JPS6384195A - 有機多層配線基板におけるヴイア形成方法 - Google Patents
有機多層配線基板におけるヴイア形成方法Info
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- JPS6384195A JPS6384195A JP23103886A JP23103886A JPS6384195A JP S6384195 A JPS6384195 A JP S6384195A JP 23103886 A JP23103886 A JP 23103886A JP 23103886 A JP23103886 A JP 23103886A JP S6384195 A JPS6384195 A JP S6384195A
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Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機多層配線基板において、絶縁膜をはさんで
上下に存在する導体配線を電気的に接続するヴィアの形
成方法に関する。
上下に存在する導体配線を電気的に接続するヴィアの形
成方法に関する。
従来、有機絶縁膜を用いた有機多層配線基板において、
絶縁膜をはさんで上下に存在する導体配線をつなぐヴィ
アの形成に関しては、まず絶縁膜を形成し、その絶縁膜
にヴィアホールを形成したのち導電樹脂を埋込む方法を
とっている。
絶縁膜をはさんで上下に存在する導体配線をつなぐヴィ
アの形成に関しては、まず絶縁膜を形成し、その絶縁膜
にヴィアホールを形成したのち導電樹脂を埋込む方法を
とっている。
上述した従来のヴィア形成方法では、まず絶縁膜を形成
してヴィアホールをあけておいてから、導電樹脂を埋込
む方式のため、ヴィアホールをあけようとする絶縁膜が
厚くなり、ヴィアホールの形状のコントロールがむずか
しく、ヴィアホールのあき方が不十分であったり、逆に
ヴィアホールが抜けすぎて逆テーパ状になり、そのため
上部の配線が段切れをおこしたりするという欠点を有し
ていた。
してヴィアホールをあけておいてから、導電樹脂を埋込
む方式のため、ヴィアホールをあけようとする絶縁膜が
厚くなり、ヴィアホールの形状のコントロールがむずか
しく、ヴィアホールのあき方が不十分であったり、逆に
ヴィアホールが抜けすぎて逆テーパ状になり、そのため
上部の配線が段切れをおこしたりするという欠点を有し
ていた。
本発明の目的は良好な形状のヴィアホールを安定して得
るヴィア形成方法を提供することにある。
るヴィア形成方法を提供することにある。
本発明の有機多層配線基板におけろヴィア形成方法は、
導体配線を有する基板全面に銅の薄膜を形成する第１の
工程と、前記鋼の薄膜上にフォトレジストを塗布し、露
光・現像により所定のヴィア形成部分以外をマスキング
する第２の工程と、レジスト上から前記ヴィア形成部分
にポリイミド系導電樹脂を埋め込む第３の工程と、フォ
トレジストを剥離し、導電樹脂をマスキングレジストと
して露出した銅薄膜をエツチングする第４の工程と、導
電樹脂をキュアする第５の工程と、基板全面に感光性ポ
リイミド樹脂を塗布し、露光・現像により前記ヴィア形
成部分にヴィアホールをあける第６の工程と、感光性ポ
リイミド樹脂をキュアする第７の工程とを含むことを特
徴とするものである。
導体配線を有する基板全面に銅の薄膜を形成する第１の
工程と、前記鋼の薄膜上にフォトレジストを塗布し、露
光・現像により所定のヴィア形成部分以外をマスキング
する第２の工程と、レジスト上から前記ヴィア形成部分
にポリイミド系導電樹脂を埋め込む第３の工程と、フォ
トレジストを剥離し、導電樹脂をマスキングレジストと
して露出した銅薄膜をエツチングする第４の工程と、導
電樹脂をキュアする第５の工程と、基板全面に感光性ポ
リイミド樹脂を塗布し、露光・現像により前記ヴィア形
成部分にヴィアホールをあける第６の工程と、感光性ポ
リイミド樹脂をキュアする第７の工程とを含むことを特
徴とするものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図から第８図は本発明の実施例の工程断面図である
。第１図において、導体配線１が形成された基板２上に
全面に銅をスパッタリングして１０００人〜２０００人
の厚さの薄ｊ膜３を形成する。
。第１図において、導体配線１が形成された基板２上に
全面に銅をスパッタリングして１０００人〜２０００人
の厚さの薄ｊ膜３を形成する。
この銅の薄膜３を形成する目的はこの上に塗布するフォ
トレジストのパターニングを容易にするためと、後にヴ
ィアフイルとして埋め込む導電樹脂との密着力を上げる
ことにある。次に第２図に示すように基板２上にフォト
レジスト４を塗布乾燥する。更にこれをマスクを通して
露光・現像することにより第３図に示すように所定のヴ
ィア形成部分５のレジストを除去する。次にこのレジス
ト上にポリイミド系の導電樹脂６をスキージ７によって
すべらせ、第４図に示すようにヴィア形成部分５に導電
樹脂６、を埋め込む。次にメチルエチルケトン等の有機
溶剤によりレジスト４を剥離する。
トレジストのパターニングを容易にするためと、後にヴ
ィアフイルとして埋め込む導電樹脂との密着力を上げる
ことにある。次に第２図に示すように基板２上にフォト
レジスト４を塗布乾燥する。更にこれをマスクを通して
露光・現像することにより第３図に示すように所定のヴ
ィア形成部分５のレジストを除去する。次にこのレジス
ト上にポリイミド系の導電樹脂６をスキージ７によって
すべらせ、第４図に示すようにヴィア形成部分５に導電
樹脂６、を埋め込む。次にメチルエチルケトン等の有機
溶剤によりレジスト４を剥離する。
このとき、ポリイミド系の導電樹脂６は溶解しないので
、そのまま残り、第５図に示すようになる。
、そのまま残り、第５図に示すようになる。
次にこの導電樹脂６をマスキングレジストとして、イオ
ンビームエツチングにより銅の薄膜３をエツチングする
。更にこの基板２をキュア炉に入れ、導電樹脂６をキュ
アすることにより第６図に示すようにヴィア８を形成す
る。次に第７図に示すように感光性ポリイミド樹脂９を
基板表面に塗布・乾燥する。このとき、基板上にヴィア
が形成されているため、第７図に示すようにヴィア８上
はポリイミド膜が薄くなり、そのため露光・現像による
ヴィアホールの形成が安定してできるようになる。第８
図はマスクを通して露光・現像することによってヴィア
ホール１０を形成した後、キュア炉に入れて硬化させた
状態であり、ヴィアホール１０をヴィア８より少し小さ
めに形成することにより上部の導体配線と良好な接続が
得られる。
ンビームエツチングにより銅の薄膜３をエツチングする
。更にこの基板２をキュア炉に入れ、導電樹脂６をキュ
アすることにより第６図に示すようにヴィア８を形成す
る。次に第７図に示すように感光性ポリイミド樹脂９を
基板表面に塗布・乾燥する。このとき、基板上にヴィア
が形成されているため、第７図に示すようにヴィア８上
はポリイミド膜が薄くなり、そのため露光・現像による
ヴィアホールの形成が安定してできるようになる。第８
図はマスクを通して露光・現像することによってヴィア
ホール１０を形成した後、キュア炉に入れて硬化させた
状態であり、ヴィアホール１０をヴィア８より少し小さ
めに形成することにより上部の導体配線と良好な接続が
得られる。
以上説明したように本発明は有機多層配線鋸板の絶縁膜
をはさんで上下に存在する導体配線をつなぐヴィアの形
成方法において、まずヴィアを形成し、次に絶縁膜を形
成してヴィアホールをあけることにより、良好な形状の
ヴィアホールが安定して得られ、従って上部配線との良
好な接続を得ることができる効果がある。
をはさんで上下に存在する導体配線をつなぐヴィアの形
成方法において、まずヴィアを形成し、次に絶縁膜を形
成してヴィアホールをあけることにより、良好な形状の
ヴィアホールが安定して得られ、従って上部配線との良
好な接続を得ることができる効果がある。
第１図から第８図は本発明の工程断面図である。
Claims (1)
- （１）有機多層配線基板において、導体配線を有する基
板全面に銅の薄膜を形成する第１の工程と、前記銅の薄
膜上にフォトレジストを塗布し、露光・現像により所定
のヴィア形成部分以外をマスキングする第２の工程と、
レジスト上から前記ヴィア形成部分にポリイミド系導電
樹脂を埋め込む第３の工程と、フォトレジストを剥離し
、導電樹脂をマスキングレジストとして露出した銅薄膜
をエッチングする第４の工程と、導電樹脂をキュアする
第５の工程と、基板全面に感光性ポリイミド樹脂を塗布
し、露光・現像により前記ヴィア形成部分にヴィアホー
ルをあける第６の工程と、感光性ポリイミド樹脂をキュ
アする第７の工程とを含むことを特徴とするヴィア形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23103886A JPS6384195A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 有機多層配線基板におけるヴイア形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23103886A JPS6384195A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 有機多層配線基板におけるヴイア形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384195A true JPS6384195A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16917300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23103886A Pending JPS6384195A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 有機多層配線基板におけるヴイア形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384195A (ja) |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23103886A patent/JPS6384195A/ja active Pending
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