JPS6382364U - - Google Patents

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JPS6382364U
JPS6382364U JP17660686U JP17660686U JPS6382364U JP S6382364 U JPS6382364 U JP S6382364U JP 17660686 U JP17660686 U JP 17660686U JP 17660686 U JP17660686 U JP 17660686U JP S6382364 U JPS6382364 U JP S6382364U
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irradiating
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ion beam
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本案の動作原理を示した図、第２図は
本案により帯電防止を行つた絶縁物材料の深さプ
ロフアイルを示した図である。 １…イオン源、２…引出電極、３…コンデンサ
レンズ、４…対物絞り、４′…偏向電極、５…偏
向電極、６…対物レンズ、７…シールドメツシユ
電極、８…試料、９…一次イオンビーム、１０…
二次イオン引出電極、１１…レンズ、１２…出射
スリツト、１３…電場、１４…βスリツト兼ＴＩ
Ｍ、１５…磁場、１６…コレクタスリツト、１７
…二次イオン検出器、１８…二次イオン、１９…
エレクトロンスプレイ、２０…偏向電極、２１…
電子線、２２…増巾回路、２３…計数回路、２４
…増巾回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 試料上の一次イオンビームを照射する手段と
    試料上の一次イオンビーム照射点から放出される
    二次イオンを質量分析する手段と、上記試料上部
    に備えた帯電防止のエレクトロンスプレイ照射点
    から低加速電子線を試料上で二次元的に走査する
    手段と発生する全二次イオン量を基準値と比較し
    て試料面に照射する手段と、該エレクトロンスプ
    レイの照射位置を切換えることにより、電子線照
    射の不均一な領域をなくして分析を実施すること
    を特徴とする二次イオン質量分析装置。 ２ 請求の範囲第１項において、低加速電子線を
    一次イオンビームのラスター走査と連動して照射
    させ、電子線照射による熱的損傷を極力少なくし
    て分析を実施することを特徴とする二次イオン質
    量分析装置。
JP17660686U 1986-11-19 1986-11-19 Pending JPS6382364U (ja)

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