JPS6380247A - レジスト - Google Patents
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- JPS6380247A JPS6380247A JP61223598A JP22359886A JPS6380247A JP S6380247 A JPS6380247 A JP S6380247A JP 61223598 A JP61223598 A JP 61223598A JP 22359886 A JP22359886 A JP 22359886A JP S6380247 A JPS6380247 A JP S6380247A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レジストの改良に適用して有効な技術に関す
る。
る。
半導体装置の製造工程には、いわゆるウエノ１工程があ
り、該工程ではレジスト膜を露光・現像して所定の微細
形状のレジストパターンを形成し、該レジストパターン
をマスクとして不純物イオンの打ち込みや配線の蒸着形
成等を行っている。
り、該工程ではレジスト膜を露光・現像して所定の微細
形状のレジストパターンを形成し、該レジストパターン
をマスクとして不純物イオンの打ち込みや配線の蒸着形
成等を行っている。
ところで、半導体装置の高集積化等により上記レジスト
・パターンは、−段と微細化される傾向にある。このレ
ジストパターンの微細化を達成するために、レジスト膜
を照射するための露光光としては、単色光やその波長域
が狭い光を使用する、いわゆるコヒーレント化が進んで
いる。このような露光光のコヒーレント化は、レジスト
膜におけＯＮ ＢＬＥＣＴＲＯＮ ＤＢＶＩＣＢＳ
、ＶＯＬ、ＨＤ−２２，Ｎ００７．ＪｔｌＬＹ １９
７５）、Ｐ４６４〜Ｐ４６６に詳細に説明されている。
・パターンは、−段と微細化される傾向にある。このレ
ジストパターンの微細化を達成するために、レジスト膜
を照射するための露光光としては、単色光やその波長域
が狭い光を使用する、いわゆるコヒーレント化が進んで
いる。このような露光光のコヒーレント化は、レジスト
膜におけＯＮ ＢＬＥＣＴＲＯＮ ＤＢＶＩＣＢＳ
、ＶＯＬ、ＨＤ−２２，Ｎ００７．ＪｔｌＬＹ １９
７５）、Ｐ４６４〜Ｐ４６６に詳細に説明されている。
上記定在波効果とは、光を反射し易い下地面に被着され
ているレジスト膜に、コヒーレント化が進んだ露光光が
照射されると、上記下地面とレジスト膜の表面との間で
多重反射が起こり、これらの反射光が進行方向だけが逆
の関係になって互いに重なり合うと定在波が形成され、
その干渉により上記レジスト層の内部に定在波の腹に当
たる露光強度の大きい部分と、節に当たる露光強度の小
さい部分とが交互に生じ、その結果強露光部と弱露光部
とが交互に積層された状態が形成されることをいう。
ているレジスト膜に、コヒーレント化が進んだ露光光が
照射されると、上記下地面とレジスト膜の表面との間で
多重反射が起こり、これらの反射光が進行方向だけが逆
の関係になって互いに重なり合うと定在波が形成され、
その干渉により上記レジスト層の内部に定在波の腹に当
たる露光強度の大きい部分と、節に当たる露光強度の小
さい部分とが交互に生じ、その結果強露光部と弱露光部
とが交互に積層された状態が形成されることをいう。
上記定在波効果により、レジスト膜を形成するための材
料であるレジストがポジ形である場合は、強露光部が現
像され易く、逆に弱露光部がされ難いために、現像むら
が生じて高精度のレジストパターンを形成することがで
きないという問題がある。
料であるレジストがポジ形である場合は、強露光部が現
像され易く、逆に弱露光部がされ難いために、現像むら
が生じて高精度のレジストパターンを形成することがで
きないという問題がある。
また、上記定在波効果を解消するための方法として、現
像前にベータを行うことが上記引用文献に記載されてい
る。この場合は、露光した後に上記現像前にベータのた
めの工程を新たに加えなければならず、スルーブツトの
低下を来たすことになる。
像前にベータを行うことが上記引用文献に記載されてい
る。この場合は、露光した後に上記現像前にベータのた
めの工程を新たに加えなければならず、スルーブツトの
低下を来たすことになる。
本発明の目的は、工程を増やすことなく、上記定在波効
果を防止し、精度の高いレジストパターンを形成できる
技術を提供することにある。
果を防止し、精度の高いレジストパターンを形成できる
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、露光波長域にある光を吸収して同波長域にあ
る螢光を発する螢光染料が混合されてなるレジストを調
製するものである。
る螢光を発する螢光染料が混合されてなるレジストを調
製するものである。
上記した手段によれば、上記性質を有する螢光染料が含
有されたレジスト膜を形成できることにより、たとえ露
光光の多重反射により定在波効果が生じる場合であって
も、定在波の節の近傍にある螢光染料が照射された露光
光を吸収し、露光能力のある螢光を発するため、上記節
部のレジスト膜をも露光することができ、上記目的が達
成されるものである。
有されたレジスト膜を形成できることにより、たとえ露
光光の多重反射により定在波効果が生じる場合であって
も、定在波の節の近傍にある螢光染料が照射された露光
光を吸収し、露光能力のある螢光を発するため、上記節
部のレジスト膜をも露光することができ、上記目的が達
成されるものである。
第１図は本発明による一実施例であるレジストを用いて
形成したレジスト膜の概略を示す拡大部分断面図である
。
形成したレジスト膜の概略を示す拡大部分断面図である
。
本実施例では、単層のレジスト膜１が、半導体ウェハ２
の表面に被着されているアルミニウム（八ｌ〉層３上に
被着形成されている。上記レジスト膜１は、本実施例の
レジストを塗布して形成したものである。このレジスト
は、螢光染料が混合されたノボラック系のポジ形レジス
トで構成されている。したがって、上記レジスト膜１に
は螢光染料４が均一に溶解されている。ここで使用され
る螢光染料は、その構造式を次に示す４．６−ジメチル
−８−二チルアミノクマリンである。ナオ、説明の便宜
上、図には一つの螢光染料を代表してこの化合物は、一
般にクマリン２といわれてるものであり、エタノール溶
液では、３６６ｎｍに吸収があり、４３２１ｍの波長の
螢光を発する性質を有している。
の表面に被着されているアルミニウム（八ｌ〉層３上に
被着形成されている。上記レジスト膜１は、本実施例の
レジストを塗布して形成したものである。このレジスト
は、螢光染料が混合されたノボラック系のポジ形レジス
トで構成されている。したがって、上記レジスト膜１に
は螢光染料４が均一に溶解されている。ここで使用され
る螢光染料は、その構造式を次に示す４．６−ジメチル
−８−二チルアミノクマリンである。ナオ、説明の便宜
上、図には一つの螢光染料を代表してこの化合物は、一
般にクマリン２といわれてるものであり、エタノール溶
液では、３６６ｎｍに吸収があり、４３２１ｍの波長の
螢光を発する性質を有している。
レジストパターンを形成するために、第１図に示す矢印
方向に露光光として波長が３６５ｎｍのｉ線を照射し、
上記レジスト膜１の露光を行う。
方向に露光光として波長が３６５ｎｍのｉ線を照射し、
上記レジスト膜１の露光を行う。
この露光時に、入射された露光光が、アルミニウム層３
の表面とレジスト膜１の表面との間で多重反射され、図
示するような定在波５が該レジスト膜１の内部に形成さ
れることがある。この場合、上記定在波５の節部近傍の
レジスト膜には、該節部近傍の露光強度が低いために不
完全露光帯６が生じることになる。
の表面とレジスト膜１の表面との間で多重反射され、図
示するような定在波５が該レジスト膜１の内部に形成さ
れることがある。この場合、上記定在波５の節部近傍の
レジスト膜には、該節部近傍の露光強度が低いために不
完全露光帯６が生じることになる。
上記のように、定在波が形成される条件下で露光を行う
場合は、光が照射されたレジスト膜１においても、その
深さ方向に露光帯と不完全露光帯６とが併存することに
なる。レジストがポジ形である場合は、露光帯は容易に
現像されるが、逆に不完全露光帯６は現像され難いため
、上記露光後に現像を行うと現像が不均一になり、精度
の良いレジストパターンを形成することができない。
場合は、光が照射されたレジスト膜１においても、その
深さ方向に露光帯と不完全露光帯６とが併存することに
なる。レジストがポジ形である場合は、露光帯は容易に
現像されるが、逆に不完全露光帯６は現像され難いため
、上記露光後に現像を行うと現像が不均一になり、精度
の良いレジストパターンを形成することができない。
ところが、本実施例におけるレジストには上記螢光染料
が含存されているため、上記現像の不均一の現象を回避
することができるものである。すなわち、上記螢光染料
は、前述のように露光光であるｉ線に近い波長に吸収が
あり、その際に発せられる螢光の波長が、上記レジスト
膜１の露光域にある。したがって、図に示すように、不
完全露光帯６の近傍に位置する螢光染料４は、露光光を
吸収すると同時に露光能力を有する螢光を発するため、
該螢光により不完全露光帯６のレジスト膜も露光される
ことになる。
が含存されているため、上記現像の不均一の現象を回避
することができるものである。すなわち、上記螢光染料
は、前述のように露光光であるｉ線に近い波長に吸収が
あり、その際に発せられる螢光の波長が、上記レジスト
膜１の露光域にある。したがって、図に示すように、不
完全露光帯６の近傍に位置する螢光染料４は、露光光を
吸収すると同時に露光能力を有する螢光を発するため、
該螢光により不完全露光帯６のレジスト膜も露光される
ことになる。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、螢光染料である４、６−ジメチル−８−二チル
アミノクマリンを混合してなるレジストを用いてレジス
ト膜１を形成することにより、該レジスト膜ｌの内部に
定在波が生じる場合でも、該定在波の節部近傍の不完全
露光帯６を、その近傍にある上記螢光染料が発する螢光
で露光することができるので、精度の高い現像を行うこ
とができる。
アミノクマリンを混合してなるレジストを用いてレジス
ト膜１を形成することにより、該レジスト膜ｌの内部に
定在波が生じる場合でも、該定在波の節部近傍の不完全
露光帯６を、その近傍にある上記螢光染料が発する螢光
で露光することができるので、精度の高い現像を行うこ
とができる。
（２）、上記（１）により、現像前のペーク工程を排除
できるので、スループットの向上が達成される。
できるので、スループットの向上が達成される。
（３）、上記（１）により、単層のレジスト膜でも定在
波効果を防止できるので、多層のレジスト膜を形成して
対策する場合に較べ、安価に高精度のレジストパターン
を形成することができる。
波効果を防止できるので、多層のレジスト膜を形成して
対策する場合に較べ、安価に高精度のレジストパターン
を形成することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、螢光染料としては、前記実施例に示したもの
に限るものでなく、所期の目的を達成できるものであれ
ば、種々変更使用することができることはいうまでもな
い。前記ノボラック系のレジストに露光光としてｉ線を
使用する場合であれば、たとえば３５０〜３８０ ｎｍ
の波長域の光を吸収し、３５０〜４５０ｎｍの波長域の
螢光を発する物質であれば有効に利用することができる
。
に限るものでなく、所期の目的を達成できるものであれ
ば、種々変更使用することができることはいうまでもな
い。前記ノボラック系のレジストに露光光としてｉ線を
使用する場合であれば、たとえば３５０〜３８０ ｎｍ
の波長域の光を吸収し、３５０〜４５０ｎｍの波長域の
螢光を発する物質であれば有効に利用することができる
。
具体的には実施例に示したちの以外にも次に構造式を示
す、４−メチル−８−アミノクマリンを挙上配化合物は
、一般にクマリン１２０と呼ばれているものであり、エ
タノール溶液の状態で、３５４ｎｍの波長の光を吸収し
、レジスト露光域にある４３０ｎｍの波長の螢光を発す
る性質を有しているものである。したがって、前記実施
例の場合と同様に使用できるものである。
す、４−メチル−８−アミノクマリンを挙上配化合物は
、一般にクマリン１２０と呼ばれているものであり、エ
タノール溶液の状態で、３５４ｎｍの波長の光を吸収し
、レジスト露光域にある４３０ｎｍの波長の螢光を発す
る性質を有しているものである。したがって、前記実施
例の場合と同様に使用できるものである。
また、レジストとしてはポジ形を、それもノボラック系
のものを示したが、ネガ形についても適用できることは
いうまでもなく、ノボラック系以外のレジストであって
も当然に適用できるものである。
のものを示したが、ネガ形についても適用できることは
いうまでもなく、ノボラック系以外のレジストであって
も当然に適用できるものである。
さらに、露光光がｉ線である場合についてのみ説明した
が、これに限らず、ｇ線等、その目的に応じて種々変更
可能である。なお、その場合は、使用する露光光を吸収
して、レジストの露光能力のある波長域の螢光を発する
螢光染料を使用する必要があることはいうまでもない。
が、これに限らず、ｇ線等、その目的に応じて種々変更
可能である。なお、その場合は、使用する露光光を吸収
して、レジストの露光能力のある波長域の螢光を発する
螢光染料を使用する必要があることはいうまでもない。
な右、前記実施例では、螢光染料の混合量を明示しなが
うだが、それは螢光染料の種類や、レジストの感度等に
よりそれぞれ異なるものであり、その都度適切な量を選
択することが要求されるものである。
うだが、それは螢光染料の種類や、レジストの感度等に
よりそれぞれ異なるものであり、その都度適切な量を選
択することが要求されるものである。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、露光波長域にある光を吸収して同波長域にあ
る螢光を発する螢光染料が混合されてなるレジストを調
製することにより、該レジストを用いてレジスト膜を形
成する場合、たとえ露光光の多重反射により定在波効果
が生じる場合であっても、定在波の節の近傍にある螢光
染料が照射された露光光を吸収し、露光能力のある螢光
を発するため、上記節部のレジスト膜の露光をも達成で
きるものである。
る螢光を発する螢光染料が混合されてなるレジストを調
製することにより、該レジストを用いてレジスト膜を形
成する場合、たとえ露光光の多重反射により定在波効果
が生じる場合であっても、定在波の節の近傍にある螢光
染料が照射された露光光を吸収し、露光能力のある螢光
を発するため、上記節部のレジスト膜の露光をも達成で
きるものである。
第１図は本発明による一実施例であるレジストを用いて
形成したレジスト膜の概略を示す拡大部分断面図である
。 １・・・レジスト膜、２・・・ウェハ、３・・・アルミ
ニウム（Ａｊり層、４・・・螢光染料、５・・・定在波
、６・・・不完全露光帯。 第 １ 図
形成したレジスト膜の概略を示す拡大部分断面図である
。 １・・・レジスト膜、２・・・ウェハ、３・・・アルミ
ニウム（Ａｊり層、４・・・螢光染料、５・・・定在波
、６・・・不完全露光帯。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光波長域にある光を吸収して同波長域にある螢光
を発する螢光染料が混合されてなるレジスト。 ２、上記螢光染料が、４、６−ジメチル−８−エチルア
ミノクマリンであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のレジスト。 ３、上記螢光染料が、４−メチル−８−アミノクマリン
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223598A JPS6380247A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223598A JPS6380247A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380247A true JPS6380247A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16800685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223598A Pending JPS6380247A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015190594A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | シャープ株式会社 | 感光性樹脂組成物、波長変換基板および発光デバイス |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223598A patent/JPS6380247A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015190594A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | シャープ株式会社 | 感光性樹脂組成物、波長変換基板および発光デバイス |
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