のクラブト層、（１
９）及び（２０）は電極である。 同 松隈秀盛 ネ夜明１４体し一ザ／）跡狛国 第１図 隆に来つ乎ｌ季季トし−サ゛り断面２ 第２図
図、第２図は従来の半導体レーザの路線的拡大断面図で
ある。 （１１）は半導体基体、（１２）は第１のクラッド層、
（１３）は電流狭窄兼光吸収層、（１４）はガイド層、
（１５）は活性層、（１６）は第２のクラブト層、（１
９）及び（２０）は電極である。 同 松隈秀盛 ネ夜明１４体し一ザ／）跡狛国 第１図 隆に来つ乎ｌ季季トし−サ゛り断面２ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐ型の半導体基体上にｐ型の第１のクラッド層と、 電流狭窄兼光吸収層と、 ｐ型のＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓより成り、ｘが０
．１４＜ｘ＜０．４７で厚さｄが０＜ｄ≦０．３μｍの
ガイド層と、Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓより成り、
ｙが０．１４≦ｙ≦０．１５の活性層と、 ｎ型の第２のクラッド層とが順次エピタキシャル成長さ
れて成り、 上記電流狭窄兼光吸収層は上記活性層の発振領域となる
部分と対向する部分に欠除部を有し、上記第１及び第２
のクラッド層はＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓより成り
、ｚが０．４≦ｚ≦０．４７に選定された半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238492A JPH0821755B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238492A JPH0821755B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393180A true JPS6393180A (ja) | 1988-04-23 |
| JPH0821755B2 JPH0821755B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=17031050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238492A Expired - Fee Related JPH0821755B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821755B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423379A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192380A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61121382A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238492A patent/JPH0821755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192380A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61121382A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423379A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821755B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |