JPS6385601A - カラ−フイルタ−を有する受光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、カラーフィルターを有する受光素子の製造方
法に閃するものであり、カラー用の固体撮像素子や分光
測定用の分光検出素子等の製造に適するものである。

（従来の技術） 従来、カラーフィルターを有する受光素子の製造方法と
して、ゼラチンやカゼイン、ポリビニルアルコールなど
の染色基質を染料にて染色した有機膜カラーフィルター
を、半導体受光素子のチップ表面に直接取り付けること
が提案されている。

また、受光素子における受光部及びその近傍にのみ染色
基質を形成するために、フォトリソグラフィ法を用いる
ことが提案されている。このフォトリングラフィ法を用
いる場きには、周知のように、マスクアライナ−を用い
てフォトマスクとウェハーとの位置きわせを高精度で行
う必要がある。

（発明が解決しようとする問題点） 前述した従来の有機膜カラーフィルターを受光部に設け
る場きには、フォトリングラフィ工程を行うとき、染色
基質は染色前なので略無色透明であり、従って染色基質
を通してウェハーに面のパターンを容易に認識すること
ができる。このため、マスクアライナ−を用いたフォト
マスクとウェハーとの位置合わせも問題なく行える。

しかしながら、例えば、有ｗｉＦｌを混合したポリイミ
ド樹脂からなるカラーフィルターをウェハー表面に設け
る場き、ウェハー表面に既に着色された塗布膜が形成さ
れた状態で位置合わせを行う必要があるので、通常の位
置合わせマークでは認識しに＜＜、位置合わせ作業が困
難になるという問題がある。このため、オートマスクア
ライナ−を用いる場合には、パターノコ２識に時間がか
かったり、パターン認識ができなかったりして、製造プ
ロセスの自動化の妨げになるという問題もあった。

また、フォトリソグラフィ法によるカラーフィルターの
形成工程を複数回繰り返して複数の種類のカラーフィル
ターをウェハー上に形成する渇きには、位置合わせ作業
を何度も行う必要があるので、特に正確に且つ効率的に
位置合わせ作業を行い得るようにすることが強く望まれ
る。

本発明は上述のような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、フォトリングラフィ法を複数
回繰り返してウェハー上の複数の受光部にｔ！数の種類
のカラーフィルター層を形成する際の位置合わせマーク
を簡単に認識できるようにして、マスクアライメント作
業を容易に行えるようにしたカラーフィルターを有する
受光素子の製造方法を提供するにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明に係るカラーフィルターを有する受光素子の製造
方法にあっては、ウェハーにｔ！数の受光面を有する受
光素子を形成する工程の後、フォトリソグラフィ法によ
り受光素子の受光面に接するようにカラーフィルターを
形成する工程を複数回繰り返して、複数揮類のカラーフ
ィルターを有する受光素子を製造する方法において、ア
ルミニウム配線またはアルミニウム遮光膜をフォトリン
グラフィ法により形成する際に同時にアルミニウム膜に
て、上記各カラーフィルター形成工程に対応する位置合
わせマークを形成し、カラーフィルターＤ成工程毎に異
なる上記位置合わせマークを使用することを特徴とする
ものである。

（ｆヤ用） 本発明の製造方法にあっては、上述のように、受光部に
カラーフィルター層を形成する際の位置合わせマークが
アルミニウム膜で形成されているので、ウェハー上の位
置合わせマークと周囲とのコントラストを高くすること
ができ、したがって、カラーフィルター層を通してでも
、位置合わせマークを簡単に認識することができ、フォ
トマスクとウェハーとの位置合わせ作業を容易に行うこ
とができるものである。しかも、この位置合わせマーク
は、フォトリングラフィ法を用いてウェハーの表面に配
線用のアルミニウム膜や遮光用のアルミニウム膜を形成
する際に同時に形成するようにしたから、単に、アルミ
ニウム膜を形成する際のフォトマスクのパターンを寸前
するだけで形成することができるものである。また、特
に本発明にあっては、各カラーフィルターの形成工程毎
に異なる位置きわせマークを使用しているので、使用済
みの位置合わせマークについてはカラーフィルター層に
て覆われ、そのために、同じフォトマスクで２重露光し
たり、いずれかのフォトマスクについての露光を忘れる
ような不都合の生じるおそれが全くなくなり、複数回の
位置合わせ作業を正確且つ効率的に行うことができるも
のである。

（実施例） 以下、本発明の好ましい実施例を図面と共に説明する。

第１図は本発明の製造方法において用いられるウェハー
を示す図であり、第１図（ａ）はＯＦＡ方式（ｏｆｉａ
ｘｉｓ方式）の場合、同１２１　（ｂ）はＴＴＬ方式（
ｔｈｒｏｕｇｈ−ｔｈｅ−１ｅｎｓ方式）の場６をそれ
ぞれ示している。

ＯＦＡ方式の場合には、ウェハ−１°全体に対して、２
組の位置合わせマーク２０　（２０ａ、２０ｂ。

２０ｃ）を形成している０位置合わせマーク２０　ａ　
。

２０ｂ、２０ｃが設置されたエリア２１については、チ
ップを形成することはできない０位置合わせマーク２０
ａ、２０ｂ、２０ｃの設置間隔は、例えばウェハーサイ
ズがΦ７６である場合には５０１１±５、同Φ１００で
ある場合には７０ｍ輪±５、同Φ１２５である場合には
９０ｍｍ±５とされる。

ＴＴＬ方式の場合には、ウェハー１′上の個々のフィー
ルド１ａ毎に複数（例えば２組又は４組）の位置合わせ
マーク２０　（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を形成するも
のである０位置合わせマーク２０（２０ａ、２０ｂ、２
０ｃ）の設置箇所は、各フィールド１ａの隅部（コーナ
一部）とされることが一般的であり、４隅又は対角線上
の２隅に配置することが多い。

第４図（ａ）（ｂ）は、位置合わせマーク２０の形状を
示している。第４図（ａ）に示す位置合わせマーク２０
は＃型であり、ＯＦＡ方式について用いる場合には、例
えば線長さｌ＝　６４８μ鴎、線巾２〜３μ鶴、線間隔
ｄ＝７０．ｃｚｍ、寸法ｈ＝５０８μｍとし、ＴＴＬ方
式について用いる場合には、例えばその約１／１０の寸
法とする。第４図（ｂ）に示す位置合わせマーク２０は
、Ｘ字型であり、ＯＦＡ方式について用いられる場合に
は、例えば線長さ１＝　１４１４μ鴎、線中＝３〜４μ
鴫、寸法ｈ−１０ＯＯμ晴とし、ＴＴＬ方式について用
いる場合には、例えばその約１／１０の寸法とする。こ
れらの位置合わせマーク２０は、ウェハー１′上にフォ
トリソグラフィ法を用いてアルミニウム膜よりなるＴｈ
極極少ターン又は、遮光部パターンを形成する際に、同
じアルミニウム膜を用いて形成されるものである。

第２図（ａ）はＯＦＡ方式の場合に用いられるマスクア
ライナ−の概略構成を示している。ウェハー１°上の位
置合わせマーク２０は、検出光学系３１を介して、位置
検出器３２により検出される。

検出光学系３１は、露光用の縮小レンズ３３と相互の位
置関係が一定となるように取り付けられている。露光を
行う際には、ウェハー１゛を測定位置から露光位置にシ
フトさせるものである。

一方、第２図（ｂ）はＴＴＬ方式の場合に用いられるマ
スクアライナ−の概略構成を示している。

この方式では、ウェハー１°上の位置合わせマーク２０
ｍ、２０ｂ、２０ｃは、縮小レンズ３３と、フォトマス
ク１１の縁に設けられたレチクル２２とを介して、位置
検出器３２により検出される０ｗｉ小レンズ３３は、露
光用に用いられるものを位置測定用に共用しているので
、本方式ではウェハー１°の測定位置と露光位置とは同
じであり、位置測定後にウェハー１′をシフトさせる必
要はない。

なお、第３図はＴＴＬ方式において用いられる位置会わ
せマーク２０をフィールド１ａの４隅に設けた例を示す
図である。第３図（ａ）はフィールド１ａ内において、
チップが占めるエリア１ｂと、チップの周囲に形成され
た位Ｗ　ｆわせマーク２０のパターンとを示している。

ウェハー１′は、第３図（ｂ）に示されるように、複数
のフィールド１ａに分割されており、各フィールド１ａ
につき１個のチップが形成されるものである。

次に、上述のような位置合わせマーク２０を付加された
ウェハー１′を用いて、フォトリソグラフィ法によりカ
ラーフィルターを有する受光素子を！！８！造する工程
について説明する。

まず、第５図（ａ）（ｂ）は本発明の製造方法により製
造されるカラーフィルターを有する受光素子の断面ｔｉ
Ｊ造を示す図である。第５図（ａ）はアルミニウム配線
と同時に位置合わせマークを形成した場合、第５図（ｂ
）はアルミニウム遮光膜と同時に位置合わせマークを形
成した場合を示している。この受光素子は、カラービデ
オカメラのホワイトバランスセンサーとして用いられる
ものであり、Ｒ（赤色光）、Ｇ（緑色光）、Ｂ（青色光
）についての光強度を測定できるようになっている。シ
リコン基板１の表面には、通常の半４体製造プロセスを
用いて受光部２が形成されており、各受光部２の表面に
はそれぞれ赤色フィルター３、緑色フィルター４及び青
色フィルター５が受光面上及びその近傍を覆うように設
けられている。各フィルター３〜５のに面には、トップ
コート膜６が施されており、表面が平坦化されている。

シリコン基板１の縁部には、アルミニウム膜７よりなる
配線部と位置会わせマーク２０ａ、２０ｂ、２０ｃとが
形成されている。尚、第５図（ｂ）において、４２は層
間絶縁膜であり、ＣＶＤ膜あるいはポリイミド膜がらで
きており、第５　［Ｚ　（ｂ）ではチップの一部しかカ
バーしていないようになっているが、受光面を含めてチ
ップ全表面（但しポンディングパッド部を除く）をカバ
ーするようにしても良い（全表面をカバーするような状
態になればカラーフィルター３，４゜５と受光部２との
間にＮ悶絶縁膜が配置される。）第６図はカラーフィル
ターを作成するための製造工程を示す図である。また、
第７図及び第８図は各工程の説明図である。以下、これ
らの図を参照しながら、各工程について説明する。尚、
第７図及び第８図の各工程はウェハー単位で処理される
ものであるが、図面は１個のチップのみを示している。

（ｉ）受光素子の製造工程 （第７図（ａ）又は第８図（ａ）参照）シリコン基板１
の表面に受光部２を形成する工程及びアルミニウム膜７
よりなる電極パターンを形成する工程については、通常
の半導体製造プロセスが用いられる。アルミニウム膜７
よりなる電極パターンを形成する工程においては、位ｒ
ｌ１合わぜマーク２０ａ、２０１３，２０ｃを電極パタ
ーンと同じアルミニウノ、膜を用いて同時に形成する（
第７図（ａ）参照）、なお、完成した受光素子の表面に
は、透明なポリイミド樹脂層あるいはＣＶＤ法によるＰ
　Ｓ　Ｇ膜よりなる表面深護膜１５を形成しても良い。

その後、必要に応じてアルミニウム膜よりなる遮光部４
１を形成する。この遮光部４１を形成する工程を行う場
６には、位置合わせマーク２０ａ、２０ｂ、２０ｃを遮
光部４１と同じアルミニウム膜を用いて同時に形成する
ものである（第８図（、）参照）。

（１１）カラーペーストの塗布、セミキュアの工程（第
７図（ｂ）又は第８図（ｂ）参照）次に、カラーフィル
ター用の耐熱性カラーペースト８を受光素子が形成され
たシリコン基板１の表面に塗布する。耐熱性カラーペー
スト８は、溶剤と、溶剤に対して不溶な有Ｗｌ１ｍ料と
、ポリイミド前駆体とから成る。塗布に際しては、予め
、受光素子を形成されたシリコン基板１を２０ｍ、２０
ｂ、２０ｃＱ℃のＮ２ガス中で１０分間乾燥させた後、
第１色目のカラーペースト８をシリコン基板１上に少量
滴下し、スピンナー（例えばミカサＩＩＨ−ＤＳ型）を
用いて、５００ｒｐ＋ｓの回転数で５秒、さらに３００
０　ｒｐｍの回転数で３０秒の条件で塗布膜を形成する
。この塗布膜を通風乾燥機を用いて、１４０℃の空気中
で３０分間セミキュアする。

第１色目のカラーペースト８としては、赤色、緑色、青
色のうちどの色を用いても良い。

第９図はスピンナーを用いたカラーペースト８の塗布の
様子を示す図である。溶剤とポリマーとを混ぜたワニス
に有ａ顔料を混ぜてカラーペースト８とし、このカラー
ペースト８を例えばビーカーからシリコン基板１の表面
に注ぐ（第９図（ａ）９照）、シリコン基板１はスピン
ナーを用いて高速度で回転駆動されており、シリコン基
板１の表面に注がれたカラーペースト８は、遠心力によ
りシリコン基板１の表面に一様に分散する（第９図（ｂ
）参照）、第１０図はスピンナーの回転数と塗布膜厚と
の関係を示す図である。この図から明らかなように、ス
ピンナーの回転数を上げることにより、塗布膜厚を３く
することができる。なお、第１０図において、各線はカ
ラーペーストを塗布する場合の特性（赤色Ｑ印、緑色Δ
印、青色・印）を示している。

カラーペーストの塗布工程において、使用される耐熱性
カラーペーストの成分を例示すれば、一般式 但し、Ｒ１：芳香族炭化水素環又は複素環Ｒ２：水素又
は炭素数１〜１０の炭化水素基で示されるポリマー１０
０Ｆｉに対し、有機順料について、 赤色順料として、カラー・インデックスＮｏ、７３９０
５のピグメントＲｅｄ２０９、同Ｎｏ、４６５００のピ
グメントＶｉｏｌｅｔ１９等で示されるキナクリドン系
ＩＭ料； 又は、 緑色Ｗｉ料として、カラー・インデックスＮｏ、７４１
６０のピグメントＧｒｅｅｎ３６、同Ｎｏ、７４２６０
のピグメントＧ　ｒｅｅｎ　７等で示されるフタロシア
ニングリーン系顔料； 又は、 青色顔料として、カラー・インデックスＮ０９７４１６
０のピグメントＢＩｕｅ１５−３、同Ｎｏ、７４１６０
のピグメントＢｌｕｅ１５−４等で示されるフタロシア
ニンブルー系顔料； のいずれかを１０〜３００ｇの割合で混合されてなるカ
ラーフィルター用耐熱性カラーペースト・を用いること
が可能である。

（ｉｉｉ）レジスト塗布、プリベークの工程（第７図（
ｃ）又は第８図（ｃ）９照）カラーペースト８が塗布さ
れて、セミキュアされたシリコン基板１を通風乾燥機か
ら取り出し、冷えてくるのを待って、フォトレジスト９
を塗布する０本実施例では、ポジレジストであるシブレ
イ社製の“マイクロポジットフォトレジスト１４００−
３１”（商品名）を用いた。フォトレジスト９の塗布も
スピンナーを用いて行うものであり、５００　ｒｐｍの
回転数で５秒、さらに２Ｑａ、２Ｑｌ＋。

２ＯｃＯＯｒｐ輪の回転数で３０秒の条件で塗布膜を形
成する。プリベークは、通ｍ　９２　熾機を用いて９０
℃の窒素ガス（Ｎ２ガス）中で３０分間行う。

（ｉｖ）露光工程（第７図（ｄ）又は第８図（ｄ）参照
）次に、マスクアライナ−を用いてシリコン基板１への
露光位置を調整する。このとき、シリコン基板１のに面
に形成されたアルミニウム膜よりなる位置合わせマーク
２０　ａを用いることによって周囲との良好なコントラ
ストが得られるので、位置合わせを容易に行うことがで
きるものである。

位置きわせを完了した後、７０ｎＪＬ７）露光を行い、
受光面上及びその近傍のみにフォトレジストリが残るよ
うに、フォトマスク１１を介して紫外線による露光を行
う。

（ｖ）レジスト現像、エツチングの工程（第７図（ｅ）
又は第８図（ｅ）９照）次に、露光を終えたシリコン基
板１のフォトレジストリを現像する。現像液としては、
シブレーダ社製のマイクロポジット“ＭＦ−３１２デベ
ロツパー”（商品名）と水とを、１：１で混合したもの
を用いて、液温２２℃で６０秒かけてレジスト現像を行
う、その後、余分なカラーペースト層のエツチングを行
う、エツチングを終えたシリコン基板１を水でリンスし
、Ｎ２ガスを吹き付けて乾燥させる。

（ｖｉ）レジスト刊術、リンス、キュアの工程（第７図
＜ｎ又は第８［Ｚ（ｒ）参照）次に、カラーペースト層
の上に残っているフオ）・レジスト９を７．ｖｉ３させ
るために、シリコン基板１ｆ！：酢酸エチル中に浸漬・
撹拌し、５分後に取り出し、イソプロピルアルコールで
リンスした後、Ｎ２ガスを吹き付けて乾燥させ、その後
、通風乾燥機で３００°ＣのＮ２ガス中で３０分間キュ
アせしめる。

なお、実施例では、フォトレジストつとしてポジレジス
トを用いる例を示したが、ネガレジスト（例えば日立ｆ
ヒ成工業社製のネガ望レジスト″“ＲＵ−１１００Ｎ″
（商品名））を用いても良い。

（ｖｉｉ）第２色目のカラーフィルターの作成工程（第
７図（ｇ）又は第８図（ｇ）参照〉次に、第２色目のカ
ラーフィルターのＩＹ成に入るが、第２色目のカラーフ
ィルターのイヤ成においても、カラーペースト８を塗布
し、キュアするまで、第１色口と同等のプロセス（ｉｉ
）〜（ｖｉ）を繰り返す、このときのシリコン基板１上
の位置合わせマークは、マーク２０ｂを用いる。この場
合にも、第１色目の場合と同様に周囲との良好なコント
ラストが得られるので、位置なわせは容易である。

第２色目は、赤色、緑色、青色のうち、第１色目を除く
２色のうち、どちらの色を選んでもよい。

たとえば、第１色目が赤色であれば、第２色目は緑色と
して良い。

（婦）第３色目のカラーフィルターの（を成工程（第７
図（１＋）又は第８図（１１）フ照）次に、第３色目の
カラーフィルターの作成に入るが、第３色目のカラーフ
ィルターの作成においても、カラーペースト８を塗布し
、キュアするまで、第１色目と同等のプロセス（ｉｉ）
〜（ν；）を繰り返す、このときの位置合わせマークは
、マーク２０ｃを用いる。この場合にも、第１色目及び
第２色目の場合と同様に周囲との良好なコントラストが
得られるので、位置合わせは容易である。第３色目は、
赤色、緑色、青色のうち、第１色目と第２色目とを除く
残りの１色となる。たとえば、第１色目が赤色で、第２
色目は緑色であれば、第３色目は青色ということになる
。

このように、受光面を複数個持つ受光素子の場合、色の
異なる有ｖ１顔料を含むカラーペースＩ・を用いて、前
述のように複数個の位置合わせマークを用いてフォトリ
ソグラフィ法を繰り返すことによって、各受光面にそれ
ぞれ色の異なるカラーフィルターを取り付けることがで
き、それぞれのカラーフィルターに含まれる有Ｖ％皿料
の種類によって主に決まる分光特性を持つ分光検出受光
素子を形成することができる。

（ｉｘ）トップコート膜の塗布工程 ３色のカラーフィルター３．４．５を同一シリコン基板
１上に作成し終えた後、最後にトップコート膜６を形成
する。トップコートｒ！：１．６を形成するには、例え
ば日本合成ゴム社ＷＡＪ　Ｓ　Ｒポリイミド“ＪＩＡ−
１−２”（商品名）を、０．５μ…の膜厚で塗布し、ベ
ークする。ベーキング条件は、１５０℃の雰囲気で１時
間である。トップコート膜６としては、この他に、例え
ば日本合成ゴム社製の表面平坦化剤“ＪＳＳ−１７”（
商品名）を用いて形成しても良い。

このトップコート膜６を施す目的は、前述の（ｉｉ）〜
（ｖｉｉ）の工程により形成された着色ポリイミドカラ
ーフィルターの表面には、いわゆるオレンジピール状の
肌あれが発生し、表面の乱反射による光透過率の低下を
招くことが多いので、トップコート膜６によって表面を
平坦化して表面の乱反射を防止し、光透過率を向上させ
るためである。第１２図乃至第１４図に示されるように
、光透過率はトップコーティングが施されることにより
、数％改善されている。第１２図乃至第１４図は、前述
の工程により作成された青色、赤色及び緑色のクラ−フ
ィルターの分光透過率特性をそれぞれ示す図であり、実
線で示した特性はトップコーティングかない場合、破線
で示した特性はトップコーティングがある場合の特性を
それぞれ示している。

また、第１１図はトップコーティングの施されていない
青色のカラーフィルターについて、ｍＷを変えた場合の
分光透過率特性の変化を示すものであり、■はスピンナ
ーの最終的な回転数が２０００　ｒｐｍである場合、■
は同３０００ｒｐ−である場合、■は同４０００　ｒｐ
ｍである場合の分光透過率特性をそれぞれ示している。

さらに、第１５図はシリコンチップ上に設けた青色、緑
色、赤色の各カラーフィルターの特性を示している。な
お、この特性を得るために、第１６［Ｊに示す特性の赤
外カットフィルターを外ｆ１けしでいる。

ｆｉｆ＆に、トップコート膜６にて覆われたアルミニウ
ム膜７よりなる配線を露出させてポンディングパッド部
を形成する。このためには、フォトリソグラフィ法を用
いてポンディングパッド部のトップコート膜６を除去す
るものである。

なお、本発明の方法によってｗＡ造される受光素子とし
ては、実施例において例示したホワイトバランスセンサ
ーの他にも、共通のチップに処理回路と受光素子とを有
するＩＣや、輝度測定用センサーや２次元イメージセン
サ−（ＣＣＤやＭＯＳによる固体撮像素子）、潤色セン
サー等が考えられる。また、受光素子以外の分野への応
用として、カラー液晶表示板やカラー液晶テレビのよう
な表示素子用のカラーフィルターに用いることも考えら
れる。

（発明の効果） 以上のように、本発明にあっては、受光部にカラーフィ
ルターを形成する際の位置合わせマークがアルミニウム
膜で形成されているので、位置会わせマークを簡単に認
諾することができ、フォトマスクとウェハーとの位置合
わせ作業を容易に行うことができるという効果があり、
しかも、この位置合わせマークは、フォトリングラフィ
法を用いてウェハーの表面にアルミニウム膜を形成する
際に同時に形成するようにしたから、配線用又は遮光用
のアルミニラ１、膜を形成する際のフォトマスクのパタ
ーンを変更するだけで形成することができ、製造コスト
のアップにはならないという利点がある。さらにまた、
本発明にあっては、各カラーフィルターの形成工程毎に
異なる位置合わせマークを使用しているので、使用済み
の位置合わせマークについてはカラーフィルターにて覆
われるため、同じフォトマスクで２重露光したり、いず
れかのフォトマスクについての露光を忘れるような下部
なの生じるおそれが全くなくなり、複数回の位置合わせ
作業を正確且つ効率的に行うことができるという効果を
有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の一実施例に係る製造方法に用い
られるウェハーの正面図、同［］　（ｂ）は同上の他の
実施例に係る製造方法に用いられるウェハーの要部正面
図、第２図（ａ）は第１図（ａ）の実施例に用いるマス
クアライナ−の概略構成を示す斜視図、第２図（ｂ）は
第１図（ｂ）の実施例に用いるマスクアライナ−の概略
構成を示す斜視図、第３図（、＞（ｂ）は第２図（ｂ）
のマスクアライナ−に用いる他のウェハーの要部正面図
及び全体正面図、第４図（、）（ｂ）は前記各実施例に
おいて用いられる位置合わせマークの正面図、第５図（
ａ）　（ｂ）は同上の製造方法により’Ｘ！　３ｍされ
たカラーフィルターを有する受光素子の断面図、第６図
は同上の製造工程を示す工程図、第７図（、）乃至（Ｉ
ｔ）及び第８図（、）乃至（ｌＩ）は同上の製造工程の
各々を説明するための説明図、第９　＠　（ａ）　（ｂ
）はカラーペーストの塗布工程分示す説明図、第１０図
はスピンナーの回転数と塗布膜厚との関係を示す図、第
１１！２乃至第１５０はカラーフィルターの分光透過率
特性を示す図、第１６図は受光素子に外付けされる赤外
カットフィルターの分光透過ｆ！特性を示す図である。 １”はウェハー、７はアルミニウム膜、２０，２０ａ、
２０ｂ、２０ｃは位置合わせマーク、４１は遮光部であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハーに複数の受光面を有する受光素子を形成
   する工程の後、フォトリソグラフィ法により受光素子の
   受光面に接するようにカラーフィルターを形成する工程
   を複数回繰り返して、複数種類のカラーフィルターを有
   する受光素子を製造する方法において、アルミニウム配
   線またはアルミニウム遮光膜をフォトリソグラフィ法に
   より形成する際に同時にアルミニウム膜にて、上記各カ
   ラーフィルター形成工程に対応する位置合わせマークを
   形成し、カラーフィルター形成工程毎に異なる上記位置
   合わせマークを使用することを特徴とするカラーフィル
   ターを有する受光素子の製造方法。