JPS6385379A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPS6385379A
JPS6385379A JP61231723A JP23172386A JPS6385379A JP S6385379 A JPS6385379 A JP S6385379A JP 61231723 A JP61231723 A JP 61231723A JP 23172386 A JP23172386 A JP 23172386A JP S6385379 A JPS6385379 A JP S6385379A
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JP
Japan
Prior art keywords
output
control signal
state
tri
buffer
Prior art date
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Pending
Application number
JP61231723A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Murakami
哲也 村上
Soichi Kawasaki
川崎 壮一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6385379A publication Critical patent/JPS6385379A/en
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Abstract

PURPOSE:To dispense with an external testing circuit and a control signal observing terminal and to test the transition time of a tri-state output buffer easily, accurately, stably and rapidly, by mounting a testing control circuit in an integrated circuit. CONSTITUTION:At the time of a usual operation mode, a mode control signal is 1 and a tri-state output buffer 12 is controlled to an output enable state and an output disable state corresponding to 0 and 1 of a buffer control signal C. At the time of a test mode, the mode control signal becomes 0 and the output of an AND circuit 17 becomes 0 and, therefore, the output buffer 12 always becomes the output enable state. Since the output of a NAND circuit 14 becomes 1 and the control signal C passes through an OR circuit 15 and the inverted signal of the control signal C is inputted to the output buffer 12 through the NAND circuit 16, the inverted logic of the buffer control signal C becomes observable at a tri-state output terminal 11 and a transition time can be tested.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は半導体集積回路に係り、特にトライステート出
力バッファのテスト制御回路に関する、(従来の技術) 近年、e−)アレイ方式とかスタンダードセル方式の半
導体集積回路などのカスタムLSIの製造に際して診断
性が重要な課題になってお)、特にトライステート出力
バッファのトライステート遷移時間(出力イネーブル時
間、出力ディスエーブル時間)のテストの容易性、正確
性、安定性、連速性が必要とされる。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and particularly relates to test control circuits for tri-state output buffers. Diagnosis is an important issue when manufacturing custom LSIs such as standard cell semiconductor integrated circuits), especially testing the tristate transition time (output enable time, output disable time) of tristate output buffers. Ease of use, accuracy, stability, and continuous speed are required.

従来、トライステート遷移時間をテストするために、第
3図に示すようKLSIのトライステート出力バッファ
31の出力側に接続されたトライステート出力端子32
に抵抗R,、R,、コンデンサC、スイッチ回路S□、
 S、 、 S、等のテスト回路33を外付は接続し、
あるいは第4図に示すように、LSIの内部にトライス
テート出力バッファ41の制御信号Cのための出力バッ
ファ42を設け、この出力バッファ42の出力を外部か
ら観測するための出力端子(制御信号観測用端子43)
をトライステート出力端子44とは別に設けていた。
Conventionally, in order to test the tristate transition time, a tristate output terminal 32 connected to the output side of a tristate output buffer 31 of KLSI is used as shown in FIG.
resistor R,, R, capacitor C, switch circuit S□,
Connect external test circuits 33 such as S, , S, etc.
Alternatively, as shown in FIG. 4, an output buffer 42 for the control signal C of the tri-state output buffer 41 is provided inside the LSI, and an output terminal (control signal observation terminal 43)
was provided separately from the tri-state output terminal 44.

しかし、上記第3図のテスト回路を外付は接続する方法
は、テスト装置やテスト器具の浮遊容量等の影響を受け
、テストを容易、正確、安定、迅速に行なうことが困難
であった。また、第4図に示したように制御信号観測用
端子43を設けることは、トライステート遷移時間のテ
ストを容易に行なうことができるが、トライステート出
力端子44と同数の制御信号観測用端子43を設ける必
要があるので、多数のトライステート出力端子44を有
するカスタムLSIに採用することは難しいという問題
がある。また、上記制御信号観測用端子43はカスタム
LSIの実使用時において全く不要であj9.LSI端
子の有効利用の点でも問題がある。
However, the method of externally connecting the test circuit shown in FIG. 3 is affected by the stray capacitance of test equipment and test equipment, and it is difficult to perform tests easily, accurately, stably, and quickly. Further, by providing the control signal observation terminals 43 as shown in FIG. 4, it is possible to easily test the tristate transition time. Therefore, there is a problem in that it is difficult to employ it in a custom LSI having a large number of tri-state output terminals 44. Furthermore, the control signal observation terminal 43 is completely unnecessary during actual use of the custom LSI.j9. There is also a problem in terms of effective use of LSI terminals.

(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、上記したようにトライステート出力バッファ
のテスト回路を外付けする場合には正確、安定なテスト
が困難であシ、制御信号観測用端子を設けることは端子
数の増大をまねくと共に端子の利用効率が低くなるとい
う問題点を解決すべくなされたものであ)、外付はテス
ト回路および制御信号観測用端子が不要であシ、トライ
ステート出力バッファのトライステート遷移時間を容易
、正確、安定、迅速にテストし得る半導体集積回路を提
供することを目的とする。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, when externally attaching a test circuit for a tri-state output buffer, accurate and stable testing is difficult, and the present invention provides a control signal observation terminal. This was done to solve the problem of increasing the number of terminals and lowering the efficiency of terminal usage), eliminating the need for external test circuits and control signal observation terminals, and providing tri-state output. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit that can easily, accurately, stably, and quickly test the tri-state transition time of a buffer.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明の半導体集積回路は、制御入力に応じて出力イネ
ーブル状態または出力ディスエーブル状態に制御され、
出力がトライステート出力端子に接続されたトライステ
ート出力バッファと、モード制御信号によ多制御され、
通常動作モードでは集積回路内部出力信号を上記トライ
ステート出゛上記トライステート出力パッ7アを出力イ
ネーブル状態に制御すると共にバッファ制御信号を上記
トライステート出力バッファに入力させるテスト制御回
路とを具備することを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The semiconductor integrated circuit of the present invention is controlled to an output enable state or an output disable state according to a control input,
a tri-state output buffer whose output is connected to a tri-state output terminal, and is controlled by a mode control signal;
In the normal operation mode, the test control circuit controls the integrated circuit internal output signal to the tri-state output buffer, controls the tri-state output buffer to an output enable state, and inputs a buffer control signal to the tri-state output buffer. It is characterized by

(作用) テスト制御回路を集積回路に内蔵しておシ、テストモー
ドのときにはバッファ制御信号がトライステート出力バ
ッファを経てトライステート出力端子に出力するので、
トライステート遷移時間のテストを容易、正確、安定、
迅速に行なうことが可能になる。
(Function) The test control circuit is built into the integrated circuit, and in the test mode, the buffer control signal is output to the tristate output terminal via the tristate output buffer.
Easy, accurate, stable testing of tri-state transition times
This can be done quickly.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はダートアレイ方式あるいはスタンダードセル方
式のカスタムLSI (大規模集積回路)に設けられた
出力パラフッ回路群のうちの1個10およびその出力側
のトライステート出力端子11を示している。上記出力
バッファ回路10は、トライステート出力バッファ12
と、通常動作モードでは前段からの入力信号(LSI内
部出力信号0ut)を上記トライステート出力バッファ
12に導くと共に、このトライステート出力バッファ1
2をバッファ制御信号により出カイネーブル状態または
出力ディスエーブル状態に制御し、トライステート遷移
時間のテストモードではトライステート出力バッ7ア1
2をモード制御信号出力イネーブル状態に制御して、こ
れにバッファ制御信号を導くテスト制御回路13とを有
する。
FIG. 1 shows one of a group of output parallel circuits 10 provided in a custom LSI (Large Scale Integrated Circuit) of a dirt array type or standard cell type, and a tristate output terminal 11 on the output side thereof. The output buffer circuit 10 includes a tri-state output buffer 12
In the normal operation mode, the input signal from the previous stage (LSI internal output signal 0ut) is guided to the tristate output buffer 12, and the tristate output buffer 1
In the tri-state transition time test mode, the tri-state output buffer 7
2 to a mode control signal output enable state, and a test control circuit 13 for guiding a buffer control signal thereto.

上記テスト制御回路13は、たとえば図示の如く構成さ
れている。即ち、LSI内部出力信号が一方の入力とな
)、モード制御信号N/T(通常動作モードNのときに
ハイレベル″′1”、テストモードTのときにロウレベ
ル″′0”)が他方の入力となる二人力の第1のナンド
回路14と、バッファ制御信号Cが一方の入力と芝夛、
前記モード制御信号が他方の入力となる二人力のオア回
路15と、とのオア回路15の出力および前記第1のナ
ンド回路14の出力がそれぞれ入力となシ、出力が前記
トライステート出力バッファ12の入力となる二人力の
第2のナンド回路16と、前記バッファ制御信号Cおよ
びモード制御信号がそれぞれ入力となシ、出力が上記ト
ライステート出力バッファ12の制御入力となるアンド
回路12とからなる。
The test control circuit 13 is configured, for example, as shown in the figure. That is, the LSI internal output signal is one input), and the mode control signal N/T (high level "'1" in normal operation mode N, low level "'0" in test mode T) is the other input. A two-man powered first NAND circuit 14 serves as an input, and a buffer control signal C is connected to one input,
A two-man OR circuit 15 whose other input is the mode control signal; It consists of a second NAND circuit 16 operated by two people which serves as an input, and an AND circuit 12 whose inputs are the buffer control signal C and mode control signal, respectively, and whose output is a control input of the tristate output buffer 12. .

次に、上記出力バッファ回路10の動作を説明する。通
常動作モードのときには、そ−ド制御信号が′1”であ
シ、アンド回路17はバッファ制御信号Cを通過させ、
第1のナンド回路14はLSI内部出力信号を通過させ
ると同時にレベルを反転させ、オアダート15の出力は
′l”になっているので第2のナンド回路16は上記第
1のナンド回路14の出力を通過させると共にレベルを
反転させる。したがって、トライステート出力バッファ
12はノ9ツファ制御信号CのIQIII、1″1”に
応じて出力イネーブル状態、出力ディスエーブル状態に
制御される。そして、トライステート出カパッ7ア12
が出力イネーブル状態のとき、LSI内部出力信号が第
1のナンド回路14、第2のナンド回路16、トライス
テート出力バッファ12を経てトライステート出力端子
11から出力する。
Next, the operation of the output buffer circuit 10 will be explained. In the normal operation mode, the so-do control signal is '1', and the AND circuit 17 passes the buffer control signal C;
The first NAND circuit 14 passes the LSI internal output signal and at the same time inverts the level, and the output of the or-dirt 15 is 'l', so the second NAND circuit 16 passes the output of the first NAND circuit 14. Therefore, the tri-state output buffer 12 is controlled to be in an output enable state or an output disable state according to IQIII, 1"1" of the output control signal C. Output 7a 12
When the output is enabled, the LSI internal output signal passes through the first NAND circuit 14, the second NAND circuit 16, and the tristate output buffer 12, and is output from the tristate output terminal 11.

これに対して、テストモードのときには、モード制御信
号が60”になシ、アンド回路17の出力はO′になる
のでトライステート出力バッ7ア12は常に出力イネー
ブル状態になる。また、第1のナンド回路14は出力が
′1”になシ、オア回路15はバッファ制御信号Cが通
過し、第2のナンド回路16は上記オア回路15の出力
が通過してレベルが反転する。このように、トライステ
ート出力バッファ12にはバッファ制御信号6の反転信
号が入力するので、トライステート出力端子11でバッ
ファ制御信号Cの反転論理が観測可能になる。即ち、バ
ッファ制御信号Cが″′θ″レベルになりてから観測出
力信号が1”レベルになるまでの時間が出力イネーブル
時間であシ、バッファ制御信号Cが′″1”レベルにな
りでから観測出力信号が″O″レベルになるまでの時間
が出力ディスエーブル時間である。この場合、テストモ
ードと通常動作モードとにおけるバッファ制御信号Cの
トライステート出力端子1ノまでの経路差、即ち、上記
バッファ制御信号Cの伝播速度の差が明確になるように
上記出力8277回路を設計しておけば、トライステー
ト遷移時間のテストを非常に正確に行なうことができる
On the other hand, in the test mode, the mode control signal is not 60'' and the output of the AND circuit 17 is O', so the tri-state output buffer 12 is always in the output enable state. The output of the NAND circuit 14 is '1', the buffer control signal C passes through the OR circuit 15, and the output of the OR circuit 15 passes through the second NAND circuit 16, so that the level is inverted. In this way, since the inverted signal of the buffer control signal 6 is input to the tristate output buffer 12, the inverted logic of the buffer control signal C can be observed at the tristate output terminal 11. In other words, the output enable time is the time from when the buffer control signal C reaches the ``θ'' level until the observation output signal reaches the 1'' level, and after the buffer control signal C reaches the ``1'' level. The time it takes for the observation output signal to reach the "O" level is the output disable time. In this case, the path difference between the buffer control signal C and the tristate output terminal 1 between the test mode and the normal operation mode, that is, If the output 8277 circuit is designed so that the difference in propagation speed of the buffer control signal C becomes clear, the tri-state transition time can be tested very accurately.

なお、上記カスタムLSIの直流テストのときに、モー
ド制御信号を11″にし、バッファ制御信号Cを′O”
から′1”にすることによって、トライステート出力バ
ッファ12が出力イネーブル状態から出力ディスエーブ
ル状態(トライステート出力端子11のハイインピーダ
ンス状態)になるか否かをチェックすることができる。
In addition, during the DC test of the custom LSI mentioned above, the mode control signal is set to 11", and the buffer control signal C is set to 'O".
By setting the tristate output buffer 12 to '1', it is possible to check whether the tristate output buffer 12 changes from the output enable state to the output disable state (the high impedance state of the tristate output terminal 11).

上記実施例のトライステート出力バッファのテスト制御
回路によれば、半導体集積回路に内蔵されておシ、モー
ド制御信号によ、9)ライステート出力バッファのトラ
イステート遷移時間のテストモードに設定してトライス
テート出力端子に出力するパンフッ制御信号を観測する
ことにより、上記遷移時間をテストすることができる。
According to the test control circuit for the tri-state output buffer of the above embodiment, the circuit is built in the semiconductor integrated circuit, and 9) sets the test mode for the tri-state transition time of the tri-state output buffer using the mode control signal. The transition time can be tested by observing the pan-flash control signal output to the tri-state output terminal.

したがって、従来のようにテスト回路を外付けしたシ、
専用の制御信号観測用端子を設けたシする必要はなく、
上記テストを容易、正確、安定、迅速に行なうことがで
きると共に、LSIの端子数の増大や端子の利用効率の
低下をまねくこともない。
Therefore, if a test circuit is attached externally as in the past,
There is no need to provide a dedicated control signal observation terminal.
The above test can be performed easily, accurately, stably, and quickly, without increasing the number of terminals of the LSI or reducing the efficiency of terminal utilization.

なお、モード制御信号をカスタムLSIに入力して上記
したような出力バッファ回路群に共通に与えるために専
用のモード制御信号入力端子を1個設けてもよいが、既
設の入力端子群にカスタムLSIで末だ使用されていな
い入力の組合せを入力し、これをLSI内部で判別して
前記したようなモード制御信号を生成するようにしても
よい。
Note that one dedicated mode control signal input terminal may be provided in order to input the mode control signal to the custom LSI and commonly provide it to the output buffer circuit group as described above, but if the custom LSI It is also possible to input a combination of inputs that are not used at all, and to discriminate this within the LSI to generate the mode control signal as described above.

また、上記実施例は、出力8177回路を示したが、こ
れに限らず、第2図に示すようにトライステート入力バ
ッファ20が接続されている入/出力端子2ノに前記実
施例と同様の出力8277回路10を接続するようにし
てもよい。この場合、入力バッファ20は前記アンド回
路17の出力が制御入力となシ、トライステート出力バ
ッファ12の出力イネープ、ル/ディスエーブル状態に
対応して入力ディスエーブル/イネーブル状態になる。
Furthermore, although the above embodiment has shown an output 8177 circuit, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. An output 8277 circuit 10 may also be connected. In this case, the input buffer 20 has the output of the AND circuit 17 as a control input, and enters an input disable/enable state in response to the output enable/disable state of the tristate output buffer 12.

[発明の効果コ 上述したように本発明の半導体集積回路によれば、トラ
イステート出力バッファのテスト制御回路を内蔵し、テ
スト時にトライステート出力バッ7ア制御信号をトライ
ステート出力端子に出力させることができるので、トラ
イステート遷移時間のテストを容易、正確、安定、迅速
に行なうことができ、カスタムLSI@に、適用して極
めて有効である。
[Effects of the Invention] As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, a tri-state output buffer test control circuit is built-in, and a tri-state output buffer control signal is output to the tri-state output terminal during testing. Therefore, tri-state transition time tests can be performed easily, accurately, stably, and quickly, and are extremely effective when applied to custom LSI@.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の半導体集積回路の一実施例に係るカス
タムLSIの出力バッファ回路を示す回路図、第2図は
同じく他の実施例に係る入/出力2777回路を示す回
路図、第3図は従来のカスタムLSIKおけるトライス
テート出力パッファおよび外付はテスト回路を示す回路
図、第4図は従来のカスタムLSIにおけるトライステ
ート出力パッ7ア系および制御信号出力バッファ系を示
す回路図である。 1ノ・・・トライステート出力端子、12・・・トライ
ステート出力パッファ、13・・・テスト制御信号。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
FIG. 1 is a circuit diagram showing an output buffer circuit of a custom LSI according to one embodiment of the semiconductor integrated circuit of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an input/output 2777 circuit according to another embodiment, and FIG. The figure is a circuit diagram showing a tri-state output buffer and external test circuit in a conventional custom LSIK, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a tri-state output buffer system and a control signal output buffer system in a conventional custom LSI. . 1 No.. Tri-state output terminal, 12.. Tri-state output buffer, 13.. Test control signal. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 制御入力に応じて出力イネーブル状態または出力ディス
エーブル状態に制御され、出力がトライステート出力端
子に接続されたトライステート出力バッファと、モード
制御信号により制御され、通常動作モードでは集積回路
内部出力信号を上記トライステート出力バッファに入力
させると共にバッファ制御信号を上記トライステート出
力バッファの制御入力とし、トライステート遷移時間テ
ストモードでは上記トライステート出力バッファを出力
イネーブル状態に制御すると共にバッファ制御信号を上
記トライステート出力バッファに入力させるテスト制御
回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路。
A tri-state output buffer that is controlled to an output enable state or an output disable state according to a control input and whose output is connected to a tri-state output terminal, and a tri-state output buffer that is controlled by a mode control signal and that outputs an integrated circuit internal output signal in the normal operating mode. The buffer control signal is input to the tri-state output buffer, and the buffer control signal is used as a control input of the tri-state output buffer, and in the tri-state transition time test mode, the tri-state output buffer is controlled to an output enable state, and the buffer control signal is input to the tri-state output buffer. 1. A semiconductor integrated circuit comprising: a test control circuit for inputting data to an output buffer.
JP61231723A 1986-09-30 1986-09-30 Semiconductor integrated circuit Pending JPS6385379A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0572293A (en) * 1991-09-13 1993-03-23 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Semiconductor integrated circuit

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JPH0572293A (en) * 1991-09-13 1993-03-23 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Semiconductor integrated circuit

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