JPH09166641A - Ｓパラメータ測定装置 - Google Patents
Ｓパラメータ測定装置Info
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- JPH09166641A JPH09166641A JP32426895A JP32426895A JPH09166641A JP H09166641 A JPH09166641 A JP H09166641A JP 32426895 A JP32426895 A JP 32426895A JP 32426895 A JP32426895 A JP 32426895A JP H09166641 A JPH09166641 A JP H09166641A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓパラメータを測定する供試素子がハイイン
ピーダンスの場合、測定周波数によりインピーダンスが
変化され、その入出力におけるインピーダンスマッチン
グが不整となり、信号の損失が生じて測定精度が劣化さ
れる。 【解決手段】 供試素子１００を保持してその電極端子
に電気接続され、所定のバイアス電圧や入出力信号を供
給する導体２，３や入出力コネクタ６，９及びバイアス
供給端子７，８，１０を備える装置内に、入力側及び出
力側の各整合回路４，５を内蔵し、各整合回路４，５に
おいて供試素子１００の入出力のインピーダンスマッチ
ングをとることで広い周波数範囲において信号の損失を
抑さえ、高精度にＳパラメータを測定することが可能と
なる。整合回路４，５を金属製のベース１と押え板１１
との間に内装することで、供試素子１００との間のシー
ルドを行い、相互干渉や外部からの高周波ノイズの影響
を防止して測定精度を向上させる。
ピーダンスの場合、測定周波数によりインピーダンスが
変化され、その入出力におけるインピーダンスマッチン
グが不整となり、信号の損失が生じて測定精度が劣化さ
れる。 【解決手段】 供試素子１００を保持してその電極端子
に電気接続され、所定のバイアス電圧や入出力信号を供
給する導体２，３や入出力コネクタ６，９及びバイアス
供給端子７，８，１０を備える装置内に、入力側及び出
力側の各整合回路４，５を内蔵し、各整合回路４，５に
おいて供試素子１００の入出力のインピーダンスマッチ
ングをとることで広い周波数範囲において信号の損失を
抑さえ、高精度にＳパラメータを測定することが可能と
なる。整合回路４，５を金属製のベース１と押え板１１
との間に内装することで、供試素子１００との間のシー
ルドを行い、相互干渉や外部からの高周波ノイズの影響
を防止して測定精度を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波デバイス、特
に材料にＳｉまたはＧａＡｓを用いたディスクリート型
のバイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ等の
Ｓパラメータ測定装置に関し、特に入出力インピーダン
スが高い高周波デバイスのＳパラメータの測定に好適な
測定装置に関する。
に材料にＳｉまたはＧａＡｓを用いたディスクリート型
のバイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ等の
Ｓパラメータ測定装置に関し、特に入出力インピーダン
スが高い高周波デバイスのＳパラメータの測定に好適な
測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりバイポーラトランジスタや電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）の高周波特性の測定は、デ
バイス毎、測定周波数毎に専用の測定装置を用いて各種
測定を行っている。図５は従来のこの種の測定装置の外
観図、図６はその縦断面図であり、凹型ポケット１ａを
有するベース１に対して押え板１１が開閉式になってお
り、押え板１１を開いてベース１の凹型ポケット１ａ内
に供試素子１００を設置し、押え板１１を閉じて供試素
子１１を押さえ込み、デュアルゲートＦＥＴで例示され
る供試素子１００の電極端子１０１をベース１に設けた
導体２，３に接触固定させ、所定の通電及び信号を入出
力して測定を行うような構成となっている。材質はベー
ス１と押え板１１とを含めて、全て真鍮で造られてい
る。閉じた状態では供試素子１００の近くまで導体２，
３のインピーダンスが５０Ωになるように設計されてい
るが、供試素子自身がハイインピーダンスであった場合
（ＧａＡｓＦＥＴやＭＯＳＦＥＴ等）は、供試素子１に
よる入／出力信号の反射、損失を無視して測定を行って
いた。
効果トランジスタ（ＦＥＴ）の高周波特性の測定は、デ
バイス毎、測定周波数毎に専用の測定装置を用いて各種
測定を行っている。図５は従来のこの種の測定装置の外
観図、図６はその縦断面図であり、凹型ポケット１ａを
有するベース１に対して押え板１１が開閉式になってお
り、押え板１１を開いてベース１の凹型ポケット１ａ内
に供試素子１００を設置し、押え板１１を閉じて供試素
子１１を押さえ込み、デュアルゲートＦＥＴで例示され
る供試素子１００の電極端子１０１をベース１に設けた
導体２，３に接触固定させ、所定の通電及び信号を入出
力して測定を行うような構成となっている。材質はベー
ス１と押え板１１とを含めて、全て真鍮で造られてい
る。閉じた状態では供試素子１００の近くまで導体２，
３のインピーダンスが５０Ωになるように設計されてい
るが、供試素子自身がハイインピーダンスであった場合
（ＧａＡｓＦＥＴやＭＯＳＦＥＴ等）は、供試素子１に
よる入／出力信号の反射、損失を無視して測定を行って
いた。
【０００３】図７にこのＳパラメータ測定装置の回路図
を示す。前記導体２，３は入出力信号ラインとして５０
Ωに設定され、測定周波数入力コネクタ６と出力コネク
タ９が接続される。これらのコネクタ６，９はそれぞれ
ＡＰＣ−７コネクタで構成される。また、他の導体に
は、ＤＣカット用貫通コンデンサ１６を介してＶG2S Ｓ
バイアス供給端子７が接続され、またＶDDバイアス供給
端子１０、ＶG1S バイアス供給端子８が接続される。ま
た、供試素子１００としては、例えばデュアルゲートＦ
ＥＴが用いられる。
を示す。前記導体２，３は入出力信号ラインとして５０
Ωに設定され、測定周波数入力コネクタ６と出力コネク
タ９が接続される。これらのコネクタ６，９はそれぞれ
ＡＰＣ−７コネクタで構成される。また、他の導体に
は、ＤＣカット用貫通コンデンサ１６を介してＶG2S Ｓ
バイアス供給端子７が接続され、またＶDDバイアス供給
端子１０、ＶG1S バイアス供給端子８が接続される。ま
た、供試素子１００としては、例えばデュアルゲートＦ
ＥＴが用いられる。
【０００４】このような構成の測定装置によるＳパラメ
ータの測定手順について説明する。Ｓパラメータの測定
にあたっては、測定計器としてのネットワークアナライ
ザを用いて最初に測定計器のキャリブレーションを行
い、次いで測定装置のキャリブレーションを行う。測定
治装置キャリブレーションは、供試素子１００をベース
の凹型ポケット１ａに入れずに、代わりとしてインジウ
ム（ＧＮＤ性が高い物質）等を挿入し、入力側ＡＰＣ−
７コネクタ６と出力側ＡＰＣ−７コネクタ９間を５０Ω
でショートさせ、入力側、出力側を別々に行う。この測
定装置のキャリブレーションが終了した後、インジウム
等を取出し、供試素子１００を挿入する。押え板１１で
素子の電極端子１０１を導体２，３に固定接続し、バイ
アス供給端子７，８，１０より供試素子１００にバイア
スを印加し、ネットワークアナライザにて測定を行う。
ータの測定手順について説明する。Ｓパラメータの測定
にあたっては、測定計器としてのネットワークアナライ
ザを用いて最初に測定計器のキャリブレーションを行
い、次いで測定装置のキャリブレーションを行う。測定
治装置キャリブレーションは、供試素子１００をベース
の凹型ポケット１ａに入れずに、代わりとしてインジウ
ム（ＧＮＤ性が高い物質）等を挿入し、入力側ＡＰＣ−
７コネクタ６と出力側ＡＰＣ−７コネクタ９間を５０Ω
でショートさせ、入力側、出力側を別々に行う。この測
定装置のキャリブレーションが終了した後、インジウム
等を取出し、供試素子１００を挿入する。押え板１１で
素子の電極端子１０１を導体２，３に固定接続し、バイ
アス供給端子７，８，１０より供試素子１００にバイア
スを印加し、ネットワークアナライザにて測定を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＳパ
ラメータ測定装置では、高周波デバイスの測定系は全て
５０Ωで統一されているため、入出力信号ラインのイン
ピーダンスは、入／出力のいずれから見ても５０Ωにな
るように設計されている。しかし、供試素子のインピー
ダンスが極端に高いハイインピーダンス状態、すなわち
５０Ωから、かけ離れているときには、Ｓパラメータ測
定時に入出力される任意の周波数測定信号が反射或いは
損失し、供試素子の持つ特性を充分に測定することが不
可能であった。特に、供試素子は測定周波数に応じてイ
ンピーダンスが変動するため、ｆ＝０．２Ｇ〜３ＧＨｚ
のような広い周波数範囲にわたっての高精度なＳパラメ
ータの測定も困難となる。この場合、外部にインピーダ
ンス整合回路を設けてインピーダンスマッチングをとり
ながら測定を行うことが考えられるが、そのための配線
が長くされた影響を受けて高周波測定には適しないとと
もに、外部からの高周波ノイズによる干渉を受け易いと
いう問題が生じる。
ラメータ測定装置では、高周波デバイスの測定系は全て
５０Ωで統一されているため、入出力信号ラインのイン
ピーダンスは、入／出力のいずれから見ても５０Ωにな
るように設計されている。しかし、供試素子のインピー
ダンスが極端に高いハイインピーダンス状態、すなわち
５０Ωから、かけ離れているときには、Ｓパラメータ測
定時に入出力される任意の周波数測定信号が反射或いは
損失し、供試素子の持つ特性を充分に測定することが不
可能であった。特に、供試素子は測定周波数に応じてイ
ンピーダンスが変動するため、ｆ＝０．２Ｇ〜３ＧＨｚ
のような広い周波数範囲にわたっての高精度なＳパラメ
ータの測定も困難となる。この場合、外部にインピーダ
ンス整合回路を設けてインピーダンスマッチングをとり
ながら測定を行うことが考えられるが、そのための配線
が長くされた影響を受けて高周波測定には適しないとと
もに、外部からの高周波ノイズによる干渉を受け易いと
いう問題が生じる。
【０００６】本発明の目的は、インピーダンスの高い高
周波デバイスを広い周波数範囲にわたって高精度にＳパ
ラメータの測定が可能な測定装置を提供することにあ
る。
周波デバイスを広い周波数範囲にわたって高精度にＳパ
ラメータの測定が可能な測定装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の測定装置は、供
試素子に対して電気接続されてその入出力間に信号を供
給する入力側と出力側にそれぞれ整合回路を内蔵するこ
とを特徴とする。この整合回路は、バラクタダイオー
ド、トリマコンデンサ、可変型インダクタ、ＲＦＣを備
える共振回路として構成され、これらトリマコンデンサ
や可変型インダクタの定数を変化させて供試素子の入出
力間のインピーダンスマッチングを行うように構成され
る。また、測定装置は、例えば、供試素子を載置し、か
つ供試素子の各電極端子に電気接続される導体を有する
ベースと、このベース上に被せられて前記供試素子をベ
ース側に押圧して各電極端子に電気接続させる押え板と
を有し、これらベースと押え板との間に各整合回路を内
装した構成とする。
試素子に対して電気接続されてその入出力間に信号を供
給する入力側と出力側にそれぞれ整合回路を内蔵するこ
とを特徴とする。この整合回路は、バラクタダイオー
ド、トリマコンデンサ、可変型インダクタ、ＲＦＣを備
える共振回路として構成され、これらトリマコンデンサ
や可変型インダクタの定数を変化させて供試素子の入出
力間のインピーダンスマッチングを行うように構成され
る。また、測定装置は、例えば、供試素子を載置し、か
つ供試素子の各電極端子に電気接続される導体を有する
ベースと、このベース上に被せられて前記供試素子をベ
ース側に押圧して各電極端子に電気接続させる押え板と
を有し、これらベースと押え板との間に各整合回路を内
装した構成とする。
【０００８】また、本発明では、ベースと押え板は金属
材で形成され、供試素子、入出力の各整合回路を相互に
シールドする構成とすることが好ましい。また、押え板
には前記各整合回路を露呈させるための窓が開口され、
この窓を通して整合回路のインピーダンスマッチング操
作を可能にすることが好ましい。
材で形成され、供試素子、入出力の各整合回路を相互に
シールドする構成とすることが好ましい。また、押え板
には前記各整合回路を露呈させるための窓が開口され、
この窓を通して整合回路のインピーダンスマッチング操
作を可能にすることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施例の形態】次に、本発明の実施形態を図面
を参照して説明する。図１は供試素子としてデュアルゲ
ートＦＥＴを用いた場合の測定装置の第１の実施形態を
示し、特に押え板を除いた構成の平面図、図２はその縦
断面図である。これらの図において、ベース１には供試
素子１００を載置可能な凹型ポケット１ａが設けられ、
この凹型ポケット１ａの両側にそれぞれ対をなす導体
２，３が配置される。そして、各導体２，３は凹型ポケ
ット１ａの両側に配置された入力側整合回路４と出力側
整合回路５と図外の接地端子にそれぞれ接続される。前
記入力側整合回路４には入力側コネクタ６と、バイアス
供給端子７，８が接続され、出力側整合回路５には出力
側コネクタ９とバイアス供給端子１０が接続される。前
記各コネクタ６，９にはＡＰＣ−７コネクタが用いられ
ている。
を参照して説明する。図１は供試素子としてデュアルゲ
ートＦＥＴを用いた場合の測定装置の第１の実施形態を
示し、特に押え板を除いた構成の平面図、図２はその縦
断面図である。これらの図において、ベース１には供試
素子１００を載置可能な凹型ポケット１ａが設けられ、
この凹型ポケット１ａの両側にそれぞれ対をなす導体
２，３が配置される。そして、各導体２，３は凹型ポケ
ット１ａの両側に配置された入力側整合回路４と出力側
整合回路５と図外の接地端子にそれぞれ接続される。前
記入力側整合回路４には入力側コネクタ６と、バイアス
供給端子７，８が接続され、出力側整合回路５には出力
側コネクタ９とバイアス供給端子１０が接続される。前
記各コネクタ６，９にはＡＰＣ−７コネクタが用いられ
ている。
【００１０】前記ベース１には押え板１１が被せられ、
この押え板１１に弾性支持された押さえピン１２により
前記供試素子１００を凹型ポケット１ａ内に弾圧して保
持し、かつこの保持力によって供試素子１００の各電極
端子１０１をそれぞれ導体２，３に電気接続させ、さら
に供試素子１００、入力側及び出力側の各整合回路４，
５をベース１と押え板１１とで相互にシールドするよう
に構成される。前記ベース１と押え板１１はそれぞれ金
属、ここでは真鍮で形成されており、これらでシールド
空間を画成し、前記シールドを行っている。そして、前
記各バイアス供給端子７，８，１０と入力側及び出力側
の各コネクタ６，９には図示を省略するＳパラメータ測
定計器が接続され、各バイアス供給端子７，８，１０に
は所定のバイアス電圧が供給され、入力側及び出力側の
各コネクタ６，９には測定用の高周波信号が入出力され
る。
この押え板１１に弾性支持された押さえピン１２により
前記供試素子１００を凹型ポケット１ａ内に弾圧して保
持し、かつこの保持力によって供試素子１００の各電極
端子１０１をそれぞれ導体２，３に電気接続させ、さら
に供試素子１００、入力側及び出力側の各整合回路４，
５をベース１と押え板１１とで相互にシールドするよう
に構成される。前記ベース１と押え板１１はそれぞれ金
属、ここでは真鍮で形成されており、これらでシールド
空間を画成し、前記シールドを行っている。そして、前
記各バイアス供給端子７，８，１０と入力側及び出力側
の各コネクタ６，９には図示を省略するＳパラメータ測
定計器が接続され、各バイアス供給端子７，８，１０に
は所定のバイアス電圧が供給され、入力側及び出力側の
各コネクタ６，９には測定用の高周波信号が入出力され
る。
【００１１】図３は前記測定装置の回路構成を示す図で
ある。入力側と出力側の各整合回路４，５はそれぞれバ
ラクタダイオード１２と可変型インダクタ１３とトリマ
コンデンサ１４からなる共振回路を用いて、供試素子１
００と入力側のインピーダンスマッチングを図る。バイ
アス供給端子７（ＶG1S ）と８（ＶG2S ）及び１０（Ｖ
DD９）にはそれぞれＤＣカットコンデンサ１６，１７，
１８を挿入する。また、バイアス供給端子７と８のライ
ン上にブリーダ抵抗１９を配置している。さらに、出力
側の整合回路５には、入力側のインピーダンスが出力側
のインピーダンスに影響を与えることがあるため、出力
側のバイアス供給端子１０と出力ライン上にＲＦＣ２０
を付加して入力側のインピーダンスの影響を回避するよ
うにする。
ある。入力側と出力側の各整合回路４，５はそれぞれバ
ラクタダイオード１２と可変型インダクタ１３とトリマ
コンデンサ１４からなる共振回路を用いて、供試素子１
００と入力側のインピーダンスマッチングを図る。バイ
アス供給端子７（ＶG1S ）と８（ＶG2S ）及び１０（Ｖ
DD９）にはそれぞれＤＣカットコンデンサ１６，１７，
１８を挿入する。また、バイアス供給端子７と８のライ
ン上にブリーダ抵抗１９を配置している。さらに、出力
側の整合回路５には、入力側のインピーダンスが出力側
のインピーダンスに影響を与えることがあるため、出力
側のバイアス供給端子１０と出力ライン上にＲＦＣ２０
を付加して入力側のインピーダンスの影響を回避するよ
うにする。
【００１２】次に、前記測定装置を用いたＳパラメータ
の測定手順について説明する。Ｓパラメータの測定は、
ネットワークアナライザ等の測定計器のキャリブレーシ
ョンを行った後に測定装置のキャリブレーションをと
り、測定を開始する。この測定装置のキャリブレーショ
ンでは、供試素子１００の代わりにインジウム等を凹型
ポケット１ａに載置し、押え板１１で保持してその電極
端子を各導体２，３に電気接続させる。そして、入力側
ＡＰＣ−７コネクタ６と出力側ＡＰＣ−７コネクタ９間
を５０Ωでショートさせ、入力側と出力側を別々にキャ
リブレーションを行う。このような測定装置のキャリブ
レーションが終了した後、インジウム等を取出し供試素
子１００を凹型ポケット１ａに載置し、同様に押え板１
１で保持し、供試素子１００の電極端子を各導体２，３
に電気接続する。そして、各バイアス供給端子７，８，
１０より供試素子１００にバイアスを印加する。バイア
スを印加した後、入力側及び出力側の各整合回路４，５
を任意の測定周波数点で供試素子１００とインピーダン
スマッチングがとれるように共振させ、ネットワークア
ナライザにて測定を行う。
の測定手順について説明する。Ｓパラメータの測定は、
ネットワークアナライザ等の測定計器のキャリブレーシ
ョンを行った後に測定装置のキャリブレーションをと
り、測定を開始する。この測定装置のキャリブレーショ
ンでは、供試素子１００の代わりにインジウム等を凹型
ポケット１ａに載置し、押え板１１で保持してその電極
端子を各導体２，３に電気接続させる。そして、入力側
ＡＰＣ−７コネクタ６と出力側ＡＰＣ−７コネクタ９間
を５０Ωでショートさせ、入力側と出力側を別々にキャ
リブレーションを行う。このような測定装置のキャリブ
レーションが終了した後、インジウム等を取出し供試素
子１００を凹型ポケット１ａに載置し、同様に押え板１
１で保持し、供試素子１００の電極端子を各導体２，３
に電気接続する。そして、各バイアス供給端子７，８，
１０より供試素子１００にバイアスを印加する。バイア
スを印加した後、入力側及び出力側の各整合回路４，５
を任意の測定周波数点で供試素子１００とインピーダン
スマッチングがとれるように共振させ、ネットワークア
ナライザにて測定を行う。
【００１３】このように、入出力側にそれぞれバラクタ
ダイオード１２と可変型インダクタ１３とトリマコンデ
ンサ１４と抵抗１９及びＲＦＣ２０により構成される整
合回路４，５を付加しているため、供試素子１００がハ
イインピーダンスであり、かつ広範囲の周波数範囲での
測定であっても入出力回路と供試素子とのインピーダン
スの整合を取ることができる。しかも、入力側及び出力
側の各整合回路４，５と供試素子１００との間をベース
１と押え板１１とでシールドすることで、各整合回路
４，５と供試素子１００との間での干渉を抑制し、しか
も外部からの高周波ノイズの影響を防止して高精度な測
定が可能になる。また、各整合回路４，５は供試素子１
００の電極端子の近傍に配置されるため、高周波の測定
を行う場合でも配線長の影響を受けることは少なくな
る。
ダイオード１２と可変型インダクタ１３とトリマコンデ
ンサ１４と抵抗１９及びＲＦＣ２０により構成される整
合回路４，５を付加しているため、供試素子１００がハ
イインピーダンスであり、かつ広範囲の周波数範囲での
測定であっても入出力回路と供試素子とのインピーダン
スの整合を取ることができる。しかも、入力側及び出力
側の各整合回路４，５と供試素子１００との間をベース
１と押え板１１とでシールドすることで、各整合回路
４，５と供試素子１００との間での干渉を抑制し、しか
も外部からの高周波ノイズの影響を防止して高精度な測
定が可能になる。また、各整合回路４，５は供試素子１
００の電極端子の近傍に配置されるため、高周波の測定
を行う場合でも配線長の影響を受けることは少なくな
る。
【００１４】具体的なデータとしてＳパラメータの測定
結果例を示す。 試料デバイス：３ＳＫ１７７（デュアルゲート型ＭＥＳ
ＦＥＴ：ＮＥＣ製） Ｓパラメータデータ （Ｓ21），ｆ＝９００ＭＨZ ：Ｓ
21＝２．４４７ Ｓパラメータデータより電力利得を算出 ＧP ＝１０log ｜Ｓ21｜2 ＝２０log ｜Ｓ21｜＝２０lo
g ｜２．４４７｜＝７．７７（ｄＢ） したがって、商品規格（周波数固定専用治具）：２０
（ｄＢ），算出値：７．７７（ｄＢ）約１２．３（ｄ
Ｂ）のロスを本発明の治具では解決することが可能であ
る。
結果例を示す。 試料デバイス：３ＳＫ１７７（デュアルゲート型ＭＥＳ
ＦＥＴ：ＮＥＣ製） Ｓパラメータデータ （Ｓ21），ｆ＝９００ＭＨZ ：Ｓ
21＝２．４４７ Ｓパラメータデータより電力利得を算出 ＧP ＝１０log ｜Ｓ21｜2 ＝２０log ｜Ｓ21｜＝２０lo
g ｜２．４４７｜＝７．７７（ｄＢ） したがって、商品規格（周波数固定専用治具）：２０
（ｄＢ），算出値：７．７７（ｄＢ）約１２．３（ｄ
Ｂ）のロスを本発明の治具では解決することが可能であ
る。
【００１５】図４は本発明の第２の実施形態の平面図で
ある。この実施形態では、第１の実施形態と同様な構成
とした上で、入力側と出力側にそれぞれ設けられた整合
回路４，５に対し、押え板１１に入力側整合回路調整用
窓２１と出力側整合回路調整用窓２２を開設した構成と
されている。すなわち、これらの調整用窓２１，２２を
通して各整合回路４，５でのインピーダンスマッチング
の調整、すなわち前記可変型インダクタ１３やトリマコ
ンデンサ１４の調整を行うことができるように構成され
ている。
ある。この実施形態では、第１の実施形態と同様な構成
とした上で、入力側と出力側にそれぞれ設けられた整合
回路４，５に対し、押え板１１に入力側整合回路調整用
窓２１と出力側整合回路調整用窓２２を開設した構成と
されている。すなわち、これらの調整用窓２１，２２を
通して各整合回路４，５でのインピーダンスマッチング
の調整、すなわち前記可変型インダクタ１３やトリマコ
ンデンサ１４の調整を行うことができるように構成され
ている。
【００１６】この実施形態によれば、第１の実施形態の
ように押え板１１を外すことなく入出力における供試素
子１００のインピーダンスマッチングをとることがで
き、したがって、測定時における押え板を外す工数が全
く不要となり、１回当りの測定につき約１０分〜２０分
の時間短縮を図ることが可能となる。
ように押え板１１を外すことなく入出力における供試素
子１００のインピーダンスマッチングをとることがで
き、したがって、測定時における押え板を外す工数が全
く不要となり、１回当りの測定につき約１０分〜２０分
の時間短縮を図ることが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、供試素子
に電気接続してバイアスや入出力間の信号を供給する測
定装置内に、供試素子の入出力のインピーダンス整合を
図るための入力側及び出力側の各整合回路を内蔵してい
るため、供試素子がハイインピーダンスでかつ広い周波
数範囲にわたって測定を行う場合でも、供試素子に対し
てインピーダンスマッチングを取ることができ、高精度
な測定が可能となる。特に、整合回路がバラクタダイオ
ードと可変型インダクタとトリマコンデンサとＲＦＣに
より構成されることで、そのインピーダンスマッチング
調整を容易に行うことが可能となる。また、各整合回路
を金属製のベースと押え板との間に内装することで、供
試素子と整合回路との間の相互干渉を防止し、及び外部
の高周波ノイズの影響を防止し、測定精度を更に向上す
ることが可能となる。
に電気接続してバイアスや入出力間の信号を供給する測
定装置内に、供試素子の入出力のインピーダンス整合を
図るための入力側及び出力側の各整合回路を内蔵してい
るため、供試素子がハイインピーダンスでかつ広い周波
数範囲にわたって測定を行う場合でも、供試素子に対し
てインピーダンスマッチングを取ることができ、高精度
な測定が可能となる。特に、整合回路がバラクタダイオ
ードと可変型インダクタとトリマコンデンサとＲＦＣに
より構成されることで、そのインピーダンスマッチング
調整を容易に行うことが可能となる。また、各整合回路
を金属製のベースと押え板との間に内装することで、供
試素子と整合回路との間の相互干渉を防止し、及び外部
の高周波ノイズの影響を防止し、測定精度を更に向上す
ることが可能となる。
【図１】本発明のＳパラメータ測定装置の第１の実施形
態の平面図である。
態の平面図である。
【図２】図１の測定装置の縦断面図である。
【図３】図１の測定装置の回路図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の測定装置の平面図で
ある。
ある。
【図５】従来のＳパラメータ測定装置の一部の斜視図で
ある。
ある。
【図６】図５の測定装置の縦断面図である。
【図７】図５の測定装置の回路図である。
１ ベース １ａ 凹型ポケット ２，３ 導体 ４ 入力側整合回路 ５ 出力側整合回路 ６ 入力コネクタ ７，８，１０ バイアス供給端子 ９ 出力コネクタ １１ 押え板 ２１，２２ 整合回路調整用窓 １００ 供試素子
Claims (5)
- 【請求項１】 高周波デバイス等の供試素子のＳパラメ
ータを測定するために、装置内に支持した前記供試素子
の各電極端子に電気接続される導体を有し、これらの導
体を通して測定計器から前記供試素子にバイアスを供給
し、かつ入出力間に信号を供給するＳパラメータ測定装
置において、前記供試素子の入力側と出力側にそれぞれ
整合回路を内蔵することを特徴とするＳパラメータ測定
装置。 - 【請求項２】 整合回路は、バラクタダイオード、トリ
マコンデンサ、可変型インダクタ、ＲＦＣを備える共振
回路として構成され、前記トリマコンデンサや可変型イ
ンダクタの定数を変化させて供試素子の入出力間のイン
ピーダンスマッチングを行う請求項１のＳパラメータ測
定装置。 - 【請求項３】 供試素子を載置し、かつ供試素子の各電
極端子に電気接続される導体を有するベースと、このベ
ース上に被せられて前記供試素子をベース側に押圧して
前記各電極端子に電気接続させる押え板とを有し、かつ
前記ベースと押え板との間に前記各整合回路を内装して
なる請求項２のＳパラメータ測定装置。 - 【請求項４】 ベースと押え板は金属材で形成され、前
記供試素子、入出力の各整合回路を相互にシールドする
請求項３のＳパラメータ測定装置。 - 【請求項５】 押え板には前記各整合回路を露呈させる
ための窓が開口され、この窓を通して前記整合回路のイ
ンピーダンスマッチング操作を可能にした請求項３また
は４のＳパラメータ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7324268A JP2891151B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Ｓパラメータ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7324268A JP2891151B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Ｓパラメータ測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09166641A true JPH09166641A (ja) | 1997-06-24 |
| JP2891151B2 JP2891151B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=18163919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7324268A Expired - Fee Related JP2891151B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Ｓパラメータ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2891151B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005249744A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nec Corp | 透過特性測定装置及び方法 |
| JP2008261709A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Denso Corp | 半導体評価装置 |
| CN106324360A (zh) * | 2015-06-19 | 2017-01-11 | 深圳光启高等理工研究院 | 用于介电参数的测量系统及测量方法 |
| RU2652650C1 (ru) * | 2017-03-29 | 2018-04-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" | Способ адекватного измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов СВЧ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534407A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-09 | Rohm Co Ltd | 高周波素子用測定治具 |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP7324268A patent/JP2891151B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534407A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-09 | Rohm Co Ltd | 高周波素子用測定治具 |
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| CN106324360A (zh) * | 2015-06-19 | 2017-01-11 | 深圳光启高等理工研究院 | 用于介电参数的测量系统及测量方法 |
| CN106324360B (zh) * | 2015-06-19 | 2023-10-31 | 深圳光启高等理工研究院 | 用于介电参数的测量系统及测量方法 |
| RU2652650C1 (ru) * | 2017-03-29 | 2018-04-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" | Способ адекватного измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов СВЧ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2891151B2 (ja) | 1999-05-17 |
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