JPS6378580A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、（：ｄＴｅ基板又はＣｄＺｎＴｅ基板−Ｌに
形成されたＨｇｌ　−Ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ膜混晶を用いて
表面入射型の複数の赤外線検知素子を作成する半導体装
置において、該基板の背面に赤外線吸収膜を設ける。こ
れによりＣｄＴｅ２ｓｉ板又はＣｄＺｎＴｅ基板を透過
して該基板の裏面で反射した光に赤外線検知素子が感応
して各赤外線検知素子間にクロストークを生じるという
従来の問題を解決する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体装置に関するものであり、更に詳しく言
えばＣｄＴｅ基板又はＣｄＺ＋ｓＴｅ基板上のＨｇｌ　
−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ膜混晶を用いて形成した赤外線検知
素子を有する半導体装この構造に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来例に係る光伝導型（ＰＣ）赤外線検知素子
の半導体装置の断面図である。ｌはＣｄＴｅ基板、２は
エビタキシャ成長法によりＣｄＴｅ基板ｌ上に形成され
たＨｇｌ　−Ｘ　Ｃ＋１ｘ　Ｔｅ膜であり、複数個の赤
外線検知素子の受光部が形成される。なお３はセラミ−
２り支持基板であり、取り扱いの便宜−１−１ＣｄＴｅ
基板１は該セラミック支持基板３に接着される。

次に従来例の半導体装置の作用を説明する。上方から１
例えばある物体の表面から放射された赤外線が入射する
と、各赤外線検知素子の受光部はこれを検知し、赤外線
の量に応じた電気信号を出力する。この電気信号を更に
処理することにより５例えばその物体の二次元熱分布映
像を得ることが回部となる。

特に、最近では信号処理時間を短縮してリアルタイムで
映像を得るために、第３図に示すようにウェハー上にラ
イン上に、あるいは二次元的に多数の赤外線検知素子が
形成される傾向となっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、ウェハー上に多数の赤外線検知素子を形成する
場合１次のような問題が生じる。すなわち赤外線検知素
子の受光部に赤外線が直接入射する場合は問題ないが、
受光部と受光部の間の間隙をぬって入射するとき、赤外
線はＣｄＴｅ基板ｌを透過し、さらにＣｄＴｅ基板１と
セラミック支持ノ、（板３との境界で反射した後、再び
裏側から各受光部２に入射する。このように従来例の半
導体装置によれば、本来受光すべき赤外線以外の赤外線
も受光するため、各赤外線検知素子間にクロストークが
生じたり、あるいは受光部自体の検知感度が低下する。

木ＩＪＩはかかる従来のＩ？ｉ１題点に鑑みて創作され
たものであり、検知特性の良好な複数の赤外線検知素子
を有する半導体装この提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は半導体基板」二に半導体膜を形成し、該半導体
膜を用いて赤外線検知素子が形成されている半導体装ｔ
において、前記半導体基板の背面に赤外線吸収膜を設け
たことを特徴とする。

〔作用〕

半導体基板内を透過した赤外線は、該半導体基板の背面
に設けられた赤外線吸収１！！Ｘにより吸収される。こ
のため半導体基板の背面で反射される赤外線はなくなる
ので、裏側から赤外線検知素子に入射する赤外線もなく
なる。

〔実施例〕

次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。第２図は本発明の実施例に係る半導体装置の上面図、
また第１図は第２図においてＡ−Ａ　′で示す矢視断面
図である０図において。

４は個別電極部、５は共通電極部である。

第３図の従来例と異なるのは、ＣｄＴｅ基板１の背面に
赤外線吸収膜としてＨｇｌ−ｙＣｄｙＴｅ膜６を設けた
点である（但し、セラミック支持基板３は発１１１と関
係がないので、第２図では省略している。）。

この膜の組成は受光部２を形成するＩＦ５（Ｈｇｌ−＋
＋ＣｄｘＴｅ膜）と異なり、ｘ＞ｙの関係がある０例え
ば、ｘ　＝　０．３でｙ　＝　ｏ、ｉである。この大小
関係の組成とすることにより、Ｈ８１〜ｙｃｄｙＴｅｌ
ｆｌ　６　（赤外線吸収膜）は）Ｉｇ＋−ウＣｄｘＴｅ
膜２（受光部）が感応する波長の光のすべてを吸収する
ことができる。

このように未発Ｕ！Ｉの実施例によればＧｄＴｅ基板ｌ
基板面に赤外線吸収膜としてのＨｇｌ　−ｙｃｄｙＴｅ
膜６を設けているので、ＣｄＴｅ基板ｌ内を透過した赤
外線が該基板背面で反射した後、再びＨｇｌ−ｘｃｄｘ
ＴｅＷ２２（受光部）に裏側から入射することはない。

このため各受光素子間に生じていた信号のクロストーク
を防止することができるとともに、各受光素子の検知感
度の低下を防止することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば半導体基板の背面
に設けた赤外線吸収膜によって、該基板内を透過した赤
外線を吸収することができる。これにより複数の赤外線
検知素子間のクロストークの発生や検知感度の低下を防
ｌＦシて、赤外線検知素子の高性濠化を図ることが可濠
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は未発ＩＩの実施例に係る半導体装との断面図、 第２図は木９．明の実施例に係る半導体装この上面図、 第３図は従来例の半導体装置を説ＩＪＩする断面図であ
る。 （符号の説明） ｌ・・・Ｃｄ丁ｅ基板、 ”　””　Ｈｇｌ　−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ膜（受光部）、
３・・・セラミック支持基板、 ４・・・個別電極部、 ５・・・共通電極部、 ６一−−Ｈｇ１−ｖＣｄｙＴｅ膜（赤外線吸収膜）。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に半導体膜を形成し、該半導体膜を
   用いて赤外線検知素子が形成されている半導体装置にお
   いて、 前記半導体基板の背面に赤外線吸収膜を設けたことを特
   徴とする半導体装置。
2. （２）前記半導体基板はＣｄＴｅ基板又はＣｄＺｎＴｅ
   基板、前記半導体膜はＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ膜
   、前記赤外線吸収膜は該半導体膜のｘ値より小さいｙ値
   のＨｇ＿１＿−＿ｙＣｄ＿ｙＴｅ膜であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。