JPS6382378A - 混成集積回路特性測定装置 - Google Patents
混成集積回路特性測定装置Info
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- JPS6382378A JPS6382378A JP61228592A JP22859286A JPS6382378A JP S6382378 A JPS6382378 A JP S6382378A JP 61228592 A JP61228592 A JP 61228592A JP 22859286 A JP22859286 A JP 22859286A JP S6382378 A JPS6382378 A JP S6382378A
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- JP
- Japan
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- probes
- variable
- integrated circuit
- hybrid integrated
- diode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、混成集積回路の電気的特性測定装置に関し、
特に、集中定数回路で構成される高周波回路の特性測定
及び特性調整に用いる混成集積回路特性測定装置に関す
る。
特に、集中定数回路で構成される高周波回路の特性測定
及び特性調整に用いる混成集積回路特性測定装置に関す
る。
従来、混成集積回路の電気的特性測定装置においてプロ
ーバーは、膜回路基板の抵抗トリミング用の１０−バー
のごとく、基板上に形成された素子の端子導体と測定器
とを電気的に接続する機能しか有していなかった。
ーバーは、膜回路基板の抵抗トリミング用の１０−バー
のごとく、基板上に形成された素子の端子導体と測定器
とを電気的に接続する機能しか有していなかった。
［、発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の特性測定装置では、回路定数をかえる必
要がある場合には、部品の搭載・半田付をくり返し行い
測定するため、時間が著しくかかるといった欠点があっ
た。
要がある場合には、部品の搭載・半田付をくり返し行い
測定するため、時間が著しくかかるといった欠点があっ
た。
上述した従来の測定装置に対し、本発明は、被測定物に
対し外部より受動素子が付加され、かつ受動素子の定数
を外部バイアス電圧により、可変にできる機能を有する
点において独創的内容を有する。
対し外部より受動素子が付加され、かつ受動素子の定数
を外部バイアス電圧により、可変にできる機能を有する
点において独創的内容を有する。
本発明の混成集積回路特性測定装置は、１対の探針と、
この探針間に電気的に接続される可変容量ダイオードま
たは可変抵抗素子と、前記可変容量ダイオードまたは可
変抵抗素子の容量値または抵抗値を外部から可変する手
段とを具備することを特徴とする。
この探針間に電気的に接続される可変容量ダイオードま
たは可変抵抗素子と、前記可変容量ダイオードまたは可
変抵抗素子の容量値または抵抗値を外部から可変する手
段とを具備することを特徴とする。
第１図は、本発明の一実施例におけるプローバ一部を示
す構成図で、可変容量ダイオード１は、外部バイアス端
子４から供給される電圧により、探針３，３′間の容量
が変化する。ＤＣブロック用のコンデンサ２．２′は外
部バイアスによる直流のまわり込みを防止するものであ
り、外部バイアス端子４と可変容量ダイオード１とをリ
ード５で接続する。高周波測定の場合には、ＲＦ防止の
ため、ビーズコアをリード５に通す。ここで、探針３．
３′は一組に限らず、混成集積回路基板上の素子に対応
して、二組以上付加することも可能である。なお、符号
６は探針支持台を示す。
す構成図で、可変容量ダイオード１は、外部バイアス端
子４から供給される電圧により、探針３，３′間の容量
が変化する。ＤＣブロック用のコンデンサ２．２′は外
部バイアスによる直流のまわり込みを防止するものであ
り、外部バイアス端子４と可変容量ダイオード１とをリ
ード５で接続する。高周波測定の場合には、ＲＦ防止の
ため、ビーズコアをリード５に通す。ここで、探針３．
３′は一組に限らず、混成集積回路基板上の素子に対応
して、二組以上付加することも可能である。なお、符号
６は探針支持台を示す。
第２図は、第１図のプローバ一部を使用して測定する場
合を説明するための、混成集積回路・高周波増幅回路の
斜視図である。
合を説明するための、混成集積回路・高周波増幅回路の
斜視図である。
膜回路基板７の上に増幅用トランジスタ１０が搭載され
、また、電力整合用の容量として、チップコンデンサ９
が搭載されており、１１は、チップコンデンサ搭載用の
端子ランドである。なお、符号８は放熱板を示す。
、また、電力整合用の容量として、チップコンデンサ９
が搭載されており、１１は、チップコンデンサ搭載用の
端子ランドである。なお、符号８は放熱板を示す。
通常、この種の増幅器においては、搭載されているトラ
ンジスタ１０は、入出力のインピーダンスがある程度バ
ラつくため、所定の特性を確保するためには、チップコ
ンデンサ１１の容量値をふり分けて最適な定数を選定す
ることが必要となる。
ンジスタ１０は、入出力のインピーダンスがある程度バ
ラつくため、所定の特性を確保するためには、チップコ
ンデンサ１１の容量値をふり分けて最適な定数を選定す
ることが必要となる。
この場合、混成集積回路の端子ランド１１に接続するよ
う第１図のプローバ一部の探針３，３′をおろし、電力
計等を直視しながら、外部バイアス電圧を加え、最適電
圧を得ることにより、この電圧から容量への変換が可能
であるため、直ちに最適なコンデンサーが設定でき、プ
ローバーをはずし、指定の容量値のコンデンサーを搭載
半田付することにより、短時間で混成集積回路が調整９
組立されることになる。また、電圧を連続的に変動させ
ることにより、容量をパラメーターとした各測定値が直
ちに得られ、設計のデーター集積にも有用である。
う第１図のプローバ一部の探針３，３′をおろし、電力
計等を直視しながら、外部バイアス電圧を加え、最適電
圧を得ることにより、この電圧から容量への変換が可能
であるため、直ちに最適なコンデンサーが設定でき、プ
ローバーをはずし、指定の容量値のコンデンサーを搭載
半田付することにより、短時間で混成集積回路が調整９
組立されることになる。また、電圧を連続的に変動させ
ることにより、容量をパラメーターとした各測定値が直
ちに得られ、設計のデーター集積にも有用である。
尚、本実施例では、電力増幅回路をとりあげたが、電圧
可変発振器の発振周波数の調整等に適用しても、同様の
効果が期待される。
可変発振器の発振周波数の調整等に適用しても、同様の
効果が期待される。
以上説明したように本発明によれば、混成集積回路の調
整作業における著しい工数短縮が可能となる。
整作業における著しい工数短縮が可能となる。
第１図は本発明の一実施例におけるプローバー部の構成
図、第２図は測定の対象となる一般の混成集積回路を例
示する斜視図である。 １・・・可変容量ダイオード、２・・・ＤＣブロック用
コンデンサ、３．３′・・・探針、４・・・バイアス端
子、５・・・リード、６・・・探針支持台、７・・・膜
回路基板、８・・・放熱板、９・・・チップコンデンサ
、１０・・・トランジスタ、１１・・・チップコンデン
サ搭載ランド。
図、第２図は測定の対象となる一般の混成集積回路を例
示する斜視図である。 １・・・可変容量ダイオード、２・・・ＤＣブロック用
コンデンサ、３．３′・・・探針、４・・・バイアス端
子、５・・・リード、６・・・探針支持台、７・・・膜
回路基板、８・・・放熱板、９・・・チップコンデンサ
、１０・・・トランジスタ、１１・・・チップコンデン
サ搭載ランド。
Claims (1)
- １対の探針と、この探針間に電気的に接続される可変
容量ダイオードまたは可変抵抗素子と、前記可変容量ダ
イオードまたは可変抵抗素子の容量値または抵抗値を外
部から可変する手段とを具備することを特徴とする混成
集積回路特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228592A JPS6382378A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 混成集積回路特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228592A JPS6382378A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 混成集積回路特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6382378A true JPS6382378A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16878772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61228592A Pending JPS6382378A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 混成集積回路特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6382378A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359532A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-11 | Nec Yamagata Ltd | 発振防止プローブカード |
| CN106483473A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-03-08 | 深圳清华大学研究院 | 发光二极管测试装置 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61228592A patent/JPS6382378A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359532A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-11 | Nec Yamagata Ltd | 発振防止プローブカード |
| CN106483473A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-03-08 | 深圳清华大学研究院 | 发光二极管测试装置 |
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