JPS63888B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63888B2 JPS63888B2 JP4034579A JP4034579A JPS63888B2 JP S63888 B2 JPS63888 B2 JP S63888B2 JP 4034579 A JP4034579 A JP 4034579A JP 4034579 A JP4034579 A JP 4034579A JP S63888 B2 JPS63888 B2 JP S63888B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pick
- line
- shadow mask
- electron beam
- pickoff
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はカラー受像管に用いられるシヤドウ
マスクの製造方法に関する。
マスクの製造方法に関する。
通常、カラー受像管のシヤドウマスクは、薄い
鉄板などからなる帯板状のシヤドウマスク素材か
ら平板状のフラツトマスクを製作し、その後、こ
のフラツトマスクを曲面に成形することにより製
作される。そのフラツトマスクの製作は、従来よ
り、フオトエツチング法により次のように行われ
ている。すなわち、厚さ0.1〜0.18mmの軟鋼板の
両面に感光性被膜を形成し、この両面の感光性被
膜に、多数の微小ドツトまたはスロツト状のパタ
ーンが規則的に配されかつこのパターン外周にピ
ツクオフ（pick off）パターンが形成されたネガ
を密着させ、このネガを介して前記両面の感光性
被膜に所定波長の光をあてて露光し、感光性被膜
を感光させる。次にこの露光により焼付けられた
ネガ像を現像し、さらにベーキングして感光性被
膜を硬化させる。次いでエツチングにより、第１
図Ａに示すように、一方の面の開口が大きく他方
の面の開口が小さいドツト状またはスロツト状の
電子ビーム通過孔１およびピツクオフライン２を
穿設する。その後、この電子ビーム通過孔の穿設
された軟鋼板を、前記ピツクオフラインでピツク
オフして所定外形寸法のフラツトマスクを分離す
る。
鉄板などからなる帯板状のシヤドウマスク素材か
ら平板状のフラツトマスクを製作し、その後、こ
のフラツトマスクを曲面に成形することにより製
作される。そのフラツトマスクの製作は、従来よ
り、フオトエツチング法により次のように行われ
ている。すなわち、厚さ0.1〜0.18mmの軟鋼板の
両面に感光性被膜を形成し、この両面の感光性被
膜に、多数の微小ドツトまたはスロツト状のパタ
ーンが規則的に配されかつこのパターン外周にピ
ツクオフ（pick off）パターンが形成されたネガ
を密着させ、このネガを介して前記両面の感光性
被膜に所定波長の光をあてて露光し、感光性被膜
を感光させる。次にこの露光により焼付けられた
ネガ像を現像し、さらにベーキングして感光性被
膜を硬化させる。次いでエツチングにより、第１
図Ａに示すように、一方の面の開口が大きく他方
の面の開口が小さいドツト状またはスロツト状の
電子ビーム通過孔１およびピツクオフライン２を
穿設する。その後、この電子ビーム通過孔の穿設
された軟鋼板を、前記ピツクオフラインでピツク
オフして所定外形寸法のフラツトマスクを分離す
る。
ところで、前記ピツクオフライン２は、第１図
ＡおよびＢに示すように線状の貫通孔部分２ａ
と、同ＡおよびＣに示すように、ピツクオフライ
ン２の内側部分が脱落しないようにその外側部分
に接続しておく線状のハーフエツチング部分２ｂ
とを交互に隣り合せた枠形状に形成されている。
このピツクオフライン２の貫通孔部分２ａは、露
光時にシヤドウマスク素材の両面に密着される一
対のネガの両方に、対応するピツクオフパターン
を形成することにより得られ、ハーフエツチング
部分２ｂは、一方のネガにのみピツクオフパター
ンを形成することにより得られる。
ＡおよびＢに示すように線状の貫通孔部分２ａ
と、同ＡおよびＣに示すように、ピツクオフライ
ン２の内側部分が脱落しないようにその外側部分
に接続しておく線状のハーフエツチング部分２ｂ
とを交互に隣り合せた枠形状に形成されている。
このピツクオフライン２の貫通孔部分２ａは、露
光時にシヤドウマスク素材の両面に密着される一
対のネガの両方に、対応するピツクオフパターン
を形成することにより得られ、ハーフエツチング
部分２ｂは、一方のネガにのみピツクオフパター
ンを形成することにより得られる。
そして前記フラツトマスクの分離は、第２図に
示すようにエツチングを終了した軟鋼板を所定の
大きさに裁断し、そのピツクオフライン２のハー
フエツチングされていない面側に、ピツクオフラ
イン２の内側部分、つまり電子ビーム通過孔１の
形成されている部分と同形のピツクオフ工具３を
押圧して、ピツクオフライン２の外側部分を矢印
４で示すように引起こすか、または第３図に示す
ように、エツチングを終了した帯板状のシヤドウ
マスク素材を裁断することなく、最初に両側部分
５ａをハーフエツチングされていない両側に引起
こすようにピツクオフし、続いて連続形成されて
いるフラツトマスク６間の部分５ｂを同様にピツ
クオフすることにより行われる。なお第３図に示
した７はカツター、８はチヤツクである。
示すようにエツチングを終了した軟鋼板を所定の
大きさに裁断し、そのピツクオフライン２のハー
フエツチングされていない面側に、ピツクオフラ
イン２の内側部分、つまり電子ビーム通過孔１の
形成されている部分と同形のピツクオフ工具３を
押圧して、ピツクオフライン２の外側部分を矢印
４で示すように引起こすか、または第３図に示す
ように、エツチングを終了した帯板状のシヤドウ
マスク素材を裁断することなく、最初に両側部分
５ａをハーフエツチングされていない両側に引起
こすようにピツクオフし、続いて連続形成されて
いるフラツトマスク６間の部分５ｂを同様にピツ
クオフすることにより行われる。なお第３図に示
した７はカツター、８はチヤツクである。
しかしいずれの方法で分離するにしても、従来
のピツクオフ方法、フラツトマスク６すなわちピ
ツクオフライン２の内側部分をその外側部分に接
続しておく部分がハーフエツチングで形成されて
おり、しかもピツクオフを容易に行うためハーフ
エツチング部分２ｂの線幅が広く（0.5mm程度）、
かつフラツトマスク６の外側部分をハーフエツチ
ングされていない面側に引起こすようにピツクオ
フするため、第４図に示すようにフラツトマスク
６の表面より突出するかえり部９がその外周に発
生する。そのためその後の工程、たとえば包装、
アニーリング、プレスなどを行うときに、前記か
えり部９が別のフラツトマスク６にあたつて損傷
するという不具合がある。特にスロツト状電子ビ
ーム通過孔１のブリツジ部に損傷を与えたときに
は、プレスするときその部分の電子ビーム通過孔
１が異常に伸びて所定の形状より大きくなり、局
部的な孔大不良となり、シヤドウマスクの品位を
低下させる。
のピツクオフ方法、フラツトマスク６すなわちピ
ツクオフライン２の内側部分をその外側部分に接
続しておく部分がハーフエツチングで形成されて
おり、しかもピツクオフを容易に行うためハーフ
エツチング部分２ｂの線幅が広く（0.5mm程度）、
かつフラツトマスク６の外側部分をハーフエツチ
ングされていない面側に引起こすようにピツクオ
フするため、第４図に示すようにフラツトマスク
６の表面より突出するかえり部９がその外周に発
生する。そのためその後の工程、たとえば包装、
アニーリング、プレスなどを行うときに、前記か
えり部９が別のフラツトマスク６にあたつて損傷
するという不具合がある。特にスロツト状電子ビ
ーム通過孔１のブリツジ部に損傷を与えたときに
は、プレスするときその部分の電子ビーム通過孔
１が異常に伸びて所定の形状より大きくなり、局
部的な孔大不良となり、シヤドウマスクの品位を
低下させる。
この発明は、このようなフラツトマスクのピツ
クオフ時に発生する不具合を防止し、シヤドウマ
スクの品位を向上させるカラー受像管用シヤドウ
マスクの製造方法を提供することを目的とする。
クオフ時に発生する不具合を防止し、シヤドウマ
スクの品位を向上させるカラー受像管用シヤドウ
マスクの製造方法を提供することを目的とする。
以下図面を参照してこの発明を実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
まず従来と同様に薄い軟鋼板などからなる帯板
状のシヤドウマスク素材の両面に感光性被膜を形
成し、その両面の感光性被膜にそれぞれネガを密
着して露光する。この露光するとき用いるネガ
は、従来の貫通孔部分を形成するために一対のネ
ガの両方に対応するピツクオフパターンを形成す
るとともに、ハーフエツチング部分を形成するた
めに一方のネガにのみピツクオフパターンを形成
したものと異なり、この例では、線状のパターン
と鎖点状のパターンとが交互に配されたピツクオ
フパターンを一対のネガの両方に対応して設けら
れたものが使用される。
状のシヤドウマスク素材の両面に感光性被膜を形
成し、その両面の感光性被膜にそれぞれネガを密
着して露光する。この露光するとき用いるネガ
は、従来の貫通孔部分を形成するために一対のネ
ガの両方に対応するピツクオフパターンを形成す
るとともに、ハーフエツチング部分を形成するた
めに一方のネガにのみピツクオフパターンを形成
したものと異なり、この例では、線状のパターン
と鎖点状のパターンとが交互に配されたピツクオ
フパターンを一対のネガの両方に対応して設けら
れたものが使用される。
かかるピツクオフパターンの設けられたネガを
密着して露光したのち、前記感光性被膜を現像
し、ついでベーキングし、その後エツチングす
る。
密着して露光したのち、前記感光性被膜を現像
し、ついでベーキングし、その後エツチングす
る。
このエツチングにより第５図に示すようにシヤ
ドウマスク素材１０には、多数の電子ビーム通過
孔１と、この多数の電子ビーム通過孔１を取囲む
枠状のピツクオフライン１１とが形成される。こ
のピツクオフライン１１は、前記一対のネガの線
状のパターンに対応する線状の貫通孔部分１２
ａ，１２ｂ…と、鎖点状のパターンに対応する鎖
点状の貫通孔部分１３ａ，１３ｂ…とが交互に配
された形成をなす。
ドウマスク素材１０には、多数の電子ビーム通過
孔１と、この多数の電子ビーム通過孔１を取囲む
枠状のピツクオフライン１１とが形成される。こ
のピツクオフライン１１は、前記一対のネガの線
状のパターンに対応する線状の貫通孔部分１２
ａ，１２ｂ…と、鎖点状のパターンに対応する鎖
点状の貫通孔部分１３ａ，１３ｂ…とが交互に配
された形成をなす。
ところで、前記のようにピツクオフライン１１
を形成すると、このピツクオフライン１１で多数
の電子ビーム通過孔が形成された部分すなわちフ
ラツトマスクをピツクオフするとき、フラツトマ
スクの外周にかえりを発生することなくその外側
部分から分離することができる。すなわちピツク
オフライン１１を線状の貫通孔部分１２ａ，１２
ｂ…と鎖点状の貫通孔部分１３ａ，１３ｂ…とを
交互に配置した形状に形成すると、ピツクオフラ
イン１１の線幅を従来のハーフエツチングの場合
より狭く、たとえば0.1mm程度にすることができ、
かつ第６図に示すように鎖点状の貫通孔部分１３
ａ，１３ｂ…の各孔間のブリツジ１４を狭く、た
とえばスロツト状電子ビーム通過孔を有するシヤ
ドウマスクの電子ビーム通過孔１間のブリツジと
同程度の幅に形成することにより、従来と同様の
方法でピツクオフしても、第７図に示すようにそ
のブリツジ１４がフラツトマスク６の外周に残る
のみで、かえりの発生をなくすことができる。し
たがつてかえり部に基づく孔大不良の発生をなく
して、フラツトマスクの品位を向上することがで
き、またフラツトマスクの歩留りをよくしてシヤ
ドウマスクの価格を低減することができる。
を形成すると、このピツクオフライン１１で多数
の電子ビーム通過孔が形成された部分すなわちフ
ラツトマスクをピツクオフするとき、フラツトマ
スクの外周にかえりを発生することなくその外側
部分から分離することができる。すなわちピツク
オフライン１１を線状の貫通孔部分１２ａ，１２
ｂ…と鎖点状の貫通孔部分１３ａ，１３ｂ…とを
交互に配置した形状に形成すると、ピツクオフラ
イン１１の線幅を従来のハーフエツチングの場合
より狭く、たとえば0.1mm程度にすることができ、
かつ第６図に示すように鎖点状の貫通孔部分１３
ａ，１３ｂ…の各孔間のブリツジ１４を狭く、た
とえばスロツト状電子ビーム通過孔を有するシヤ
ドウマスクの電子ビーム通過孔１間のブリツジと
同程度の幅に形成することにより、従来と同様の
方法でピツクオフしても、第７図に示すようにそ
のブリツジ１４がフラツトマスク６の外周に残る
のみで、かえりの発生をなくすことができる。し
たがつてかえり部に基づく孔大不良の発生をなく
して、フラツトマスクの品位を向上することがで
き、またフラツトマスクの歩留りをよくしてシヤ
ドウマスクの価格を低減することができる。
なお、ピツクオフラインは、前記図示したもの
ばかりでなく、交互に配置される線状の貫通孔に
および鎖点状の貫通孔の孔形状や数量などは、適
宜変更してよいことは勿論である。
ばかりでなく、交互に配置される線状の貫通孔に
および鎖点状の貫通孔の孔形状や数量などは、適
宜変更してよいことは勿論である。
第１図Ａは従来のシヤドウマスク素材に形成さ
れた電子ビーム通過孔およびそれを取囲むピツク
オフラインの説明図、Ｂはそのピツクオフライン
の貫通孔部分の断面図、Ｃは同じくそのピツクオ
フラインのハーフエツチング部分の断面図、第２
図はピツクオフラインでフラツトマスクをピツク
オフする方法の説明図、第３図Ａは同じくピツク
オフラインでフラツトマスクをピツクオフする他
の方法を説明するための平面図、Ｂはその正面
図、第４図Ａはハーフエツチング部分に発生する
かえり部を示す斜視図、Ｂはそのかえり部の形状
を示す断面図、第５図はこの発明の一実施例を説
明するためのピツクオフラインの一部を示す斜視
図、第６図はそのピツクオフラインの鎖点状の貫
通孔部分を示す斜視図、第７図はそのピツクオフ
ラインでフラツトマスクをピツクオフする方法の
説明図である。 ６……フラツトマスク、１０……シヤドウマス
ク素材、１１……ピツクオフライン、１２ａ，１
２ｂ……線状の貫通孔部分、１３ａ，１３ｂ……
鎖点状の貫通孔部分、１４……ブリツジ。
れた電子ビーム通過孔およびそれを取囲むピツク
オフラインの説明図、Ｂはそのピツクオフライン
の貫通孔部分の断面図、Ｃは同じくそのピツクオ
フラインのハーフエツチング部分の断面図、第２
図はピツクオフラインでフラツトマスクをピツク
オフする方法の説明図、第３図Ａは同じくピツク
オフラインでフラツトマスクをピツクオフする他
の方法を説明するための平面図、Ｂはその正面
図、第４図Ａはハーフエツチング部分に発生する
かえり部を示す斜視図、Ｂはそのかえり部の形状
を示す断面図、第５図はこの発明の一実施例を説
明するためのピツクオフラインの一部を示す斜視
図、第６図はそのピツクオフラインの鎖点状の貫
通孔部分を示す斜視図、第７図はそのピツクオフ
ラインでフラツトマスクをピツクオフする方法の
説明図である。 ６……フラツトマスク、１０……シヤドウマス
ク素材、１１……ピツクオフライン、１２ａ，１
２ｂ……線状の貫通孔部分、１３ａ，１３ｂ……
鎖点状の貫通孔部分、１４……ブリツジ。
Claims (1)
- １ フオトエツチング法によりシヤドウマスク素
材に多数の電子ビーム通過孔と、この多数の電子
ビーム通過孔を取囲むピツクオフラインとを形成
したのち、前記多数の電子ビーム通過孔が形成さ
れた部分を前記ピツクオフラインを境にしてこの
ピツクオフラインの外側部分から分離するシヤド
ウマスクの製造方法において、前記ピツクオフラ
インを線状の貫通孔部分と鎖点状の貫通孔部分と
を交互に配置して形成することを特徴とするシヤ
ドウマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034579A JPS55133728A (en) | 1979-04-05 | 1979-04-05 | Manufacture of shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034579A JPS55133728A (en) | 1979-04-05 | 1979-04-05 | Manufacture of shadow mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55133728A JPS55133728A (en) | 1980-10-17 |
| JPS63888B2 true JPS63888B2 (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=12578037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4034579A Granted JPS55133728A (en) | 1979-04-05 | 1979-04-05 | Manufacture of shadow mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55133728A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63255380A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | シヤドウマスクの製造方法 |
-
1979
- 1979-04-05 JP JP4034579A patent/JPS55133728A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55133728A (en) | 1980-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4105468A (en) | Method for removing defects from chromium and chromium oxide photomasks | |
| JP3131765B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| US4512843A (en) | Manufacturing a carrier tape or tapes | |
| US4159177A (en) | Color display tube, method of manufacturing such a display tube having a shadow mask, and reproduction mask for use in such a method | |
| JPS63888B2 (ja) | ||
| EP0402616B1 (en) | Emulsion printing plate relief coatings | |
| JP3158515B2 (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの使用方法、露光用マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS5914550B2 (ja) | 微細加工方法 | |
| JPS5984245A (ja) | フオトマスク | |
| JP2969968B2 (ja) | 印刷用メタルマスクの製造方法 | |
| JP2005223272A (ja) | 薄膜型チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3063528B2 (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| JPS60231331A (ja) | リフトオフ・パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63279256A (ja) | 写真エツチング方法 | |
| JPS6227383B2 (ja) | ||
| US5236794A (en) | Emulsion printing plate relief coatings | |
| JPH06334085A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH11126859A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS5961157A (ja) | キヤリヤテ−プの製造方法 | |
| JPS58166347A (ja) | ホトマスク | |
| JPS61242023A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0286140A (ja) | テープキャリアの製造法 | |
| JPH07202098A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH01129414A (ja) | フオトレジストパターンの検査方法 | |
| JPH04271150A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |