JPS6374211A - 遅延回路 - Google Patents
遅延回路Info
- Publication number
- JPS6374211A JPS6374211A JP61217324A JP21732486A JPS6374211A JP S6374211 A JPS6374211 A JP S6374211A JP 61217324 A JP61217324 A JP 61217324A JP 21732486 A JP21732486 A JP 21732486A JP S6374211 A JPS6374211 A JP S6374211A
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- JP
- Japan
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- inverter
- load means
- transistors
- delay circuit
- capacitor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- WFWLQNSHRPWKFK-UHFFFAOYSA-N Tegafur Chemical compound O=C1NC(=O)C(F)=CN1C1OCCC1 WFWLQNSHRPWKFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHTOUAJSGEKT-UHFFFAOYSA-N chlorine trioxide Chemical compound [O]Cl(=O)=O TVWHTOUAJSGEKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は遅延回路であって、MISトランジスタで構成
されたインバータとキャパシタとの間に前記インバータ
を構成するトランジスタと同じ傾向の温度特性および電
源電圧特性を有する負荷手段を設けることにより、前記
インバータの温度および電源電圧による特性変化を相殺
して、遅延時間の変動を減少させることを可能とする。
されたインバータとキャパシタとの間に前記インバータ
を構成するトランジスタと同じ傾向の温度特性および電
源電圧特性を有する負荷手段を設けることにより、前記
インバータの温度および電源電圧による特性変化を相殺
して、遅延時間の変動を減少させることを可能とする。
本発明は遅延回路に関し、特に、MIS)ランジスタで
構成されたインバータおよびキャパシタを有する遅延回
路に関する。
構成されたインバータおよびキャパシタを有する遅延回
路に関する。
第3図は従来の遅延回路の一例を示す回路図である。
従来の遅延回路は、例えば、PチャンネルMISトラン
ジスタ111およびNチャンネルMISトランジスタ1
12を有するCMISインバータ101と、キャパシタ
103と、により構成されている。この遅延回路の遅延
時間T□は、キャパシタ103の静電容量をClO3と
し、トランジスタ111および112の抵抗値をR5゜
1として、T□=KxCIo3 ・RIol (ここで、Kは定数) と表すことができる。
ジスタ111およびNチャンネルMISトランジスタ1
12を有するCMISインバータ101と、キャパシタ
103と、により構成されている。この遅延回路の遅延
時間T□は、キャパシタ103の静電容量をClO3と
し、トランジスタ111および112の抵抗値をR5゜
1として、T□=KxCIo3 ・RIol (ここで、Kは定数) と表すことができる。
ところで、インバータを構成しているMIS)ランジス
タ111および112は、温度および電源電圧の変化に
よってその抵抗値R0゜、を大きく変化させる。その結
果、遅延回路の遅延時間T□は温度および電源電圧の変
化による抵抗値R1゜1の変化に伴って大きく変動する
ことになる。具体的に、温度が高くなると抵抗値R6゜
1は増大し、遅延時間T□は長くなる。また、電源電圧
Vccが高くなると遅延時間T□は短くなる。
タ111および112は、温度および電源電圧の変化に
よってその抵抗値R0゜、を大きく変化させる。その結
果、遅延回路の遅延時間T□は温度および電源電圧の変
化による抵抗値R1゜1の変化に伴って大きく変動する
ことになる。具体的に、温度が高くなると抵抗値R6゜
1は増大し、遅延時間T□は長くなる。また、電源電圧
Vccが高くなると遅延時間T□は短くなる。
上述したように、従来の遅延回路、特に、MISトラン
ジスタで構成されたインバータを有する遅延回路は、温
度および電源電圧の変化によって、その遅延時間Tp4
が大きく変化することになっていた。
ジスタで構成されたインバータを有する遅延回路は、温
度および電源電圧の変化によって、その遅延時間Tp4
が大きく変化することになっていた。
しかし、そのような遅延回路は、保証する範囲の温度変
化(例えば、−30℃〜70℃)および電源電圧変化(
例えば、5■±10%)に対して、その遅延時間T□を
一定に維持する必要がある。
化(例えば、−30℃〜70℃)および電源電圧変化(
例えば、5■±10%)に対して、その遅延時間T□を
一定に維持する必要がある。
すなわち、ユーザーが保証された範囲内の温度および電
源電圧で遅延回路を使用したならば、その遅延回路は必
ず一定の遅延時間を生じるようにされていなければなら
ない。
源電圧で遅延回路を使用したならば、その遅延回路は必
ず一定の遅延時間を生じるようにされていなければなら
ない。
本発明は、上述した従来形の遅延回路に鑑み、MISI
−ランジスタで構成されたインバータとキャパシタとの
間に前記インバータを構成するトランジスタと同じ傾向
の温度特性および電源電圧特性を有する負荷手段を設け
ることにより、前記イ〔問題点を解決するための手段〕 第1図は本発明に係る遅延回路の原理を示す回路図であ
る。
−ランジスタで構成されたインバータとキャパシタとの
間に前記インバータを構成するトランジスタと同じ傾向
の温度特性および電源電圧特性を有する負荷手段を設け
ることにより、前記イ〔問題点を解決するための手段〕 第1図は本発明に係る遅延回路の原理を示す回路図であ
る。
本発明によれば、MISI−ランジスタで構成されたイ
ンバータ1と、該インバータIの出力に一端が接続され
、前記インバータを構成するトランジスタと同じ傾向の
温度特性および電源電圧特性を有する負荷手段2と、該
負荷手段2の他端に接続されたキャパシタ3と、を具備
する遅延回路が提供される。
ンバータ1と、該インバータIの出力に一端が接続され
、前記インバータを構成するトランジスタと同じ傾向の
温度特性および電源電圧特性を有する負荷手段2と、該
負荷手段2の他端に接続されたキャパシタ3と、を具備
する遅延回路が提供される。
上述した構成を有する本発明の遅延回路によれば、MI
Sトランジスタで構成されたインバータ1とキャパシタ
3との間には前記インバータを構成するトランジスタと
同じ傾向の温度特性および電源電圧特性を有する負荷手
段2が設けられ、これにより、前記インバータIの温度
および電源電圧による特性変化を相殺して、遅延時間の
変動を減少させることができる。
Sトランジスタで構成されたインバータ1とキャパシタ
3との間には前記インバータを構成するトランジスタと
同じ傾向の温度特性および電源電圧特性を有する負荷手
段2が設けられ、これにより、前記インバータIの温度
および電源電圧による特性変化を相殺して、遅延時間の
変動を減少させることができる。
以下、図面を参照して本発明に係る遅延回路の一実施例
を説明する。
を説明する。
第2図は本発明の遅延回路の一実施例を示す回路図であ
る。
る。
遅延回路は、インバータ1と、負荷手段2と、キャパシ
タ3と、を具備している。インバータ1は、Pチャンネ
ルMISトランジスタ11およびNチャンネルMISト
ランジスタ12が相補的に接続されたCMISインバー
タを構成している。
タ3と、を具備している。インバータ1は、Pチャンネ
ルMISトランジスタ11およびNチャンネルMISト
ランジスタ12が相補的に接続されたCMISインバー
タを構成している。
トランジスタ11のドレインには電源電圧VCCが印加
され、また、トランジスタ12のソースは接地されてい
る。トランジスタ11および12の共通ゲートはインバ
ータ1の入力とされ、トランジスタ11および12の共
通ドレインはインバータlの出力とされている。また、
インバータ1の出力には負荷手段2の一端に接続されて
いる。
され、また、トランジスタ12のソースは接地されてい
る。トランジスタ11および12の共通ゲートはインバ
ータ1の入力とされ、トランジスタ11および12の共
通ドレインはインバータlの出力とされている。また、
インバータ1の出力には負荷手段2の一端に接続されて
いる。
負荷手段2は、PチャンネルMISI−ランジスタ21
およびNチャンネルMISトランジスタ22で構成され
ている。これら2つのトランジスタ11および12は、
インバータ1の出力とキャパシタ3との間に並列に接続
され、そして、トランジスタ21のゲートは接地され、
また、トランジスタ22のゲートには電a!電圧Vcc
が印加されている。負荷手段2の他端には、その一端が
接地されたキャパシタ3が接続されている。
およびNチャンネルMISトランジスタ22で構成され
ている。これら2つのトランジスタ11および12は、
インバータ1の出力とキャパシタ3との間に並列に接続
され、そして、トランジスタ21のゲートは接地され、
また、トランジスタ22のゲートには電a!電圧Vcc
が印加されている。負荷手段2の他端には、その一端が
接地されたキャパシタ3が接続されている。
このような遅延回路によって、インバータ1の入力に供
給された信号は、インバータ1および負荷手段2を介し
たキャパシタ3によって遅延され、そして、出力される
ことになる。
給された信号は、インバータ1および負荷手段2を介し
たキャパシタ3によって遅延され、そして、出力される
ことになる。
前記2つのトランジスタ21および22の温度特性およ
び電源電圧特性は、インバータ1のトランジスタ11お
よび12と同じ傾向を有している。
び電源電圧特性は、インバータ1のトランジスタ11お
よび12と同じ傾向を有している。
例えば、成る温度の上昇によりトランジスタ11の抵抗
値R1が大きく (例えば、R1+r) なり、そして
、この増加した抵抗値(r)が遅延時間T□を時間tだ
け長くするように作用する。このとき、トランジスタ2
1の抵抗値R2も大きく(例えば、Rz +rl )な
り、キャパシタ3の静電容量C3による影響を小さくし
、そして、この増加した抵抗値(ro)が遅延時間T−
を時間tだけ短くするように作用する。すなわち、トラ
ンジスタ21は、トランジスタ11の温度特性による遅
延時間Tpdの変化時間tを打ち消すような温度特性を
有するものが使用されることになる。また、負荷手段2
のトランジスタ22についても同じである。
値R1が大きく (例えば、R1+r) なり、そして
、この増加した抵抗値(r)が遅延時間T□を時間tだ
け長くするように作用する。このとき、トランジスタ2
1の抵抗値R2も大きく(例えば、Rz +rl )な
り、キャパシタ3の静電容量C3による影響を小さくし
、そして、この増加した抵抗値(ro)が遅延時間T−
を時間tだけ短くするように作用する。すなわち、トラ
ンジスタ21は、トランジスタ11の温度特性による遅
延時間Tpdの変化時間tを打ち消すような温度特性を
有するものが使用されることになる。また、負荷手段2
のトランジスタ22についても同じである。
また、同様に電源電圧に対しても、負荷手段2のトラン
ジスタ21および22は、電源電圧の変化でインバータ
1のトランジスタ11または12を通過する電流値が変
化して遅延時間が変動するような場合、トランジスタ2
1または22を通過する電流値をトランジスタ11また
は12と同様に変化させて、遅延時間の変動を減少させ
るように作用する。すなわち、トランジスタ21および
22は、トランジスタ11および12の電源電圧特性と
同じ傾向の電源電圧特性を有している。
ジスタ21および22は、電源電圧の変化でインバータ
1のトランジスタ11または12を通過する電流値が変
化して遅延時間が変動するような場合、トランジスタ2
1または22を通過する電流値をトランジスタ11また
は12と同様に変化させて、遅延時間の変動を減少させ
るように作用する。すなわち、トランジスタ21および
22は、トランジスタ11および12の電源電圧特性と
同じ傾向の電源電圧特性を有している。
以上の実施例において、負荷手段2は2つのMIs)ラ
ンジスタ21および22により構成されているが、負荷
手段2はこれに限定されるものではなく、インバータ1
を構成するトランジスタ11および12と同じ傾向の温
度特性および電源電圧特性を有するものならばよいのは
いうまでもない。
ンジスタ21および22により構成されているが、負荷
手段2はこれに限定されるものではなく、インバータ1
を構成するトランジスタ11および12と同じ傾向の温
度特性および電源電圧特性を有するものならばよいのは
いうまでもない。
以上、詳述したように、本発明に係る遅延回路は、MI
S)ランジスタで構成されたインバータとキャパシタと
の間に前記インバータを構成するトランジスタと同じ傾
向の温度特性および電源電圧特性を有する負荷手段を設
けることにより、前できる。
S)ランジスタで構成されたインバータとキャパシタと
の間に前記インバータを構成するトランジスタと同じ傾
向の温度特性および電源電圧特性を有する負荷手段を設
けることにより、前できる。
第1図は本発明に係る遅延回路の原理を示す回路図、
第2図は本発明の遅延回路の一実施例を示す回路図、
第3図は従来の遅延回路の一例を示す回路図である。
1・・・インバータ、
2・・・負荷手段、
3・・・キャパシタ。
本発明に係る遅延回路の
原理を示す回路図
、第1図
1−m−インバータ
2−m−負荷手段
3−一一キャパシタ
第2図
従来の遅延回路の一例を示す回路図
第3図
101−m−インバータ
103 −m−キャパシタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 MISトランジスタで構成されたインバータ(1)と、 該インバータ(1)の出力に一端が接続され、前記イン
バータを構成するMISトランジスタと同じ傾向の温度
特性および電源電圧特性を有する負荷手段(2)と、 該負荷手段(2)の他端に接続されたキャパシタ(3)
と、 を具備する遅延回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61217324A JPS6374211A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 遅延回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61217324A JPS6374211A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 遅延回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6374211A true JPS6374211A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16702388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61217324A Pending JPS6374211A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 遅延回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6374211A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0478220A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Samsung Electron Co Ltd | 信号遅延回路 |
US5767719A (en) * | 1993-11-25 | 1998-06-16 | Nec Corporation | Delay circuit using capacitor and transistor |
JP2005346900A (ja) * | 2004-05-08 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 相変化メモリ装置の駆動回路及びプログラミング方法 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61217324A patent/JPS6374211A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0478220A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Samsung Electron Co Ltd | 信号遅延回路 |
US5767719A (en) * | 1993-11-25 | 1998-06-16 | Nec Corporation | Delay circuit using capacitor and transistor |
JP2005346900A (ja) * | 2004-05-08 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 相変化メモリ装置の駆動回路及びプログラミング方法 |
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