JPS6373643A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6373643A JPS6373643A JP22014286A JP22014286A JPS6373643A JP S6373643 A JPS6373643 A JP S6373643A JP 22014286 A JP22014286 A JP 22014286A JP 22014286 A JP22014286 A JP 22014286A JP S6373643 A JPS6373643 A JP S6373643A
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- metallic layer
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法１こ係り、特にバイ
アホールを有するヒ化ガリウム集積回路（以’Ｆ Ｇａ
ＡｓＩＣと称する）の製造方法ｌこ関するものである。
アホールを有するヒ化ガリウム集積回路（以’Ｆ Ｇａ
ＡｓＩＣと称する）の製造方法ｌこ関するものである。
第２図ｆａｔ〜［ｃｌの従来のＧａＡｓ Ｉ Ｃに於け
るバイアホール（基板表面から裏面に貫通する孔）の主
要形成工程を示す断面図である。
るバイアホール（基板表面から裏面に貫通する孔）の主
要形成工程を示す断面図である。
以下、その工程について説明する。まず、第２図ｆａ）
に示すようｌこＧａＡｓ基板【１）の表面（こ表面金！
Ａ層（２）を形成した後、＠２図（ｂ）１こ示すようｌ
こ前記Ｇ５Ａｓ基板（１）の裏面側から所要バター７の
フオ）Ｌ／ジスト（３）をマスクとした湿式エツチング
Ｉこよってホール（１ｍ）を形成し、続いて、フオトレ
ジス） （３） ヲ除去後、前記ホール（Ｌａ）凹部内
面及びＧａＡａ基板（１）裏面全体にまず蒸着又はスパ
ッタリングによって下地となる給電金属層（％に図示せ
ず）を形成した後、を解メン中を行って裏面金属層（４
）を形成する。
に示すようｌこＧａＡｓ基板【１）の表面（こ表面金！
Ａ層（２）を形成した後、＠２図（ｂ）１こ示すようｌ
こ前記Ｇ５Ａｓ基板（１）の裏面側から所要バター７の
フオ）Ｌ／ジスト（３）をマスクとした湿式エツチング
Ｉこよってホール（１ｍ）を形成し、続いて、フオトレ
ジス） （３） ヲ除去後、前記ホール（Ｌａ）凹部内
面及びＧａＡａ基板（１）裏面全体にまず蒸着又はスパ
ッタリングによって下地となる給電金属層（％に図示せ
ず）を形成した後、を解メン中を行って裏面金属層（４
）を形成する。
以上の工程によって製造された半導体装置Ｉこおいて、
バイアホール部分、つまり、ホール（１ａ）の凹部内面
及びその周辺に形成された裏面金属層（４）は、前記半
導体装ｆ表面の電気回路に於ける配線金属または金属パ
ッドとこの裏面金属層（４）とをコンタクトさせること
ｌこよって、前記電気回路から前記半導体装置裏面側へ
の放熱及び接地機能を達成するという効果を有するもの
である。
バイアホール部分、つまり、ホール（１ａ）の凹部内面
及びその周辺に形成された裏面金属層（４）は、前記半
導体装ｆ表面の電気回路に於ける配線金属または金属パ
ッドとこの裏面金属層（４）とをコンタクトさせること
ｌこよって、前記電気回路から前記半導体装置裏面側へ
の放熱及び接地機能を達成するという効果を有するもの
である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置の製造方法によると、裏面金属層（４
）を形成する時、ホール（ＩＪｌ）凹部の金属層Ｉこよ
るカバレンジはホール（ｌｊｌ）開口部の周囲に比べて
悪く、ホール（１ａ）凹部には薄い金属層しか形成出来
ないので、ホール（１ａ）凹部を金属層で充填すること
は困難であった。ホール（ｌａ ）凹部に金属が充填さ
れていない場合、この凹部は、ＩＣチップのアッセンブ
リを行った後、ＩＣチップをのせているキャリアとＩＣ
チップとの間の空間（熱伝導度の小さい空気の層）とし
て残るので、ＩＣチップからキャリアへの放熱を妨げ、
従って半導体装置表面に形成された電気回路から裏面側
への放熱を行うパイ７ホールのヒートシンクとしての効
果を小さくしていた。
）を形成する時、ホール（ＩＪｌ）凹部の金属層Ｉこよ
るカバレンジはホール（ｌｊｌ）開口部の周囲に比べて
悪く、ホール（１ａ）凹部には薄い金属層しか形成出来
ないので、ホール（１ａ）凹部を金属層で充填すること
は困難であった。ホール（ｌａ ）凹部に金属が充填さ
れていない場合、この凹部は、ＩＣチップのアッセンブ
リを行った後、ＩＣチップをのせているキャリアとＩＣ
チップとの間の空間（熱伝導度の小さい空気の層）とし
て残るので、ＩＣチップからキャリアへの放熱を妨げ、
従って半導体装置表面に形成された電気回路から裏面側
への放熱を行うパイ７ホールのヒートシンクとしての効
果を小さくしていた。
＠３図は従来法に於けるもう一つの問題点を示した断面
図で、＠２図（ｂ）から（ｃｌへ移行する過速の工程と
同じ状態、つまりメッキ給戒金属層（５）を形成した状
態をエキシマレーザ−、ＹＡＧレーザー等でバイアホー
ル形成を行った場合Ｉこついて表している。
図で、＠２図（ｂ）から（ｃｌへ移行する過速の工程と
同じ状態、つまりメッキ給戒金属層（５）を形成した状
態をエキシマレーザ−、ＹＡＧレーザー等でバイアホー
ル形成を行った場合Ｉこついて表している。
＠３図に於てメッキ給電金属層を表す（５）以外の符号
は、第２図と同一の部分を表している。＠３図のように
、エキシマレーザ−、ＹＡＧＬ／−ｆ−等で形成した開
口の仕上り幅が小さくかつ凹部側壁が基板１１）面に対
し垂直に近いホール（ＩＡ）にメタライズを行う場合、
スパッタリング、蒸着などによるホール（ｌ＆）凹部側
壁へのメッキ給電層（５）形成はカバレンジの点から考
えて非常に困難である。メッキ給電層（５）が形成出来
ない場合、メッキの成長も行われないから従って、前記
半導体装置表面側の電気回路とメッキ給電層＋５）上に
形成される裏面金属層との電気的なコンタクトがとれず
、バイアホールの接地不良が引き起こされる。
は、第２図と同一の部分を表している。＠３図のように
、エキシマレーザ−、ＹＡＧＬ／−ｆ−等で形成した開
口の仕上り幅が小さくかつ凹部側壁が基板１１）面に対
し垂直に近いホール（ＩＡ）にメタライズを行う場合、
スパッタリング、蒸着などによるホール（ｌ＆）凹部側
壁へのメッキ給電層（５）形成はカバレンジの点から考
えて非常に困難である。メッキ給電層（５）が形成出来
ない場合、メッキの成長も行われないから従って、前記
半導体装置表面側の電気回路とメッキ給電層＋５）上に
形成される裏面金属層との電気的なコンタクトがとれず
、バイアホールの接地不良が引き起こされる。
以上のように従来の半導体装置の製造法では、バイアホ
ールのヒートシンクとして効果が小さく。
ールのヒートシンクとして効果が小さく。
又、開口仕上り幅が小さくかつ凹部側壁が基板面蛋こ対
し垂直に近いホールにメタライズを行う場合。
し垂直に近いホールにメタライズを行う場合。
バイアホールの接地不良が生じ易いという問題点があっ
た。
た。
この発明は、上記のような問題点に鑑みなされたもので
、放熱・接地効果の良好なバイアホールを有する半導体
装置の製造方法を得る事を目的とする。
、放熱・接地効果の良好なバイアホールを有する半導体
装置の製造方法を得る事を目的とする。
この発明憂こ係る半導体装置の製造方法は基板裏面から
のホール形成により、ホール凹部の底に前記基板の茨面
側に形成された表面金属層の一部を露出させた後、前記
表面金属層をメッキ給電層として、前記基板裏面側から
電解メッキを行うようにしたものである。
のホール形成により、ホール凹部の底に前記基板の茨面
側に形成された表面金属層の一部を露出させた後、前記
表面金属層をメッキ給電層として、前記基板裏面側から
電解メッキを行うようにしたものである。
この発明に於て、基板表面側に形成された表面金属層を
メッキ給電金属層として、前記基板裏面側から電解メッ
キを行う工程は、ホール凹部の底に露出している前記表
面金属層の一部面上のみ憂こ選択的にメッキを成長させ
るホールをメッキ金属で埋めることができる作用を有す
る。
メッキ給電金属層として、前記基板裏面側から電解メッ
キを行う工程は、ホール凹部の底に露出している前記表
面金属層の一部面上のみ憂こ選択的にメッキを成長させ
るホールをメッキ金属で埋めることができる作用を有す
る。
以Ｆ、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（＆）〜［ｄ）は、この発明の一実施例の主要工程に
２ける状態を示す断面図で、（６）はホール埋込金属層
、その他の符号は＠２図及び第３図と同じものを夫々示
す。
図（＆）〜［ｄ）は、この発明の一実施例の主要工程に
２ける状態を示す断面図で、（６）はホール埋込金属層
、その他の符号は＠２図及び第３図と同じものを夫々示
す。
第１図（ａｌは＠２図ｆａｌと同じＧａＡａ基板（１）
上に表面金属層（２）を形成した状態で、本実施例では
この状態の後、エキシマレーザ−、ＹＡＧレーザ−、も
しくはＲＩＥ、またはこれらと湿式エツチングとの併用
により、開口の仕上り幅が小さく、かつ前記１人３基板
（１）面にほぼ垂直な側壁を有するホール（ｌａ）を形
成する（＠１図（ｂ））。次に、＠１図（ｃ）のように
前記表面金属層（２）をメツギ給電層として、基板（１
） １面側に電解メン中を施す。
上に表面金属層（２）を形成した状態で、本実施例では
この状態の後、エキシマレーザ−、ＹＡＧレーザ−、も
しくはＲＩＥ、またはこれらと湿式エツチングとの併用
により、開口の仕上り幅が小さく、かつ前記１人３基板
（１）面にほぼ垂直な側壁を有するホール（ｌａ）を形
成する（＠１図（ｂ））。次に、＠１図（ｃ）のように
前記表面金属層（２）をメツギ給電層として、基板（１
） １面側に電解メン中を施す。
この時、ＧａＡｓ基板（１）ｌこは電流が流れないので
、ホール（１ａ）の形成により裏面側ｌこ露出している
表面金属層（２）の一部のみが電解メン中に於けるカン
ード電極として作用する。従って、ホール（１ａ）の凹
部の底面上条このみ選択的基こメッキが成長し、ホール
（１ａ）を埋めたホール埋込金属層（６）が形成される
。その後、＠１図１ｄｌのように、前記ＧａＡｓ基板（
１）の裏面全体ｌこ裏面金属層（４）を形成する。
、ホール（１ａ）の形成により裏面側ｌこ露出している
表面金属層（２）の一部のみが電解メン中に於けるカン
ード電極として作用する。従って、ホール（１ａ）の凹
部の底面上条このみ選択的基こメッキが成長し、ホール
（１ａ）を埋めたホール埋込金属層（６）が形成される
。その後、＠１図１ｄｌのように、前記ＧａＡｓ基板（
１）の裏面全体ｌこ裏面金属層（４）を形成する。
以上の工程ｌこより、バイアホールを有する半導体装置
のホール（１ａ）凹部を充填する事が出来る。
のホール（１ａ）凹部を充填する事が出来る。
以上のように、この発明ｌこよればＧａＡｓ基板の裏面
側から形成したホール凹部に金属を充填することによっ
て、ＧａＡａ集積回路に於けるバイアホールの放熱効果
を高め、かつバイアホールの接地効果をより確実なもの
にする事が出来る。
側から形成したホール凹部に金属を充填することによっ
て、ＧａＡａ集積回路に於けるバイアホールの放熱効果
を高め、かつバイアホールの接地効果をより確実なもの
にする事が出来る。
＠１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の主要工程段階での状態を示す断面図、！！２図は従
来の製造方法の主要工程段階での状態を示す断面図、１
！３図は従来の製造方法の問題点の一つの状態を示す断
面図である。 図において、Ｃ１）は半導体基板（ＧａＡｓ基板）、（
１ａ）はホール部、（２）は表面金属層、（４）は裏面
金ｆ４層。 （６）はホール埋込金属層である。 な３１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
法の主要工程段階での状態を示す断面図、！！２図は従
来の製造方法の主要工程段階での状態を示す断面図、１
！３図は従来の製造方法の問題点の一つの状態を示す断
面図である。 図において、Ｃ１）は半導体基板（ＧａＡｓ基板）、（
１ａ）はホール部、（２）は表面金属層、（４）は裏面
金ｆ４層。 （６）はホール埋込金属層である。 な３１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）少なくとも表面側がヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）層
からなる半導体基板の上記表面上に表面金属層を形成す
る工程と、 上記半導体基板の裏面側から上記半導体基板を貫通して
底面に上記表面金属層を露出させるホール部を形成させ
る工程と、 上記表面金属層を給電金属層として上記半導体基板の裏
面側から電解メッキを施し、上記ホール部を実質的に埋
めるホール埋込金属層を形成する工程と、 上記ホール部からの上記ホール埋込金属層の露出面上に
わたつて上記半導体基板の裏面上に裏面金属層を形成す
る工程とを備えた半導体装置の製造方法。 - （２）ホール部をレーザエッチングまたはレーザエッチ
ングと湿式エッチングとの併用によつて形成することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製
造方法。 - （３）ホール部を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）ま
たはＲＩＥと湿式エッチングとの併用によつて形成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22014286A JPS6373643A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22014286A JPS6373643A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373643A true JPS6373643A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16746554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22014286A Pending JPS6373643A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373643A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187342A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JPH02198857A (ja) * | 1989-01-28 | 1990-08-07 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法および該方法によって製造されたインクジェット記録ヘッド |
| US5292686A (en) * | 1991-08-21 | 1994-03-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | Method of forming substrate vias in a GaAs wafer |
| US5312765A (en) * | 1991-06-28 | 1994-05-17 | Hughes Aircraft Company | Method of fabricating three dimensional gallium arsenide microelectronic device |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP22014286A patent/JPS6373643A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187342A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JPH02198857A (ja) * | 1989-01-28 | 1990-08-07 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法および該方法によって製造されたインクジェット記録ヘッド |
| US5312765A (en) * | 1991-06-28 | 1994-05-17 | Hughes Aircraft Company | Method of fabricating three dimensional gallium arsenide microelectronic device |
| US5292686A (en) * | 1991-08-21 | 1994-03-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | Method of forming substrate vias in a GaAs wafer |
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