JPS6379241A - 記録及び消去用光ヘツド - Google Patents

記録及び消去用光ヘツド

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Publication number
JPS6379241A
JPS6379241A JP61224278A JP22427886A JPS6379241A JP S6379241 A JPS6379241 A JP S6379241A JP 61224278 A JP61224278 A JP 61224278A JP 22427886 A JP22427886 A JP 22427886A JP S6379241 A JPS6379241 A JP S6379241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
optical
light
collimating lens
lens
Prior art date
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Pending
Application number
JP61224278A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Ueno
修 上野
Kaoru Yasukawa
薫 安川
Hiroyuki Hotta
宏之 堀田
Hironori Goto
後藤 広則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
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Publication of JPS6379241A publication Critical patent/JPS6379241A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ディスク、光カード、光テープ等の光学的
情報担体の記録再生に使用する光ヘッドに係り、特に半
導体レーザーのコリメート調整を大幅に簡素化した光ヘ
ッドに関する。
〔従来の技術〕
光ディスク、光カード、光テープ等の光学的情報担体(
以下、これらを光ディスクで代表する)の記録再生に使
用する光ヘッドにおいては、従来から光源として半導体
レーザーが用いられている。
この半導体レーザーから出る光は、拡がり角が10〜3
0度(半値全幅)程度の発散光である。
そのため、従来の光ヘッドにおいては、第5図に示すよ
うに、半導体レーザー1を出た光を、コリメートレンズ
2で平行光に変換していた。そして、このコリメートレ
ンズ2を出た光を、必要に応じて整形プリズム3で整形
し、対物レンズ6により光デイスク7上に微小なスボ・
ノドとして収束させている。この光ディスク7で反射し
た光は、1/4波長板5及び偏光ビームスプリッター4
により分離され、光検出器(図示せず)上に収束され情
報信号又はサーボエラー信号として使用される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この光学系においては、前述したように、半導体レーザ
ー1から出た光をコリメートレンズ2で平行光にするコ
リメートレンズ整を必要とする。しかし、このコリメー
ト調整は、光ヘツド組立て時に非常に時間のかかる作業
である。特に、記録或いは消去用の光の場合にあっては
、大出力が要求されるため、開口数NAの大きなコリメ
ートレンズが必要となる。しかし、開口数NAが大きく
なるにつれて焦点深度d (d−±λ/(NA)”、但
しλ:波長〕が浅くなる。そのため、たとえば開口数N
Aが0.5のときには、焦点深度±1.6%(λ−78
0JJll11)以下の精度でコリメート調整を行うこ
とが要求される。
このような窩精度の調整は、熟練した技術を必要とし、
しかも極めて困難な作業である。
本発明は、このような従来技術の問題を解決して、半導
体レーザー光のコリメート調整を大幅に面素化し、開口
数NAの大きなコリメートレンズを使用することができ
る光ヘッドを提供することを目的とする。
c問題点を解決するための手段〕 本発明の記録及び消去用光ヘッドは、その目的を達成す
るため、半導体レーザーとコリメートレンズと偏光ビー
ムスプリッタ−と1/4波長板と対物レンズとを備えた
光ヘッドにおいて、コリメートレンズに色収差を持たせ
、出射光量を基準として0.1%以上の割合で光学的情
報担体からの反射光が半導体レーザーに戻るように、前
記2波長板の光学軸を調整したことを特徴とする。
また、偏光ビームスプリッタ−及びχ波長板に代えてビ
ームスプリッタ−を用いたものにおいては、このビーム
スプリッタ−の光束分割比を調整することにより、出射
光量を基準として0.1%以上の割合で光学的情報担体
からの反射光が半導体レーザーへ戻るようにする。
〔作用〕
実施例の説明に先立って、本発明の基礎となったセルフ
フォーカシング現象について説明する。
第4図は、そのセルフフォーカシング現象を説明する図
である。なお、図においてハンチングが施されたレンズ
は、一定量の色収差を有するレンズを示す。
半導体レーザー1から出た光は、コリメートレンズ2で
平行光に調整された後、対物レンズ6により光デイスク
7上に収束される。このとき、対物レンズ6に一定量の
色収差があり、光ディスク7で反射した光の一定量が半
導体レーザー1に戻ると、同図talから(′b)のよ
うに光ディスク7の位置がずれても、半導体レーザー1
の発振波長が自動的にλIからkに変化する。このため
、自動的に光デイスク7上に焦点が合うという現象があ
る。これがセルフフォーカシング現象といわれるもので
あって、この現象自体は、第46回応用物理学会講演会
(1986秋)で中村等により報告されている(同講演
予講fi3P −x −9参照)。
本発明は、このセルフフォーカシング現象を半導体レー
ザーとコリメートレンズとの間の焦点位置の調整(コリ
メート調整)に応用するため、コリメートレンズ2とし
て色収差のあるものを用い、出射光量に対して0.1%
以上の割合で反射光が光ディスク7から半導体レーザー
1に戻るように、1/4波長板の光学軸を調整したもの
である。或いは偏光ビームスプリッタ−及び2波長板に
代えてビームスプリッタ−を配置することにより、この
セルフフォーカシング現象を焦点位置の調整に活用する
こともできる。
すなわち、所定量の反射光を半導体レーザー1に戻し、
それによって半導体レーザー1から出射される光の波長
を自動的に変え、半導体レーザー1と光ディスク7との
間の距離の微小な変化を吸収するものである。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明の特徴を具体的に説明する。
第F図は本実施例による光ヘッドの一例を示し、第2図
はその光ヘッドにおいて光ディスクの位置がずれた場合
を示す、なお、同図において、第4図で示した部品等に
対応するものは同一の符番で指示し、その説明を省略し
た。
この光学系において、1/4波長板5の光学軸は、光デ
イスク71面で反射され対物レンズ6、を通過した反射
光の一定量が波長λlでコリメートレンズ21を介して
半導体レーザー1に戻るように調整されている。また、
コリメートレンズ2としては色収差のあるものを使用し
ている。
この光学系の半導体レーザー1又は光ディスク7、の位
置がずれ、半導体レーザー1に対する光ディスク7tの
相対位置が、第2図に示したように変わった場合、前述
のセルフフォーカシング現象によって半導体レーザー1
の発振波長がbに変化する。このため、自動的にコリメ
ート調整される。
次いで、このような光ヘッドを用いたとき、半導体レー
ザー1のコリメート調整精度がどの程度緩和されるかを
測定した結果を示す。
開口数N^が0.5で色収差が0.7)rm/nmのコ
リメートレンズ2を用い、半導体レーザー1を出た光の
10%が光ディスク7で反射して半導体レーザー1に戻
るようにした。その結果、半導体レーザー1とコリメー
トレンズ2との相対距離を±8戸動かしてもコリメート
レンズ2を出た光は平行光とみなすことができた。
これに対して、従来構成の光ヘッドにおいて開口数NA
がO,Sで色収差が0.2 JJ!II / nm程度
のコリメートレンズを用いた場合、焦点深度±1.6p
以下の精度でコリメート調整を行なう必要があった。
この対比から明らかなように、本実施例によるとき、コ
リメート調整に必要とされる位置決め精度が約5倍緩や
かになった。
また本実施例において、1/4波長板5を回転させるこ
とにより光ディスク7からの戻り光量を可変させながら
、コリメート調整を行なった。その結果、セルフッを一
カシジグ現象を利用したコリメート調整を行なうために
は、半導体レーザー1の発振モードをマルチモード化す
る必要があり、このマルチモード化を実現するためには
0.1%以上の戻り光量が必要であることが判った。半
導体レーザー1は、戻り光量の増加にしたがってマルチ
モード化していくが、0.1〜1%程度の戻り光量で十
分マルチモード化する。
次に、本発明の第2の実施例を第3図を参照しながら説
明する。
本実施例が第1実施例と異なる点は、第1実施例におけ
る偏光ビームスプリッタ−4及び×波長板5に代えて、
ビームスプリッター8を配設していることである。そし
て、ビームスプリッタ−8の光束分割比を調整すること
により、光ディスク7から一定量の反射光が半導体レー
ザー1に戻るようにしている。半導体レーザー1とコリ
メートレンズ21の距離が離れた場合でも、この半導体
レーザー1に戻された光によって、半導体レーザー1が
出射する光の波長がλlく第3図(a)参照)からル(
第3図山)参照)となる。その結果、第1実施例と同様
にコリメート調整に要求される位置決めの精度が緩やか
になった。
なお、上述の実施例においては、コリメートレンズ2.
側に色収差を持たせたが、これに代えて対物レンズ6、
側に色収差を持たせることも考えられる。しかしこれは
、以下に述べる理由により好ましくない。
すなわち、半導体レーザー1とコリメートレンズ2.の
距離がずれた場合、セルフフォーカシング現象により、
半導体レーザー1からの光は光デイスク7上にフォーカ
スするが、コリメートレンズ2Iを出た光は平行光でな
くなってしまう。このため、非平行光束中に存在する偏
光ビームスプリッタ−により収束光に収差が生じてしま
う。また、光検出器に向かう光も平行光でなくなるため
、光検出器上の光が焦点ずれを起こし、正しい出力が得
られない。
このような理由により、本実施例においては、コリメー
トレンズ21側に色収差を持たせている。
〔発明の効果〕
以上に説明したように、本発明においては、光ディスク
等の光学的情報担体から反射される光の一部を半導体レ
ーザーに戻すようにしている。このとき、出射光量を基
準として0.1%以上の割合で光学的情報担体からの反
射光が半導体レーザーに戻るようにして、半導体レーザ
ーから出射される光の波長を自動的に変えることにより
、コリメート調整に必要とされる精度を緩やかにしてい
る。
このため、コリメート調整が大幅に簡単化され、また開
口数の大きなコリメートレンズを使用できるようにもな
った。したがって、半導体レーザー光の利用効率の貰い
光ヘッドを容易に作製できるようになった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の光ヘッドの構成図であり、第2
図は半導体レーザーと光ディスクとの間の距離が変わっ
た場合を示し、第3図は第2実施例を示す。また、第4
図は本発明の基礎となったセルフフォーカシング現象の
原理を説明する図であり、第5図は従来の光ヘッドの基
本構成図である。 1:半導体レーザー   2;コリメートレンズ3:整
形プリズム    4:偏光ビームスプリッター5:イ
波長+/i       6:対物レンズ7:光ディス
ク 6、二色収差を有する対物レンズ 21:色収差を有するコリメートレンズ8:ビームスブ
リツタ− 特許出願人     富士ゼロックス株式会社代理人 
 手掘 益、〈ほか2名) 第1図 第 4 B 第5図 手続補正書 昭和61年12月11日 1.1呵牛のjジ六 昭和61年 特許願 第224278号2、発明の名称 記録及び消去用光ヘッド 3、補正をする者 羽生との関係   特許出願人 氏名(549)富士ゼロックス 株式会社4、代理人 (2)全図面を別紙の通り補正する。 明    細    書 1、発明の名称 記録及び消去用光へンド2、特許請求
の範囲 1、半導体レーザーとコリメートレンズと偏光ビームス
プリッターと1/4波長板と対物レンズとを備えた光ヘ
ッドにおいて、コリメートレンズに色収差を持たせ、土
星生上ニヱニ葛出射光量を基準として0.1%以上の割
合で光学的情報担体からの反射光が半導体レーザーに戻
るように、前記イ波長板の光学軸を調整したことを特徴
とする記録及び消去用光ヘッド。 2、半導体レーザーとコリメートレンズとビームスブリ
ジターとを備えた光ヘッドにおいて、コリメートレンズ
に色収 を たせ、゛  レーザーの出射光量を基準と
して0.1%以上の割合で光学的情報担体からの反射光
が半導体レーザーへ戻るように、前記ビームスプリッタ
−の光束分割比を調整したことを特徴とする記録及び消
去用光ヘッド。 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野〕 本発明は、光ディスク、光カード、光テープ等の光学的
情報担体の記録再生に使用する光ヘッドに係り、詩に半
導体レーザーのコリメート調整を大幅に簡素化した光ヘ
ッドに関する。 〔従来の技術〕 光ディスク、光カード、光テープ等の光学的情報担体(
以下、これらを光ディスクで代表する)の記録再生に使
用する光ヘッドにおいては、従来から光源として半導体
レーザーが用いられている。 この半導体レーザーから出る光は、拡がり角が10〜3
0度(半値全幅)程度の発散光である。 そのため、従来の光ヘッドにおいては、第5図に示すよ
うに、半導体レーザー1を出た光を、コリメートレンズ
2で平行光に変換していた。そして、このコリメートレ
ンズ2を出た光を、必要に応じて整形プリズム3で整形
し、対物レンズ6により光デイスク7上に微小なスポッ
トとして収束させている。この光ディスク7で反射した
光は、1/4波長板5及び偏光ビームスプリッタ−4に
より分離され、光検出器(図示せず)上に収束され情報
信号又はサーボエラー信号として使用される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この光学系においては、前述したように、半導体レーザ
ー1から出た光をコリメートレンズ2で平行光にするコ
リメートa整を必要とする。しかし、このコリメート調
整は、光ヘツド組立て時に非常に時間のかかる作業であ
る。特に、記録或いは消去用の光の場合にあっては、大
出力が要求されるため、開口数NAの大きなコリメート
レンズが必要となる。しかし、開口数NAが大きくなる
につれて焦点深度d Cd−±λ/ (2(NA)”)
 、但しλ:波長)が浅(なる。そのため、たとえば開
口数NAが0.5のときには、焦点深度±1.6P(λ
−780nm)以下の精度でコリメート調整を行うこと
が要求される。このような高精度の調整は、熟練した技
術を必要とし、しかも掻めて困難な作業である。 本発明は、このような従来技術の問題を解決して、半導
体レーザー光のコリメート調整を大幅に筒素化し、開口
数NAの大きなコリメートレンズを使用することができ
る光ヘッドを提供することを目的とする。 C問題点を解決するための手段〕 本発明の記録及び消去用光ヘッドは、その目的を達成す
るため、半導体レーザーとコリメートレンズと偏光ビー
ムスプリッタ−と1/4波長板と対物レンズとを備えた
光ヘッドにおいて、コリメートレンズに色収差を持たせ
、半導体レーザーの出射光量を基準として0.1%以上
の割合で光学的情報担体からの反射光が半導体レーザー
に戻るように、前記2波長板の光学軸を調整したことを
特徴とする。 また、偏光ビームスプリッタ−及び1/4波長板に代え
てビームスプリッタ−を用いたものにおいては、このビ
ームスプリッターの光束分割比を調整することにより、
半導体レーザーの出射光量を基準として0.1%以上の
割合で光学的情報担体からの反射光が半導体レーザーへ
戻るようにする。 〔作用〕 実施例の説明に先立って、本発明の基礎となったセルフ
フォーカシング現象について説明する。 第4図は、そのセルフフォーカシング現象を説明する図
である。なお、図において斜線が施されたレンズは、一
定量の色収差を有するレンズを示す。 半導体レーザーエから出た光は、コリメートレンズ2で
平行光に調整された後、対物レンズ6、により光デイス
ク7上に収束される。このとき、対物レンズ6、に一定
量の色収差があり、光ディスク7で反射した光の一定量
が半導体レーザー1に戻ると、同図(a)から山)のよ
うに光ディスク7の位置がずれても、半導体レーザー1
の発振波長が自動的にλlからhに変化する。このため
、自動的に光デイスク7上に焦点が合うという現象があ
る。これがセルフフォーカシング現象といわれるもので
あって、この現象自体は、第46回応用物理学会講演会
(1985秋)で中村等により報告されている(同講演
予講集3P−X −9参照)。 本発明は、このセルフフォーカシング現象を半導体レー
ザーとコリメートレンズとの間の焦点位置の調整(コリ
メート調整)に応用するため、対物レンズ61の代りに
コリメートレンズ2として色収差のあるものを用い、半
導体レーザーの出射光量に対して0.1%以上の割合で
反射光が光ディスク7から半導体レーザー1に戻るよう
に、1/4波長板の光学軸を調整したものである。或い
は偏光ビームスプリッタ−及び2波長板に代えてビーム
スプリッタ−を配置することにより、このセルフフォー
カシング現象を焦点位置の調整に活用することもできる
。 すなわち、所定量の反射光を半導体レーザー1に戻し、
それによって半導体レーザー1から出射される光の波長
を自動的に変え、半導体レーザー1とコリメートレンズ
2との間の距離の微小な変化を吸収するものである。 (実施例〕 以下、実施例により本発明の特徴を具体的に説明する。 第1図は本実施例による光ヘッドの一例を示し、第2図
はその光ヘッドにおいて半導体レーザーの位置がずれた
場合を示す、なお、同図において、第4図で示した部品
等に対応するものは同一の符番で指示し、その説明を省
略した。 この光学系において、χ波長板5の光学軸は、光デイス
ク7面で反射され対物レンズ6を通過した反射光の一定
量がコリメートレンズ21を介して半導体レーザー1に
戻るように調整されている。 また、コリメートレンズ2としては色収差のあるものを
使用している。 このような構成においては、半導体レーザー1とコリメ
ートレンズ2との距離が第1図、第2図のようにある範
囲で異なっていても、前述のセルフフォーカシング現象
によって自動的にコリメート調整される。 次いで、このような光ヘッドを用いたとき、半導体レー
ザーlのコリメート調整精度がどの程度緩和されるかを
測定した結果を示す。 開口数NAが0.5で物点の色収差が0.73m / 
nmのコリメートレンズ21を用い、半導体レーザー1
を出た光の10%が光ディスク7で反射して半導体レー
ザー1に戻るようにした。その結果、半導体レーザー1
とコリメートレンズ2.との相対距離を±8戸動かして
もコリメートレンズ2.を出た光は平行光とみなすこと
ができた。 これに対して、従来構成の光ヘッドにおいて開口数N八
が0.5のコリメートレンズを用いた場合、焦点深度±
1.6戸以下の精度でコリメート調整を行なう必要があ
った。 この対比から明らかなように、本実施例によるとき、コ
リメート調整に必要とされる位置決め精度が大幅に緩や
かになった。 また本実施例において、1/4波長板5を回転させるこ
とにより光ディスク7からの戻り光量を可変させながら
、コリメート調整を行なった。その結果、セルフフォー
カシング現象を利用したコリメート調整を行なうために
は、半導体レーザー1の発振モードをマルチモード化す
る必要があり、このマルチモード化を実現するためには
0.1%以上の戻り光量が必要であることが判った。半
導体レーザー1は、戻り光量の増加にしたがってマルチ
モード化していくが、0.1〜1%程度の戻り光量で十
分マルチモード化する。 次に、本発明の第2の実施例を第3図を参照しながら説
明する。 本実施例が第1実施例と異なる点は、第1実施例におけ
る偏光ビームスプリッタ−4及び1/4波長板5に代え
て、ビームスプリッタ−8を配設していることである。 そして、ビームスプリッタ−8の光束分割比を調整する
ことにより、光ディスク7から一定量の反射光が半導体
レーザー1に戻るようにしている。半導体レーザー1と
コリメートレンズ2.の距離が離れた場合でも、この半
導体レーザー1に戻された光によって、半導体レーザー
1が出射する光の波長がλl(第3図fa)参照)から
h(第3図(1))参照)となる。その結果、第1実施
例と同様にコリメート調整に要求される位置決めの精度
が緩やかになった。 なお、上述の実施例においては、コリメートレンズ21
側に色収差を持たせたが、これに代えて対物レンズ6側
に色収差を持たせることも考えられる。しかしこれは、
以下に述べる理由により好ましくない。 すなわち、半導体レーザー1とコリメートレンズ21の
距離がずれた場合、セルフフォーカシング現象により、
半導体レーザー1からの光は光デイスク7上にフォーカ
スするが、コリメートレンズ2、を出た光は平行光でな
くなってしまう。このため、非平行光束中に存在する偏
光ビームスプリッタ−により収束光に収差が生じてしま
う。また、光検出器に向かう光も平行光でなくなるため
、光検出器上の光が焦点ずれを起こし、正しい出力が得
られない。 このような理由により、本実施例においては、コリメー
トレンズ2.側に色収差を持たせている。 〔発明の効果〕 以上に説明したように、本発明においては、光ディスク
等の光学的情報担体から反射される光の一部を半導体レ
ーザーに戻すようにしている。このとき、半導体レーザ
ーの出射光量を基準として0.1%以上の割合で光学的
情報担体からの反射光が半導体レーザーに戻るようにし
て、半導体レーザーから出射される光の波長を自動的に
変えることにより、コリメート調整に必要とされる精度
を緩やかにしている。このため、コリメート調整が大幅
に簡単化され、また開口数の大きなコリメートレンズを
使用できるようにもなった。したがって、半導体レーザ
ー光の利用効率の高い光ヘッドを容易に作製できるよう
になった。 4、図面の簡単な説明 第1図は本発明実施例の光ヘッドの構成図であり、第2
図は半導体レーザーとコリメートレンズとの間の距離が
変わった場合を示し、第3図は第2実施例を示す。また
、第4図は本発明の基礎となったセルフフォーカシング
現象の原理を説明する図であり、第5図は従来の光ヘッ
ドの基本構成図である。 に半導体レーザー   2:コリメートレンズ3:整形
プリズム    4:偏光ビームスプリッタ−5:′1
/4波長板      6:対物レンズ7:光ディスク
     8:ビームスブリッター21:色収差を有す
るコリメートレンズ61:色収差を有する対物レ ンズ特許出願人     富士ゼロックス株式会社代理
人  手掘 益(ばか2 名)第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体レーザーとコリメートレンズと偏光ビームス
    プリッターと1/4波長板と対物レンズとを備えた光ヘ
    ッドにおいて、コリメートレンズに色収差を持たせ、出
    射光量を基準として0.1%以上の割合で光学的情報担
    体からの反射光が半導体レーザーに戻るように、前記1
    /4波長板の光学軸を調整したことを特徴とする記録及
    び消去用光ヘッド。 2、半導体レーザーとコリメートレンズとビームスプリ
    ッターとを備えた光ヘッドにおいて、出射光量を基準と
    して0.1%以上の割合で光学的情報担体からの反射光
    が半導体レーザーへ戻るように、前記ビームスプリッタ
    ーの光束分割比を調整したことを特徴とする記録及び消
    去用光ヘッド。
JP61224278A 1986-09-22 1986-09-22 記録及び消去用光ヘツド Pending JPS6379241A (ja)

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JP61224278A JPS6379241A (ja) 1986-09-22 1986-09-22 記録及び消去用光ヘツド

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JP61224278A JPS6379241A (ja) 1986-09-22 1986-09-22 記録及び消去用光ヘツド

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010054955A (ko) * 1999-12-08 2001-07-02 구자홍 광픽업 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010054955A (ko) * 1999-12-08 2001-07-02 구자홍 광픽업 장치

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