JPS6376382A - 赤外線検知素子 - Google Patents
赤外線検知素子Info
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- JPS6376382A JPS6376382A JP61221272A JP22127286A JPS6376382A JP S6376382 A JPS6376382 A JP S6376382A JP 61221272 A JP61221272 A JP 61221272A JP 22127286 A JP22127286 A JP 22127286A JP S6376382 A JPS6376382 A JP S6376382A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、赤外光を検知するダイオードの出力電流を
積分して赤外光を検知する赤外線検知素子において、背
景光の影響を除去するために、ダイオードに隣接して電
界効果型トランジスタを設け、この電界効果型トランジ
スタを定電流源とし、背景光の電流成分の除去を可能と
する。
積分して赤外光を検知する赤外線検知素子において、背
景光の影響を除去するために、ダイオードに隣接して電
界効果型トランジスタを設け、この電界効果型トランジ
スタを定電流源とし、背景光の電流成分の除去を可能と
する。
この発明は赤外光を検知する赤外線検知素子に係り、特
にフォトダイオードの電流を積分して赤外光を検知する
赤外線検知素子に関するものである。
にフォトダイオードの電流を積分して赤外光を検知する
赤外線検知素子に関するものである。
赤外線検知素子によって検知される赤外光は、背景光成
分を含んでおり、この背景光成分は所要とする被測定体
の赤外光に比して大きく、積分型の赤外線検知素子の測
定精度の低下と動作速度を遅くすると云うことを生じ、
背景光成分が除去される赤外線検知素子が要望されてい
る。
分を含んでおり、この背景光成分は所要とする被測定体
の赤外光に比して大きく、積分型の赤外線検知素子の測
定精度の低下と動作速度を遅くすると云うことを生じ、
背景光成分が除去される赤外線検知素子が要望されてい
る。
第３図は、従来の積分型の赤外線検知素子の模式図であ
り、赤外光はフォトダイオード１１に入射される。受光
された赤外光はフォトダイオードで光電変換され、フォ
トダイオード１１は出力電流Ｉｐを出力する。この出力
電流Ｉｐは積分回路３の積分容Ｎ３−１に蓄積される。
り、赤外光はフォトダイオード１１に入射される。受光
された赤外光はフォトダイオードで光電変換され、フォ
トダイオード１１は出力電流Ｉｐを出力する。この出力
電流Ｉｐは積分回路３の積分容Ｎ３−１に蓄積される。
この蓄積された電荷は演算増幅器（以後オペアンプと記
す）３−２を経て出力端子３−３に出力される。スイッ
チ３−４は赤外光を検知するに際し、蓄積電Ｎ３−１の
蓄積電荷をクリヤするためのものであり、検知中は図に
示すように「開」状態にし赤外光を検知する。出力端子
３−３で得られた検出値から不要とする背景光成分を後
で除去すると云う方法を採用していた。
す）３−２を経て出力端子３−３に出力される。スイッ
チ３−４は赤外光を検知するに際し、蓄積電Ｎ３−１の
蓄積電荷をクリヤするためのものであり、検知中は図に
示すように「開」状態にし赤外光を検知する。出力端子
３−３で得られた検出値から不要とする背景光成分を後
で除去すると云う方法を採用していた。
上記したように従来の赤外線検知素子は、フォトダイオ
ードの出力電流を積分しているので、背景光成分を含め
て積分するために、積分容量を大きくすることが不可欠
であった。この容量を太き（するために、赤外線検知素
子の集積化が困難になると云う問題があった。
ードの出力電流を積分しているので、背景光成分を含め
て積分するために、積分容量を大きくすることが不可欠
であった。この容量を太き（するために、赤外線検知素
子の集積化が困難になると云う問題があった。
この発明は、以上のような従来の状況から、赤外光に含
まれる背景光成分を除去して積分を行ない、積分容量が
小さく集積化の容易な赤外線検知素子の提供を目的とす
るものである。
まれる背景光成分を除去して積分を行ない、積分容量が
小さく集積化の容易な赤外線検知素子の提供を目的とす
るものである。
この発明では、第１図に示すように、赤外光を検知する
ダイオード１に隣接した電界効果型トランジスタ２とダ
イオード１とを一体化し、ダイオード１の出力電流を積
分回路３に入力するように構成しである。
ダイオード１に隣接した電界効果型トランジスタ２とダ
イオード１とを一体化し、ダイオード１の出力電流を積
分回路３に入力するように構成しである。
オペアンプ３−２の入力端子３−５ 、３−６はオペア
ンプの開ループ利得が十分大であるならば積分容量を介
した帰還効果によって実質的に同電位であると云う特性
から、ダイオードの電位は一定に保たれ、一体的に構成
された電界効果型トランジスタ２を通じて一定電流即ち
、背景光電流成分をドレイン電極に取り出す。従って、
積分回路３に入力される出力電流は背景光の成分の除去
されたものとなり、蓄積容量の小型化が可能となる。
ンプの開ループ利得が十分大であるならば積分容量を介
した帰還効果によって実質的に同電位であると云う特性
から、ダイオードの電位は一定に保たれ、一体的に構成
された電界効果型トランジスタ２を通じて一定電流即ち
、背景光電流成分をドレイン電極に取り出す。従って、
積分回路３に入力される出力電流は背景光の成分の除去
されたものとなり、蓄積容量の小型化が可能となる。
第２図は本発明の赤外線検知素子を示す実施例の模式図
である。水銀カドミウムテルル或いインジウムアンチモ
ン等からなる基板５の上に赤外光を検知するダイオード
（フォトダイオード）１−１〜１−５が形成され、この
基板５上に各ダイオード１−１〜１−５にそれぞれソー
ス電極２−１〜２−５とこのそれぞれのドレイン電極２
１〜２５とドレイン電極のドレイン電流を制御するゲー
ト電極２０とからな電界効果型トランジスタをダイオー
ド１−１〜１−５に隣接してそれぞれ設けである。
である。水銀カドミウムテルル或いインジウムアンチモ
ン等からなる基板５の上に赤外光を検知するダイオード
（フォトダイオード）１−１〜１−５が形成され、この
基板５上に各ダイオード１−１〜１−５にそれぞれソー
ス電極２−１〜２−５とこのそれぞれのドレイン電極２
１〜２５とドレイン電極のドレイン電流を制御するゲー
ト電極２０とからな電界効果型トランジスタをダイオー
ド１−１〜１−５に隣接してそれぞれ設けである。
シリコン基板６の上に積分容量３−１、オペアンプ３−
２、スイッチ３−３からなる積分回路３がダイオードに
それぞれ対応して形成され、ダイオードとオペアンプが
それぞれ接続されるように構成しである。
２、スイッチ３−３からなる積分回路３がダイオードに
それぞれ対応して形成され、ダイオードとオペアンプが
それぞれ接続されるように構成しである。
上記したように、この積分容量３−１に入力される出力
電流は既に、電界効果型トランジスタによって背景成分
に相当する電流が除去されているので、積分容量は小容
量のものでよく、シリコン基板６に高密度に集積可能で
あり、又電界効果型トランジスタとダイオードも基板５
上に高密度に集積化が可能である。
電流は既に、電界効果型トランジスタによって背景成分
に相当する電流が除去されているので、積分容量は小容
量のものでよく、シリコン基板６に高密度に集積可能で
あり、又電界効果型トランジスタとダイオードも基板５
上に高密度に集積化が可能である。
なお以上は、電界効果型トランジスタを５ ｆｌｌｉｌ
として説明を行ったが勿論５（［１ｉ１に限定されるも
のでないことは云うまでもない。
として説明を行ったが勿論５（［１ｉ１に限定されるも
のでないことは云うまでもない。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、赤
外光による出力電流から背景光成分が、積分回路以前に
て除去でき、積分容量が小さくてよく、高密度の集積化
が可能となり、赤外線映像装置に適用すると極めて有益
な効果を奏する。
外光による出力電流から背景光成分が、積分回路以前に
て除去でき、積分容量が小さくてよく、高密度の集積化
が可能となり、赤外線映像装置に適用すると極めて有益
な効果を奏する。
第１図は本発明を説明するための模式図、第２図は本発
明の赤外線検知素子を示す実施例の模式図、 第３図は、従来の積分型の赤外線検知素子の模式図であ
る。 図において、１と１１はダイオード、２は電界効果型ト
ランジスタ、３は積分回路を示す。 第１ＵＡ フロ 第２図
明の赤外線検知素子を示す実施例の模式図、 第３図は、従来の積分型の赤外線検知素子の模式図であ
る。 図において、１と１１はダイオード、２は電界効果型ト
ランジスタ、３は積分回路を示す。 第１ＵＡ フロ 第２図
Claims (1)
- 赤外光を検知するダイオード（１）と該ダイオード（１
）と隣接して一体的に形成された電界効果型トランジス
タ（２）と前記ダイオードの電流を積分する積分回路（
３）とで構成されてなり、前記電界効果型トランジスタ
（２）を定電流源として動作させることを特徴とする赤
外線検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221272A JPS6376382A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 赤外線検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221272A JPS6376382A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 赤外線検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376382A true JPS6376382A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16764175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221272A Pending JPS6376382A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 赤外線検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267695A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像装置 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61221272A patent/JPS6376382A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267695A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像装置 |
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