JPS6388790A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPS6388790A JPS6388790A JP61231202A JP23120286A JPS6388790A JP S6388790 A JPS6388790 A JP S6388790A JP 61231202 A JP61231202 A JP 61231202A JP 23120286 A JP23120286 A JP 23120286A JP S6388790 A JPS6388790 A JP S6388790A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上利用分野〕
本発明は交流電界の印加に依ってE L (Elect
ro−1uminescenca)発光を呈する薄膜E
L素子の構造に係り、特に発光層の母体材料と発光中心
となる活性物質の組み合わせを制御して混色発光を得る
薄膜EL素子に関するものである。
ro−1uminescenca)発光を呈する薄膜E
L素子の構造に係り、特に発光層の母体材料と発光中心
となる活性物質の組み合わせを制御して混色発光を得る
薄膜EL素子に関するものである。
従来、交流駆動の薄膜EL素子に関して5発生層に規制
的に高い電界(10“V / cn程度)を印加し絶縁
耐圧1発光効率及び動作の安定性等を高めるために発光
層を絶縁体薄膜でサンドインチした2重絶縁膜構造薄膜
EL素子が開発され発光諸特性の向上が確められている
。
的に高い電界(10“V / cn程度)を印加し絶縁
耐圧1発光効率及び動作の安定性等を高めるために発光
層を絶縁体薄膜でサンドインチした2重絶縁膜構造薄膜
EL素子が開発され発光諸特性の向上が確められている
。
*臆EL素子の発光色に関しては、ZnS。
Zn5Q等の発光母体材料中に発光中足・とじてMnを
付活した場合には黄橙色、TbF、を付活した場合には
緑色、SmF、を付活した場合は橙色、Tm F、を付
活した場合は青色のEL発光が得られることが知られて
いる。前記EL発光色を混色して種々の色温度の白色発
光を呈する薄膜EL素子の構造として特開昭56−10
7288号及び特開昭56−107289号に記載のよ
うに。異なる発光色を有する発光層を積層するものがあ
った。第2図に1例を示す。添附図面に基いて該発光層
積層型薄HEL素子の構造を具体的に説明すると、ガラ
ス基板1上にI n、O,I S n02等の透明電極
2゜さらにその上に積層してY2O)l T i O,
tA 120.、 S i、N4. S i O2,T
azDl等からなる第1の絶隷層3がスパッタあるい
は電子ビーム蒸着法等により重畳形成されいる。第1絶
#C層3上の発光層はZnSにSmF3を付活した第1
層4a、Zn、SにTbF、を付活した第2層4b、Z
nSにTrnF、を付活した第3層4cを電子ビーム蒸
着法やスパッタ等で積層形成されている9発光NJJ上
には第1絶縁層と同様の材質からなる第2の絶縁M5
が積層され、更にその上にA1等からなる背面電極6が
蒸着形成されている。透明電極2と背面電極6は交流電
源7に接続され、′8膜EL素子が駆動される。
付活した場合には黄橙色、TbF、を付活した場合には
緑色、SmF、を付活した場合は橙色、Tm F、を付
活した場合は青色のEL発光が得られることが知られて
いる。前記EL発光色を混色して種々の色温度の白色発
光を呈する薄膜EL素子の構造として特開昭56−10
7288号及び特開昭56−107289号に記載のよ
うに。異なる発光色を有する発光層を積層するものがあ
った。第2図に1例を示す。添附図面に基いて該発光層
積層型薄HEL素子の構造を具体的に説明すると、ガラ
ス基板1上にI n、O,I S n02等の透明電極
2゜さらにその上に積層してY2O)l T i O,
tA 120.、 S i、N4. S i O2,T
azDl等からなる第1の絶隷層3がスパッタあるい
は電子ビーム蒸着法等により重畳形成されいる。第1絶
#C層3上の発光層はZnSにSmF3を付活した第1
層4a、Zn、SにTbF、を付活した第2層4b、Z
nSにTrnF、を付活した第3層4cを電子ビーム蒸
着法やスパッタ等で積層形成されている9発光NJJ上
には第1絶縁層と同様の材質からなる第2の絶縁M5
が積層され、更にその上にA1等からなる背面電極6が
蒸着形成されている。透明電極2と背面電極6は交流電
源7に接続され、′8膜EL素子が駆動される。
白色発光を呈する他の薄膜EL素子構造としては特開昭
57−25692号に記載のように、補色関係にある青
緑色発光と赤色発光を呈する活性物質としてPrF、を
ZnSに付活したものを発光層として使ったものがある
。
57−25692号に記載のように、補色関係にある青
緑色発光と赤色発光を呈する活性物質としてPrF、を
ZnSに付活したものを発光層として使ったものがある
。
上記従来技術は、発光店積層型薄[EL素子については
、高輝度発光を得るためには発光層の膜厚を厚くする必
要があり、駆動電圧が高くなりすぎる問題があった。さ
らにZnSにTmF、を付活した青色発光S膜EL素子
の発光輝度はZnSにTbF、 を付活した緑色発光薄
膜EL素子の発光輝度よりも2桁以上低く、ZnSにS
mF、を付活した橙色発光*膜EL素子の発光輝度はZ
nSにTbF、を付活した緑色発光薄膜EL素子の発光
輝度よりも1桁低く、色調も赤色からずれており、色調
の良い高輝度の白色が得られないという問題があった。
、高輝度発光を得るためには発光層の膜厚を厚くする必
要があり、駆動電圧が高くなりすぎる問題があった。さ
らにZnSにTmF、を付活した青色発光S膜EL素子
の発光輝度はZnSにTbF、 を付活した緑色発光薄
膜EL素子の発光輝度よりも2桁以上低く、ZnSにS
mF、を付活した橙色発光*膜EL素子の発光輝度はZ
nSにTbF、を付活した緑色発光薄膜EL素子の発光
輝度よりも1桁低く、色調も赤色からずれており、色調
の良い高輝度の白色が得られないという問題があった。
一方ZnSにPrF、を付活した薄膜EL素子について
は輝度が低いという問題があった。
は輝度が低いという問題があった。
本発明の目的は、高輝度で色調の良い白色発光を呈する
薄[13EL素子の構造を提供することにある。
薄[13EL素子の構造を提供することにある。
上記目的を達成するためには光の三原色である赤色、緑
色、青色のスペクトルをもつ*lEL素子の高輝度化が
必要となる。これに対し情報表示学会の1986年国際
シンポジウム論文集第29頁から第32頁(198G
SID (Society forInforzati
on Display) Internatlon
al SymposiumDigest of Te
chnical Papers、pp、29−32)に
おいてSrSにCeを付活した青緑色発光薄膜EL素子
と、CaSにEuを付活した赤色発光薄膜EL素子で高
輝度化が報告されている。5に、Hz正正弦波駆動時S
rs : Ce薄膜EL素子とCaS:Eu*膜EL
素子の輝度−M動電正特性を第3図に、SrS:Ce薄
膜EL素子のELスペクトル図を第4図に、CaS:E
u薄11gEL素子のELスペクトル図を第5図に示す
。第4図と第5のスペクトル強度の振動は、薄膜EL素
子が多重積層膜から構成されているためEL発光の干渉
に起因する。第4図に示すように、 S r S :
Ceali’JEL、1子の発光スペクトルには、青色
に対応する波長領域430nm−500nmと緑色に対
応する波長領域500 n m−580n mにピーク
をもつので−EL発光色は第6図のAで示されるように
CIE色度座’B x = 0 、21 、 y =
0 、38をもち刺激純度0.31主波長500nmの
白っぽい青緑色となる。−力筒5図に示すようにCaS
:Eu薄膜EL素子の発光スペクトルは。
色、青色のスペクトルをもつ*lEL素子の高輝度化が
必要となる。これに対し情報表示学会の1986年国際
シンポジウム論文集第29頁から第32頁(198G
SID (Society forInforzati
on Display) Internatlon
al SymposiumDigest of Te
chnical Papers、pp、29−32)に
おいてSrSにCeを付活した青緑色発光薄膜EL素子
と、CaSにEuを付活した赤色発光薄膜EL素子で高
輝度化が報告されている。5に、Hz正正弦波駆動時S
rs : Ce薄膜EL素子とCaS:Eu*膜EL
素子の輝度−M動電正特性を第3図に、SrS:Ce薄
膜EL素子のELスペクトル図を第4図に、CaS:E
u薄11gEL素子のELスペクトル図を第5図に示す
。第4図と第5のスペクトル強度の振動は、薄膜EL素
子が多重積層膜から構成されているためEL発光の干渉
に起因する。第4図に示すように、 S r S :
Ceali’JEL、1子の発光スペクトルには、青色
に対応する波長領域430nm−500nmと緑色に対
応する波長領域500 n m−580n mにピーク
をもつので−EL発光色は第6図のAで示されるように
CIE色度座’B x = 0 、21 、 y =
0 、38をもち刺激純度0.31主波長500nmの
白っぽい青緑色となる。−力筒5図に示すようにCaS
:Eu薄膜EL素子の発光スペクトルは。
赤色に対応する波長領域600nm−730nmにピー
クをもつのでEL発光色は第6図のBで示されるように
CIE色度座m x = O−68t ’J =0.3
2をもち刺激純度1.O1主波長616nmの赤色とな
る。
クをもつのでEL発光色は第6図のBで示されるように
CIE色度座m x = O−68t ’J =0.3
2をもち刺激純度1.O1主波長616nmの赤色とな
る。
前記S rS : Ce薄膜EL素子からの青緑色EL
発光を青色のみを透過させる色フイルタ−、例えば40
0nmから500nmの波長領域のみの光を透過させる
青色フィルターを通したときのEL発光色は第6図のC
で示されるようにCIE色度座標X=1.O,y=0.
19をもち刺激純度0.89、主波長485nmの色調
の良い青色となる。尚発光輝度は前記青色フィルターを
通さない場合の約1/4となる。同様に前記SrS:C
e薄膜EL素子からのEL開発光緑色の光のみを透過さ
せる色フイルタ−、例えば500nmから580nmの
波長領域のみの光を透過させる緑色フィルターを通した
ときのEL発光色は第6図のDで示されるようにCIE
色度座@ x =0−25.y=0.66をもち、刺激
純度0.78.主波長542nmの色調の良い緑色とな
る。尚発光輝度は前記緑色フィルターを通さない場合の
約3/4となる。一方前記Cas:Eu薄膜EL素子か
らのEL開発光赤色の光のみを透過させる色フイルタ−
、例えば580nmから730nmの波長領域のみの光
を透過させる赤色フィルターを通したときには、第5図
に示すようにCa s : Eu薄膜EL素子からの赤
色発光の発光スペクトルは前記赤色フィルターの透過ス
ペクトルと一致してるので色度座標、刺激純度、主波長
は前記のままで第6図のBで示される色調の良い赤色と
なる。
発光を青色のみを透過させる色フイルタ−、例えば40
0nmから500nmの波長領域のみの光を透過させる
青色フィルターを通したときのEL発光色は第6図のC
で示されるようにCIE色度座標X=1.O,y=0.
19をもち刺激純度0.89、主波長485nmの色調
の良い青色となる。尚発光輝度は前記青色フィルターを
通さない場合の約1/4となる。同様に前記SrS:C
e薄膜EL素子からのEL開発光緑色の光のみを透過さ
せる色フイルタ−、例えば500nmから580nmの
波長領域のみの光を透過させる緑色フィルターを通した
ときのEL発光色は第6図のDで示されるようにCIE
色度座@ x =0−25.y=0.66をもち、刺激
純度0.78.主波長542nmの色調の良い緑色とな
る。尚発光輝度は前記緑色フィルターを通さない場合の
約3/4となる。一方前記Cas:Eu薄膜EL素子か
らのEL開発光赤色の光のみを透過させる色フイルタ−
、例えば580nmから730nmの波長領域のみの光
を透過させる赤色フィルターを通したときには、第5図
に示すようにCa s : Eu薄膜EL素子からの赤
色発光の発光スペクトルは前記赤色フィルターの透過ス
ペクトルと一致してるので色度座標、刺激純度、主波長
は前記のままで第6図のBで示される色調の良い赤色と
なる。
白色発光を得るためには、赤色、緑色、青色発光を重ね
あわせればよいが、上記のごとく青色と緑色にわたる発
光スペクトルをもつS rS : Ca薄[EL素子か
らのEL開発光赤色の発光スペクトルをもつCaS:E
u8膜EL素子からのEL開発光重ね合わせることによ
り白色EL発光を得ることができる。さらに前記色フィ
ルターを組み合わせることにより、S rS : Ce
薄膜EL素子からのEL開発光CaS:Eul膜EL素
子からのEL開発光重ね合わせることにより、第6図の
CIE色度図のB、C,Dで囲ま九る色三角形の中の発
光色が得られる。
あわせればよいが、上記のごとく青色と緑色にわたる発
光スペクトルをもつS rS : Ca薄[EL素子か
らのEL開発光赤色の発光スペクトルをもつCaS:E
u8膜EL素子からのEL開発光重ね合わせることによ
り白色EL発光を得ることができる。さらに前記色フィ
ルターを組み合わせることにより、S rS : Ce
薄膜EL素子からのEL開発光CaS:Eul膜EL素
子からのEL開発光重ね合わせることにより、第6図の
CIE色度図のB、C,Dで囲ま九る色三角形の中の発
光色が得られる。
S rS : Ce薄膜EL素子とCa S : E
u薄膜EL素子からのEL開発光重ねた時の発光スペク
トル図の1例を第7図に、色度位置を第8図の丸印で示
す、CIE色度座ax=o、33.y=0.37、刺激
純度0.19、主波長567mnの白色発光を得る。第
8図の点線で囲んだ領域が白色領域である。
u薄膜EL素子からのEL開発光重ねた時の発光スペク
トル図の1例を第7図に、色度位置を第8図の丸印で示
す、CIE色度座ax=o、33.y=0.37、刺激
純度0.19、主波長567mnの白色発光を得る。第
8図の点線で囲んだ領域が白色領域である。
SrS:Csからの青緑色発光とCa S : Euか
らの赤色発光の混色を薄BuEL素子の発光面で得る方
法としては、S rS : Ce発光層とCaS:Eu
発光層を積層する方法が類推されるが、前述の様に積層
により膜厚の増加から高電圧駆動が必要となり、実用に
は適さない。発光層の膜厚を増加させないで白色発光を
得る方法として筆者らはCaS : EuとS rS
: Ceの混晶を用いると効果が大きいことを見い出し
た。
らの赤色発光の混色を薄BuEL素子の発光面で得る方
法としては、S rS : Ce発光層とCaS:Eu
発光層を積層する方法が類推されるが、前述の様に積層
により膜厚の増加から高電圧駆動が必要となり、実用に
は適さない。発光層の膜厚を増加させないで白色発光を
得る方法として筆者らはCaS : EuとS rS
: Ceの混晶を用いると効果が大きいことを見い出し
た。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。ガラ
ス基板1上にIn2O,・Sn○2等の透明電極2)さ
らにその上に積層してy、o、。
ス基板1上にIn2O,・Sn○2等の透明電極2)さ
らにその上に積層してy、o、。
Tie、、AQ、O,,5i3N9.Ta205゜S
i T i 03等からなる第1の絶縁層3がスパッタ
あるいは電子ビーム蒸着法等により形成されている。第
1絶aMs上の発光層4は発光中心としてEuを付活し
たCas粉末とCeを付活したSrS粉末を混合焼結し
たペレットあるいはターゲットを用いて電子ビーム蒸着
法あるいはスパッタ法等で積層形成される9発光層4上
には第1絶縁層を同様の材質からなる第2の絶縁層5が
積層され、更にその上にAQ等からなる背面電極6が蒸
着形成される。透明電極2と背面電極6は交流電源7に
接続され、a膜EL素子が駆動される。
i T i 03等からなる第1の絶縁層3がスパッタ
あるいは電子ビーム蒸着法等により形成されている。第
1絶aMs上の発光層4は発光中心としてEuを付活し
たCas粉末とCeを付活したSrS粉末を混合焼結し
たペレットあるいはターゲットを用いて電子ビーム蒸着
法あるいはスパッタ法等で積層形成される9発光層4上
には第1絶縁層を同様の材質からなる第2の絶縁層5が
積層され、更にその上にAQ等からなる背面電極6が蒸
着形成される。透明電極2と背面電極6は交流電源7に
接続され、a膜EL素子が駆動される。
第9図は第】、図の実施例を説明するCIE色度図であ
る0図中AはS rS : Ceのみで発光層を形成し
たときの色度位置であり、B lt Ca S :Eu
のみで発光層を形成したときの色度位nである。
る0図中AはS rS : Ceのみで発光層を形成し
たときの色度位置であり、B lt Ca S :Eu
のみで発光層を形成したときの色度位nである。
混晶発光層材料のS rS : CeとCaS : E
uの混合比を変化させることによりEL発光の色調をW
4整することができ、第9図に示すA、Bの2点を結ぶ
直線上で任意の色度の発光色が得られることになる9点
線で囲まれた白色領域の発光を得るための発光層材料の
混合比と得られた発光色の色度を下表に示す。
uの混合比を変化させることによりEL発光の色調をW
4整することができ、第9図に示すA、Bの2点を結ぶ
直線上で任意の色度の発光色が得られることになる9点
線で囲まれた白色領域の発光を得るための発光層材料の
混合比と得られた発光色の色度を下表に示す。
発光層の作成方法としてEuを付活したCaS粉末とC
eを付活したSrS粉末を別々に焼結したベレットを電
子ビーム蒸着装置の異なるハースに霞き、共蒸着をする
ことにより基板上でCaS:EuとS rS : Ce
の混晶をつくってもよい、このとき色調の調整は各々の
電子ビームガンにかける電流を制御することにより達成
される。またEuを付活したCaS粉末とCeを付活し
たSrS粉末を別々に焼結したターゲットを用いて共ス
パッタあるいはスイッチスパッタにより基板上でC:a
g:EuとS rS : Ceの混晶をつくってもよい
。
eを付活したSrS粉末を別々に焼結したベレットを電
子ビーム蒸着装置の異なるハースに霞き、共蒸着をする
ことにより基板上でCaS:EuとS rS : Ce
の混晶をつくってもよい、このとき色調の調整は各々の
電子ビームガンにかける電流を制御することにより達成
される。またEuを付活したCaS粉末とCeを付活し
たSrS粉末を別々に焼結したターゲットを用いて共ス
パッタあるいはスイッチスパッタにより基板上でC:a
g:EuとS rS : Ceの混晶をつくってもよい
。
白色発光を得る発光層の母体あるいは発光中心の組み合
わせは上記のものに制限されず、SrS:CeとSrS
:Euの組み合わせ、SrS:CeとZnS:Mnの組
み合わせ等がある。第2の実施例として発光層をS r
S : CeとSrS:EUの混晶で作成した薄膜E
L素子のEL発光状態を第10図、第11図、第12図
を用いて説明する。第10図にS rS : Eu薄g
IEL素子のEL発光スペクトル図を、第11図にS
rs : CeとS rS : Euとの混晶発光層か
らのEL発光スペクトル図の一例を示すs SrS:C
eとSrS:Euの混晶発光層からのEL発先の色度位
置は第12図のA(SrS:GoのみからのEL発光の
色度位置)とE(SrS:EuのみからのEL発光の色
度位1)との2点を結ぶ直線上にあり、点線で囲まれた
白色発光領域のEL発光を得ることができる。特に丸印
で示される白色発光は第11図で示されるスペクトル強
度をもつSrS:CeとS rS : Euとの混晶発
光層からのEL発光に相当する。
わせは上記のものに制限されず、SrS:CeとSrS
:Euの組み合わせ、SrS:CeとZnS:Mnの組
み合わせ等がある。第2の実施例として発光層をS r
S : CeとSrS:EUの混晶で作成した薄膜E
L素子のEL発光状態を第10図、第11図、第12図
を用いて説明する。第10図にS rS : Eu薄g
IEL素子のEL発光スペクトル図を、第11図にS
rs : CeとS rS : Euとの混晶発光層か
らのEL発光スペクトル図の一例を示すs SrS:C
eとSrS:Euの混晶発光層からのEL発先の色度位
置は第12図のA(SrS:GoのみからのEL発光の
色度位置)とE(SrS:EuのみからのEL発光の色
度位1)との2点を結ぶ直線上にあり、点線で囲まれた
白色発光領域のEL発光を得ることができる。特に丸印
で示される白色発光は第11図で示されるスペクトル強
度をもつSrS:CeとS rS : Euとの混晶発
光層からのEL発光に相当する。
マルチカラーEL発光を得るために前記色フイルタ−(
赤フイルタ−、緑色フィルター、青色フィルター)を用
いた実施例を第13図、第14図を用いて説明する。第
13図には断面図を第14図には斜視図を示す、ガラス
基Fil上に前述のプロセスでEL素子を作成後1色フ
ィルター8をガラス基板1上のEL素子積暦部とは反対
側にストライプ状に設置し、方向とピッチは背面電極6
に合わせである。なお色フイルタ−8は赤色フィルター
、緑色フィルター、青色フィルターの順に繰り返して並
べである。EL*子作成中、特に発光層端層時に高輝度
化のために基板温度を500℃程度に保持する必要があ
り、色フィルタをガラス基板1と発光層4の間に設置す
ると高温のため変質等がおこるため、色フィルターの設
置はEL素子作成後とした。
赤フイルタ−、緑色フィルター、青色フィルター)を用
いた実施例を第13図、第14図を用いて説明する。第
13図には断面図を第14図には斜視図を示す、ガラス
基Fil上に前述のプロセスでEL素子を作成後1色フ
ィルター8をガラス基板1上のEL素子積暦部とは反対
側にストライプ状に設置し、方向とピッチは背面電極6
に合わせである。なお色フイルタ−8は赤色フィルター
、緑色フィルター、青色フィルターの順に繰り返して並
べである。EL*子作成中、特に発光層端層時に高輝度
化のために基板温度を500℃程度に保持する必要があ
り、色フィルタをガラス基板1と発光層4の間に設置す
ると高温のため変質等がおこるため、色フィルターの設
置はEL素子作成後とした。
色フィルタの配置は上記のものに制限されず、ストライ
プ状に配置された透明電極2に方向とピッチを合わせて
もよい。
プ状に配置された透明電極2に方向とピッチを合わせて
もよい。
色フィルターの配置の別の実施例を第15図に示す、第
13図及び第14図と異なる点のみ記述すると、ガラス
基板上にAQ等からなる背面電極を蒸着形成し、続けて
第1絶縁層39発光層4゜第2絶縁層5を積層し、第2
絶縁層S上にIn、O,・SnO,等の透明電極2を作
成する。
13図及び第14図と異なる点のみ記述すると、ガラス
基板上にAQ等からなる背面電極を蒸着形成し、続けて
第1絶縁層39発光層4゜第2絶縁層5を積層し、第2
絶縁層S上にIn、O,・SnO,等の透明電極2を作
成する。
色フィルタ8はストライプ状の透明電極2上に方向とピ
ッチをあわせて作成する。本実施例ではEL発光はガラ
スと反対面の透明電極2側から出て来るので色ずれは最
小限におさえられる。色フィルタの配置はストライプ状
に配置さ九た背面電極6にピッチと方向を合わせてもよ
い。
ッチをあわせて作成する。本実施例ではEL発光はガラ
スと反対面の透明電極2側から出て来るので色ずれは最
小限におさえられる。色フィルタの配置はストライプ状
に配置さ九た背面電極6にピッチと方向を合わせてもよ
い。
もし耐熱性の良い650℃以上の雰囲気中でも変質しな
い色フィルターができれば第16図で示す実施例が可能
となる。ガラス基板1上にI n、O,・SnO,等の
透明電極2をストライプ状に積層し、透明電極2上に方
向とピッチを透明電極と合わせた色フィルタ8を積層す
る0色フィルタ8上には第1絶縁層31発光層4.第2
絶縁J!!5を積層形成し、第2絶′R層5上に、Af
l等からなる背面電極6をストライプ状に透明電極2と
直角に交わるように蒸着する。この配置をとれば色ずれ
の問題はほとんど無視できる。
い色フィルターができれば第16図で示す実施例が可能
となる。ガラス基板1上にI n、O,・SnO,等の
透明電極2をストライプ状に積層し、透明電極2上に方
向とピッチを透明電極と合わせた色フィルタ8を積層す
る0色フィルタ8上には第1絶縁層31発光層4.第2
絶縁J!!5を積層形成し、第2絶′R層5上に、Af
l等からなる背面電極6をストライプ状に透明電極2と
直角に交わるように蒸着する。この配置をとれば色ずれ
の問題はほとんど無視できる。
ディスプレイの精細度が高くなると透明電極や背面電極
をホトリソ工程を用いて作成する必要がでてくる555
0℃以上の耐熱性をもちInオ0.・SnO,等からな
る透明電極のエツチング液に対する耐エッチ性をもつ色
フィルタができれば、第17図で示す実施例が可能とな
る。ガラス基板l上に色フィルタ8をストライプ状に作
成し、色フイルタ8上に方向とピッチを色フィルタ8に
あわせて透明電極2を形成する。透明電極2上には第1
絶縁層39発光層4.第2絶、11Ji!!F5を順次
積層形成し、第2絶縁層5上にAl1等からなる背面電
極6をストライプ状↓こ透明電極2と直交するように蒸
着する0本実施例の配はをとれば色ずれの問題は解決し
、さらに透明電極作成以降の真空中でのプロセスの一貫
処理が可能となりEL素子の性能向上が可能となる。
をホトリソ工程を用いて作成する必要がでてくる555
0℃以上の耐熱性をもちInオ0.・SnO,等からな
る透明電極のエツチング液に対する耐エッチ性をもつ色
フィルタができれば、第17図で示す実施例が可能とな
る。ガラス基板l上に色フィルタ8をストライプ状に作
成し、色フイルタ8上に方向とピッチを色フィルタ8に
あわせて透明電極2を形成する。透明電極2上には第1
絶縁層39発光層4.第2絶、11Ji!!F5を順次
積層形成し、第2絶縁層5上にAl1等からなる背面電
極6をストライプ状↓こ透明電極2と直交するように蒸
着する0本実施例の配はをとれば色ずれの問題は解決し
、さらに透明電極作成以降の真空中でのプロセスの一貫
処理が可能となりEL素子の性能向上が可能となる。
色フィルタの方向とピッチは上記のものに制限されず、
第16図と第17図において背面電極6の方向とピッチ
に合わせてもよい。
第16図と第17図において背面電極6の方向とピッチ
に合わせてもよい。
本発明による薄膜EL素子は、発光層を混晶母体材料よ
り作成しているので、母体材料の混合比を制御すること
により、容易に白色領域の発光色が得られ1色調のII
!1も可能である。また発光層は混晶により一層で作成
されているので駆動電圧も低くおさえられ、パワーも低
く駆動用ICも安くなる効果がある。さらに赤色、緑色
、青色の色フィルタを配置することによりマルチカラー
表示が可能となり、ディスプレイの情報量増加等の利用
範囲が広がる効果がある。
り作成しているので、母体材料の混合比を制御すること
により、容易に白色領域の発光色が得られ1色調のII
!1も可能である。また発光層は混晶により一層で作成
されているので駆動電圧も低くおさえられ、パワーも低
く駆動用ICも安くなる効果がある。さらに赤色、緑色
、青色の色フィルタを配置することによりマルチカラー
表示が可能となり、ディスプレイの情報量増加等の利用
範囲が広がる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す薄膜EL素子の基本的
構造を示す構成図、第2図は従来の発光層を積層した薄
膜EL素子の構成図、第3図はCa58Eu赤色発光薄
!!iEL素子とSrS:Ca青緑色発光wI膜EL素
子のIR度−駆動電圧特性図、第4図はSrS : C
e青緑色発光薄膜EL素子のEL発光スペクトル図、第
S図はCaS:Eu赤色発光*膜EL素子のEL発光ス
ペクトル図、第6図はSrS:Ce’J膜EL素子から
のEL発光を青色フィルター、緑色フィルターを通した
後の発光色のCIE色度図とS rS : Ce薄膜E
L素子及びCaS : Eu薄[EL素子からのEL発
光色のCIE色度図、第7図はSrS:Ce薄膜EL素
子からのEL発光とCaS:Eu薄IAEL素子からの
EL発光を重ね合わせた時の発光スペクトル図、第8図
は第7図の発光スペクトルに相当するCIE色度図、f
gb図は第1図の実施例を説明するCIE色度図、第1
0図はSrS:Eu薄膜EL素子の発光スペクトル図。 第11図は第2図の実施例を説明する白色発光薄膜EL
素子の発光スペクトル図、第12図は第2の実施例を説
明するCIE色度図、第13図はマルチカラーEL発光
を得るために色フィルターを設置したEL素子の断面図
、第14図は斜視図、第15図は色フィルターを設置し
たEL素子の第2の実施例を説明する図、第16rM、
第17図は色フィルターを設置したEL素子の第3.第
4の実施例を説明する図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・第1
絶縁層、4・・・発光層、5−・・第2#!lJl#、
6−IFiM[ti、 7代理人 弁理士 小川勝男
゛) 晰1図 も30 」早4キカ電a Vrms() 羞長 (TVm) 躬5図 波長utmフ 高6図 栗′1図 5式乏、−icnmン 不8図 もqtg 病10口 率11図 第12図
構造を示す構成図、第2図は従来の発光層を積層した薄
膜EL素子の構成図、第3図はCa58Eu赤色発光薄
!!iEL素子とSrS:Ca青緑色発光wI膜EL素
子のIR度−駆動電圧特性図、第4図はSrS : C
e青緑色発光薄膜EL素子のEL発光スペクトル図、第
S図はCaS:Eu赤色発光*膜EL素子のEL発光ス
ペクトル図、第6図はSrS:Ce’J膜EL素子から
のEL発光を青色フィルター、緑色フィルターを通した
後の発光色のCIE色度図とS rS : Ce薄膜E
L素子及びCaS : Eu薄[EL素子からのEL発
光色のCIE色度図、第7図はSrS:Ce薄膜EL素
子からのEL発光とCaS:Eu薄IAEL素子からの
EL発光を重ね合わせた時の発光スペクトル図、第8図
は第7図の発光スペクトルに相当するCIE色度図、f
gb図は第1図の実施例を説明するCIE色度図、第1
0図はSrS:Eu薄膜EL素子の発光スペクトル図。 第11図は第2図の実施例を説明する白色発光薄膜EL
素子の発光スペクトル図、第12図は第2の実施例を説
明するCIE色度図、第13図はマルチカラーEL発光
を得るために色フィルターを設置したEL素子の断面図
、第14図は斜視図、第15図は色フィルターを設置し
たEL素子の第2の実施例を説明する図、第16rM、
第17図は色フィルターを設置したEL素子の第3.第
4の実施例を説明する図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・第1
絶縁層、4・・・発光層、5−・・第2#!lJl#、
6−IFiM[ti、 7代理人 弁理士 小川勝男
゛) 晰1図 も30 」早4キカ電a Vrms() 羞長 (TVm) 躬5図 波長utmフ 高6図 栗′1図 5式乏、−icnmン 不8図 もqtg 病10口 率11図 第12図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)交流電界の印加によりEL発光を呈する発光層を有
する薄膜EL素子に於いて、赤色,緑色,青色の領域に
わたる発光スペクトル幅の広い発光を呈する1つあるい
はそれ以上の発光層母体材料と1つあるいはそれ以上の
発光中心となる活性物質の組み合わせを制御することに
より白色領域の発光を得ることを特徴とする薄膜EL素
子。 2)前記発光層を単層で構成したことを特徴とする特許
請求範囲第1項記載の薄膜EL素子。 3)前記発光層を混晶で構成したことを特徴とする特許
請求範囲第1項記載の薄膜EL素子。 4)前記混晶を青緑色を呈するSrS:Ceと赤色を呈
するCaS:Euで構成したことを特徴とする特許請求
範囲第2項及び第3項記載の薄膜EL素子。 5)前記混晶を青緑色を呈するSrS:Ceと赤橙色を
呈するSrS:Euで構成したことを特徴とする特許請
求範囲第1項及び第2項記載の薄膜EL素子。 6)前記発光層とEL発光出射面との間に赤色,緑色,
青色の波長領域に相当した狭い波長域のみの光を透過せ
しめる色フイルタを具備したことを特徴とする特許請求
範囲第1項記載の薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61231202A JPS6388790A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61231202A JPS6388790A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6388790A true JPS6388790A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16919940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61231202A Pending JPS6388790A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6388790A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005302693A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電界発光装置 |
USRE41686E1 (en) | 1995-09-26 | 2010-09-14 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Electronic watch |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61231202A patent/JPS6388790A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE41686E1 (en) | 1995-09-26 | 2010-09-14 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Electronic watch |
JP2005302693A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電界発光装置 |
US7816862B2 (en) | 2004-03-19 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Electroluminescent device with enhanced color rendition |
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