JPS6370438A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に関し、詳しくは半導体ウェハ
を分離分割し清浄する半導体製造装置に係わるものであ
る。

〔従来の技術〕

集積回路索子（以下、ＩＣと称す）を製作する工程は周
知のように、完成された半導体ウェハ（以下、ウェハと
称す）のテストパターンに対して電流増幅率、接合耐圧
等の測定を抜き取すチェフクする工程の後、ＩＣテスタ
ー等によるウェハブロービング工程（回路特性チェック
、良否判別を示すインカニ程を含む）を行なう。

更に、スクライブ領域にダイヤモンド・カッター（以下
、ブレードと称す）によるグイシング工程を経て、外観
検査の後、良品チップを得る。

この良品チップとバフケージをダイボンディングにより
結合し、チップの電極パッドとパッケージのリードをワ
イヤボンディングにより接続し、更に封止工程および各
種ＩＣテスターにより検査を行なって、所望のｒｃを得
る。上記の各種の製作工程におけるグイシング工程では
、通常はダイシング装置またはスクライビング装置でウ
ェハの分離分割が行なわれる。このダイシング手段置等
によって分離分割されるウェハは、次の工程である。外
観検査により良品チップの選別が行なわれるものである
が、上記グイシング工程の後のウェハの表面等は、非常
に汚れた状態となっている。すなわち、上記ブレードで
ウェハのスクライブ領域を分離分割する際に切断面から
微粉末状の切り粉等が周囲に飛散するのでウェハの表面
を清浄する清浄装置が必要となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の従来のＩＣ製作工程においては、ダイシング装置
によるグイシング工程や清浄装置によるウェハ表面の清
浄工程が必要である。従って、これら装置および工程が
介在するので製作工程が増加し、製作ラインが長くなり
、更に、これらに起因して製作時間が増大する。また、
上記のようなダイシング装置では、この装置内に清浄装
置を設けることができないので、ダイシングを終了した
チップをダイシング装置より取り外し、次の清浄装置に
セットして清浄を行なう、従って、取り外しおよびセン
ト等に時間が費されると共に繁雑な作業を行なうことに
なる。上記ダイシング装置から清浄装置にチップを移す
際に、取り扱い上の不注意等例えば、ダイシング装置上
に粘着シートにより固定された分離分割されたチップを
不用意な圧力を加えてはがしたり、取り外したチップを
落したりしてチップに損傷を与える恐れがある。

本発明の目的は、上記の従来の種々の欠点に着目してな
されたもので、製作工程の節減とダイシング装置と清浄
装置の一体化を同時に解決する半導体製造装置を提供す
るものである。

〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明によ
る半導体製造装置を添付図面を参照して説明する。

第１図は本発明による半導体製造装置の概要を示す外観
斜視図である。第１図において、１は本発明の半導体製
造装置であり、２は円盤状のステージで、このステージ
は駆動装置および位置決め装置（いずれも図示せず）に
よって矢印Ｘ方向、Ｙ方向および右回転（矢印Ａ方向）
左回転（矢印Ｂ方向）に自在に移動できるようになって
いる。３は上記ステージ２上に粘着シート等により固定
されたウェハで、このウェハはＩＣテスター等を用いた
ウェハブロービング工程により全数がチェックされ、良
品判別のイン力を完了したものである。４は上記ウェハ
３を所定のチップサイズに分離分割するブレードやこの
ブレードを高速回転駆動させる駆動・制御部等を備えた
ダイシング手段である。５は上記ダイシング手段４に対
応させた位置に配設した清浄手段で、上記ウェハ３の表
面を清浄するブラツクや、このブラツクを保持するプラ
ンジ保持部や回転軸等が設けられている。この清浄手段
５は、上記ダイシング手段４によりウェハ３を所定のチ
ップサイズに分離分割する際にチップの表面や周辺に飛
散する微粉末状の切り粉等を除去しウェハ３の表面等を
清浄するものである。

上記の構成において、先ずステージ２をＸ方向に１＠次
所定のチップサイズに相当する寸法に走行させ、ダイシ
ング手段４および清浄手段５を動作させウェハ３の分離
分割および清浄を同時に行ない、このＸ方向の所定の動
作完了の後、上記ステージ２をＡ方向またはＢ方向に９
０°回転させて、次にＹ方向についても同様な動作を行
ないウェハ３より多数個の分離分割および清浄の終了し
たチップ６を得ることができる。

〔実施例〕

次に、本発明による半導体製造装置の実施例を説明する
。以下に説明する各実施例において、同一の機能を有す
る部材には同一の参照符号を付記してその説明は省略す
る。

第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の一実施例を示す
もので、同図（Ａ）　は外観斜視図であり、同図（Ｂ）
は側面図をそれぞれに示、すものである。

第２図（Ａ）および（Ｂ）において、１１は円盤状のス
テージで、このステージ１１の底面には回動軸１２が一
体的に設けられている。この回動軸１２には自動送りお
よび位置決め装置（図示せず）が設けられ、上記ステー
ジを右回転（矢印入方向）または左回転（矢印Ｂ方向）
、および直角方向（矢印Ｘ方向またはＹ方向）に自在に
移動できるようになっている。１３はステージ１１の表
面に固定した粘着シートで、ステージ１１の周側面１４
に固定リング等（図示せず）で強固にステ−ジ１１の表
面上に密着されている。１５はＩＣテスター等でウェハ
プロービング工程により全数がチェックされたウェハで
、良品判別のイン力が施されており、このウェハ１５を
上記ステージ１１の中心部に粘着シー）１３を介して接
着し固定する。

１６は上記ウェハ１５に形成されているスクライブ領域
に切り込みを入れて所定のチップサイズに分離分割する
ための円盤状のブレード１７を設けたダイシング部であ
る。このダイシング部１６には、上記ブレード１７の中
心に設けた回転軸（図示せず）を高速回転するための駆
動および速度制御部等が設けられている。上記ブレード
１７を回転駆動させる場合は、矢印Ｃ方向に約１５゜０
００〜３０．００Ｏｒ　ｐ　ｍの範囲で回転させ、例え
ば通常の６インチのシリコン・ウェハを３鶴角のチップ
サイズに分離分割する際は、約３０．００Ｏｒｐｍで２
〜３分程度でダイシングができる。なお、上記ダイシン
グ部１６は、この半導体製造装置に固定されている。１
８は上記ウェハ１５の表面部および周面部等を清浄する
ための清浄部であり、回転軸１９と一体的に設けられた
ブラソシ保。

枠部２０およびブラツク２１で構成される。この清浄部
１８は上記ダイシング部１６のブレード１７と一直線上
に配設されている。すなわち、上記ブラック２１および
ブレード１７がウェハ１５の表面に接触する接線は同一
直接上になるようにそれぞれを配設しである。上記回転
軸１９の一方の端部２２は、上記ダイシング部１６内で
自在に軸承され、一方の端部２３は駆動および制御装置
（図示せず）に接続され所定の回転駆動、この実施例で
は上記ブレードと同じ方向の矢印り方向に回転される。

なお、上記端部２２はこの半導体製造装置内のいずれか
の場所に配設してもよく、また回転軸１９の上記駆動お
よび制御装置はダイシング部１６内に設けてもよい。

上記ブラッシ保枠部２０に設けるブラック２１は、テト
ロン、ナイロン、プラスチック等で形成し、７９７２１
本当りの太さは通常約１０〜５０μｍ程度の範囲から適
宜な太さを選択して用いるが、例えば本例の場合は約２
０〜４０μｍ程度の太さを用いる。また、このブラック
の長さは通常約３〜５０ｔｍ程度の範囲から適宜な長さ
を選択し、例えば、本例の場合は約３〜５ｍｍ程度のも
のを選択して用いる。このような要件を備えたブラツク
をプラソシ保枠部２０に密に形成し清浄部１８を構成す
る。上記ブラック２１の外形は、清浄するウェハによっ
て適宜な大きさとするが、例えば６インチのウェハを清
浄する場合、外形寸法は約１００〜２００　ｆｉ程度で
、本例の場合は約１５０　ｍｍ程度で好適である。この
ように構成した上記プラック２１を約２００〜１５００
　ｒ　ｐ　ｍでウェハ１５の表面上を回転させて清浄す
る。

以上のような構成による実施例において、先ず、ステー
ジ１１をＸ方向（またはＹ方向）に所定のチップサイズ
に対応する移動量で移送しウェハ１５をブレード１７で
分離分割しながらプラツタ２１で、このウェハ１５の表
面を清浄する０図示の状態は丁度、Ｘ方向の分離分割が
終了した直後の状態を示し、次にステージ１１をＢ方向
に９０゜回動させてＹ方向（またはＸ方向）の分離分割
と清浄を同時に行ない、所望のチップを得る。

この実施例によれば、ダイシング部１６と清浄部１８を
同じ装置内に設けたのでウェハより飛散する微粉末状の
切り粉等は、分離分割と同時に取り除くことができる。

この実施例によれば、ダイシングおよび清浄の工程が同
一箇所で行なえるので、工程の節減、更にこれらの工程
間の移動作業と時間が節減される。また、工程間の移動
がないため移動作業の際に発生するウェハの取り扱い上
の損傷等もなくすことができる。

更に、ダイシング部１６と清浄部１８を一体化したので
、装置のコンパクト化が図られる。

第３図（＾）および（Ｂ）は、本発明による半導体製造
装置の他の実施例を示し、同図（Ａ）はこの装置の平面
図であり、同図（Ｂ）　は同装置の側面図をそれぞれに
示すものである。

第３図（Ａ）及び（Ｂ）において、本実施例は、ブレー
ド１７の回転軸３１と清浄部１８の回転軸１９を略平行
に配設してブレード１７の直後にブラフシ２１を設けた
ものである。この実施例の場合、清浄部１８のブラック
２１が形成されている範囲ａ内のいずれかの所定位置に
ブレード１７があるので、ウェハ１５が分離分割される
時に生ずる微粉末状の切り粉等は直ちに後方に設けたブ
ラック２１によって除去され一層の清浄効果を得ること
ができる。

この実施例によれば、ダイシング手段と清浄手段を同じ
装置内に設けることができるので、両手段による工程が
１箇所で行なえるため工程間の移動がないため工程の短
縮及び簡略化ができるので装置の小型化が可能となる。

更に、上述の従来例にみられる移動時のウェハの損傷を
な（することができる。

第４図（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の更に他の実施例を示
し、同図（Ａ）は上記第２の実施例に吸引ダクトを設け
たものであり、同図（Ｂ）　　は、上記吸引ダクトを更
に改良した実施例をそれぞれに示す側面図である。

第４図（Ａ）において、３２は広い開口部３３を形成し
た吸引ダクトであり、この開口部３３は清浄部１日の回
転＆ｂ１９と平行に形成されている。３４は吸引ダクト
と一体的に形成された吸引筒で空気吸引装置（図示せず
）より引正によって清浄時に飛散するウェハ１５の表面
上の微粉末状の切り粉３５等を開口部３３の周辺の空気
と共に矢印方向Ｆに吸引して除去するようになっている
。

上記吸引ダクト３２はステージ１１の周側面１４または
回動軸１２の支持部（図示せず）に固定するかまたは本
発明による装置内の適宜な場所に設け、ステージ１１の
移動に伴って共動ができる構成としてもよい。

本実施例によれば、上述の第１及び第２の実施例の効果
に加えて飛散した微粉末状の切り粉３５等を吸引し除去
できるので、これら切り粉３５等がウェハ１５０表面に
付着し汚すことを防止することができる。

第４図（Ｂ）において、３６は上記吸引ダクト３２の端
部に形成した折り曲げ部であり、この折り曲げ部によっ
て狭い開口部３７を形成する。この開口部３７はプラツ
ク２１の外形寸法と略等しいか又は若干大きい形状をな
している。

この実施例によれば、上記第４図（Ａ）で示した効果に
加え、飛散した微粉末状の切り粉３５等を完全に吸引ダ
クト３２内に吸引し除去することができる。また、開口
部３７が狭いので吸引装置の吸引圧も低くすむので、こ
の装置の小型化も図ることができる。

上記第４図（Ａ）及び（Ｂ）に示した実施例は第２の実
施例のみならず第１の実施例に適宜に組み合わせること
もできる。

〔発明の効果〕

本発明による半導体製造装置によればダイシング手段と
清浄手段を一体的に設けてウエノへの分離分割と清浄を
同時に行なうことができるので、製作工程の節減やウェ
ハの損傷を防ぐ等の生産性の向上および該装置の小型化
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体製造装置の概要を示す外観
斜視図、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の一実施例を示す
外観斜視図および側面図、 第３図（Ａ）および（Ｂ）　は、本発明の他の実施例を
示す平面図および側面図、 第４図（Ａ）および（Ｂ）　は、本発明の更に他の実施
例を示す側面図をそれぞれに示す。 １・−・−半導体製造装置、２．１１・−・−ステージ
、３．１５・−・・・ウェハ、４・−・・−ダイシング
手段、５−・−清浄手段、１６・・・−ダイシング部、
１７−・−ブレード、１８−・清浄部 オリンパス光学工業株式会社′ 第１図 第２図 第６図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハを固定し自在に移動が可能なステージと
   、上記半導体ウェハをチップサイズに分離分割するブレ
   ードを設けたダイシング手段と、上記ブレードに対応し
   て設けた清浄手段とを備え、上記半導体ウェハを分離分
   割しながら清浄を行なうことを特徴とする半導体製造装
   置。